JPWO2017159561A1 - 情報記録媒体、並びに情報記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

３層以上の情報層（１０、２０、３０）を含む情報記録媒体（１００）の一つの情報層（１０、２０、３０）に、レーザ光（６）の照射側より、ＺｒＯ及びＩｎ２Ｏ３を含む第２誘電体膜（１３、２３、３３）と、Ｗ、Ｍｎ及びＯを含む記録膜（１２、２２、３２）と、ＺｒＯ及びＩｎ２Ｏ３を含む第１誘電体膜（１１、２１、３１）と、アクリル系樹脂からなる中間分離層（２、３）とをこの順に有し、記録膜（１２、２２、３２）がレーザ光（６）の照射により情報を記録または再生する情報記録媒体（１００）であって、記録膜（１２、２２、３２）に含まれる金属元素を組成式：ＷａＭｎｂＭｃ（ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｎｂ及びＴａより選ばれる１以上の元素であり、ａ＞０及びｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、ｂ≧１２を満足し、且つ第１誘電体膜（１１、２１、３１）がＩｎ２Ｏ３を６０ｍｏｌ％以下含む。

Description

本開示は光学的手段によって情報を記録または再生する高密度な情報記録媒体とその製造方法に関するものである。

これまで商品化されてきた光学的情報記録媒体として、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｋ）やＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｋ）やＢＤ（Ｂｌｕ−ｒａｙ（登録商標） Ｄｉｓｃ）がある。これらの媒体においては、記録再生レーザ波長を短くしたり、レンズの開口数ＮＡ（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ Ａｐｅｒｔｕｒｅ）を高くしたり、トラックピッチをつめることにより高密度化（大容量化）を実現してきた。

ＢＤにおいては、ＢＤ−ＸＬ規格に準じた１００ＧＢ容量のものが製品化されている。このＢＤ−ＸＬ規格のメディアにおいては、情報層を３層化、また１情報層あたりの記録密度を３３．４ＧＢにすることにより１００ＧＢという高密度化が実現できた。今後はさらに線密度を高くし、またランド／グルーブ（Ｌａｎｄ／Ｇｒｏｏｖｅ）記録による３００ＧＢ容量以上のメディアが提案されている。

光学的情報記録媒体の特長として優れた長期保存性が挙げられる。そのため前述した大容量のメディアは、公文書・医療画像・動画映像などの重要な大容量データを長期間保存しておくデータアーカイブに最適なメディアである。このようなデータアーカイブ用途として使用するメディアには、追記型の情報記録媒体が適している。追記型の情報記録媒体には、様々な記録膜材料が適用され、例えば結晶−アモルファスの相変化を利用したＴｅ−Ｏ−Ｐｄ（特許文献１参照）や、バブルによりマーク（ピット）を形成するＷ−Ｏ（特許文献２参照）やＧｅ−Ｂｉ−Ｏ（特許文献３参照）などが挙げられる。

前述した追記型の情報記録媒体においては、記録感度や変調度など光学的な設計を最適化したり、記録膜材料を水分などの影響から保護したりするために誘電体膜が設けられている。この誘電体膜の一例としては、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２やＩＴＯなどが挙げられる。

これらの記録膜や誘電体膜はスパッタリング法を用いて形成されることが多いが、情報記録媒体の製造コストを下げるためは、高い成膜レートが期待できるＤＣスパッタリングが用いられている。

特許第３７５２１７７号公報 特開２０１２−１６１９４１号公報 特許第３８０２０４０号公報

本発明者は、タングステン（Ｗ）と酸素（Ｏ）を含む記録膜を有する情報記録媒体において、初期特性（初期記録感度）と信頼性（シェルフ特性、再生耐久性）の両立に課題を見出した。

ＷとＯを含む記録膜にレーザ光等の照射により熱を加え一定以上の温度に昇温させることで、膜中の酸素が分離・結合し、マーク（ピット）となるバブルが形成される。このバブル形成により、記録膜の光学的な変化を得るとともに、記録膜の体積も膨張方向に変化するため、信号特性として大きな変調度を得ることができる。また非可逆的な変化であるため、マークの長期保存性にも優れている。

情報記録媒体の記録感度を向上するためには、記録膜におけるレーザ光の吸収率を高め、効率的に熱へと変換する必要がある。しかしながらディスクの光学特性には反射率、透過率および吸収率がありそれらの和（反射率＋透過率＋吸収率）が１００％であるとすると、反射率を一定値で設計した場合、記録感度を向上するため吸収率を高くすると透過率が低下することになる。透過率が低下すると、レーザ光の入射側より奥側の情報層に到達するレーザ光の強度が低下することとになり、奥側の情報層の記録感度の低下や反射率の低下が生じる。

記録膜の光吸収が高くなると、再生光に対する熱負荷も大きくなるため、再生耐久性が悪化傾向にある。ここで再生耐久性とは、記録マーク（信号）に再生光を連続して照射し続けた時の、信号品質の劣化度合いを示す。再生耐久性がよいということとは、再生光を連続して照射し続けても、信号品質の劣化が少ないことを意味する。信号品質は、マークのＣＮＲ（Ｃａｒｒｉｅｒ ｔｏ Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ）やｉ−ＭＬＳＥ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ−Ｍａｘｉｍｕｍ Ｌｉｋｅｌｉｈｏｏｄ Ｓｅｑｕｅｎｃｅ Ｅｓｔｉｍａｔｉｏｎ）を指標として評価することができる。

本開示において再生耐久性を支配する要因がアクリル系樹脂からなる中間分離層と、それと接する酸化ジルコニウムと酸化インジウムからなる誘電体膜の組成比にあることを見出した。具体的には誘電体膜の酸化インジウムが多くなると再生耐久性が悪化する。

またＷとＯを含む記録膜を用いた情報記録媒体においては、シェルフ特性の課題もある。シェルフ特性とは情報記録媒体を長期保存した後の、保存前（情報記録媒体作製直後）に対する未記録部の記録特性の変化を示す。記録特性の変化を評価する指標としては、記録感度の変化やｉ−ＭＬＳＥの変化がある。シェルフ特性がよいとは、前述した記録感度やｉ−ＭＬＳＥの変化が少ないことを意味するが、ＷとＯを含む記録膜を用いた情報記録媒体のシェルフ特性においては、記録感度が悪化やｉ−ＭＬＳＥの悪化が生じやすく改善が必要である。

シェルフ特性の劣化は、未記録部における記録膜中の各元素の結合状態が変わり、光学的特性が変化、または物理的硬度が変化することが要因と考えられるが、記録膜中のＷ量が多くなるほど劣化量が大きくなる傾向がある。

ここで複数の情報層を有する情報記録媒体において、レーザ照射側に近い情報層は、奥の情報層までレーザを透過させ、奥の情報層を高感度で記録・再生させるため、高い透過率を有する必要がある。ＷとＯを含む記録膜材料において、高い透過率を得るためは、Ｗ量を増やす必要があり、そのためシェルフ特性の劣化は、レーザ照射側に近い情報層のほうが大きくなる。

以上のように、本開示は、ＷとＯを含む記録膜を有する情報記録媒体であって、良好な初期特性、再生耐久性またはシェルフ特性を得ることができる情報記録媒体を提供する。

上記目的を達成するために、本開示における情報記録媒体は、３層以上の情報層を含む情報記録媒体であって、少なくとも一つの情報層にレーザ光の照射側より、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第２誘電体膜と、少なくともタングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）および酸素（Ｏ）を含む記録膜と、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１誘電体膜と、アクリル系樹脂からなる中間分離層をこの順に有し、前記記録膜が前記レーザ光の照射により、情報を記録または再生する情報記録媒体であって、前記記録膜に含まれる金属元素をＷ_ａＭｎ_ｂＭ_ｃ（原子％）（但し、ＭはＷおよびＭｎを除く任意の金属元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、ｂ≧１２を満足し、且つ前記第１誘電体膜が酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下含むことを特徴とする。

また、情報記録媒体の製造方法は、情報層を形成する工程を３つ以上含み、少なくとも１つの前記情報層を形成する工程が、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）および酸素（Ｏ）を含む記録膜を形成する工程と、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１および第２誘電体膜を形成する工程を含み、前記記録膜を形成する工程がＷおよびＭｎを含むターゲットを用いるスパッタリング工程を含み、前記第１および第２誘電体膜を形成する工程がＺｒＯ_２およびＩｎ_２Ｏ_３を含む誘電体ターゲットを用いるスパッタリング工程を含むことを特徴とする。

本開示の情報記録媒体は、少なくとも一つの情報層にレーザ光の照射側より、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第２誘電体膜と、少なくともＷ、ＭおよびＯを含む記録膜と、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１誘電体膜と、アクリル系樹脂からなる中間分離層をこの順に有し、前記記録膜に含まれる金属元素をＷ_ａＭｎ_ｂＭ_ｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、ｂ≧１２を満足し、且つ前記誘電体膜が酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下で含むことを特徴とし、良好な初期特性、再生耐久性およびシェルフ特性を得ることができる。

また、本開示の情報記録媒体の製造方法によれば、上記のような効果を有する情報記録媒体を作製することができる。

図１は、実施の形態１における情報記録媒体の断面図である。 図２は、実施の形態２における情報記録媒体の断面図である。

本発明者らは、ＷとＯを含む記録膜を有する情報記録媒体において、初期特性（初期記録感度）と信頼性（シェルフ特性、再生耐久性）を両立することができる記録膜、誘電体膜の材料およびその組成比を発明した。具体的には、記録膜にはマンガン（Ｍｎ）を含み、Ｍｎが記録膜に含まれる金属元素比で１２原子％以上であること、また誘電体膜の酸化インジウム量が６０ｍｏｌ％以下であることを特徴とする。

具体的には、本開示の情報記録媒体は、３層以上の情報層を含む情報記録媒体であって、少なくとも一つの情報層にレーザ光の照射側より、酸化ジルコニウムおよび酸化インジウムを含む第２誘電体膜と、少なくともタングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）および酸素（Ｏ）を含む記録膜と、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１誘電体膜と、アクリル系樹脂からなる中間分離層とをこの順に有し、前記記録膜に含まれる金属元素を組成式：Ｗ_ａＭｎ_ｂＭ_ｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、ｂ≧１２を満足し、且つ前記第１誘電体膜が酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下含んでいる。

また、膜の透過率を高めるため、前記第１誘電体膜および前記第２誘電体膜において、酸化ジルコニウムがＺｒＯ_２であり、酸化インジウムがＩｎ_２Ｏ_３であることが好ましい。

また、導電性を高めたり、より透過率を高めたりするため、前記第１誘電体膜および前記第２誘電体膜が、Ｄ１（但し、Ｄ１はＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＳｎＯ_２、Ｇａ_２Ｏ_３およびＴｉＯ_２より選ばれる少なくとも一つの誘電体）を含むことが好ましい。

また、前記記録膜が、前記Ｍで示される金属元素のうち少なくともＭ１（但し、Ｍ１はＭｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素）を含むことが好ましい。

前記記録膜は、さらに、Ｍ２（但し、Ｍ２はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素）を含み、前記記録膜に含まれる金属元素を組成式：Ｗ_ｐＭｎ_ｑＭ２_ｒＭ１_ｓ（原子％）と表記した場合に、２０≦ｐ≦６０、ｑ≧１２、２≦ｓ≦４０且つｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＝１００を満足することが好ましい。

また、前記レーザ光の照射側より最も遠い情報層において、前記レーザ光の入射側より、酸化ジルコニウムおよび酸化インジウムを含む第２誘電体膜と、少なくともタングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ１、Ｍ２および酸素（Ｏ）を含む記録膜と、酸化ジルコニウムおよび酸化インジウムを含む第１誘電体膜と基板をこの順に有し、前記記録膜に含まれるＭで示される金属元素としてＭ１およびＭ２を含み、前記記録膜に含まれる金属元素を組成式：Ｗ_ｊＭｎ_ｋＭ２_ｍＭ１_ｎ（原子％）（但し、Ｍ１はＭｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、Ｍ２はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素）と表記した場合、ｊ＞０、ｋ≧１２およびｊ＋ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００を満足し、且つ前記第１誘電体膜が酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下含むことが好ましい。

また、前記記録膜に含まれる金属元素の組成式：Ｗ_ｊＭｎ_ｋＭ２_ｍＭ１_ｎ（原子％）において、１５≦ｊ≦５０、ｋ≧１４、２≦ｎ≦４０且つｊ＋ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００を満足することが好ましい。

また、導電性を高めて、且つ高い透過率を得るため、前記記録膜がＣｕを含み、前記記録膜に含まれる金属元素をＷ_ａＭｎ_ｂＣｕ_ｃＭ_ｄＮ_ｅ（原子％）（但し、ＭよりＣｕを除く。また、Ｎは、Ｗ、Ｍｎ、Ｍ以外の任意の金属元素であり、ｄ＞０、ｅ≧１２、ｆ＞０、ｇ＞０およびｈ≧０でｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＝１００を満足する）と表記した場合、ｅ＋ｆ≦５０を満足することがより好ましい。

また、前記記録膜が少なくとも２種類以上の異なる組成の記録材料の積層構造からなり、前記記録材料が少なくともタングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）および酸素（Ｏ）を含んでいてもよい。

また、変調度を高めるため、前記積層構造における記録材料の少なくとも一つが、前記記録材料に含まれる金属元素をＷ_ａＭｎ_ｂＭ_ｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、ｂ≧１５を満足することが好ましい。

また、記録感度と再生耐久性の両立のため、前記第１誘電体膜と前記第２誘電体膜のＩｎ_２Ｏ_３の組成比が異なっていてもよい。

また、記録感度と再生耐久性の両立のため、前記第１誘電体膜に含まれるＩｎ_２Ｏ_３量が、前記第２誘電体膜に含まれるＩｎ_２Ｏ_３量よりも少ないことがより好ましい。

また、前記基板を介し、両側に前記情報層を配置していてもよい。

また、前記情報層において情報を記録・再生する凹凸溝を有し、前記レーザ光の照射側より見た時に、近い側の溝（グルーブ）および遠い側の溝（ランド）の両方に記録することで情報記録媒体の大容量化が可能である。

また、本開示の情報記録媒体の製造方法は、情報層を形成する工程を３つ以上含み、少なくとも１つの前記情報層を形成する工程が、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）および酸素（Ｏ）を含む記録膜を形成する工程と、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１および第２誘電体膜を形成する工程を含み、前記記録膜を形成する工程がＷ、ＭｎおよびＭ（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素）を含むターゲットを用いるスパッタリング工程を含み、前記第１および第２誘電体膜を形成する工程がＺｒＯ_２およびＩｎ_２Ｏ_３を含む誘電体ターゲットを用いるスパッタリング工程を含んでいる。

また、前記情報記録媒体の生産タクトを短縮し製造コストを下げるため、前記記録膜を形成する工程において、高い成膜レートが期待できる酸素を添加したＤＣ反応性スパッタリング法を用いることが好ましい。

また、前記情報記録媒体の生産タクトを短縮し製造コストを下げるため、前記第１および第２誘電体膜を形成する工程において、高い成膜レートが期待できるＤＣスパッタリング法を用いることが好ましい。

以下、本開示における実施の形態について図面を参照しながら説明する。以下の実施の形態は例示的なものであり、本開示は以下の実施の形態に限定されない。

（実施の形態１）
本開示の実施の形態１として、レーザ光６を用いて情報の記録および再生を行う情報記録媒体の一例を説明する。図１に、その光学的情報記録媒体の断面を示す。本実施の形態の情報記録媒体１００は、情報を記録再生する情報層を、基板１を介して両側にそれぞれの３層ずつ（合計６層）設けており、カバー層４側よりレーザ光６を照射し、各情報層に対して情報を記録再生できる多層光学的情報記録媒体である。レーザ光６は波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光である。

情報記録媒体１００は、Ａ面と称する情報記録媒体１０１とＢ面と称する情報記録媒体１０２を基板１の裏面（情報層を有する面とは逆側）で貼り合わせた両面の情報記録媒体である。Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２は基板１上に中間分離層２、３などを介して、順次情報層が積層され第１情報層１０、第２情報層２０および第３情報層３０を有し、第３情報層３０に接しカバー層４が設けられている。第２情報層２０および第３情報層３０は透過型の情報層である。

情報記録媒体１００において、案内溝を基板１に形成した場合、本明細書においては、レーザ光６に近い側にある面を便宜的に「グルーブ」と呼び、レーザ光６から遠い側にある面を便宜的に「ランド」と呼ぶ。このグルーブとランドの両方に記録再生し、例えば１情報層あたりの容量を５０ＧＢにすることで、情報記録媒体１００においては６つの情報層に記録再生できるので、３００ＧＢの容量を有する情報記録媒体を得ることができる。

３つの情報層の実効反射率は第１、第２および第３の情報層の反射率と、第２および第３の情報層の透過率を各々調整することにより制御できる。

本明細書中では、３つの情報層を積層した状態で測った各情報層の反射率を、実効反射率と定義する。特に断りがない限り、「実効」と記載していなければ、積層しないで測った反射率を指す。また、Ｒ_ｇはグルーブ部の未記録状態での溝部反射率、Ｒ_ｌはランド部の未記録状態での溝部反射率を示す。

本実施の形態では、一例として、第１情報層１０の実効Ｒ_ｇが３．０％、実効Ｒ_ｌが３．２％、第２情報層２０の実効Ｒ_ｇが４．８％、実効Ｒ_ｌが５．１％、第３情報層３０の実効Ｒ_ｇが６．４％、実効Ｒ_ｌが６．８％となるように設計した構成を説明する。

第３情報層３０の透過率が７５％、第２情報層２０の透過率が７１％である場合、第１情報層１０はＲ_ｇが１０．５％、Ｒ_ｌが１１．３％、第２情報層２０はＲ_ｇが８．５％、Ｒ_ｌが９．０％、第３情報層３０はＲ_ｇが６．４％、Ｒ_ｌが６．８％となるように設計すれば、前述の反射率を得ることができる。ここでの透過率は記録膜が未記録状態でグルーブ・ランドの平均値を示している。

以下、基板１、中間分離層２、中間分離層３、カバー層４および貼り合わせ層５の機能、材料および厚みについて説明する。

基板１は円盤状の透明な基板であることが好ましい。基板１の材料には、例えばポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはＰＭＭＡ等の樹脂、あるいはガラスを用いることができる。基板１の記録膜１２側の表面には、必要に応じてレーザ光６を導くための凹凸の案内溝が形成されていてもよい。なお、図示した形態において、基板１の厚さが約０．５ｍｍ、直径が約１２０ｍｍであることが好ましい。また、案内溝を基板１に形成した場合、全前述した通り、レーザ光６に近い側の溝を「グルーブ」と呼び、レーザ光６から遠い側の溝を「ランド」と呼ぶ。グルーブ面とランド面の段差は、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。また、実施の形態１ではグルーブ・ランド間の距離は、約０．２２５μｍとした。

中間分離層２および３は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等のアクリル系樹脂からなり、効率よく第１情報層１０および第２情報層２０に到達するよう、記録再生する波長λの光に対して光吸収が小さいことが好ましい。中間分離層２および３は、第１情報層１０、第２情報層２０および第３情報層３０のフォーカス位置を区別するために用いられ、厚さは対物レンズの開口数（ＮＡ）とレーザ光６の波長λによって決定される焦点深度ΔＺ以上であることが必要である。焦点の光強度の基準を無収差の場合の８０％と仮定した場合、ΔＺはΔＺ＝λ／｛２（ＮＡ）^２｝で近似できる。また、第２情報層２０における裏焦点の影響を防ぐため、中間分離層２と中間分離層３の膜厚は異なる値が好ましい。また、中間分離層２および３などにおいてレーザ光６の入射側に凹凸の案内溝が形成されていてもよい。実施の形態１ではグルーブ・ランド間の距離は、約０．２２５μｍとした。

カバー層４は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、または誘電体等からなり、使用するレーザ光６に対して光吸収が小さいことが好ましい。またカバー層４には、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、あるいはガラスを用いてもよい。これらの材料を使用する場合は、カバー層４を、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂によって第３情報層３０における第２誘電体膜３３に貼り合わせることにより形成する。カバー層４の厚みは、ＮＡ＝０．８５で良好な記録・再生が可能な厚みである４０μｍ〜８０μｍ程度が好ましく、５０μｍ〜６５μｍ程度がより好ましい。

貼り合わせ層５は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂からなり、Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２を接着させている。また貼り合わせ層５にはレーザ光６を遮光する膜を設けてもよい。貼り合わせ層５の厚みは５μｍ〜８０μｍ程度が好ましく、２０μｍ〜５０μｍ程度がより好ましい。

ＢＤ規格と同等の情報記録媒体の厚みとした場合は、中間分離層２と３とカバー層４との厚みの総和が１００μｍとなるように設定する。例えば、中間分離層２が約２５μｍ、中間分離層３が約１８μｍ、カバー層４が約５７μｍのように設定できる。

次にまず、第３情報層３０の構成について説明する。第３情報層３０は、本開示の特徴となす情報層であり、中間分離層３の表面上に、第１誘電体膜３１、記録膜３２、第２誘電体膜３３がこの順に積層されることにより形成されている。

第１誘電体膜３１には、本開示における酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含み、酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体を用いる。また、高い導電性を得るために、酸化インジウムは２０ｍｏｌ％より多く含まれていることが好ましい。

透過率を高めるため、酸化ジルコニウムはＺｒＯ_２、酸化インジウムはＩｎ_２Ｏ_３であるこが好ましい。または導電性を高めたり、より透過率を高めたりするため、Ｄ１（但し、Ｄ１はＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＳｎＯ_２、Ｇａ_２Ｏ_３およびＴｉＯ_２より選ばれる少なくとも一つの誘電体）を含むことが好ましい。導電性の指標として、比抵抗値が１Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。また第１誘電体膜３１は、光学的な位相差を調節して信号振幅を制御する働きや、記録マークの膨らみを調整して信号振幅を制御する働きを有する。また記録膜３２への水分の侵入を抑制したり、記録膜中の酸素が外部へ逃避するのを抑制したりする働きを有する。

第１誘電体膜３１の具体的な組成系としては、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−Ｙ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＣａＯ、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＭｇＯ、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−Ｇａ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−ＺｎＯ、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ｙ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−ＣａＯ、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−ＭｇＯ、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ｇａ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３−ＺｎＯ、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｙ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３−ＣａＯ、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３−ＭｇＯ、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｇａ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ−Ｙ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ−ＣａＯ、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ−ＭｇＯ、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ−ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ−Ｇａ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ−ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−Ｙ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−Ｙ_２Ｏ_３−Ｇａ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−Ｙ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３−ＺｎＯ、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｙ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３−ＣａＯ、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３−ＭｇＯ、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ｙ_２Ｏ_３−ＺｎＯ、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ｙ_２Ｏ_３−ＣａＯ、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ｙ_２Ｏ_３−ＭｇＯ、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ｙ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ｙ_２Ｏ_３−Ｇａ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ｙ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−ＣａＯ−ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−ＭｇＯ−ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−ＳｎＯ_２−Ｇａ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−ＳｎＯ_２−ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ｙ_２Ｏ_３−ＺｎＯ−Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ｙ_２Ｏ_３−ＺｎＯ−ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ｙ_２Ｏ_３−ＺｎＯ−Ｇａ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ｙ_２Ｏ_３−ＺｎＯ−ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ｙ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ｙ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２−Ｇａ_２Ｏ_３およびＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ｙ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２−ＴｉＯ_２等が挙げられる。

これらのＤ１においてＺｎＯ、ＳｎＯ_２、Ｇａ_２Ｏ_３およびＴｉＯ_２を含むことで導電性を高めることができ、誘電体膜を形成するにあたり安定したＤＣスパッタリングを行うことが可能となる。

また、より高い透過率を得るため、ＳｉＯ_２およびＡｌ_２Ｏ_３を含んでいることがより好ましい。

また、より誘電体膜の構造を安定化するため、Ｙ_２Ｏ_３、ＣａＯおよびＭｇＯを含んでいることがより好ましい。

また、第１誘電体膜３１の膜厚としては、３ｎｍ〜４０ｎｍであることが好ましい。

ここで、上記第１誘電体膜３１の組成は、例えば、Ｘ線マイクロアナライザー（ＸＭＡ）、電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）、ラザフォード後方散乱分析法（ＲＢＳ）で分析することができる。スパッタリングで形成された第１誘電体膜１１には、スパッタ雰囲気中に存在する希ガス（Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水分（Ｏ−Ｈ）、有機物（Ｃ）、空気（Ｎ、Ｏ）、スパッタ室に配置された冶具の成分（金属）およびスパッタリングターゲットに含まれる不純物（金属、半金属、半導体、誘電体）などが不可避に含まれ、これらの分析方法で検出されることがある。これら不可避の成分は第１誘電体膜３１に含まれる全原子を１００原子％とした場合、１０原子％を上限として含まれていてもよく、不可避に含まれる成分を除いて好ましい組成比を満足していればよい。これは、後述する第１誘電体膜１１、２１、および第２誘電体膜２３、３３にも同様に適用される。

本開示の記録膜３２は、Ｗ、ＭｎおよびＯを含み、レーザ光６の照射によってＯが分離・結合しバブルを形成する材料からなる。記録膜３２に含まれる金属元素をＷ_ａＭｎ_ｂＭ_ｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、良好なシェルフ特性を得るためにはｂ≧１２を満足する必要がある。また記録膜３２に含まれる全元素においてＯが４０原子％以上含まれていることが好ましい。

また、情報層３０の透過率を上げるため、Ｗ量を増やすことが好ましく、ａ≧２５を満足することが好ましい。

また、Ｍｎ量が多くなると情報層３０の透過率が低下するため、ｂ≦４０を満足することが好ましい。

また、変調度を高めるため、Ｍ（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素）を含むことが好ましい。具体的には、Ｗ−Ｍｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ａｇ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ａｕ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｎｉ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｐｄ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｐｔ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｍｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ａｇ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ａｕ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｎｉ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｐｄ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｐｔ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｍｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ａｇ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ａｕ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｎｉ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｐｄ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｐｔ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｃｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｍｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ａｇ−Ａｕ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ａｇ−Ｎｉ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ａｇ−Ｐｄ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ａｇ−Ｐｔ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ａｇ−Ｃｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ａｇ−Ｍｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ａｇ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ａｕ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｎｉ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｐｄ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｐｔ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｃｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｍｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ａｇ−Ａｕ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ａｇ−Ｎｉ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ａｇ−Ｐｄ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ａｇ−Ｐｔ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ａｇ−Ｃｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ａｇ−Ｍｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ａｇ−Ａｕ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ａｇ−Ｎｉ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ａｇ−Ｐｄ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ａｇ−Ｐｔ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ａｇ−Ｃｏ−ＯおよびＷ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ａｇ−Ｍｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｍｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｎｂ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｔａ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｍｏ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｎｂ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ等が挙げられる。

また、記録膜３２の膜厚としては、１５ｎｍ〜５０ｎｍであることが好ましい。

また、記録膜３２がＷ、ＭｎおよびＯを含み、少なくとも２種類以上の異なる組成の記録材料の積層構造からなっていてもよい。この積層構造における記録材料の少なくとも一つが、記録材料に含まれる金属元素を組成式：Ｗ_ａＭｎ_ｂＭ_ｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、ｂ≧１５を満足することが好ましい。

また、情報層３０の透過率を上げるため、Ｗ量を増やすことが好ましく、ａ≧２５を満足することが好ましい。

また、Ｍｎ量が多くなると情報層３０の透過率が低下するため、ｂ≦４０を満足することが好ましい。

具体的な積層構造をなす記録材の材料系としては、Ｗ−Ｍｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ａｇ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ａｇ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｐｄ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ａｇ−ＯおよびＷ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ａｇ−Ｏ等が前述した記録膜３２と同じ材料系を用いることができる。

また、具体的な積層構造としては、レーザ照射側に対して奥側に位置する記録材料より記載して、Ｗ−Ｍｎ−Ｏ（ｂ＝３０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｏ（ｂ＝１０％）、Ｗ−Ｍｎ−Ｏ（ｂ＝４０％）／Ｗ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｏ（ｂ＝４０％）／Ｗ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝３０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１０％）、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝３０％）／Ｗ−Ｃｕ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１０％）、Ｗ−Ｍｎ−Ｏ（ｂ＝３０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｏ（ｂ＝１０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｏ（ｂ＝３０％）、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝３０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝３０％）、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝２０％）、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１５％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１０％）、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１５％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝２０％）、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１５％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１５％）、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝２５％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１０％）、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ａｇ−Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ａｇ−Ｏ（ｂ＝１０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ａｇ−Ｏ（ｂ＝２０％）、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ａｇ−Ｏ（ｂ＝１５％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ａｇ−Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ａｇ−Ｏ（ｂ＝１５％）、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝２０％）、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１０％）、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１５％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝２０％）、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝２５％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１５％）等が挙げられる。

また、積層構造をなす記録膜の全膜厚としては、１５ｎｍ〜５０ｎｍであることが好ましく、１構成層の膜厚は膜形成時の厚みばらつきを考え、５ｎｍ以上であることが好ましい。

ここで、上記記録膜３２の組成は、例えば、Ｘ線マイクロアナライザー（ＸＭＡ）、電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）、ラザフォード後方散乱分析法（ＲＢＳ）で分析することができる。スパッタリングで形成された記録膜１２には、スパッタ雰囲気中に存在する希ガス（Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水分（Ｏ−Ｈ）、有機物（Ｃ）、空気（Ｎ、Ｏ）、スパッタ室に配置された冶具の成分（金属）およびスパッタリングターゲットに含まれる不純物（金属、半金属、半導体、誘電体）などが不可避に含まれ、ＩＣＰ発光分光分析、ＸＭＡ、ＥＰＭＡなどの分析で検出されることがある。これら不可避の成分は記録膜３２に含まれる全原子を１００原子％とした場合、１０原子％を上限として含まれていてもよく、不可避に含まれる成分を除いて前述の好ましい組成比を満足していればよい。これは、後述する記録膜１２、２２にも同様に適用される。

本開示の第２誘電体膜３３は、前述した第１誘電体膜３１と同様の材料を用い、膜厚としては、３ｎｍ〜４０ｎｍであることが好ましい。

第１誘電体膜３１、記録膜３２、第２誘電体膜３３の具体的な膜厚に関してはマトリクス法（例えば、非特許文献：久保田広著「波動光学」岩波書店、１９７１年、第３章参照。）に基づく計算により設計できる。各膜の膜厚により、記録膜３２が記録状態および未記録状態での位相差によるグルーブおよびランド間の特性を好適化したりすることが可能である。

また、他の中間分離層を有する情報層に、本開示のＷ、ＭｎおよびＯを含む記録膜と、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む誘電体膜の構成を備えている場合、第２情報層３０の第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３は、ＳｉＯ_２、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_３、Ｂｉ_２Ｏ_３、Ｇａ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｙ_２Ｏ_３、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２およびＤｙ_２Ｏ_３等の酸化物、ＣＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＧｅＮ、ＡｌＮ、Ｇｅ−Ｓｉ−ＮおよびＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＺｎＳ等の硫化物およびＬａＦ_３、ＣｅＦ_３およびＹＦ_３等のフッ化物を用いてもよい。

またそれらより選ばれる混合物でもよい。具体的な例として、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２（ＩＴＯ）、ＺｎＯ−ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｙ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−ＺｎＯ、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｙ_２Ｏ_３−Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−Ｇａ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｇａ_２Ｏ_３、Ｇａ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３、Ｇａ_２Ｏ_３−ＺｎＯ−Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２−Ｓｂ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２、ＴｉＯ_２−Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３−Ｄｙ_２Ｏ_３、Ｂｉ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３−ＡｌＮ、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−ＺｎＳ、ＳｉＯ_２−ＺｎＳおよびＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−ＬａＦ_３等が挙げられる。

次に本開示の第２情報層２０の構成について説明する。第２情報層２０は、中間分離層２の表面上に、第１誘電体膜２１、記録膜２２、第２誘電体膜２３がこの順に積層されることにより形成されている。

第２情報層２０の構成は基本的には第３情報層３０と同様である。

第１誘電体膜２１は、第１誘電体膜３１と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。

記録膜２２は、記録膜３２と同様の材料を用いることができ、情報層２０の透過率を上げるため、記録膜２２に含まれる金属元素を組成式：Ｗ_ａＭｎ_ｂＭ_ｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、ａ≧２０を満足することが好ましい。

また、Ｍｎ量が多くなると情報層２０の透過率が低下するため、ｂ≦４５を満足することが好ましい。

第２誘電体膜２３は、第２誘電体膜３３と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。

次に、第１情報層１０の構成について説明する。第１情報層１０は基板１の表面上に、第１誘電体膜１１、記録膜１２、第２誘電体膜１３がこの順に積層されることにより形成されている。

第１誘電体膜１１は、光学的な位相差を調節して信号振幅を制御する働きや、記録マークの膨らみを調整して信号振幅を制御する働きを有する。また記録膜１２への水分の侵入を抑制したり、記録膜１２中の酸素が外部へ逃避するのを抑制したりする働きを有する。第１誘電体膜１１の材料としては、例えば、ＳｉＯ_２、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_３、Ｇａ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｙ_２Ｏ_３、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２およびＤｙ_２Ｏ_３等の酸化物、ＣＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＧｅＮ、ＡｌＮ、Ｇｅ−Ｓｉ−ＮおよびＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＺｎＳ等の硫化物およびＬａＦ_３、ＣｅＦ_３およびＹＦ_３等のフッ化物を用いることができる。またそれらより選ばれる混合物でもよい。具体的な例として、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２（ＩＴＯ）、ＺｎＯ−ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｙ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−ＺｎＯ、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｙ_２Ｏ_３−Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−ＭｇＯ−Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−Ｙ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−Ｇａ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｇａ_２Ｏ_３、Ｇａ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３、Ｇａ_２Ｏ_３−ＺｎＯ−Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２−Ｓｂ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２、ＴｉＯ_２−Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３−Ｄｙ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３−ＡｌＮ、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−ＺｎＳ、ＳｉＯ_２−ＺｎＳおよびＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−ＬａＦ_３等が挙げられる。この中でもスパッタリングターゲットとして作製した時に比抵抗率１Ω・ｃｍ以下の導電性を有するものは、ＤＣスパッタリングが可能となり高い成膜レートが期待できるため、情報記録媒体の低コスト化につなげることができる、第１誘電体膜１１の膜厚としては、３ｎｍ〜３０ｎｍであることが好ましい。

記録膜１２は、Ｗ、ＭｎおよびＯを含み、例えば、レーザ光６の照射によってＯが分離・結合しバブルを形成する材料からなる。記録膜１２に含まれる金属元素を組成式：Ｗ_ａＭｎ_ｂＭ_ｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、光吸収率を上げ記録感度を高くし、また高い信号変調度を得るためｂ≧２５であることが好ましい。この中でもＺｎは良好な信号特性を維持し透過率を向上することができるため、記録膜１２に含まれていることが好ましい。またＣｕ、Ａｇは効率よく光吸収し且つ高い導電性を有することでＤＣスパッタリングにおいて高い安定性（持続性）を得ることができるため、Ｃｕ、Ａｇの少なくとも一つが含まれていることが好ましい。記録膜１２の膜厚としては、１５ｎｍ〜５０ｎｍであることが好ましい。

また、記録膜１２を構成する材料として、Ｗ、Ｍｎ、Ｍ１（但し、Ｍ１はＭｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素）およびＯを含む材料を用いてもよい。Ｍ１を有することで記録膜１２におけるレーザ光６の吸収を下げることができ、再生耐久性を向上することができる。記録膜１２に含まれる金属元素の組成をＷ_ｊＭｎ_ｋＭ１_ｍＭ２_ｎ（原子％）（但し、Ｍ２はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ｊ＞０およびｋ≧０でｊ＋ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００を満足する）と表記した場合、高い信号変調度を得るための、符号ｋの範囲は、例えば、ｋ≧１２を満足する。

Ｗ、Ｍｎ、Ｍ１（但し、Ｍ１は上記に同じ。）およびＯを含む材料にさらにＭ２（但し、Ｍ２は上記に同じ。）を含む材料（ＷＭｎＭ１Ｍ２−Ｏ）としては、具体的には、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｍｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｎｂ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｔａ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｍｏ−Ｎｂ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｍｏ−Ｔａ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｎｂ−Ｔａ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｍｏ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｎｂ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｍｏ−Ａｇ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｎｂ−Ａｇ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｔａ−Ａｇ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｍｏ−Ｎｂ−Ｔａ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｍｏ−Ｎｂ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｍｏ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｎｂ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｍｏ−Ｎｂ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｍｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｍｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ａｇ−Ｍｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｍｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ａｇ−Ｍｏ−Ｏ、およびＷ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ａｇ−Ｍｏ−Ｏ等が挙げられる。

第２誘電体膜１３は第１誘電体膜１１と同様の働きを有し、第２誘電体膜１３と同様の材料を用いることができる。第２誘電体膜１３の膜厚としては、３ｎｍ〜３０ｎｍであることが好ましい。

他の形態として、本実施の形態に示す情報記録媒体１００において、いずれかの情報層の記録膜がＴｅ−Ｏ−ＰｄやＧｅ−Ｂｉ−Ｏ等の他の記録膜材料であってもよく、必要に応じ反射膜や誘電体膜を設けてもよい。

あるいは、片面（Ａ面およびＢ面）４つ以上の情報層を含む情報記録媒体であってよい。本開示の効果は、これらの形態によらず得られる。

記録方式として、情報記録媒体は、線速度一定のＣｏｎｓｔａｎｔ Ｌｉｎｅａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ（ＣＬＶ）、回転数一定のＣｏｎｓｔａｎｔ Ａｎｇｕｌａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ（ＣＡＶ）、Ｚｏｎｅｄ ＣＬＶもしくはＺｏｎｅｄ ＣＡＶ、いずれでも使用できる。データビット長は７９．５ｎｍもしくは５１．３ｎｍのいずれかにより記録再生を行った。

また、本実施の形態では、対物レンズの開口数ＮＡが０．８５もしくは０．９１である光学系が好ましく用いられるが、ＮＡ＞１の光学系を用いて記録再生してもよい。光学系としてはＳｏｌｉｄ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｌｅｎｓ（ＳＩＬ）やＳｏｌｉｄ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｍｉｒｒｏｒ（ＳＩＭ）を使用することができる。この場合、中間分離層とカバー層は５μｍ以下で形成してよい。あるいは、近接場光を利用した光学系を用いてもよい。

次に、本実施の形態で説明した情報記録媒体１００の製造方法について説明する。

まずＡ面情報記録媒体１０１について説明する。

第１情報層１０を構成する第１誘電体膜１１、記録膜１２および第２誘電体膜１３は気相成膜法の一つであるスパッタリング法により形成できる。まず、基板１（例えば、厚み０．５ｍｍ）を成膜装置内に配置する。

続けて、まず第１誘電体膜１１を成膜する。このとき、基板１に案内溝が形成されている時は、この案内溝側に第１誘電体膜１１を成膜する。第１誘電体膜１１は、第１誘電体膜１１を構成する誘電体または混合誘電体からなるスパッタリングターゲットを、希ガス（例えば、Ａｒガス、Ｋｒガス、Ｘｅガスのいずれでもよい。なかでも安価なＡｒガスが好ましく用いられる。これ以下に述べる希ガスについても同様である。）雰囲気中、または希ガスと反応ガス（例えば、酸素ガスや窒素ガス）との混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることにより形成される。スパッタリングターゲットに導電性を有するものは、ＲＦスパッタリングより高い成膜レートが期待できるＤＣスパッタリング、またはパルスＤＣスパッタリングを用いることが好ましい。また第１誘電体膜１１は構成する誘電体材料それぞれのスパッタリングターゲットを用いて、複数のカソードより同時に成膜するマルチスパッタリングにより形成することもできる。

続いて、第１誘電体膜１１上に記録膜１２を成膜する。記録膜１２は、その組成に応じて、Ｗ合金またはＷ−Ｏ合金からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気中または希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。上記のＷ合金ターゲットは導電性を有しているため、ＲＦ（ＲＦ：Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）スパッタリングより高い成膜レートが期待できるＤＣ（ＤＣ：Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）スパッタリング、またはパルスＤＣスパッタリングを用いることが好ましい。このとき記録膜１２中に多くの酸素を取り入れるため、多量の酸素ガスを混合することが好ましい。また記録膜１２は構成する元素それぞれのスパッタリングターゲットを用いて、複数のカソードより同時に成膜するマルチスパッタリングにより形成することもできる。

続いて、記録膜１２上に第２誘電体膜１３を成膜する。第２誘電体膜１３は、第２誘電体膜１３を構成する混合物からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気中、または希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。また第２誘電体膜１３は構成する誘電体材料それぞれのスパッタリングターゲットを用いて、複数のカソードより同時に成膜するマルチスパッタリングにより形成することもできる。

また、スパッタリングターゲットとして用いるＷ合金またはＷ−Ｏ合金におけるＷの含有量が１５ｍｏｌ％よりも少ないと、ＤＣまたはパルスＤＣスパッタが不安定になり、異常放電が生じやすい。そのため、Ｗの含有量が２０ｍｏｌ％よりも少ない場合においては、記録膜１２を構成する各単体（金属またはその酸化物）ターゲットを同時にスパッタするマルチスパッタにより形成することができる。マルチスパッタにおいては、各カソードのスパッタパワーを調整することで、薄膜における所望の組成比を得ることができる。

続いて、第２誘電体膜１３上に中間分離層２を形成する。中間分離層２は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等のアクリル系樹脂を第１情報層１０上に塗布しスピンコートとした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。なお中間分離層２に案内溝を設ける場合は表面に所定の形状の溝が形成された転写用基板（型）を硬化前の樹脂上に密着させた後、基板１と転写用基板とをスピンコートし、その後樹脂を硬化させる。さらにその後、転写用基板を硬化した樹脂から剥がすことにより、所定の案内溝が形成された中間分離層２が形成できる。

続いて、第２情報層２０を形成する。第２情報層２０の形成にはまず第１誘電体膜２１を形成する。第１誘電体膜２１は、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含むスパッタリングターゲットを用いて、前述した第１誘電体膜１１と同様の方法で形成できる。

続いて、第１誘電体膜２１上に記録膜２２を形成する。記録膜２２は、Ｗ−Ｍｎ合金またはＷ−Ｍｎ−Ｏ合金からなるスパッタリングターゲットを用いて、前述した記録膜１２と同様の方法で形成できる。

続いて、記録膜２２上に第２誘電体膜２３を形成する。酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含むスパッタリングターゲットを用いて、第２誘電体膜２３は、前述した第２誘電体膜１３と同様の方法で形成できる。

続いて、第２誘電体膜２３上に中間分離層３を形成する。中間分離層３は、前述した中間分離層２と同様の方法で形成できる。

続いて、第３情報層３０を形成する。第３情報層３０の形成方法は、基本的には前述した第２情報層２０と同様の方法で形成できる。

まず、中間分離層３上に第１誘電体膜３１を形成する。第１誘電体膜３１は、前述した第１誘電体膜２１と同様の方法で形成できる。

続いて、第１誘電体膜３１上に記録膜３２を形成する。記録膜３２は、前述した記録膜２２と同様の方法で形成できる。

続けて、記録膜３２上に第２誘電体膜３３を形成する。第２誘電体膜３３は、前述した第２誘電体膜２３と同様の方法で形成できる。

供給電力はずれも１００Ｗ〜１０ｋＷであり、スパッタリング中における成膜室の圧力は、０．０１Ｐａ〜１０Ｐａとした。

続いて、第２誘電体膜３３上にカバー層４を形成する。カバー層４は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布しスピンコートとした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。またカバー層４には、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、あるいはガラスの円盤状の基板を用いてもよい。この場合は、第２誘電体膜３３に光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を塗布し、これらの基板を密着させ、スピンコートにより均一に延ばし、樹脂を硬化させることで形成できる。

各情報層における各膜の成膜時間は、情報記録媒体の量産性を上げ、製造コストを下げるため、１つの膜あたり１０秒以下で成膜することが好ましく、５秒以下であればなお好ましい。

なお、各層の成膜方法として、スパッタリング法以外に、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学気相堆積法（ＣＶＤ法：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）および分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）を用いることも可能である。

このようにしてＡ面情報記録媒体１０１を製造することができる。

同様にしてＢ面情報記録媒体１０２の製造も可能である。

最後に、Ａ面情報記録媒体１０１において基板１の案内溝と反対面に光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝と反対面と合わせ、樹脂を硬化させることで貼り合わせ層５を形成する。なお、遅行性硬化型の光硬化型樹脂を用いて、Ａ面情報記録媒体１０１に光硬化型樹脂を均一に塗布した後に光を当て、その後Ｂ面情報記録媒体１０２を合わせ貼り合わせ層５を形成してもよい。

このようにして、実施の形態１の両面に情報層を有する情報記録媒体１００を製造することができる。

（実施の形態２）
本開示の実施の形態２として、本開示の情報記録媒体の別の一例を説明する。図２に、その情報記録媒体の断面図を示す。

本開示の実施の形態２として、レーザ光６を用いて情報の記録および再生を行う情報記録媒体の一例を説明する。図２に、その光学的情報記録媒体の断面を示す。本実施の形態の情報記録媒体２００は、情報を記録再生する情報層を、基板上に３層設けており、カバー層４側よりレーザ光６を照射し、各情報層に対して情報を記録再生できる多層光学的情報記録媒体である。レーザ光６の波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光である。

情報記録媒体２００は、基板１上に中間分離層２、３などを介して、順次情報層が積層され第１情報層１０、第２情報層２０および第３情報層３０を有し、第３情報層３０に接しカバー層４が設けられている。第２情報層２０および第３情報層３０は透過型の情報層である。

情報記録媒体２００においては、案内溝を基板１に形成した場合、グルーブに記録再生し、例えばＢＤ−ＸＬ規格に準じ１情報層あたりの容量を３３．４ＧＢにすることで、情報記録媒体２００においては３つの情報層１０、２０、３０に記録再生できるので、１００ＧＢの容量を有する情報記録媒体２００を得ることができる。

３つの情報層１０、２０、３０の実効反射率は第１、第２および第３の情報層１０、２０、３０の反射率と、第２および第３の情報層２０、３０の透過率を各々調整することにより制御できる。

本実施の形態では、一例として、第１情報層１０の実効Ｒ_ｇが３．３％、第２情報層２０の実効Ｒ_ｇが３．３％、第３情報層３０の実効Ｒ_ｇが３．３％となるように設計した構成を説明する。

第３情報層３０の透過率が７９％、第２情報層２０の透過率が７５％である場合、第１情報層１０はＲ_ｇが９．２％、第２情報層２０はＲ_ｇが５．３％、第３情報層３０はＲ_ｇが３．３％となるように設計すれば、前述の反射率を得ることができる。

以下、基板１、中間分離層２、中間分離層３およびカバー層４の機能、材料および厚みについて説明する。

基板１は円盤状の透明な基板であることが好ましい。基板１の材料には、実施の形態１における基板１と同様の材料を用いることができる。基板の厚みは約１．１ｍｍであり、グルーブ間の距離は、約０．３２μｍとした。

中間分離層２および３は、実施の形態１における中間分離層２および３と同様の材料を用いることができ、また厚みに関しても実施の形態１と同様に設計できる。なお、グルーブ間の距離は、約０．３２μｍとした。

カバー層４は、実施の形態１におけるカバー層４と同様の材料を用いることができ、また厚みに関しても実施の形態１と同様に設計できる。

ＢＤ規格に準じた場合には、中間分離層２および３とカバー層４との厚みの総和が１００μｍとなるように設定する。例えば、中間分離層２が約２５μｍ、中間分離層３が約１８μｍ、カバー層４が約５７μｍのように設定できる。

第１情報層１０に関しては基板１の表面上に、第１誘電体膜１１、記録膜１２、第２誘電体膜１３がこの順に積層されることにより形成されている。第１情報層１０は、実施の形態１における第１情報層１０と同様の方法で作製ができる。

第２情報層２０に関しては中間分離層２の表面上に、第１誘電体膜２１、記録膜２２、第２誘電体膜２３がこの順に積層されることにより形成されている。第２情報層２０は、実施の形態１における第２情報層２０と同様の方法で作製ができる。

第３情報層３０に関しては中間分離層３の表面上に、第１誘電体膜３１、記録膜３２、第２誘電体膜３３がこの順に積層されることにより形成されている。第３情報層３０は、実施の形態１における第３情報層３０と同様の方法で作製ができる。

このようにして、実施の形態２の片面に情報層を有する情報記録媒体２００を製造することができる。

以上、本開示の実施の形態について例を挙げて説明したが、本開示は、上記実施の形態に限定されず、本開示の技術的思想に基づき他の実施の形態に適用することができる。

次に、実施例を用いて本開示を詳細に説明する。

本開示のより具体的な実施の形態について、実施例を用いてさらに詳細に説明する。

（実施例１）
本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。

まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ）を用意した。その基板１上に、第１誘電体膜１１として（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を１１ｎｍ、記録膜１２としてＷ_２０Ｃｕ_２５Ｚｎ_２０Ｍｎ_３５（原子％）の酸化物を３０ｎｍ、第２誘電体膜１３として（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を８ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。ここで記録膜１２に関して、Ｗ_２０Ｃｕ_２５Ｚｎ_２０Ｍｎ_３５−Ｏと表記する。以降、他の組成比に関しても同様で、記録膜の元素比としては金属元素比（原子％）のみを記載した形で表記する。例えば、Ｗ_２５Ｍｎ_２５Ｃｕ_２５Ｚｎ_２５（原子％）の酸化物であればＷ_２５Ｍｎ_２５Ｃｕ_２５Ｚｎ_２５−Ｏと表記する。

４０５ｎｍのレーザ光６において、第２情報層２０および第３情報層３０がない場合の第１情報層１０の反射率が、未記録状態でのＲ_ｇ≒１１．０％、Ｒ_ｌ≒１１．８％になるよう各膜の膜厚を決定した。

また、第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。

続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）を１７ｎｍ、記録膜２２としてＷ_３０Ｍｎ_２０Ｃｕ_２０Ｚｎ_３０−Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を７ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲ_ｇ≒８．５％、Ｒ_ｌ≒９．０％、透過率が６５〜７３％となるように各膜の膜厚を決定した。

また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。

続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として本開示のＺｒＯ_２とＩｎ_２Ｏ_３を含みＩｎ_２Ｏ_３が６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体膜を、記録膜３２として本開示のＷ_ａＭｎ_ｂＭ_ｃ（原子％）の酸化物（Ｗ_ａＭｎ_ｂＭ_ｃ−Ｏ）を３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として本開示のＺｒＯ_２とＩｎ_２Ｏ_３を含みＩｎ_２Ｏ_３を６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体膜を、順次スパッタリング法により成膜した。

第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲ_ｇ≒７．０％、Ｒ_ｌ≒７．５％、透過率が６９〜７９％となるように設定した。例えば、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）、記録膜３２としてＷ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１６Ｚｎ_３４−Ｏを３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を適用した場合には、第１誘電体膜２１の膜厚は２０ｎｍ、第２誘電体膜２３の膜厚は１０ｎｍとなるように設計できる。

また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源、パルスＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。

その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。

次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ）を用意した。案内溝の螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の基板１と回転方向とは逆の方向とした。その基板１上に、第１誘電体膜１１として（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を１１ｎｍ、記録膜１２としてＷ_２０Ｃｕ_２５Ｚｎ_２０Ｍｎ_３５−Ｏを３０ｎｍ、第２誘電体膜１３として（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を８ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

４０５ｎｍのレーザ光６において、第２情報層２０および第３情報層３０がない場合の第１情報層１０の反射率が、未記録状態でのＲ_ｇ≒１１．０％、Ｒ_ｌ≒１１．８％になるよう各膜の膜厚を決定した。

また、第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。

続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。案内溝の螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の中間分離層２と回転方向とは逆の方向とした。

中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）を１７ｎｍ、記録膜２２としてＷ_３０Ｍｎ_２０Ｃｕ_２０Ｚｎ_３０−Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を７ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲ_ｇ≒８．５％、Ｒ_ｌ≒９．０％、透過率が６５〜７３％となるように各膜の膜厚を決定した。

また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。

続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。案内溝の螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の中間分離層３の回転方向とは逆の方向とした。

中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として本開示のＺｒＯ_２とＩｎ_２Ｏ_３を含みＩｎ_２Ｏ_３を６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体膜を、記録膜３２として本開示のＷ_ａＭｎ_ｂＭ_ｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）の酸化物（Ｗ_ａＭｎ_ｂＭ_ｃ−Ｏ）を３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として本開示のＺｒＯ_２とＩｎ_２Ｏ_３を含みＩｎ_２Ｏ_３を６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体膜を、順次スパッタリング法により成膜した。

第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲ_ｇ≒７．０％、Ｒ_ｌ≒７．５％、透過率が６９〜７９％となるように設定した。例えば、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）、記録膜３２としてＷ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１６Ｚｎ_３４−Ｏを３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を適用した場合には、第１誘電体膜２１の膜厚は２０ｎｍ、第２誘電体膜２３の膜厚は１０ｎｍとなるように設計できる。

また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源、パルスＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。

その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。

最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、この面と、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面と合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５を形成した。

このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。

本実施例の情報記録媒体１００の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１に（ＺｒＯ_２）_６０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（Ａｌ_２Ｏ_３）_３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＺｎＯ）_３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｎＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（Ｇａ_２Ｏ_３）_３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＴｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_１２（Ａｌ_２Ｏ_３）_１８（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_２５（Ｙ_２Ｏ_３）_５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_２５（ＣａＯ）_５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_２５（ＭｇＯ）_５（ｍｏｌ％）および（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_１５（ＳｎＯ_２）_１５（ｍｏｌ％）を適用し、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第２誘電体膜３３に（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を適用した情報記録媒体１００を作製した。

また記録膜３２として、Ｗ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１６Ｚｎ_３４−Ｏを適用した。

これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−１０１〜１−１１２とする。

比較例として、上記記載の情報記録媒体１００における、Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３に、（ＳｎＯ_２）_６０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ｍｏｌ％）を適用したディスクＮｏ．１−００１を作製した。またＡ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３に、（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_７０（ｍｏｌ％）を適用したディスクＮｏ．１−００２を作製した。

情報記録媒体１００および比較例の情報記録媒体の第３情報層３０の４０５ｎｍにおける透過率、記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性の評価を行った。

信号評価における評価機のレーザ光６の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、グルーブおよびランドに情報の記録を行った。記録の線速度は１４．００ｍ／ｓ（４倍速）および再生の線速度は７．００ｍ／ｓ（２倍速）で行った。データビット長を７９．５ｎｍとし、１情報層あたり５０ＧＢ密度の記録を行った。また再生パワーは第１情報層１０および第２情報層２０に対しては１．４ｍＷ、第３情報層３０に対しては１．１ｍＷで行い、再生光は２：１で高周波重畳（変調）されたレーザ光６を用いた。ランダム信号（２Ｔ〜８Ｔ）による記録を行い、信号品質は、ＰＲ（１２３３３２１）ＭＬ（Ｐａｔｔｅｒｎ Ｒｅｃｏｇｎｉｔｉｏｎ ａｎｄ Ｍａｃｈｉｎｅ Ｌｅａｒｎｉｎｇ）信号処理によりデータ複合を行い、ｉ−ＭＬＳＥとして評価し、記録感度はｉ−ＭＬＳＥの最もよい値となるレーザパワーで設定した。４倍速記録における記録感度が２５ｍＷ以下であれば実用可能レベルである。

また再生耐久性の評価は、記録感度におけるパワーで隣接するグルーブおよびランドにランダム信号を記録し、記録を行ったトラックの中央に位置するグルーブを線速度１４．００ｍ／ｓ、再生パワー１．８ｍＷで再生することにより行った。ランドではなくグルーブ再生による評価を行ったのは、グルーブのほうが光吸収率が高く、再生耐久性が悪くなるためである。１００万回再生後のｉ−ＭＬＳＥを評価し、１２．０％以下であれば実用可能レベルである。

またシェルフ特性の評価は、ディスクを８５℃、８０％ＲＨ、１００時間の条件で加速試験を行い、加速試験前後の記録感度およびｉ−ＭＬＳＥの変化量により評価した。記録感度の変化量は（（加速試験後の記録感度）−（初期の記録感度））÷（初期の記録感度）×１００％により算出し、ｉ−ＭＬＳＥの変化量は（加速試験後のｉ−ＭＬＳＥ）−（初期のｉ−ＭＬＳＥ）により算出した。記録感度の変化量が２０％以下、ｉ−ＭＬＳＥの変化量が１％以下であれば実用可能レベルである。

最終的に透過率、記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性を総合的に判断し、実用可能なレベルを十分満足しているものを◎、◎よりはやや劣るが実用可能なレベルを満足しているものを〇、実用可能なレベルを満足していないものを×として実用化の判定を行った。

Ａ面情報記録媒体１０１における第３情報層３０の結果を表１、Ｂ面情報記録媒体１０２における第３情報層３０の結果を表２に示す。

これらの表に示すように本実施例におけるいずれの情報記録媒体１００においても、比較例１−００１および１−００２に対し、良好な結果が得られ、１−１０１、１−１０２、１−１０９が実用レベルとしてより良好である。

Ａ面情報記録媒体１０１で比較すると、１−１０１〜１−１１２のいずれにおいても、比較例１−００１に対し再生耐久性がよいことから、第１誘電体膜３１は酸化ジルコニウムと酸化インジウムが含まれていることが好ましい。また、１−１０１〜１−１１２のいずれにおいても、比較例１−００２に対し再生耐久性がよいことから、第１誘電体膜３１に含まれる酸化インジウムは６０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。

また、本実施例におけるいずれの情報記録媒体１００においても、記録感度およびシェルフ後の記録感度（＝記録感度変化量）がグルーブよりランドのほうが悪くなっている。これはランドの溝形状がレーザ光６の照射側より見て凹な形状であり、レーザ光の照射面に対し左右または斜め方向へのマークの膨らみが抑制されてしまうため、ランドの記録にはより高いレーザパワーが必要となることが要因の一つと考えられる。

また、以下の実施例においても記録感度および記録感度変化量に同様の傾向が見られるが、同じ要因と考えられる。

次に本実施例の情報記録媒体１００の別の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１に（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）を適用し、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第２誘電体膜３３に（ＺｒＯ_２）_５０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（Ａｌ_２Ｏ_３）_２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＺｎＯ）_２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｎＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（Ｇａ_２Ｏ_３）_２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＴｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_２０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_１２（Ａｌ_２Ｏ_３）_１８（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２０（Ｙ_２Ｏ_３）_５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２０（ＣａＯ）_５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２０（ＭｇＯ）_５（ｍｏｌ％）および（ＺｒＯ_２）_２０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_１５（ＳｎＯ_２）_１５（ｍｏｌ％）を適用した情報記録媒体１００を作製した。

また記録膜３２として、Ｗ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１６Ｚｎ_３４−Ｏを適用した。

これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−２０１〜１−２１２とする。

Ａ面情報記録媒体１０１における第３情報層３０の結果を表３、Ｂ面情報記録媒体１０２における第３情報層３０の結果を表４に示す。

これらの表に示すように本実施例におけるいずれの情報記録媒体１００においても、比較例１−００１および１−００２に対し、良好な結果が得られ、また１−２０１、１−２０２、１−２０９が実用レベルとしてより良好である。

Ａ面情報記録媒体１０１で比較すると、１−２０１〜１−２１２のいずれにおいても、比較例１−００１に対し再生耐久性がよいことから、第２誘電体膜３３は酸化ジルコニウムと酸化インジウムが含まれていることが好ましい。また、１−２０１〜１−２１２のいずれにおいても、比較例１−００２に対し再生耐久性がよいことから、第２誘電体膜３３に含まれる酸化インジウムは６０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。

また、１−１０２と１−２０２において、１０倍速（３５．００ｍ／ｓ）による記録を行い、記録感度の評価を行った。記録感度の設定は４倍速と同様にｉ−ＭＬＳＥの最もよい値となるレーザパワーで設定した。

Ａ面情報記録媒体１０１における第３情報層３０の１０倍速記録感度の結果を表５、Ｂ面情報記録媒体１０２における第３情報層３０の１０倍速記録感度の結果を表６に示す。

これらの表に示すように、１−２０１に対し１−１０２のほうが相対的に８％程度１０倍速の記録感度が高くなっている。このことから１０倍速等の高線速記録感度を向上するには第１誘電体膜３１と第２誘電体膜３３の組成が異なるほうがより好ましい。

次に本実施例の情報記録媒体１００の別の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１に（ＺｒＯ_２）_４０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_２０（ＳｉＯ_２）_４０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_３５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_３０（ＳｉＯ_２）_３５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）および（ＺｒＯ_２）_２０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_６０（ＳｉＯ_２）_２０（ｍｏｌ％）を適用し、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第２誘電体膜３３に（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を適用した情報記録媒体１００を作製した。

また記録膜３２として、Ｗ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１６Ｚｎ_３４−Ｏを適用した。

これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−３０１〜１−３０５とする。

なお、（ＺｒＯ_２）_４０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_２０（ＳｉＯ_２）_４０（ｍｏｌ％）に関してはＤＣスパッタリングが困難であったため、ＲＦスパッタリングにより成膜した。

また１−３０３は１−１０２と同構成の情報記録媒体である。

比較例として、上記記載の情報記録媒体１００におけるＡ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３に、（ＺｒＯ_２）_１９（Ｉｎ_２Ｏ_３）_６２（ＳｉＯ_２）_１９（ｍｏｌ％）に適用したディスクＮｏ．１−００３を作製した。

Ａ面情報記録媒体１０１における第３情報層３０の結果を表７、Ｂ面情報記録媒体１０２における第３情報層３０の結果を表８に示す。

これらの表に示すようにＡ面情報記録媒体１０１で比較すると、Ｉｎ_２Ｏ_３が６０ｍｏｌ％である１−３０５で再生耐久性が実用化レベルの上限となっており、Ｉｎ_２Ｏ_３が６２ｍｏｌ％である１−００３の再生耐久性が実用不可レベルであることから、Ｉｎ_２Ｏ_３の量は６０ｍｏｌ％以下が好ましい。また、１−３０１〜１−３０３で実用化を十分満足できる判定(◎)となっていることから、第１誘電体膜３１に含まれるＩｎ_２Ｏ_３量が、第２誘電体膜３３に含まれるＩｎ_２Ｏ_３量よりも少ないほうが好ましい。また、１−３０１のようにＩｎ_２Ｏ_３の量は２０ｍｏｌ％以下であるとＤＣスパッタリングが困難となり、高い成膜レートが得られず成膜タクトを短縮することが難しくなる。

次に本実施例の情報記録媒体１００の別の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１に（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）を適用し、第２誘電体膜３３に（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を適用し、記録膜３２としてＷ_３６Ｍｎ_１２Ｃｕ_１６Ｚｎ_３６−Ｏ、Ｗ_３５Ｍｎ_１４Ｃｕ_１６Ｚｎ_３５−Ｏ、Ｗ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１６Ｚｎ_３４−Ｏ、Ｗ_３２Ｍｎ_２０Ｃｕ_１６Ｚｎ_３２−ＯおよびＷ_３０Ｍｎ_４０Ｚｎ_３０−Ｏを適用した情報記録媒体１００を作製した。

これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−４０１〜１−４０５とする。１−４０３は１−１０２と同構成の情報記録媒体である。

比較例として、上記記載の情報記録媒体１００におけるＡ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２の記録膜３２に、Ｗ_３７Ｍｎ_１０Ｃｕ_１６Ｚｎ_３７−Ｏに適用したディスクＮｏ．１−００４を作製した。

Ａ面情報記録媒体１０１における第３情報層３０の結果を表９、Ｂ面情報記録媒体１０２における第３情報層３０の結果を表１０に示す。

これらの表に示すように記録膜３２のＭｎ量が少なくなると記録感度が悪化し、シェルフ特性も悪化する。Ｍｎ量が１２原子％のディスク１−４０１でシェルフ特性の記録感度変化量が２０％と実用可能レベルの上限となっており、さらにＭｎ量が少ない比較例１−００４ではシェルフ特性が実用不可レベルであることから、記録膜３２のＭｎ量は１２原子％以上であることが好ましい。また１−４０５においては透過率が６９％と第３情報層３０としては低い値となっていることから、記録膜３２のＭｎ量は４０原子％以下であることがより好ましい。

次に本実施例の情報記録媒体１００の別の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１に（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）を適用し、第２誘電体膜３３に（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を適用し、記録膜３２としてＷ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１６Ｚｎ_３４−Ｏ、Ｗ_３３Ｍｎ_１２Ｃｕ_１６Ｚｎ_３４Ａｇ_５−Ｏ、Ｗ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１１Ｚｎ_３４Ａｇ_５−Ｏ、Ｗ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１１Ｚｎ_３４Ａｕ_５−Ｏ、Ｗ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１１Ｚｎ_３４Ｎｉ_５−Ｏ、Ｗ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１１Ｚｎ_３４Ｐｄ_５−Ｏ、Ｗ_３０Ｍｎ_２０Ｃｕ_１５Ｚｎ_３０Ｐｔ_５−Ｏ、Ｗ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１１Ｚｎ_３４Ｃｏ_５−Ｏ、Ｗ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１１Ｚｎ_３４Ｍｏ_５−ＯおよびＷ_８３Ｍｎ_１７−Ｏを適用したディスクを作製した。

これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−５０１〜１−５１０とする。１−５０１は１−１０２と同構成の情報記録媒体である。

Ａ面情報記録媒体１０１における第３情報層３０の結果を表１１、Ｂ面情報記録媒体１０２における第３情報層３０の結果を表１２に示す。

これらの表に示すように本実施例におけるいずれの情報記録媒体１００においても、実用可能なレベルの特性得られた。

Ａ面情報記録媒体１０１におけるグルーブの記録感度に着目した場合、１−５０１〜１−５０９いずれにおいても１−５１０より記録感度が高くなっており、記録膜３２にＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＣｏおよびＭｏが含まれることにより、記録感度を高める効果が得られた。

（実施例２）
本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。

まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１および第１情報層１０の構成、作製方法は実施例１と同様である。

続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０の構成、作製方法は実施例１と同様である。

続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）を２０ｎｍ、記録膜３２として本開示の少なくとも２種類以上の異なる組成の記録材料の積層構造からなり、記録材料が少なくともＷ、ＭｎおよびＯを含む記録膜を３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は各記録材料とも、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。

その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。

次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。基板１および第１情報層１０の構成、作製方法は実施例１と同様である。

続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。案内溝の螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の中間分離層２の回転方向とは逆の方向とした。

続けて、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０の構成、作製方法は実施例１と同様である。

続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。案内溝の螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の中間分離層３の回転方向とは逆の方向とした。

続けて、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。

第３情報層３０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）を２０ｎｍ、記録膜３２として本開示の少なくとも２種類以上の異なる組成の記録材料の積層構造からなり、記録材料が少なくともＷ、ＭｎおよびＯを含む記録膜を３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は各記録材料とも、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。

その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。

最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、この面と、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面と合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５を形成した。

このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。

本実施例の情報記録媒体１００の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の記録膜３２にレーザ照射側に対して奥側に位置する記録材料より記載して、Ｗ_３２Ｍｎ_２０Ｃｕ_１６Ｚｎ_３２−Ｏ（１２ｎｍ）／Ｗ_３７Ｍｎ_１０Ｃｕ_１６Ｚｎ_３７−Ｏ（１３ｎｍ）／Ｗ_３２Ｍｎ_２０Ｃｕ_１６Ｚｎ_３２−Ｏ（１２ｎｍ）、Ｗ_３４Ｍｎ_１５Ｃｕ_１６Ｚｎ_３５−Ｏ（１２ｎｍ）／Ｗ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１６Ｚｎ_３４−Ｏ（１３ｎｍ）／Ｗ_３２Ｍｎ_１９Ｃｕ_１６Ｚｎ_３３−Ｏ（１２ｎｍ）、Ｗ_３４Ｍｎ_１５Ｃｕ_１６Ｚｎ_３５−Ｏ（９ｎｍ）／Ｗ_３１Ｍｎ_２１Ｃｕ_１６Ｚｎ_３２−Ｏ（１０ｎｍ）／Ｗ_３４Ｍｎ_１５Ｃｕ_１６Ｚｎ_３５−Ｏ（１８ｎｍ）、Ｗ_３２Ｍｎ_１９Ｃｕ_１６Ｚｎ_３３−Ｏ（９ｎｍ）／Ｗ_３５Ｍｎ_１３Ｃｕ_１６Ｚｎ_３６−Ｏ（１０ｎｍ）／Ｗ_３２Ｍｎ_１５Ｃｕ_１６Ｚｎ_３３−Ｏ（１８ｎｍ）、Ｗ_３４Ｍｎ_１５Ｃｕ_１６Ｚｎ_３５−Ｏ（９ｎｍ）／Ｗ_３２Ｍｎ_１９Ｃｕ_１６Ｚｎ_３３−Ｏ（１０ｎｍ）／Ｗ_３４Ｍｎ_１５Ｃｕ_１６Ｚｎ_３５−Ｏ（９ｎｍ）／Ｗ_３２Ｍｎ_１９Ｃｕ_１６Ｚｎ_３３−Ｏ（９ｎｍ）、Ｗ_３２Ｍｎ_１５Ｃｕ_１６Ｚｎ_３２Ａｇ_５−Ｏ（１２ｎｍ）／Ｗ_３７Ｍｎ_１０Ｃｕ_１６Ｚｎ_３７−Ｏ（１３ｎｍ）／Ｗ_３２Ｍｎ_１５Ｃｕ_１６Ｚｎ_３２Ａｇ_５−Ｏ（１２ｎｍ）およびＷ_３４Ｍｎ_１５Ｃｕ_１６Ｚｎ_３５−Ｏ（９ｎｍ）／Ｗ_３２Ｍｎ_１４Ｃｕ_１６Ｚｎ_３３Ａｇ_５−Ｏ（１０ｎｍ）／Ｗ_３４Ｍｎ_１５Ｃｕ_１６Ｚｎ_３５−Ｏ（９ｎｍ）／Ｗ_３２Ｍｎ_１４Ｃｕ_１６Ｚｎ_３３Ａｇ_５−Ｏ（９ｎｍ）を適用した情報記録媒体１００を作製した。

これらのディスクＮｏ．をそれぞれ２−１０１〜２−１０７とする。

透過率、記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性の評価は、実施例１と同様に行った。

Ａ面情報記録媒体１０１における第３情報層３０の結果を表１３、Ｂ面情報記録媒体１０２における第３情報層３０の結果を表１４に示す。

これらの表に示すように本実施例におけるいずれの情報記録媒体１００においても、記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性を両立し、記録膜３２へ異なる組成を積層した構造を適用しても実用化可能であることを実証できた。

（実施例３）
本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。

まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１および第１情報層１０の構成、作製方法は実施例１と同様である。

続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜２１として本開示のＺｒＯ_２とＩｎ_２Ｏ_３を含みＩｎ_２Ｏ_３が６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体膜を、記録膜２２として本開示のＷ_ａＭｎ_ｂＭ_ｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）の酸化物（Ｗ_ａＭｎ_ｂＭ_ｃ−Ｏ）を３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として本開示のＺｒＯ_２とＩｎ_２Ｏ_３を含みＩｎ_２Ｏ_３を６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体膜を、順次スパッタリング法により成膜した。

第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲ_ｇ≒８．５％、Ｒ_ｌ≒９．０％、透過率が６５〜７３％となるように設定した。例えば、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）、記録膜２２とてＷ_３０Ｍｎ_２０Ｃｕ_２０Ｚｎ_３０−Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を適用した場合には、第１誘電体膜２１の膜厚は１７ｎｍ、第２誘電体膜２３の膜厚は７ｎｍと設計できる。

また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源、パルスＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。

続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）を２０ｎｍ、記録膜３２としてＷ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１６Ｚｎ_３４−Ｏを３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲ_ｇ≒７．０％、Ｒ_ｌ≒７．５％、透過率が６９〜７９％となるように各膜の膜厚を決定した。

また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。

その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。

次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。基板１および第１情報層１０の構成、作製方法は実施例１と同様である。

続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。案内溝の螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の中間分離層２の回転方向とは逆の方向とした。

中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜２１として本開示のＺｒＯ_２とＩｎ_２Ｏ_３を含みＩｎ_２Ｏ_３が６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体膜を、記録膜２２として本開示のＷ_ａＭｎ_ｂＭ_ｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）の酸化物（Ｗ_ａＭｎ_ｂＭ_ｃ−Ｏ）を３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として本開示のＺｒＯ_２とＩｎ_２Ｏ_３を含みＩｎ_２Ｏ_３を６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体膜を、順次スパッタリング法により成膜した。

第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲ_ｇ≒８．５％、Ｒ_ｌ≒９．０％、透過率が６５〜７３％となるように設定した。例えば、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）、記録膜２２とてＷ_３０Ｍｎ_２０Ｃｕ_２０Ｚｎ_３０−Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を適用した場合には、第１誘電体膜２１の膜厚は１７ｎｍ、第２誘電体膜２３の膜厚は７ｎｍと設計できる。

また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源、パルスＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。

続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。案内溝の螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の中間分離層３の回転方向とは逆の方向とした。

中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）を２０ｎｍ、記録膜３２としてＷ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１６Ｚｎ_３４−Ｏを３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲ_ｇ≒７．０％、Ｒ_ｌ≒７．５％、透過率が６９〜７９％となるように各膜の膜厚を決定した。

また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。

その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。

このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。

本実施例の情報記録媒体１００の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１に（ＺｒＯ_２）_６０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（Ａｌ_２Ｏ_３）_３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＺｎＯ）_３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｎＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（Ｇａ_２Ｏ_３）_３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＴｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_１２（Ａｌ_２Ｏ_３）_１８（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_２５（Ｙ_２Ｏ_３）_５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_２５（ＣａＯ）_５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_２５（ＭｇＯ）_５（ｍｏｌ％）および（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_１５（ＳｎＯ_２）_１５（ｍｏｌ％）を適用し、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第２誘電体膜２３に（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を適用した情報記録媒体１００を作製した。

また記録膜２２として、Ｗ_３０Ｍｎ_２０Ｃｕ_２０Ｚｎ_３０−Ｏを適用した。

これらのディスクＮｏ．をそれぞれ３−１０１〜３−１１２とする。

比較例として、上記記載の情報記録媒体１００における、Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３に、（ＳｎＯ_２）_６０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ｍｏｌ％）を適用したディスクＮｏ．３−００１を作製した。またＡ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３に、（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_７０（ｍｏｌ％）を適用したディスクＮｏ．３−００２を作製した。

情報記録媒体１００および比較例の情報記録媒体の第２情報層２０の４０５ｎｍにおける透過率、記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性の評価を行った。

信号評価における評価機のレーザ光６の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、グルーブおよびランドに情報の記録を行った。記録の線速度は１４．００ｍ／ｓ（４倍速）および再生の線速度は７．００ｍ／ｓ（２倍速）で行った。データビット長を７９．５ｎｍとし、１情報層あたり５０ＧＢ密度の記録を行った。また再生パワーは第１および第２情報層に対しては１．４ｍＷ、第３情報層に対しては１．１ｍＷで行い、再生光は２：１で高周波重畳（変調）されたレーザ光６を用いた。ランダム信号（２Ｔ〜８Ｔ）による記録を行い、信号品質は、ＰＲ（１２３３３２１）ＭＬ（Ｐａｔｔｅｒｎ Ｒｅｃｏｇｎｉｔｉｏｎ ａｎｄ Ｍａｃｈｉｎｅ Ｌｅａｒｎｉｎｇ）信号処理によりデータ複合を行い、ｉ−ＭＬＳＥとして評価し、記録感度はｉ−ＭＬＳＥの最もよい値となるレーザパワーで設定した。４倍速記録における記録感度が２５ｍＷ以下であれば実用可能レベルである。

また再生耐久性の評価は、記録感度におけるパワーで隣接するグルーブおよびランドにランダム信号を記録し、記録を行ったトラックの中央に位置するグルーブを線速度１４．００ｍ／ｓ、再生パワー２．０ｍＷで再生することにより行った。ランドではなくグルーブ再生による評価を行ったのは、グルーブのほうが光吸収率が高く、再生耐久性が悪くなるためである。１００万回再生後のｉ−ＭＬＳＥを評価し、１１．５％以下であれば実用可能レベルである。

またシェルフ特性の評価は、ディスクを８５℃、８０％ＲＨ、１００時間の条件で加速試験を行い、加速試験前後の記録感度およびｉ−ＭＬＳＥの変化量により評価した。記録感度の変化量は（（加速試験後の記録感度）−（初期の記録感度））÷（初期の記録感度）×１００％により算出し、ｉ−ＭＬＳＥの変化量は（加速試験後のｉ−ＭＬＳＥ）−（初期のｉ−ＭＬＳＥ）により算出した。記録感度の変化量が１５％以下、ｉ−ＭＬＳＥの変化量が１％以下であれば実用可能レベルである。

最終的に透過率、記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性を総合的に判断し、実用可能なレベルを十分満足しているものを◎、◎よりはやや劣るが実用可能なレベルを満足しているものを〇、実用可能なレベルを満足していないものを×として実用化の判定を行った。

Ａ面情報記録媒体１０１における第２情報層２０の結果を表１５、Ｂ面情報記録媒体１０２における第２情報層２０の結果を表１６に示す。

これらの表に示すように本実施例におけるいずれの情報記録媒体１００においても、比較例３−００１および３−００２に対し、良好な結果が得られ、３−１０１、３−１０２、３−１０９が実用レベルとしてより良好である。

Ａ面情報記録媒体１０１で比較すると、３−１０１〜３−１１２のいずれにおいても、比較例３−００１に対し再生耐久性がよいことから、第１誘電体膜２１は酸化ジルコニウムと酸化インジウムが含まれていることが好ましい。また、３−１０１〜３−１１２のいずれにおいても、比較例３−００２に対し再生耐久性がよいことから、第１誘電体膜２１に含まれる酸化インジウムは６０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。

次に本実施例の情報記録媒体１００の別の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１に（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）を適用し、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第２誘電体膜２３に（ＺｒＯ_２）_５０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（Ａｌ_２Ｏ_３）_２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＺｎＯ）_２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｎＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（Ｇａ_２Ｏ_３）_２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＴｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_２０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_１２（Ａｌ_２Ｏ_３）_１８（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２０（Ｙ_２Ｏ_３）_５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２０（ＣａＯ）_５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２０（ＭｇＯ）_５（ｍｏｌ％）および（ＺｒＯ_２）_２０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_１５（ＳｎＯ_２）_１５（ｍｏｌ％）を適用した情報記録媒体１００を作製した。

また記録膜２２として、Ｗ_３０Ｍｎ_２０Ｃｕ_２０Ｚｎ_３０−Ｏを適用した。

これらのディスクＮｏ．をそれぞれ３−２０１〜３−２１２とする。

Ａ面情報記録媒体１０１における第２情報層２０の結果を表１７、Ｂ面情報記録媒体１０２における第２情報層２０の結果を表１８に示す。

これらの表に示すように本実施例におけるいずれの情報記録媒体１００においても、比較例３−００１および３−００２に対し、良好な結果が得られ、また３−２０１、３−２０２、３−２０９が実用レベルとしてより良好である。

Ａ面情報記録媒体１０１で比較すると、３−２０１〜３−２１２のいずれにおいても、比較例３−００１に対し再生耐久性がよいことから、第２誘電体膜２３は酸化ジルコニウムと酸化インジウムが含まれていることが好ましい。また、３−２０１〜３−２１２のいずれにおいても、比較例３−００２に対し再生耐久性がよいことから、第２誘電体膜２３に含まれる酸化インジウムは６０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。

また、３−１０２と３−２０２において、１０倍速（３５．００ｍ／ｓ）による記録を行い、記録感度の評価を行った。記録感度の設定は４倍速と同様にｉ−ＭＬＳＥの最もよい値となるレーザパワーで設定した。

Ａ面情報記録媒体１０１における第２情報層２０の１０倍速記録感度の結果を表１９、Ｂ面情報記録媒体１０２における第２情報層２０の１０倍速記録感度の結果を表２０に示す。

これらの表に示すように、３−２０１に対し３−１０２のほうが相対的に９％程度１０倍速の記録感度が高くなっている。このことから１０倍速等の高線速記録感度を向上するには第１誘電体膜２１と第２誘電体膜２３の組成が異なるほうがより好ましい。

次に本実施例の情報記録媒体１００の別の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１に（ＺｒＯ_２）_４０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_２０（ＳｉＯ_２）_４０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_３５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_３０（ＳｉＯ_２）_３５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ_２）_２０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_６０（ＳｉＯ_２）_２０（ｍｏｌ％）および（ＺｒＯ_２）_１９（Ｉｎ_２Ｏ_３）_６２（ＳｉＯ_２）_１９（ｍｏｌ％）を適用し、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第２誘電体膜２３にＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を適用した情報記録媒体１００を作製した。

また記録膜２２として、Ｗ_３０Ｍｎ_２０Ｃｕ_２０Ｚｎ_３０−Ｏを適用した。

これらのディスクＮｏ．をそれぞれ３−３０１〜３−３０５とする。

なお、（ＺｒＯ_２）_４０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_２０（ＳｉＯ_２）_４０（ｍｏｌ％）に関してはＤＣスパッタリングが困難であったため、ＲＦスパッタリングにより成膜した。

また、３−３０３は３−１０２と同構成の情報記録媒体である。

比較例として、上記記載の情報記録媒体１００におけるＡ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３に、（ＺｒＯ_２）_１９（Ｉｎ_２Ｏ_３）_６２（ＳｉＯ_２）_１９（ｍｏｌ％）に適用したディスクＮｏ．３−００３を作製した。

Ａ面情報記録媒体１０１における第２情報層２０の結果を表２１、Ｂ面情報記録媒体１０２における第２情報層２０の結果を表２２に示す。

これらの表に示すようにＩｎ_２Ｏ_３が６０ｍｏｌ％である３−３０５で再生耐久性が実用化レベルの上限となっており、Ｉｎ_２Ｏ_３が６２ｍｏｌ％である３−３０６の再生耐久性が実用不可レベルであることから、Ｉｎ_２Ｏ_３の量は６０ｍｏｌ％以下が好ましい。また、３−３０１〜３−３０３で実用化を十分満足できる判定(◎)となっていることから、第１誘電体膜２１に含まれるＩｎ_２Ｏ_３量が、第２誘電体膜２３に含まれるＩｎ_２Ｏ_３量よりも少ないほうが好ましい。また、３−３０１のように実施例１と同様にＩｎ_２Ｏ_３の量は２０ｍｏｌ％以下であるとＤＣスパッタリングが困難となり、高い成膜レートが得られず成膜タクトを短縮することが難しくなる。

次に本実施例の情報記録媒体１００の別の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１に（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）を適用し、第２誘電体膜２３に（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を適用し、記録膜２２としてＷ_３４Ｍｎ_１６Ｃｕ_１６Ｚｎ_３４−Ｏ、Ｗ_３２Ｍｎ_２０Ｃｕ_１６Ｚｎ_３２−Ｏ、Ｗ_３２Ｍｎ_１６Ｃｕ_２０Ｚｎ_３２−Ｏ、Ｗ_３０Ｍｎ_２０Ｃｕ_２０Ｚｎ_３０−Ｏ、Ｗ_２８Ｍｎ_２２Ｃｕ_２２Ｚｎ_２８−ＯおよびＷ_２７Ｍｎ_４５Ｚｎ_２８−Ｏを適用した情報記録媒体１００を作製した。

これらのディスクＮｏ．をそれぞれ３−４０１〜３−４０６とする。３−４０４は３−１０２と同構成の情報記録媒体である。

Ａ面情報記録媒体１０１における第２情報層２０の結果を表２３、Ｂ面情報記録媒体１０２における第２情報層２０の結果を表２４に示す。

これらの表に示すように記録膜２２のＭｎおよびＣｕ量が少なくなると記録感度が悪化している。３−４０１で記録感度変化量が実用上限レベルになっており、これ以上Ｍｎ、Ｃｕ量を減らすことは好ましくないと考えられる。また３−４０６においては透過率が６５％と第２情報層２０としては低い値となっていることから、記録膜２２のＭｎ量は４５原子％以下であることがより好ましい。

次に本実施例の情報記録媒体１００の別の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１に（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）を適用し、第２誘電体膜２３に（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を適用し、記録膜２２としてＷ_３０Ｍｎ_１５Ｃｕ_２０Ｚｎ_３０Ａｇ_５−Ｏ、Ｗ_３０Ｍｎ_２０Ｃｕ_１５Ｚｎ_３０Ａｇ_５−Ｏ、Ｗ_３０Ｍｎ_２０Ｃｕ_１５Ｚｎ_３０Ａｕ_５−Ｏ、Ｗ_３０Ｍｎ_２０Ｃｕ_１５Ｚｎ_３０Ｎｉ_５−Ｏ、Ｗ_３０Ｍｎ_２０Ｃｕ_１５Ｚｎ_３０Ｐｄ_５−Ｏ、Ｗ_３０Ｍｎ_２０Ｃｕ_１５Ｚｎ_３０Ｐｔ_５−Ｏ、Ｗ_３０Ｍｎ_２０Ｃｕ_１５Ｚｎ_３０Ｃｏ_５−Ｏ、Ｗ_３０Ｍｎ_２０Ｃｕ_１５Ｚｎ_３０Ｍｏ_５−ＯおよびＷ_８０Ｍｎ_２０−Ｏを適用したディスクを作製した。

これらのディスクＮｏ．をそれぞれ３−５０１〜３−５１０とする。３−５０１は３−１０２と同構成の情報記録媒体である。

Ａ面情報記録媒体１０１における第２情報層２０の結果を表２５、Ｂ面情報記録媒体１０２における第２情報層２０の結果を表２６に示す。

これらの表に示すように本実施例におけるいずれの情報記録媒体１００においても、実用可能なレベルの特性が得られた。

Ａ面情報記録媒体１０１におけるグルーブの記録感度に着目した場合、３−５０１〜３−５０９いずれにおいても３−５１０より記録感度が高くなっており、記録膜２２にＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＣｏおよびＭｏが含まれることにより、記録感度を高める効果が得られた。

（実施例４）
本実施例では図２に示す情報記録媒体２００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体２００の製造方法である。

基板１として、螺旋状の案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ（グルーブ−グルーブ間距離）０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ１．１ｍｍ）を用意した。その基板１上に、第１誘電体膜１１として（Ｉｎ_２Ｏ_３）_８３（ＳｎＯ_２）_１７（ｍｏｌ％）を１６ｎｍ、記録膜１２としてＷ_２０Ｃｕ_２５Ｚｎ_２０Ｍｎ_３５−Ｏを３０ｎｍ、第２誘電体膜１３として（Ｉｎ_２Ｏ_３）_８３（ＳｎＯ_２）_１７（ｍｏｌ％）を１６ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

４０５ｎｍのレーザ光６において、第２情報層２０および第３情報層３０がない場合の第１情報層１０の反射率が、未記録状態でのＲ_ｇ≒９．２％になるよう各膜の膜厚を決定した。

また、第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。

続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ（グルーブ−グルーブ間距離）０．３２μｍ）の設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０は本開示の構成を適用し、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）、記録膜２２として本開示のＷ_ａＭｎ_ｂＭ_ｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）の酸化物（Ｗ_ａＭｎ_ｂＭ_ｃ−Ｏ）を３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜した。

第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲ_ｇ≒５．３％、透過率が６８〜７６％となるように設定した。

また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。

続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ（グルーブ−グルーブ間距離）０．３２μｍ）の設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０は、本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）、記録膜３２として本開示のＷ_ａＭｎ_ｂＭ_ｃ（原子％）の酸化物（Ｗ_ａＭｎ_ｂＭ_ｃ−Ｏ）を３５ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜した。

第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲ_ｇ≒３．０％、透過率が７２〜８２％となるように設定した。

また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。

その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、本実施例の情報記録媒体２００を作製した。

本実施例の情報記録媒体２００の一例として、第２情報層２０の記録膜２２にＷ_３４Ｍｎ_１６Ｃｕ_１６Ｚｎ_３４−Ｏを適用し、第３情報層３０の記録膜３２にＷ_３９Ｍｎ_１２Ｃｕ_１０Ｚｎ_３９−Ｏ、Ｗ_３８Ｍｎ_１４Ｃｕ_１０Ｚｎ_３８−Ｏ、Ｗ_３５Ｍｎ_１４Ｃｕ_１６Ｚｎ_３５−Ｏ、Ｗ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１６Ｚｎ_３４−Ｏ、Ｗ_３２Ｍｎ_２０Ｃｕ_１６Ｚｎ_３２−Ｏ、Ｗ_３０Ｍｎ_４０Ｚｎ_３０−ＯおよびＷ_３３Ｍｎ_１２Ｃｕ_１６Ｚｎ_３４Ａｇ_５−Ｏを適用した情報記録媒体２００を作製した。

これらのディスクＮｏ．をそれぞれ４−１０１〜４−１０７とする。

比較例として、上記記載の情報記録媒体２００における記録膜３２に、Ｗ_４０Ｍｎ_１０Ｃｕ_１０Ｚｎ_４０−Ｏを適用したディスクＮｏ．４−００１を作製した。

情報記録媒体２００および比較例の情報記録媒体の第２情報層２０および第３情報層３０の記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性の評価をＢｌｕ−ｒａｙ（登録商標） Ｄｉｓｃ規格の一つである「ＢＤ−ＸＬ」規格に準じて行った。信号評価における評価機のレーザ光６の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、グルーブに情報の記録を行った。記録の線速度は１４．７２ｍ／ｓ（４倍速）および再生の線速度は７．３６ｍ／ｓ（２倍速）で行った。最短マーク長（２Ｔ）は０．１１１μｍで、１情報層あたり３３．４ＧＢ密度の記録を行った。また再生パワーは第１および第２情報層に対しては１．４ｍＷ、第３情報層に対しては１．１ｍＷで行い、再生光は２：１で高周波重畳（変調）されたレーザ光６を用いた。信号品質は、ＰＲ（１２２２２２１）ＭＬ信号処理によりデータ複合を行い、ｉ−ＭＬＳＥとして評価し、記録感度はｉ−ＭＬＳＥの最もよい値となるレーザパワーで設定した。４倍速記録における記録感度が２３ｍＷ以下であれば実用可能レベルである。

また再生耐久性の評価は、記録感度におけるパワーで隣接するグルーブにランダム信号を記録し、記録を行った中央に位置するトラックを線速度１４．７２ｍ／ｓ、再生パワー１．８ｍＷで再生することにより行った。１００万回再生後のｉ−ＭＬＳＥを評価し、第２情報層２０においては１１．５％以下、第３情報層３０においては１２．０％以下であれば実用可能レベルである。

またシェルフ特性の評価は、ディスクを８５℃、８０％ＲＨ、１００時間の条件で加速試験を行い、加速試験前後の記録感度およびｉ−ＭＬＳＥの変化量により評価した。記録感度の変化量は（（加速試験後の記録感度）−（初期の記録感度））÷（初期の記録感度）×１００％により算出し、ｉ−ＭＬＳＥの変化量は（加速試験後のｉ−ＭＬＳＥ）−（初期のｉ−ＭＬＳＥ）により算出した。記録感度の変化量が第２情報層２０においては１５％以下、ｉ−ＭＬＳＥの変化量が１％以下、第３情報層３０においては２０％以下、ｉ−ＭＬＳＥの変化量が１％以下、あれば実用可能レベルである。

最終的に透過率、記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性を総合的に判断し、実用可能なレベルを十分満足しているものを◎、◎よりはやや劣るが実用可能なレベルを満足しているものを〇、実用可能なレベルを満足していないものを×として実用化の判定を行った。

第３情報層３０の結果を表２７に示す。

表２７の４−１０１〜４−１０６で示されるように、Ｍｎ量が少なくなると記録感度が悪化し、シェルフ特性も悪化する。記録膜３２におけるＭｎ量が１２原子％のディスク４−１０１でシェルフ特性の記録感度変化量が２０％と実用可能レベルの上限となっており、さらにＭｎ量が少ない比較例４−００１では記録感度およびシェルフ特性が実用不可レベルであることから、記録膜３２のＭｎ量は１２原子％以上であることが好ましい。

また４−１０６においては透過率が７２％と第３情報層３０としては低い値となっていることから、記録膜３２のＭｎ量は４０原子％以下であることがより好ましい。

記録膜３２にＷ、Ｍｎ、ＣｕおよびＺｎが含まれる４−１０３〜４−１０５、およびさらにＡｇが含まれる４−１０７において、十分に実用可能性を満足した特性（◎）が得られた。

次に本実施例の情報記録媒体２００の一例として、第２情報層２０の記録膜２２にＷ_３４Ｍｎ_１６Ｃｕ_１６Ｚｎ_３４−Ｏ、Ｗ_３２Ｍｎ_２０Ｃｕ_１６Ｚｎ_３２−Ｏ、Ｗ_３０Ｍｎ_２４Ｃｕ_１６Ｚｎ_３０−Ｏ、Ｗ_３０Ｍｎ_２０Ｃｕ_２０Ｚｎ_３０−Ｏ、Ｗ_２８Ｍｎ_２２Ｃｕ_２２Ｚｎ_２８−Ｏ、Ｗ_２７Ｍｎ_４５Ｚｎ_２８−ＯおよびＷ_３０Ｍｎ_１５Ｃｕ_２０Ｚｎ_３０Ａｇ_５−Ｏを適用し、第３情報層３０の記録膜３２にＷ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１６Ｚｎ_３４−Ｏを適用した情報記録媒体２００を作製した。

これらのディスクＮｏ．をそれぞれ４−２０１〜４−２０７とする。

第２情報層２０の結果を表２８に示す。

表２８の４−２０１〜４−２０３で示されるように、Ｍｎ量が少なくなると記録感度が悪化しているが、本実施例におけるいずれの情報記録媒体２００においても、実用可能なレベルの特性が得られた。

また、４−２０６においては透過率が６８％と第２情報層２０としては低い値となっていることから、記録膜２２のＭｎ量は４５原子％以下であることが好ましい。

記録膜２２にＷ、Ｍｎ、ＣｕおよびＺｎが含まれる４−２０２〜４−２０５、およびさらにＡｇが含まれる４−２０７において、十分に実用可能性を満足した特性（◎）が得られた。

（実施例５）
本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。

まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ、直径１２０ｍｍ）を用意した。その基板１上に、第１誘電体膜１１として（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を１２ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。

第１情報層１０の記録膜１２として、Ｗ_１９Ｍｎ_３６Ｃｕ_２５Ｍｏ_２０−Ｏ、Ｗ_１９Ｍｎ_３６Ｃｕ_２５Ｎｂ_２０−Ｏ、Ｗ_１９Ｍｎ_３６Ｃｕ_２５Ｔａ_２０−Ｏ、Ｗ_４６Ｍｎ_３６Ｃｕ_７Ｍｏ_１１−Ｏ、Ｗ_４６Ｍｎ_３６Ｃｕ_７Ｎｂ_１１−Ｏ、Ｗ_４６Ｍｎ_３６Ｃｕ_７Ｔａ_１１−Ｏ、Ｗ_２７Ｍｎ_２６Ｃｕ_１８Ｍｏ_２９−Ｏ、Ｗ_２７Ｍｎ_２６Ｃｕ_１８Ｎｂ_２９−Ｏ、Ｗ_２７Ｍｎ_２６Ｃｕ_１８Ｔａ_２９−Ｏ、Ｗ_３９Ｍｎ_２６Ｃｕ_１４Ｍｏ_２１−Ｏ、Ｗ_３９Ｍｎ_２６Ｃｕ_１４Ｎｂ_２１−Ｏ、Ｗ_３９Ｍｎ_２６Ｃｕ_１４Ｔａ_２１−Ｏ、Ｗ_１９Ｍｎ_３６Ｃｕ_２５Ｚｎ_５Ｍｏ_１５−Ｏ、Ｗ_１９Ｍｎ_３６Ｃｕ_２５Ｚｎ_５Ｎｂ_１５−Ｏ、Ｗ_１９Ｍｎ_３６Ｃｕ_２５Ｚｎ_５Ｔａ_１５−Ｏ、Ｗ_２７Ｍｎ_２６Ｃｕ_１８Ｚｎ_１０Ｍｏ_１９−Ｏ、Ｗ_２７Ｍｎ_２６Ｃｕ_１８Ｚｎ_１０Ｎｂ_１９−Ｏ、Ｗ_２７Ｍｎ_２６Ｃｕ_１８Ｚｎ_１０Ｔａ_１９−Ｏ、を３０ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ５−００１〜５−０１８とする。

次に第２誘電体膜１３として（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を８ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。

４０５ｎｍのレーザ光６において、第２情報層２０および第３情報層３０がない場合の第１情報層１０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲ_ｇ≒１１．５％、Ｒ_ｌ≒１２．５％となるように各膜の膜厚を決定した。

また、第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。

続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）を１７ｎｍ、記録膜２２としてＷ_３０Ｍｎ_２０Ｃｕ_２０Ｚｎ_３０−Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を７ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲ_ｇ≒８．５％、Ｒ_ｌ≒９．０％、透過率が約６６％となるように各膜の膜厚を決定した。

また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。

続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）を２０ｎｍ、記録膜３２としてＷ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１６Ｚｎ_３４−Ｏを３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲ_ｇ≒７．０％、Ｒ_ｌ≒７．５％、透過率が約７０％となるように設定した。

また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源、パルスＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。

その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。

次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。

Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０、中間分離層２、第２情報層２０、中間分離層３、第３情報層３０およびカバー層４は前述したＡ面情報記録媒体１０１と同様の材料および同様の方法により作製した。

最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、この面と、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面とを合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５を形成した。

このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。

情報記録媒体１００の第１情報層１０の４０５ｎｍにおける記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性の評価を行った。

信号評価における評価機のレーザ光６の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、グルーブおよびランドに情報の記録を行った。記録の線速度は１４．００ｍ／ｓ（４倍速）および再生の線速度は７．００ｍ／ｓ（２倍速）で行った。データビット長を７９．５ｎｍとし、１情報層あたり５０ＧＢ密度の記録を行った。また再生パワーは第１および第２情報層に対しては１．４ｍＷ、第３情報層に対しては１．１ｍＷで行い、再生光は２：１で高周波重畳（変調）されたレーザ光６を用いた。ランダム信号（２Ｔ〜８Ｔ）による記録を行い、信号品質は、ＰＲ（１２３３３２１）ＭＬ（Ｐａｔｔｅｒｎ Ｒｅｃｏｇｎｉｔｉｏｎ ａｎｄ Ｍａｃｈｉｎｅ Ｌｅａｒｎｉｎｇ）信号処理によりデータ複合を行いｉ−ＭＬＳＥとして評価し、記録感度はｉ−ＭＬＳＥの最もよい値となるレーザパワーで設定した。４倍速記録における記録感度が３０ｍＷ以下であれば実用可能レベルである。

また再生耐久性の評価は、記録感度におけるパワーで隣接するグルーブおよびランドにランダム信号を記録し、記録を行ったトラックの中央に位置するグルーブを線速度１４．００ｍ／ｓ、再生パワー２．３ｍＷで再生することにより行った。ランドではなくグルーブ再生による評価を行ったのは、グルーブのほうが光吸収率が高く、再生耐久性が悪くなるためである。１００万回再生後のｉ−ＭＬＳＥを評価し、１２．０％以下であれば実用可能レベルである。

またシェルフ特性の評価は、ディスクを９０℃、８０％ＲＨ、１００時間の条件で加速試験を行い、加速試験前後の記録感度およびｉ−ＭＬＳＥの変化量により評価した。記録感度の変化量は（（加速試験後の記録感度）−（初期の記録感度））÷（初期の記録感度）×１００％により算出し、ｉ−ＭＬＳＥの変化量は（加速試験後のｉ−ＭＬＳＥ）−（初期のｉ−ＭＬＳＥ）により算出した。記録感度の変化量が２０％以下、ｉ−ＭＬＳＥの変化量が１％以下であれば実用可能レベルである。

最終的に記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性を総合的に判断し、実用可能なレベルを十分満足しているものを◎、◎よりはやや劣るが実用可能なレベルを満足しているものを〇、実用可能なレベルを満足していないものを×として実用化の判定を行った。

第１情報層１０の結果を表２９に示す。

表２９のディスクＮｏ．５−００１〜５−０１８において、十分に実用可能性を満足した特性（◎）が得られた。具体的には、記録膜１２にＷ、Ｍｎ、ＣｕおよびＺｎ以外にさらにＭｏ、Ｎｂ、およびＴａのいずれか１つの元素が含まれるディスクＮｏ．５−００１〜５−００３、５−００４〜５−００６、５−７〜５−００９、５−０１０〜５−０１２、５−０１３〜５−０１５、５−０１６〜５−０１８４−２０７において、Ｍｏ、Ｎｂ、およびＴａの量が同じであれば、同等の初期特性、再生耐久性、およびシェルフ特性が得られた。

なお、Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０においても表２９と同等の結果が得られた。

（実施例６）
本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。

まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ、直径１２０ｍｍ）を用意した。その基板１上に、第１誘電体膜１１として（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を１２ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。

第１情報層１０の記録膜１２として、Ｗ_１９Ｍｎ_３６Ｃｕ_２５Ｍｏ_２０−Ｏ、Ｗ_１９Ｍｎ_３６Ｃｕ_２５Ｎｂ_２０−Ｏ、Ｗ_１９Ｍｎ_３６Ｃｕ_２５Ｔａ_２０−Ｏ、Ｗ_４６Ｍｎ_３６Ｃｕ_７Ｍｏ_１１−Ｏ、Ｗ_４６Ｍｎ_３６Ｃｕ_７Ｎｂ_１１−Ｏ、Ｗ_４６Ｍｎ_３６Ｃｕ_７Ｔａ_１１−Ｏ、Ｗ_２７Ｍｎ_２６Ｃｕ_１８Ｍｏ_２９−Ｏ、Ｗ_２７Ｍｎ_２６Ｃｕ_１８Ｎｂ_２９−Ｏ、Ｗ_２７Ｍｎ_２６Ｃｕ_１８Ｔａ_２９−Ｏ、Ｗ_３９Ｍｎ_２６Ｃｕ_１４Ｍｏ_２１−Ｏ、Ｗ_３９Ｍｎ_２６Ｃｕ_１４Ｎｂ_２１−Ｏ、Ｗ_３９Ｍｎ_２６Ｃｕ_１４Ｔａ_２１−Ｏ、Ｗ_３０Ｍｎ_２０Ｃｕ_２０Ｍｏ_３０−Ｏ、Ｗ_３０Ｍｎ_２０Ｃｕ_２０Ｎｂ_３０−Ｏ、Ｗ_３０Ｍｎ_２０Ｃｕ_２０Ｔａ_３０−Ｏ、Ｗ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１６Ｍｏ_３４−Ｏ、Ｗ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１６Ｎｂ_３４−Ｏ、Ｗ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１６Ｔａ_３４−Ｏ、Ｗ_１９Ｍｎ_３６Ｃｕ_２５Ｚｎ_５Ｍｏ_１５−Ｏ、Ｗ_１９Ｍｎ_３６Ｃｕ_２５Ｚｎ_５Ｎｂ_１５−Ｏ、Ｗ_１９Ｍｎ_３６Ｃｕ_２５Ｚｎ_５Ｔａ_１５−Ｏ、Ｗ_２７Ｍｎ_２６Ｃｕ_１８Ｚｎ_１０Ｍｏ_１９−Ｏ、Ｗ_２７Ｍｎ_２６Ｃｕ_１８Ｚｎ_１０Ｎｂ_１９−Ｏ、Ｗ_２７Ｍｎ_２６Ｃｕ_１８Ｚｎ_１０Ｔａ_１９−Ｏ、Ｗ_１４Ｍｎ_３６Ｃｕ_２５Ｍｏ_２５−Ｏ、Ｗ_１５Ｍｎ_３６Ｃｕ_２５Ｍｏ_２４−Ｏ、Ｗ_５０Ｍｎ_３６Ｃｕ_７Ｍｏ_７−Ｏ、Ｗ_５１Ｍｎ_３６Ｃｕ_７Ｍｏ_６−Ｏ、Ｗ_３６Ｍｎ_１４Ｃｕ_２５Ｍｏ_２５−Ｏ、Ｗ_３７Ｍｎ_１３Ｃｕ_２５Ｍｏ_２５−Ｏ、Ｗ_３７Ｍｎ_３６Ｃｕ_２５Ｍｏ_２−Ｏ、Ｗ_３８Ｍｎ_３６Ｃｕ_２５Ｍｏ_１−Ｏ、Ｗ_１９Ｍｎ_２６Ｃｕ_１５Ｍｏ_４０−Ｏ、Ｗ_１９Ｍｎ_２６Ｃｕ_１４Ｍｏ_４１−Ｏを３０ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ６−００１〜６−０３４とする。

なお、ディスクＮｏ．６−０１９〜６−０３４については、記録膜１２に含まれる金属元素の組成式：Ｗ_ｊＭｎ_ｋＭ２_ｍＭ１_ｎ（原子％）（但し、Ｍ１はＭｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、Ｍ２はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素）において、１５≦ｊ≦５０、ｋ≧１４、２≦ｎ≦４０且つｊ＋ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００を満足させた場合の効果について確認した。

次に第２誘電体膜１３として（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を８ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。４０５ｎｍのレーザ光６において、第２情報層２０および第３情報層３０がない場合の第１情報層１０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲ_ｇ≒９．５％、Ｒ_ｌ≒１０．０％となるように各膜の膜厚を決定した。

また、第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。

続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）を１７ｎｍ、記録膜２２としてＷ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１６Ｚｎ_３４−Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を７ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲ_ｇ≒７．８％、Ｒ_ｌ≒８．３％、透過率が約６９％となるように各膜の膜厚を決定した。

また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。

続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）を２０ｎｍ、記録膜３２としてＷ_３８Ｍｎ_１４Ｃｕ_１０Ｚｎ_３８−Ｏを３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲ_ｇ≒６．３％、Ｒ_ｌ≒６．８％、透過率が約７３％となるように設定した。

また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源、パルスＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。

その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。

次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。

Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０、中間分離層２、第２情報層２０、中間分離層３、第３情報層３０およびカバー層４は前述したＡ面情報記録媒体１０１と同様の材料および同様の方法により作製した。

最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、この面と、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面とを合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５を形成した。

このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。

情報記録媒体１００の第１情報層１０の４０５ｎｍにおける記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性の評価を行った。

信号評価における評価機のレーザ光６の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．９１であり、グルーブおよびランドに情報の記録を行った。記録の線速度は１３．３８ｍ／ｓ（６倍速）および再生の線速度は８．８５ｍ／ｓ（４倍速）で行った。データビット長を４７．７ｎｍとし、１情報層あたり８３．４ＧＢ密度の記録を行った。また再生パワーは第１および第２情報層に対しては１．４ｍＷ、第３情報層に対しては１．１ｍＷで行い、再生光は２：１で高周波重畳（変調）されたレーザ光６を用いた。ランダム信号（２Ｔ〜１２Ｔ）による記録を行い、信号品質は、ｃ−ｂＥＲ（ｃｈａｎｎｅｌ ｂｉｔ ｅｒｒｏｒ ｒａｔｅ）として評価し、記録感度はｃ−ｂＥＲの最もよい値となるレーザパワーで設定した。６倍速記録における記録感度が３０ｍＷ以下であれば実用可能レベルである。

また再生耐久性の評価は、記録感度におけるパワーで隣接するグルーブおよびランドにランダム信号を記録し、記録を行ったトラックの中央に位置するグルーブを線速度８．８５ｍ／ｓ、再生パワー２．０ｍＷで再生することにより行った。ランドではなくグルーブ再生による評価を行ったのは、グルーブのほうが光吸収率が高く、再生耐久性が悪くなるためである。１００万回再生後のｃ−ｂＥＲを評価し、２．０×１０^−３以下であれば実用可能レベルである。

またシェルフ特性の評価は、ディスクを９０℃、８０％ＲＨ、１００時間の条件で加速試験を行い、加速試験前後の記録感度およびｃ−ｂＥＲの変化量により評価した。記録感度の変化量は（（加速試験後の記録感度）−（初期の記録感度））÷（初期の記録感度）×１００％により算出し、ｃ−ｂＥＲの変化量は（加速試験後のｃ−ｂＥＲ）−（初期のｃ−ｂＥＲ）により算出した。記録感度の変化量が２０％以下、ｃ−ｂＥＲの変化量が１．０×１０^−３以下であれば実用可能レベルである。

最終的に記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性を総合的に判断し、実用可能なレベルを十分満足しているものを◎、◎よりはやや劣るが実用可能なレベルを満足しているものを〇、実用可能なレベルを満足していないものを×として実用化の判定を行った。

第１情報層１０の結果を表３０に示す。

表３０のディスクＮｏ．６−００１〜６−０３４の全てにおいて、実用可能なレベルを満足した特性（◎及び〇）が得られた。特に、ディスクＮｏ．６−００１〜６−０２４においては、実用可能なレベルを十分に満足しており、例えば、ディスクＮｏ．６−００１〜６−００３、６−００４〜６−００６のように、Ｍｏ、Ｎｂ、およびＴａの量が同じである時、同等の初期特性、再生耐久性、およびシェルフ特性が得られることが分かった。

ディスクＮｏ．６−０２５および６−０２６を比較すると、再生耐久性の違いにより、Ｗ（タングステン）の含有量（原子％）が１５以上であることが好ましいことが分かった。

また、ディスクＮｏ．６−０２７および６−０２８を比較すると、記録感度の違いにより、Ｗの含有量（原子％）が５０以下であることが好ましいことが分かった。

ディスクＮｏ．６−０２９および６−０３０を比較すると、記録感度の違いにより、Ｍｎ（マンガン）の含有量（原子％）が１４％以上であることが好ましいことが分かった。

さらに、ディスクＮｏ．６−０３１および６−０３２を比較すると、再生耐久性の違いにより、Ｍｏ（モリブデン）の含有量（原子％）が２以上であることが好ましいことが分かった。

ディスクＮｏ．６−０３３〜６−０３４を比較すると、記録感度の違いから、Ｍｏの含有量（原子％）が４０以下であることが好ましいことが分かった。

したがって、記録膜１２に含まれる金属元素の組成式：Ｗ_ｊＭｎ_ｋＭ２_ｍＭ１_ｎ（原子％）（但し、Ｍ１はＭｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、Ｍ２はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素）において、１５≦ｊ≦５０、ｋ≧１４、２≦ｎ≦４０且つｊ＋ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００を満足させた場合、上述のような効果を奏することが確認できた。

なお、Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０においても表３０と同等の結果が得られた。

（実施例７）
本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。

まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ、直径１２０ｍｍ）を用意した。その基板１上に、第１誘電体膜１１として（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を１２ｎｍ、記録膜１２としてＷ_１９Ｃｕ_２５Ｍｏ_２０Ｍｎ_３６−Ｏを３０ｎｍ、第２誘電体膜１３として（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を８ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

次に４０５ｎｍのレーザ光６において、第２情報層２０および第３情報層３０がない場合の第１情報層１０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲ_ｇ≒９．５％、Ｒ_ｌ≒１０．０％となるように各膜の膜厚を決定した。

また、第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。

続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）を１７ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。

第２情報層２０の記録膜２２として、Ｗ_３０Ｍｎ_２０Ｃｕ_２０Ｍｏ_３０−Ｏ、Ｗ_３０Ｍｎ_２０Ｃｕ_２０Ｎｂ_３０−Ｏ、Ｗ_３０Ｍｎ_２０Ｃｕ_２０Ｔａ_３０−Ｏ、Ｗ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１６Ｍｏ_３４−Ｏ、Ｗ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１６Ｎｂ_３４−Ｏ、Ｗ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１６Ｔａ_３４−Ｏ、Ｗ_３０Ｍｎ_２０Ｃｕ_２０Ｚｎ_１０Ｍｏ_２０−Ｏ、Ｗ_３０Ｍｎ_２０Ｃｕ_２０Ｚｎ_１０Ｎｂ_２０−Ｏ、Ｗ_３０Ｍｎ_２０Ｃｕ_２０Ｚｎ_１０Ｔａ_２０−Ｏ、Ｗ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１６Ｚｎ_１０Ｍｏ_２４−Ｏ、Ｗ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１６Ｚｎ_１０Ｎｂ_２４−Ｏ、Ｗ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１６Ｚｎ_１０Ｔａ_２４−Ｏを３５ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ７−００１〜７−０１２とする。

次に第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を７ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲ_ｇ≒７．８％、Ｒ_ｌ≒８．３％となるように各膜の膜厚を決定した。

また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。

続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）を２０ｎｍ、記録膜３２としてＷ_３８Ｍｎ_１４Ｃｕ_１０Ｚｎ_３８−Ｏを３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲ_ｇ≒６．３％、Ｒ_ｌ≒６．８％、透過率が約７３％となるように設定した。

また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源、パルスＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。

その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。

次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。

Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０、中間分離層２、第２情報層２０、中間分離層３、第３情報層３０およびカバー層４は前述したＡ面情報記録媒体１０１と同様の材料および同様の方法により作製した。

最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、この面と、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面とを合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５を形成した。

このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。

情報記録媒体１００の第１情報層１０の４０５ｎｍにおける記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性の評価を行った。

信号評価における評価機のレーザ光６の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．９１であり、グルーブおよびランドに情報の記録を行った。記録の線速度は１３．３８ｍ／ｓ（６倍速）および再生の線速度は８．８５ｍ／ｓ（４倍速）で行った。データビット長を４７．７ｎｍとし、１情報層あたり８３．４ＧＢ密度の記録を行った。また再生パワーは第１および第２情報層に対しては１．４ｍＷ、第３情報層に対しては１．１ｍＷで行い、再生光は２：１で高周波重畳（変調）されたレーザ光６を用いた。ランダム信号（２Ｔ〜１２Ｔ）による記録を行い、信号品質は、ｃ−ｂＥＲ（ｃｈａｎｎｅｌ ｂｉｔ ｅｒｒｏｒ ｒａｔｅ）として評価し、記録感度はｃ−ｂＥＲの最もよい値となるレーザパワーで設定した。６倍速記録における記録感度が２５ｍＷ以下であれば実用可能レベルである。

また再生耐久性の評価は、記録感度におけるパワーで隣接するグルーブおよびランドにランダム信号を記録し、記録を行ったトラックの中央に位置するグルーブを線速度８．８５ｍ／ｓ、再生パワー２．０ｍＷで再生することにより行った。ランドではなくグルーブ再生による評価を行ったのは、グルーブのほうが光吸収率が高く、再生耐久性が悪くなるためである。１００万回再生後のｃ−ｂＥＲを評価し、２．０×１０^−３以下であれば実用可能レベルである。

またシェルフ特性の評価は、ディスクを９０℃、８０％ＲＨ、１００時間の条件で加速試験を行い、加速試験前後の記録感度およびｃ−ｂＥＲの変化量により評価した。記録感度の変化量は（（加速試験後の記録感度）−（初期の記録感度））÷（初期の記録感度）×１００％により算出し、ｃ−ｂＥＲの変化量は（加速試験後のｃ−ｂＥＲ）−（初期のｃ−ｂＥＲ）により算出した。記録感度の変化量が２０％以下、ｃ−ｂＥＲの変化量が１．０×１０^−３以下であれば実用可能レベルである。

最終的に記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性を総合的に判断し、実用可能なレベルを十分満足しているものを◎、◎よりはやや劣るが実用可能なレベルを満足しているものを〇、実用可能なレベルを満足していないものを×として実用化の判定を行った。

第２情報層２０の結果を表３１に示す。

ディスクＮｏ．７−００１〜７−０１２において良好な結果が得られた。

なお、Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０においても表３１と同等の結果が得られた。

（実施例８）
本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。

まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ、直径１２０ｍｍ）を用意した。その基板１上に、第１誘電体膜１１として（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を１２ｎｍ、記録膜１２としてＷ_１９Ｃｕ_２５Ｍｏ_２０Ｍｎ_３６−Ｏを３０ｎｍ、第２誘電体膜１３として（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を８ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

次に４０５ｎｍのレーザ光６において、第２情報層２０および第３情報層３０がない場合の第１情報層１０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲ_ｇ≒９．５％、Ｒ_ｌ≒１０．０％となるように各膜の膜厚を決定した。

また、第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。

続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）を１７ｎｍ、記録膜２２としてＷ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１６Ｚｎ_３４−Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を７ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲ_ｇ≒７．８％、Ｒ_ｌ≒８．３％、透過率が約６９％となるように各膜の膜厚を決定した。

また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。

続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ＳｉＯ_２）_３０（ｍｏｌ％）を２０ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。

第３情報層３０の記録膜３２としてＷ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１６Ｍｏ_３４−Ｏ、Ｗ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１６Ｎｂ_３４−Ｏ、Ｗ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１６Ｔａ_３４−Ｏ、Ｗ_３８Ｍｎ_１４Ｃｕ_１０Ｍｏ_３８−Ｏ、Ｗ_３８Ｍｎ_１４Ｃｕ_１０Ｎｂ_３８−Ｏ、Ｗ_３８Ｍｎ_１４Ｃｕ_１０Ｔａ_３８−Ｏ、Ｗ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１６Ｚｎ_１０Ｍｏ_２４−Ｏ、Ｗ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１６Ｚｎ_１０Ｎｂ_２４−Ｏ、Ｗ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１６Ｚｎ_１０Ｔａ_２４−Ｏ、Ｗ_３８Ｍｎ_１４Ｃｕ_１０Ｚｎ_１０Ｍｏ_２８−Ｏ、Ｗ_３８Ｍｎ_１４Ｃｕ_１０Ｚｎ_１０Ｎｂ_２８−Ｏ、Ｗ_３８Ｍｎ_１４Ｃｕ_１０Ｚｎ_１０Ｔａ_２８−Ｏ、Ｗ_１９Ｍｎ_２４Ｃｕ_１６Ｍｏ_４１−Ｏ、Ｗ_２０Ｍｎ_２４Ｃｕ_１６Ｍｏ_４０−Ｏ、Ｗ_６０Ｍｎ_１７Ｃｕ_１６Ｍｏ_７−Ｏ、Ｗ_６１Ｍｎ_１７Ｃｕ_１６Ｍｏ_６−Ｏ、Ｗ_３３Ｍｎ_１２Ｃｕ_２１Ｍｏ_３４−Ｏ、Ｗ_３３Ｍｎ_１１Ｃｕ_２２Ｍｏ_３４−Ｏ、Ｗ_４９Ｍｎ_３３Ｃｕ_１６Ｍｏ_２−Ｏ、Ｗ_５０Ｍｎ_３３Ｃｕ_１６Ｍｏ_１−Ｏ、Ｗ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_１０Ｍｏ_４０−Ｏ、Ｗ_３３Ｍｎ_１７Ｃｕ_９Ｍｏ_４１−Ｏを３７ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ８−００１〜８−０２２とする。

なお、ディスクＮｏ．８−０１３〜８−０２２については、記録膜３２がＭで示される金属元素のうち少なくともＭ１（但し、Ｍ１はＭｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素）を含む。さらに、記録膜３２が、Ｍ２（但し、Ｍ２はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素）を含み、記録膜３２に含まれる金属元素を組成式：Ｗ_ｐＭｎ_ｑＭ２_ｒＭ１_ｓ（原子％）と表記した場合に、２０≦ｐ≦６０、ｑ≧１２、２≦ｓ≦４０且つｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＝１００を満足させた場合の効果について確認した。

次に第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ＳｉＯ_２）_２５（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。

４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲ_ｇ≒６．３％、Ｒ_ｌ≒６．８％となるように各膜の膜厚を決定した。

また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源、パルスＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。

その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。

次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。

Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０、中間分離層２、第２情報層２０、中間分離層３、第３情報層３０およびカバー層４は前述したＡ面情報記録媒体１０１と同様の材料および同様の方法により作製した。

最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、この面と、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝とを有する面とは反対側の面と合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５を形成した。

このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。

情報記録媒体１００の第１情報層１０の４０５ｎｍにおける記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性の評価を行った。

信号評価における評価機のレーザ光６の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．９１であり、グルーブおよびランドに情報の記録を行った。記録の線速度は１３．３８ｍ／ｓ（６倍速）および再生の線速度は８．８５ｍ／ｓ（４倍速）で行った。データビット長を４７．７ｎｍとし、１情報層あたり８３．４ＧＢ密度の記録を行った。また再生パワーは第１および第２情報層に対しては１．４ｍＷ、第３情報層に対しては１．１ｍＷで行い、再生光は２：１で高周波重畳（変調）されたレーザ光６を用いた。ランダム信号（２Ｔ〜１２Ｔ）による記録を行い、信号品質は、ｃ−ｂＥＲ（ｃｈａｎｎｅｌ ｂｉｔ ｅｒｒｏｒ ｒａｔｅ）として評価し、記録感度はｃ−ｂＥＲの最もよい値となるレーザパワーで設定した。６倍速記録における記録感度が２５ｍＷ以下であれば実用可能レベルである。

また再生耐久性の評価は、記録感度におけるパワーで隣接するグルーブおよびランドにランダム信号を記録し、記録を行ったトラックの中央に位置するグルーブを線速度８．８５ｍ／ｓ、再生パワー１．５ｍＷで再生することにより行った。ランドではなくグルーブ再生による評価を行ったのは、グルーブのほうが光吸収率が高く、再生耐久性が悪くなるためである。１００万回再生後のｃ−ｂＥＲを評価し、２．０×１０^−３以下であれば実用可能レベルである。

またシェルフ特性の評価は、ディスクを９０℃、８０％ＲＨ、１００時間の条件で加速試験を行い、加速試験前後の記録感度およびｃ−ｂＥＲの変化量により評価した。記録感度の変化量は（（加速試験後の記録感度）−（初期の記録感度））÷（初期の記録感度）×１００％により算出し、ｃ−ｂＥＲの変化量は（加速試験後のｃ−ｂＥＲ）−（初期のｃ−ｂＥＲ）により算出した。記録感度の変化量が２０％以下、ｃ−ｂＥＲの変化量が１．０×１０^−３以下であれば実用可能レベルである。

最終的に記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性を総合的に判断し、実用可能なレベルを十分満足しているものを◎、◎よりはやや劣るが実用可能なレベルを満足しているものを〇、実用可能なレベルを満足していないものを×として実用化の判定を行った。

第３情報層３０の結果を表３２に示す。

ディスクＮｏ．８−０１８以外の全てにおいて、実用可能なレベルを満足した特性（◎及び〇）が得られた。特に、ディスクＮｏ．８−００１〜８−０１２においては、実用可能なレベルを十分に満足しており、例えば、ディスクＮｏ．８−００１〜８−００３、８−００４〜８−００６のように、Ｍｏ、Ｎｂ、およびＴａの量（原子％）が同じである時、同等の初期特性、再生耐久性、およびシェルフ特性が得られることが分かった。

ディスクＮｏ．８−０１３および８−０１４を比較すると、再生耐久性の違いにより、Ｗ（タングステン）の含有量（原子％）が２０以上であることが好ましいことが分かった。

また、ディスクＮｏ．８−０１５および８−０１６を比較すると、記録感度の違いにより、Ｗの含有量（原子％）が６０以下であることが好ましいことが分かった。

ディスクＮｏ．８−０１７および８−０１８を比較すると、記録感度の違いにより、Ｍｎ（マンガン）の含有量（原子％）が１２％以上であることが好ましいことが分かった。

さらに、ディスクＮｏ．８−０１９および８−０２０を比較すると、再生耐久性の違いにより、Ｍｏ（モリブデン）の含有量（原子％）が２以上であることが好ましいことが分かった。

ディスクＮｏ．８−０２１〜８−０２２を比較すると、記録感度の違いから、Ｍｏの含有量（原子％）が４０以下であることが好ましいことが分かった。

したがって、記録膜３２に含まれる金属元素を組成式：Ｗ_ｐＭｎ_ｑＭ２_ｒＭ１_ｓ（原子％）（但し、Ｍ１はＭｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素。Ｍ２はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素）において、２０≦ｐ≦６０、ｑ≧１２、２≦ｓ≦４０且つｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＝１００を満足させた場合、上述のような効果を奏することが確認できた。

なお、Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０においても表３２と同等の結果が得られた。

このようにアクリル系樹脂からなる中間分離層を有し、Ｗ、ＭｎおよびＯを含む記録膜と、記録膜の両側に接し酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む誘電体膜を有する３層以上の情報層を含む情報記録媒体において、記録特性、再生耐久性およびシェルフ特性を向上した情報記録媒体が得られた。

以上のように、本開示における技術の例示として、実施の形態を説明した。そのために、添付図面および詳細な説明を提供した。

したがって、添付図面および詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必須な構成要素だけでなく、上記技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。

また、上述の実施の形態は、本開示における技術を例示するためのものであるから、請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。

本開示の情報記録媒体とその製造方法は、情報記録媒体の長期保存後も良好な記録・再生特性を示し高い信頼性を有しているため、大容量のコンテンツを記録・保存する多層追記型光ディスクに有用である。例えばＢＤ−ＸＬ規格のような片面に３層の情報層を有する光ディスク（容量１００ＧＢ）や、次世代の両面に３層の情報層を有する光ディスク（容量３００ＧＢや５００ＧＢ等）に有用である。

１ 基板
２、３ 中間分離層
４ カバー層
５ 貼り合わせ層
６ レーザ光
１０、２０、３０ 情報層
１１、２１、３１ 第１誘電体膜
１２、２２、３２ 記録膜
１３、２３、３３ 第２誘電体膜
１００、２００ 情報記録媒体
１０１ Ａ面情報記録媒体
１０２ Ｂ面情報記録媒体

Claims (17)

1. ３層以上の情報層を含む情報記録媒体であって、少なくとも一つの情報層にレーザ光の照射側より、酸化ジルコニウムおよび酸化インジウムを含む第２誘電体膜と、少なくともタングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）および酸素（Ｏ）を含む記録膜と、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１誘電体膜と、アクリル系樹脂からなる中間分離層とをこの順に有し、前記記録膜が前記レーザ光の照射により、情報を記録または再生する情報記録媒体であって、
   前記記録膜に含まれる金属元素を組成式：Ｗ_ａＭｎ_ｂＭ_ｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、ｂ≧１２を満足し、且つ前記第１誘電体膜が酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下含むことを特徴とする情報記録媒体。
2. 前記第１誘電体膜および前記第２誘電体膜において、酸化ジルコニウムがＺｒＯ_２であり、酸化インジウムがＩｎ_２Ｏ_３である請求項１に記載の情報記録媒体。
3. 前記第１誘電体膜および前記第２誘電体膜が、Ｄ１（但し、Ｄ１はＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＳｎＯ_２およびＧａ_２Ｏ_３およびＴｉＯ_２より選ばれる少なくとも一つの誘電体）を含む請求項１に記載の情報記録媒体。
4. 前記記録膜が、前記Ｍで示される金属元素のうち少なくともＭ１（但し、Ｍ１はＭｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素）を含む請求項１または２に記載の情報記録媒体。
5. 前記記録膜は、さらに、Ｍ２（但し、Ｍ２はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素）を含み、前記記録膜に含まれる金属元素を組成式：Ｗ_ｐＭｎ_ｑＭ２_ｒＭ１_ｓ（原子％）と表記した場合に、
   ２０≦ｐ≦６０、
   ｑ≧１２、
   ２≦ｓ≦４０且つ
   ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＝１００を満足する請求項４に記載の情報記録媒体。
6. 前記レーザ光の照射側より最も遠い情報層において、前記レーザ光の入射側より、酸化ジルコニウムおよび酸化インジウムを含む前記第２誘電体膜と、少なくともタングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ１、Ｍ２および酸素（Ｏ）を含む前記記録膜と、酸化ジルコニウムおよび酸化インジウムを含む前記第１誘電体膜と基板をこの順に有し、前記記録膜に含まれるＭで示される金属元素としてＭ１およびＭ２を含み、前記記録膜に含まれる金属元素を組成式：Ｗ_ｊＭｎ_ｋＭ２_ｍＭ１_ｎ（原子％）（但し、Ｍ１はＭｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、Ｍ２はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素）と表記した場合、ｊ＞０、ｋ≧１２およびｊ＋ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００を満足し、且つ前記第１誘電体膜が酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下含む請求項１に記載の情報記録媒体。
7. 前記記録膜に含まれる金属元素の組成式：Ｗ_ｊＭｎ_ｋＭ２_ｍＭ１_ｎ（原子％）において、
   １５≦ｊ≦５０、
   ｋ≧１４、
   ２≦ｎ≦４０且つ
   ｊ＋ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００を満足する請求項６に記載の情報記録媒体。
8. 前記記録膜がＣｕを含み、前記記録膜に含まれる金属元素を組成式：Ｗ_ｄＭｎ_ｅＣｕ_ｆＭ_ｇＮ_ｈ（原子％）（但し、ＭよりＣｕを除く。また、Ｎは、Ｗ、Ｍｎ、Ｍ以外の任意の金属元素であり、ｄ＞０、ｅ≧１２、ｆ＞０、ｇ＞０およびｈ≧０でｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＝１００を満足する）と表記した場合、ｅ＋ｆ≦５０を満足する請求項１に記載の情報記録媒体。
9. 前記記録膜が少なくとも２種類以上の異なる組成の記録材料の積層構造からなり、前記記録材料が少なくともタングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）および酸素（Ｏ）を含む請求項１に記載の情報記録媒体。
10. 前記積層構造における記録材料の少なくとも一つが、前記記録材料に含まれる金属元素を組成式：Ｗ_ａＭｎ_ｂＭ_ｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、ｂ≧１５を満足する請求項９に記載の情報記録媒体。
11. 前記第１誘電体膜と前記第２誘電体膜のＩｎ_２Ｏ_３の組成比が異なる請求項２に記載の情報記録媒体。
12. 前記第１誘電体膜に含まれるＩｎ_２Ｏ_３量が、前記第２誘電体膜に含まれるＩｎ_２Ｏ_３量よりも少ない請求項１１に記載の情報記録媒体。
13. 基板を介し、両側に前記情報層を配置することを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
14. 前記情報層において、前記基板上に情報を記録・再生する凹凸溝を有し、前記レーザ光の照射側より見た時に、近い側の溝（グルーブ）および遠い側の溝（ランド）の両方に記録することを特徴とする請求項１３に記載の情報記録媒体。
15. 情報記録媒体の製造方法であって、情報層を形成する工程を３つ以上含み、少なくとも１つの前記情報層を形成する工程が、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）および酸素（Ｏ）を含む記録膜を形成する工程と、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１および第２誘電体膜を形成する工程を含み、前記記録膜を形成する工程がＷ、ＭｎおよびＭ（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素）を含むターゲットを用いるスパッタリング工程を含み、前記第１および第２誘電体膜を形成する工程がＺｒＯ_２およびＩｎ_２Ｏ_３を含む誘電体ターゲットを用いるスパッタリング工程を含むことを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
16. 前記記録膜を形成する工程において、酸素を添加したＤＣ反応性スパッタリング法を用いることを特徴とする請求項１５に記載の情報記録媒体の製造方法。
17. 前記第１および第２誘電体膜を形成する工程において、ＤＣスパッタリング法を用いることを特徴とする請求項１５に記載の情報記録媒体の製造方法。

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