JPWO2017056549A1 - 熱電モジュール - Google Patents
熱電モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2017056549A1 JPWO2017056549A1 JP2017542775A JP2017542775A JPWO2017056549A1 JP WO2017056549 A1 JPWO2017056549 A1 JP WO2017056549A1 JP 2017542775 A JP2017542775 A JP 2017542775A JP 2017542775 A JP2017542775 A JP 2017542775A JP WO2017056549 A1 JPWO2017056549 A1 JP WO2017056549A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support substrate
- lead member
- protrusion
- thermoelectric
- pair
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 100
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 17
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 8
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 4
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 3
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MRPWWVMHWSDJEH-UHFFFAOYSA-N antimony telluride Chemical compound [SbH3+3].[SbH3+3].[TeH2-2].[TeH2-2].[TeH2-2] MRPWWVMHWSDJEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 230000005678 Seebeck effect Effects 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBGGJHZVZAAUKJ-UHFFFAOYSA-N bismuth selenide Chemical compound [Se-2].[Se-2].[Se-2].[Bi+3].[Bi+3] FBGGJHZVZAAUKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- OQRNKLRIQBVZHK-UHFFFAOYSA-N selanylideneantimony Chemical compound [Sb]=[Se] OQRNKLRIQBVZHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/82—Interconnections
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
- H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N11/00—Generators or motors not provided for elsewhere; Alleged perpetua mobilia obtained by electric or magnetic means
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本発明の一態様の熱電モジュールは、互いに対向する領域を有する一対の支持基板11、12と、一対の支持基板11、12の対向する一方主面にそれぞれ設けられた配線導体21、22と、一対の支持基板11、12の一方主面間に配置された複数の熱電素子3と、一対の支持基板11、12のうちの一方の支持基板11に設けられた配線導体21と接合されたリード部材4と、一方の支持基板11におけるリード部材4の接合部位41を被覆する被覆材5とを備え、一方の支持基板11はリード部材4の接合部位41を含む第1の突出部111を有しているとともに、他方の支持基板12は一方主面に垂直な方向から見てリード部材4の接合部位41とは重ならない第2の突出部121を有しており、被覆材5が第1の突出部111と第2の突出部121とに接合されている。【選択図】 図2
Description
本発明は、温度調節、特に自動車用シートクーラー、燃料電池等の温度調節に使用される熱電モジュールに関するものである。
熱電モジュールは、熱電素子に電力を供給することによって、一方の主面と他方の主面側との間に温度差を生じさせることができる。また、熱電モジュールは、一方の主面と他方の主面との間に温度差を与えることによって、熱電素子によって電力を生じさせることができる。これらの性質を活かして、熱電モジュールは温度調節または熱電発電等に用いられる。
このような熱電モジュールとして、一対の支持基板と、複数の熱電素子と、複数の熱電素子を接続する配線導体と、給電用のリード部材と、リード部材の接合部位を被覆する被覆材とを備えたものが知られている(例えば特許文献1を参照)。
本開示の熱電モジュールは、互いに対向する領域を有する一対の支持基板と、該一対の支持基板の対向する一方主面にそれぞれ設けられた配線導体と、前記一対の支持基板の一方主面間に配置された複数の熱電素子と、前記一対の支持基板のうちの一方の支持基板に設けられた前記配線導体と接合されたリード部材と、前記一方の支持基板における前記リード部材の接合部位を被覆する被覆材とを備え、前記一方の支持基板は前記リード部材の接合部位を含む第1の突出部を有しているとともに、他方の支持基板は前記一方主面に垂直な方向から見て前記リード部材の接合部位とは重ならない第2の突出部を有しており、前記被覆材が前記第1の突出部と前記第2の突出部とに接合されていることを特徴とする。
以下、本実施形態に係る熱電モジュールについて、図面を参照して詳細に説明する。
図1は熱電モジュールの一例の概略斜視図である。また、図2(a)は図1に示す熱電モジュールの一部透過概略平面図、図2(b)は図1に示す熱電モジュールの一部透過概略側面図である。また、図3は図1に示す熱電モジュールのiii−iii線で切断した概略断面図である。
図1乃至図3に示す熱電モジュール10は、互いに対向する領域を有する第1の支持基板11および第2の支持基板12(以下、両方の支持基板に共通する説明を行なう場合に、単に一対の支持基板という場合がある。)と、一対の支持基板11、12の対向する一方主面にそれぞれ設けられた配線導体21、22と、一対の支持基板11、12の一方主面間に配置された複数の熱電素子3と、一対の支持基板11、12のうちの一方の支持基板11に設けられた配線導体21と接合されたリード部材4と、一方の支持基板11におけるリード部材4の接合部位41を被覆する被覆材5とを備えている。また、一方の支持基板11はリード部材4の接合部位41を含む第1の突出部111を有しているとともに、他方の支持基板12は一方主面に垂直な方向から見てリード部材4の接合部位41とは重ならない第2の突出部121を有している。そして、被覆材5が第1の突出部111と第2の突出部121とに接合されている。
本実施形態に係る熱電モジュール10は、複数の熱電素子3を第1の支持基板11と第2の支持基板12とで挟むようにして支持している。第1の支持基板11および第2の支持基板12は、後述する第1の突出部111および第2の突出部121を除いて、例えば矩形状の互いに対向する領域を有している。この矩形状の互いに対向する領域を平面視したときの寸法は、例えば、縦40〜50mm、横20〜30mm、厚さ0.25〜0.35mmに設定することができる。
第1の支持基板11は上面が第2の支持基板12に対向する一方主面となるように配置され、第2の支持基板12は下面が第1の支持基板11に対向する一方主面となるように配置されている。
第1の支持基板11は、上面に配線導体21が設けられることから、少なくとも上面側は絶縁材料からなる。第1の支持基板11としては、例えば、アルミナフィラーを添加して成るエポキシ樹脂板または酸化アルミニウム質焼結体あるいは窒化アルミニウム質焼結体等のセラミック板の下面に外部への伝熱または放熱用の銅板を貼り合わせた基板を用いることができる。その他、銅板、銀板または銀−パラジウム板の上面にエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アルミナセラミックスまたは窒化アルミニウムセラミックス等からなる絶縁性の層を設けた基板を用いることができる。
また、第2の支持基板12は、下面に配線導体22が設けられることから、少なくとも下面側は絶縁材料からなる。第2の支持基板12としては、第1支持基板11に用いられる上述の部材と同様の部材を用い、これを第1の支持基板11とは対称に配置した構成にしたものとすることができる。
一対の支持基板11、12の対向する一方主面には、それぞれ配線導体21、22が設けられている。この配線導体21、22は、複数の熱電素子3およびリード部材4を電気的に接続するものである。例えば支持基板11、12の対向する一方主面に銅板を貼り付けておき、配線導体21、22となる部分にマスキングを施して、マスキングを施した領域以外の領域をエッチングで取り除くことによって得ることができる。また、打ち抜き加工によって配線導体21、22の形状に成形した銅板を第1の支持基板11および第2の支持基板12に貼り付けることによって配線導体21、22を設けてもよい。配線導体21、22を構成する材料としては、銅に限られず、例えば銀、銀−パラジウムなどの材料でもよい。
一対の支持基板11、12の一方主面間には複数の熱電素子3が配置されている。熱電素子3は、ペルチェ効果によって温度調節を行なうか、またはゼーベック効果によって発電を行なうための部材である。熱電素子3は、熱電素子3の直径の0.5〜2倍の間隔で縦横の並びに複数設けられ、はんだ(図示せず)で配線導体21、22と接合されている。具体的には、p型熱電素子31およびn型熱電素子32が隣接して交互に配置され、配線導体21、22およびはんだを介して直列に電気的に接続され、全ての熱電素子3が直列に接続されている。
上記したように、熱電素子3はp型熱電素子31とn型熱電素子32とに分類される。熱電素子3は、A2B3型結晶(AはBiおよび/またはSb、BはTeおよび/またはSe)から成る熱電材料、好ましくはBi(ビスマス)およびTe(テルル)系の熱電材料で本体部が構成されている。具体的には、p型熱電素子31は、例えば、Bi2Te3(テルル化ビスマス)とSb2Te3(テルル化アンチモン)との固溶体からなる熱電材料で構成される。また、n型熱電素子32は、例えば、Bi2Te3(テルル化ビスマス)とSb2Se3(セレン化アンチモン)との固溶体からなる熱電材料で構成される。
ここで、p型熱電素子31となる熱電材料は、一度溶融させてから固化させたビスマス、アンチモンおよびテルルからなるp型の材料を、ブリッジマン法によって一方向に凝固させて棒状にしたものである。また、n型熱電素子32となる熱電材料は、一度溶融させてから固化させたビスマス、テルルおよびセレンからなるn型の材料を、ブリッジマン法によって一方向に凝固させて棒状にしたものである。
これらの棒状の熱電材料の側面にメッキが付着することを防止するレジストをコーティングした後、ワイヤーソーを用いて、例えば0.3〜5mmの長さに切断する。次いで、切断面のみに電気メッキを用いてニッケル層および錫層を順次形成する。最後に、溶解液でレジストを除去することによって、熱電素子3(p型熱電素子31およびn型熱電素子32)を得ることができる。
熱電素子3の形状は、例えば円柱状、四角柱状または多角柱状等にすることができる。特に、熱電素子3の形状を円柱状にすることが好ましい。これにより、ヒートサイクル下において熱電素子3に生じる熱応力の影響を低減できる。熱電素子3を円柱状とする場合には、例えば直径が1〜3mm、高さが0.3〜5mmの寸法に設定される。
第1の支持基板11と第2の支持基板12との間に配置された複数の熱電素子3の周囲には、必要により、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂からなるシール材6を設けてもよい。外周側は一対の支持基板11、12間の温度差による変形が大きいが、一対の支持基板11、12の一方主面間における外周側に配置された複数の熱電素子3の隙間を埋めるようにシール材6を設けることで、これが補強材となり、熱電素子3と支持基板11、12との間の剥離を抑制できる。
一対の支持基板11、12のうちの一方の支持基板11に設けられた配線導体21には、リード部材4が接合されている。ここで、リード部材4は、熱電素子3に電力を与えるか、または熱電素子3で生じた電力を取り出すための部材である。なお、配線導体21とリード部材4との接合には、例えばはんだなどの接合材42が用いられる。なお、配線導体21とリード部材4との接合には、はんだ接合にかえてレーザー溶接が用いられてもよい。この場合、溶接により溶けた部分が接合材42に相当するものとなる。
また、一方の支持基板11におけるリード部材4の接合部位41を被覆するように、被覆材5が設けられている。ここで、接合部位41とは、リード部材41を接合する接合材42が設けられた部位のことである。そして、被覆材5は、接合材42の周囲からリード部材4の一部を含む接合材42の上面まで被覆している。この被覆材5は、配線導体21からリード部材4が剥離するのを抑制するための補強材として機能するものである。被覆材5としては、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂を用いることができる。被覆材5の厚みは、一対の支持基板11、12の間隔および熱電素子3の高さ(長さ)と同じ程度の厚みとすることができる。
そして、第1の支持基板11はリード部材4の接合部位41を含む第1の突出部111を有しているとともに、第2の支持基板12は一方主面に垂直な方向から見てリード部材4の接合部位41とは重ならない第2の突出部121を有しており、被覆材5が第1の突出部111と第2の突出部121とに接合されている。
ここで、第1の突出部111は、突出量(突出距離)が例えば1〜5mmとされ、第1の支持基板11の辺に沿った幅が例えば5〜30mmとされる。なお、第1の突出部111は、第1の支持基板11の一辺の全域から突出するように設けられていてもよい。また、第2の突出部121は、突出量(突出距離)が例えば1〜5mmとされ、第2の支持基板12の辺に沿った幅が例えば5〜25mmとされる。
リード部材4の接合部位41が例えば一対の支持基板における対向領域に設けられているとした場合、使用時に第1の支持基板11が低温になって第2の支持基板12が高温になったとすると、第2の支持基板12から被覆材5を通じて直下の接合材42に熱が伝わり、接合材42が熱膨張して低温の第1の支持基板11との熱膨張差により剥離してしまうおそれがある。
これに対し、第1の支持基板11が第1の突出部111を有していて、リード部材4の接合部位41が、第1の支持基板11における第2の支持基板12と対向する領域から外れた位置となる第1の突出部111にあることにより、リード部材4を接合する接合材42およびこれを覆う被覆材5が第1の支持基板11の対向領域に設けられる場合よりも熱の影響を受けにくくすることができる。また、リード部材4の接合部位41の上方は開放されているので、リード部材4を接合する接合材42およびこれを覆う被覆材5が第2の支持基板12の対向領域の熱の影響を受けにくくなっている。すなわち、後述する第2の突出部121がリード部材4の接合部位の上方を開放させるような位置にあることで、リード部材4の接合部位41への熱の影響を極めて小さくすることができる。
さらに、被覆材5が第1の突出部111に接合されているとともに、第2の突出部121とに接合されていることにより、被覆材5の変形が第1の突出部111および第2の突出部121によって抑え込まれるように接合されることとなる。
したがって、熱等による応力を受けてリード部材4の接合部位41を覆う被覆材5と支持基板11、12との接合強度が低下するのを抑制し、リード部材4の剥離が抑制され耐久性に優れた熱電モジュールとすることができる。
なお、第1の突出部111および第2の突出部121の平面視による形状としては、矩形状であっても、台形状であってもよく、さらに角部が丸みを帯びた形状であってもよい。
図4は、熱電モジュールの他の例の概略断面図である。図4に示すように、一方主面に垂直な方向から見て、第2の突出部121はリード部材4の接合部位41の両側に一対設けられていることが好ましい。なお、図4に示す例では、一方主面に垂直な方向から見て、それぞれの第2の突出部121が、リード部材4の接合部位41と重なっていないことに加え、第1の突出部111とも重なっていない構成になっている。この場合、第1の突出部111は、突出量(突出距離)が例えば1〜5mmとされ、第1の支持基板11の辺に沿った幅が例えば5〜30mmとされる。また、第2の突出部121は、突出量(突出距離)が例えば1〜5mmとされ、第2の支持基板12の辺に沿った幅が例えば5〜15mmとされる。
これにより、被覆材5と一対の支持基板11、12との接触面積を増大させることができるとともに、被覆材5の変形が第1の突出部111および第2の突出部121によってより強固に抑え込まれるようになることから、よりリード部材4の剥離が抑制され耐久性に優れた熱電モジュールとすることができる。
図5(a)は熱電モジュールの他の例の分解斜視図、図5(b)は図5(a)に示す熱電モジュールの一部透過概略側面図である。なお、図5(a)は第2の支持基板12を外した状態を示している。一対の支持基板11、12の一方主面間に、外周側に配置された複数の熱電素子3の隙間を埋めるように設けられたシール材6を備えている場合において、被覆材5がシール材6に接合されていてもよい。これにより、リード部材4の剥離をさらに抑制し、耐久性をさらに向上させることができる。
ここで、被覆材5とシール材6とは同じ主成分からなるのがよい。これにより、被覆材5とシール材6との間での剥離が抑制され、熱電モジュールの耐久性を向上させることができる。なお、シール材6の全てではなく、少なくとも被覆材5と接する部分が同じ主成分となっているのでもよい。ここで、主成分とは最も多く含まれる成分のことを意味している。シール材6としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂を主成分として用いることができる。より好ましくは、被覆材5とシール材6とが同じ樹脂からなるのが、接着力がより強くなる点でよい。
また、被覆材5およびシール材6には、例えば熱伝導率を変える目的で、副成分としてアルミナや窒化アルミニウム等のセラミック材料をフィラーとして添加したり、粘度を変える目的で乾式シリカやポリエチレン粉末を増粘剤として添加してもよい。これらのフィラーや増粘剤についても、被覆材5とシール材6とで同じ材料として同じ割合で含まれることで、被覆材5とシール材と6の熱膨張率(収縮率)をほぼ同一にすることができる。
図6(a)および図6(b)は熱電モジュールの他の例の概略断面図である。図6(a)および図6(b)に示すように、一方主面に垂直な方向から見て、第1の突出部111の一部と第2の突出部121の一部とが重なっていることが好ましい。なお、図6(a)は第2の突出部121が一つ設けられている例を示し、図6(b)は第2の突出部121がリード部材4の接合部位41の両側に一対設けられている例を示している。これにより、被覆材5と一対の支持基板11、12との接触面積をより増大させることができるとともに、被覆材5が第1の突出部111および第2の突出部121によってよりより強固に抑え込まれるようになることから、さらにリード部材4の剥離が抑制され耐久性に優れた熱電モジュールとすることができる。
以下、実施例を挙げて説明する。
まず、Bi、Sb、Te、Seからなるp型熱電材料およびn型熱電材料をブリッジマン法により溶融凝固させ、直径1.5mmの断面円形の棒状の材料を作製した。具体的には、p型熱電材料はBi2Te3(テルル化ビスマス)とSb2Te3(テルル化アンチモン)との固溶体で作製し、n型熱電材料はBi2Te3(テルル化ビスマス)とBi2Se3(セレン化ビスマス)との固溶体で作製した。ここで、表面を粗化させるため、棒状のp型熱電材料およびn型熱電材料の表面を硝酸でエッチング処理を行った。
次に、棒状のp型熱電材料および棒状のn型熱電材料を高さ(厚さ)1.6mmになるようにワイヤーソーにて切断し、p型熱電素子およびn型熱電素子を得た。得られたp型熱電素子およびn型熱電素子には、電解メッキで切断面にニッケル層を形成した。
次に、アルミナフィラーを添加したエポキシ樹脂の両面に、厚み105μmの銅板を圧接した両主面銅貼り基板について、一方主面にエッチングを施し所望の配線パターンの配線導体を設けた第1の支持基板および第2の支持基板(対向領域は40mm角)を準備した。このとき、第1の支持基板および第2の支持基板のそれぞれについて、図3の構造(試料No.1)、図4の構造(試料No.2)、第1および第2の突出部がなく支持基板の対向領域にリード部材が接合された構造(試料No.3)の3種類の基板を準備した。なお、試料No.1は、第1の突出部が突出量3mm、幅20mm、第2の突出部が突出量3mm、幅20mmとしたものを準備した。また、試料No.2は、第1の突出部が突出量3mm、幅14mm、第2の突出部が2か所とも突出量3mm、幅8mmとしたものを準備した。
次に、配線導体上の所望の位置にはんだペーストを印刷し、このはんだペースト上に、p型熱電素子およびn型熱電素子が電気的に直列になるようにマウンターを使用して各熱電素子を127個ずつ配設した。上記のように配列されたp型熱電素子とn型熱電素子とを第1の支持基板と第2の支持基板とで挟み込むようにし、上下面に圧力をかけながらリフロー炉で加熱し、配線導体と熱電素子とをはんだで接合した。
次に、エア式ディスペンサを用いて、第1の支持基板および第2の支持基板の間の外周側に配置された複数の熱電素子の外側にシリコーン樹脂からなるシール材を塗布した。
得られた熱電モジュールに電流を通電するためのリード部材2本をそれぞれ第1の突出部にある配線導体にはんだごてで接合した。
次に、エア式ディスペンサを用いて、リード部材の接合部位を被覆するように加熱硬化型のエポキシ樹脂を塗布し、乾燥機で加熱し、エポキシ樹脂を硬化させた。
得られた熱電モジュールの第1の支持基板および第2の支持基板の表面に、熱伝導グリースを塗布し、75℃に温調されたヒートシンク上にセットし、熱電モジュールに60Wの電力を投入して、温度差を発生させ、通電方向を30秒間置きに反転させる耐久試験を10000サイクル実施し、リード部材の剥がれの有無を、10倍の双眼実態顕微鏡で確認した。また、耐久試験前後の抵抗値を4端子交流抵抗計で測定し、抵抗変化率を算出した。
その結果、比較例である試料No.3の熱電モジュールは、リード部材の剥がれが見られ、耐久試験前後の抵抗変化率が38.5%と高い値となった。これに対し、実施例である試料NO.1の熱電モジュールは、リード部材の剥がれが無く、耐久試験前後の熱電モジュールの抵抗変化率が3.8%と小さかった。また、実施例である試料NO.2の熱電モジュールは、リード部材の剥がれが無く、試料NO.1と比較して耐久試験前後の熱電モジュールの抵抗変化率が更に小さく、2.4%と良好な結果となった。このことから、本実施形態の熱電モジュールによれば、リード部材の剥離が抑制され耐久性に優れることがわかる。
10:熱電モジュール
11:第1の支持基板
12:第2の支持基板
21、22:配線導体
3:熱電素子
31:p型熱電素子
32:n型熱電素子
4:リード部材
41:接合部位
42:接合材
5:被覆材
6:シール材
11:第1の支持基板
12:第2の支持基板
21、22:配線導体
3:熱電素子
31:p型熱電素子
32:n型熱電素子
4:リード部材
41:接合部位
42:接合材
5:被覆材
6:シール材
Claims (5)
- 互いに対向する領域を有する一対の支持基板と、該一対の支持基板の対向する一方主面にそれぞれ設けられた配線導体と、前記一対の支持基板の一方主面間に配置された複数の熱電素子と、前記一対の支持基板のうちの一方の支持基板に設けられた前記配線導体と接合されたリード部材と、前記一方の支持基板における前記リード部材の接合部位を被覆する被覆材とを備え、
前記一方の支持基板は前記リード部材の接合部位を含む第1の突出部を有しているとともに、他方の支持基板は前記一方主面に垂直な方向から見て前記リード部材の接合部位とは重ならない第2の突出部を有しており、
前記被覆材が前記第1の突出部と前記第2の突出部とに接合されている熱電モジュール。 - 前記一方主面に垂直な方向から見て、前記第2の突出部は前記リード部材の接合部位の両側に一対設けられている請求項1に記載の熱電モジュール。
- 前記一対の支持基板の一方主面間に、外周側に配置された前記複数の熱電素子の隙間を埋めるように設けられたシール材をさらに備えており、前記被覆材が前記シール材にも接合されている請求項1または請求項2に記載の熱電モジュール。
- 前記被覆材と前記シール材とが同じ主成分からなる請求項3に記載の熱電モジュール。
- 前記一方主面に垂直な方向から見て、前記第1の突出部の一部と前記第2の突出部の一部とが重なっている請求項1乃至請求項4のうちのいずれかに記載の熱電モジュール。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015189897 | 2015-09-28 | ||
JP2015189897 | 2015-09-28 | ||
PCT/JP2016/065569 WO2017056549A1 (ja) | 2015-09-28 | 2016-05-26 | 熱電モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017056549A1 true JPWO2017056549A1 (ja) | 2018-03-15 |
JP6471241B2 JP6471241B2 (ja) | 2019-02-13 |
Family
ID=58423419
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017542775A Active JP6471241B2 (ja) | 2015-09-28 | 2016-05-26 | 熱電モジュール |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10236430B2 (ja) |
JP (1) | JP6471241B2 (ja) |
CN (1) | CN107710428B (ja) |
WO (1) | WO2017056549A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018100933A1 (ja) * | 2016-11-29 | 2018-06-07 | 京セラ株式会社 | 熱電モジュール |
WO2020071036A1 (ja) * | 2018-10-04 | 2020-04-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 熱電変換モジュールおよびそれを用いた冷却装置または温度測定装置または熱流センサまたは発電装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH043475A (ja) * | 1990-04-20 | 1992-01-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品 |
JPH0520353U (ja) * | 1991-08-19 | 1993-03-12 | 日新電機株式会社 | 電子冷却素子接続装置 |
JPH07273407A (ja) * | 1995-04-26 | 1995-10-20 | Sony Corp | ワイヤボンド対応ペルチェ素子 |
JP2000349353A (ja) * | 1999-04-01 | 2000-12-15 | Yamaha Corp | ペルチェモジュールおよびそれを備えた光通信用モジュール |
JP2003031859A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-01-31 | Yamaha Corp | ペルチェモジュールおよびその製造方法 |
JP2006108507A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Seiko Instruments Inc | 熱電変換装置 |
JP2008244239A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Kyocera Corp | 熱電モジュール |
JP2009129968A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Kelk Ltd | 熱電モジュール |
JP2010165840A (ja) * | 2009-01-15 | 2010-07-29 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 熱電変換モジュール及び熱電変換モジュールブロック |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0455051B1 (en) * | 1990-04-20 | 1998-12-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermoelectric semiconductor having a porous structure deaerated into a vacuum and thermoelectric panel |
EP1041651A3 (en) * | 1999-04-01 | 2000-11-02 | Yamaha Corporation | Peltier module |
-
2016
- 2016-05-26 CN CN201680034387.XA patent/CN107710428B/zh active Active
- 2016-05-26 JP JP2017542775A patent/JP6471241B2/ja active Active
- 2016-05-26 US US15/735,790 patent/US10236430B2/en active Active
- 2016-05-26 WO PCT/JP2016/065569 patent/WO2017056549A1/ja active Application Filing
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH043475A (ja) * | 1990-04-20 | 1992-01-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品 |
JPH0520353U (ja) * | 1991-08-19 | 1993-03-12 | 日新電機株式会社 | 電子冷却素子接続装置 |
JPH07273407A (ja) * | 1995-04-26 | 1995-10-20 | Sony Corp | ワイヤボンド対応ペルチェ素子 |
JP2000349353A (ja) * | 1999-04-01 | 2000-12-15 | Yamaha Corp | ペルチェモジュールおよびそれを備えた光通信用モジュール |
JP2003031859A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-01-31 | Yamaha Corp | ペルチェモジュールおよびその製造方法 |
JP2006108507A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Seiko Instruments Inc | 熱電変換装置 |
JP2008244239A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Kyocera Corp | 熱電モジュール |
JP2009129968A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Kelk Ltd | 熱電モジュール |
JP2010165840A (ja) * | 2009-01-15 | 2010-07-29 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 熱電変換モジュール及び熱電変換モジュールブロック |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6471241B2 (ja) | 2019-02-13 |
CN107710428A (zh) | 2018-02-16 |
US10236430B2 (en) | 2019-03-19 |
CN107710428B (zh) | 2020-02-18 |
WO2017056549A1 (ja) | 2017-04-06 |
US20180175269A1 (en) | 2018-06-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5956608B2 (ja) | 熱電モジュール | |
JP2010109132A (ja) | 熱電モジュールを備えたパッケージおよびその製造方法 | |
JP5638333B2 (ja) | 熱電モジュール | |
JP5671569B2 (ja) | 熱電変換モジュール | |
JP6471241B2 (ja) | 熱電モジュール | |
JP5713526B2 (ja) | 熱電変換モジュールならびに冷却装置、発電装置および温度調節装置 | |
JP6690017B2 (ja) | 熱電モジュール | |
JP6595320B2 (ja) | 熱電モジュール組立体 | |
JP6818465B2 (ja) | 熱電モジュール | |
JP6884225B2 (ja) | 熱電モジュール | |
JP2017045970A (ja) | 熱電モジュール | |
JP6586352B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2013157446A (ja) | 熱電モジュール | |
JP2006269572A (ja) | 熱電変換モジュール、回路基板及び熱電変換モジュールの製造方法 | |
JP6169984B2 (ja) | 熱電モジュール | |
JP2002353522A (ja) | 熱電素子 | |
JP6987656B2 (ja) | 熱電変換装置 | |
JP2004014995A (ja) | 熱電変換モジュールおよびその製造方法 | |
JP2015095610A (ja) | ペルチェ素子 | |
JP2019062112A (ja) | 熱電モジュール | |
JP2013004711A (ja) | 熱電変換モジュール及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171025 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190121 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6471241 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |