JPWO2017006629A1 - 電解液及び電気化学デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
水分含有率は、10ppmを超え、500ppm未満、好ましくは、10ppmを超え、400ppm以下、より好ましくは、10ppmを超え、300ppm以下である。
水分含有率が、10ppmを超え、500ppm未満、好ましくは、10ppmを超え、400ppm以下、より好ましくは、10ppmを超え、300ppm以下である電解液を備えている。
1.本開示の電解液及び電気化学デバイス、全般に関する説明
2.実施例1(本開示の電解液及び電気化学デバイス、本開示の第1の形態に係る電解液)
3.実施例2(実施例1の変形)
4.実施例3(実施例1の変形、本開示の第2の形態に係る電解液)
5.実施例4(実施例1〜実施例3の変形)
6.実施例5(実施例1〜実施例3のマグネシウム二次電池の応用例)
7.その他
本開示の電解液、あるいは、本開示の電気化学デバイスや二次電池、後述するメッキ浴を構成する電解液(以下、これらを総称して、『本開示の電解液等』と呼ぶ場合がある)は、スルホン、及び、スルホンに溶解したマグネシウム塩を含んでいる形態とすることができる。尚、このような形態を、便宜上、『本開示の第1の形態に係る電解液』と呼ぶ。そして、マグネシウム塩は、MgXn(但し、nは1又は2であり、Xは、1価又は2価のアニオン)から成る形態とすることができ、この場合、Xは、ハロゲンを含む分子、−SO4、−NO3、又は、ヘキサアルキルジシアジド基から成る形態とすることができる。具体的には、ハロゲンを含む分子(ハロゲン化物)は、MgX2(X=Cl,Br,I)から成る形態とすることができ、より具体的には、塩化マグネシウム(MgCl2)、臭化マグネシウム(MgBr2)、ヨウ化マグネシウム(MgI2)を挙げることができる。あるいは又、マグネシウム塩は、過塩素酸マグネシウム(Mg(ClO4)2)、硝酸マグネシム(Mg(NO3)2)、硫酸マグネシム(MgSO4)、テトラフルオロホウ酸マグネシウム(Mg(BF4)2)、テトラフェニルホウ酸マグネシウム(Mg(B(C6H5)4)2)、ヘキサフルオロリン酸マグネシウム(Mg(PF6)2)、ヘキサフルオロヒ酸マグネシウム(Mg(AsF6)2)、パーフルオロアルキルスルホン酸マグネシウム((Mg(Rf1SO3)2)、但し、Rf1はパーフルオロアルキル基)、パーフルオロアルキルスルホニルイミド酸マグネシウム(Mg((Rf2SO2)2N)2、但し、Rf2はパーフルオロアルキル基)、及び、ヘキサアルキルジシアジドマグネシウム((Mg(HRDS)2)、但し、Rはアルキル基)から成る群より選択された少なくとも1種類のマグネシウム塩である形態とすることができる。尚、上記の塩化マグネシウムから(Mg(HRDS)2)までに挙げたマグネシウム塩を、便宜上、『マグネシウム塩−A』と呼ぶ。そして、マグネシウム塩−Aにおいて、マグネシウム塩に対するスルホンのモル比は、例えば、4以上、35以下とすることが好ましく、6以上、16以下とすることがより好ましく、7以上、9以下とすることが一層好ましいが、これらに限定されるものではない。
スルホン、及び、スルホンに溶解したマグネシウム塩を含んでおり、
マグネシウム塩は、マグネシウムのハロゲン化物(ハロゲンを含む分子)から成り;水分含有率が、10ppmを超え、500ppm未満である。あるいは又、メッキ浴は、
スルホン、及び、スルホンに溶解したマグネシウム塩を含んでおり、
マグネシウム塩は、水素化ホウ素マグネシウム、過塩素酸マグネシウム、硝酸マグネシム、硫酸マグネシム、テトラフルオロホウ酸マグネシウム、テトラフェニルホウ酸マグネシウム、ヘキサフルオロリン酸マグネシウム、ヘキサフルオロヒ酸マグネシウム、パーフルオロアルキルスルホン酸マグネシウム、テトラフェニルホウ酸マグネシウム及びパーフルオロアルキルスルホニルイミド酸マグネシウム、及び、ヘキサアルキルジシアジドマグネシウムから成る群より選ばれた少なくとも1種類のマグネシウム塩から成り、
水分含有率が、10ppmを超え、500ppm未満である。
マグネシウム塩−Aが可溶な低沸点溶媒にマグネシウム塩−Aを溶解させた後、
低沸点溶媒にマグネシウム塩−Aを溶解させた溶液にスルホンを溶解させ、次いで、
スルホンを溶解させた溶液から低沸点溶媒を除去する、
各工程に基づき製造することができる。
マグネシウム塩−Aが可溶な低沸点溶媒にマグネシウム塩−Aを溶解させた後、
低沸点溶媒にマグネシウム塩−Aを溶解させた溶液にスルホンを溶解させ、次いで、
スルホンを溶解させた溶液から低沸点溶媒を除去した後、
低沸点溶媒を除去した溶液に非極性溶媒を混合する、
各工程に基づき製造することができる。
放電条件 :0.1ミリアンペア/カットオフ電圧0.7ボルト
充電条件 :0.1ミリアンペア/カットオフ電圧2.5ボルト
放電条件 :0.1ミリアンペア/カットオフ電圧0.2ボルト
充電条件 :0.1ミリアンペア/カットオフ電圧2.0ボルト
Mg(AlCl2Et2)2:THF≒=1:50(モル比)
から成り、水を所定量添加している。尚、電解液としての塩濃度は、THF1リットル当たり、0.25モルである。
正極集電体 厚さ20μmのアルミニウム箔
正極活物質層 片面当たり厚さ50μm
正極リード部 厚さ100μmのアルミニウム(Al)箔
負極集電体1 厚さ20μmの銅箔
負極活物質層 片面当たり厚さ50μm
負極リード部 厚さ100μmのニッケル(Ni)箔
マグネシウム塩が可溶な低沸点溶媒にマグネシウム塩を溶解させ、次いで、
低沸点溶媒にマグネシウム塩を溶解させた溶液にスルホン(具体的には、前述したスルホン)を溶解させた後、
スルホンを溶解した溶液から低沸点溶媒を除去することで得ることができる。
[A01]《電解液》
マグネシウム系材料から成る負極を備えた電気化学デバイス用の電解液であって、
水分含有率が、10ppmを超え、500ppm未満である電解液。
[A02]水分含有率は、10ppmを超え、300ppm以下である[A01]に記載の電解液。
[A03]スルホン、及び、スルホンに溶解したマグネシウム塩を含んでいる[A01]又は[A02]に記載の電解液。
[A04]マグネシウム塩は、MgXn(但し、nは1又は2であり、Xは、1価又は2価のアニオン)から成る[A03]に記載の電解液。
[A05]Xは、ハロゲンを含む分子、−SO4、−NO3、又は、ヘキサアルキルジシアジド基から成る[A04]に記載の電解液。
[A06]ハロゲンを含む分子は、MgX2(X=Cl,Br,I)から成る[A05]に記載の電解液。
[A07]マグネシウム塩は、過塩素酸マグネシウム(Mg(ClO4)2)、硝酸マグネシム(Mg(NO3)2)、硫酸マグネシム(MgSO4)、テトラフルオロホウ酸マグネシウム(Mg(BF4)2)、テトラフェニルホウ酸マグネシウム(Mg(B(C6H5)4)2)、ヘキサフルオロリン酸マグネシウム(Mg(PF6)2)、ヘキサフルオロヒ酸マグネシウム(Mg(AsF6)2)、パーフルオロアルキルスルホン酸マグネシウム(Mg(Rf1SO3)2〈但し、Rf1はパーフルオロアルキル基〉、パーフルオロアルキルスルホニルイミド酸マグネシウム(Mg((Rf2SO2)2N)2〈但し、Rf2はパーフルオロアルキル基〉、及び、ヘキサアルキルジシアジドマグネシウム((Mg(HRDS)2)〈但し、Rはアルキル基〉から成る群より選択された少なくとも1種類のマグネシウム塩である[A05]に記載の電解液。
[A08]スルホンは、R1R2SO2(但し、R1、R2はアルキル基を表す)で表されるアルキルスルホン又はアルキルスルホン誘導体である[A03]乃至[A07]のいずれか1項に記載の電解液。
[A09]アルキルスルホンは、ジメチルスルホン、メチルエチルスルホン、メチル−n−プロピルスルホン、メチル−i−プロピルスルホン、メチル−n−ブチルスルホン、メチル−i−ブチルスルホン、メチル−s−ブチルスルホン、メチル−t−ブチルスルホン、エチルメチルスルホン、ジエチルスルホン、エチル−n−プロピルスルホン、エチル−i−プロピルスルホン、エチル−n−ブチルスルホン、エチル−i−ブチルスルホン、エチル−s−ブチルスルホン、エチル−t−ブチルスルホン、ジ−n−プロピルスルホン、ジ−i−プロピルスルホン、n−プロピル−n−ブチルスルホン、n−ブチルエチルスルホン、i−ブチルエチルスルホン、s−ブチルエチルスルホン及びジ−n−ブチルスルホンから成る群より選ばれた少なくとも1種類のアルキルスルホンであり、
アルキルスルホン誘導体はエチルフェニルスルホンである[A08]に記載の電解液。
[A10]エーテル(広くは、非プロトン溶媒)、及び、エーテル(非プロトン溶媒)に溶解したマグネシウム塩を含んでいる[A01]又は[A02]に記載の電解液。
[A11]マグネシウム塩は、Mg(AlCl3R1)2、又は、Mg(AlCl2R2R3 )2(但し、R1,R2,R3はアルキル基である)から成る[A10]に記載の電解液。
[A12]エーテルは、環状エーテル又は直鎖エーテルから成る[A10]又は[A11]に記載の電解液。
[A13]環状エーテルは、テトラヒドロフラン、ジオキソラン、ジオキサン、エポキシド類及びフラン類から成る群より選択された少なくとも1種類の環状エーテルであり、
直鎖エーテルは、ジアルキルグリコールエーテルである[A12]に記載の電解液。
[A14]ジアルキルグリコールエーテルは、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、ペンタエチレングリコールジメチルエーテル、ヘキサエチレングリコールジメチルエーテル、ポリエチレングリコールジメチルエーテル及びトリエチレングリコールブチルメチルエーテルから成る群より選択された少なくとも1種類のジアルキルグリコールエーテルである[A13]に記載の電解液。
[B01]《電気化学デバイス》
マグネシウム系材料から成る負極を備えた電気化学デバイスであって、
水分含有率が、10ppmを超え、500ppm未満である電解液を備えている電気化学デバイス。
[B02]水分含有率は、10ppmを超え、300ppm以下である[B01]に記載の電気化学デバイス。
[B03]電解液は、スルホン、及び、スルホンに溶解したマグネシウム塩を含んでいる[B01]又は[B02]に記載の電気化学デバイス。
[B04]マグネシウム塩は、MgXn(但し、nは1又は2であり、Xは、1価又は2価のアニオン)から成る[B03]に記載の電気化学デバイス。
[B05]Xは、ハロゲンを含む分子、−SO4、−NO3、又は、ヘキサアルキルジシアジド基から成る[B04]に記載の電気化学デバイス。
[B06]ハロゲンを含む分子は、MgX2(X=Cl,Br,I)から成る[B05]に記載の電気化学デバイス。
[B07]マグネシウム塩は、過塩素酸マグネシウム(Mg(ClO4)2)、硝酸マグネシム(Mg(NO3)2)、硫酸マグネシム(MgSO4)、テトラフルオロホウ酸マグネシウム(Mg(BF4)2)、テトラフェニルホウ酸マグネシウム(Mg(B(C6H5)4)2)、ヘキサフルオロリン酸マグネシウム(Mg(PF6)2)、ヘキサフルオロヒ酸マグネシウム(Mg(AsF6)2)、パーフルオロアルキルスルホン酸マグネシウム(Mg(Rf1SO3)2〈但し、Rf1はパーフルオロアルキル基〉、パーフルオロアルキルスルホニルイミド酸マグネシウム(Mg((Rf2SO2)2N)2〈但し、Rf2はパーフルオロアルキル基〉、及び、ヘキサアルキルジシアジドマグネシウム((Mg(HRDS)2)〈但し、Rはアルキル基〉から成る群より選択された少なくとも1種類のマグネシウム塩である[B05]に記載の電気化学デバイス。
[B08]スルホンは、R1R2SO2(但し、R1、R2はアルキル基を表す)で表されるアルキルスルホン又はアルキルスルホン誘導体である[B03]乃至[B07]のいずれか1項に記載の電気化学デバイス。
[B09]アルキルスルホンは、ジメチルスルホン、メチルエチルスルホン、メチル−n−プロピルスルホン、メチル−i−プロピルスルホン、メチル−n−ブチルスルホン、メチル−i−ブチルスルホン、メチル−s−ブチルスルホン、メチル−t−ブチルスルホン、エチルメチルスルホン、ジエチルスルホン、エチル−n−プロピルスルホン、エチル−i−プロピルスルホン、エチル−n−ブチルスルホン、エチル−i−ブチルスルホン、エチル−s−ブチルスルホン、エチル−t−ブチルスルホン、ジ−n−プロピルスルホン、ジ−i−プロピルスルホン、n−プロピル−n−ブチルスルホン、n−ブチルエチルスルホン、i−ブチルエチルスルホン、s−ブチルエチルスルホン及びジ−n−ブチルスルホンから成る群より選ばれた少なくとも1種類のアルキルスルホンであり、
アルキルスルホン誘導体はエチルフェニルスルホンである[B08]に記載の電気化学デバイス。
[B10]電解液は、エーテル、及び、エーテルに溶解したマグネシウム塩を含んでいる[B01]又は[B02]に記載の電気化学デバイス。
[B11]マグネシウム塩は、Mg(AlCl3R1)2、又は、Mg(AlCl2R2R3 )2(但し、R1,R2,R3はアルキル基である)から成る[B10]に記載の電気化学デバイス。
[B12]エーテルは、環状エーテル又は直鎖エーテルから成る[B10]又は[B11]に記載の電気化学デバイス。
[B13]環状エーテルは、テトラヒドロフラン、ジオキソラン、ジオキサン、エポキシド類及びフラン類から成る群より選択された少なくとも1種類の環状エーテルであり、
直鎖エーテルは、ジアルキルグリコールエーテルである[B12]に記載の電気化学デバイス。
[B14]ジアルキルグリコールエーテルは、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、ペンタエチレングリコールジメチルエーテル、ヘキサエチレングリコールジメチルエーテル、ポリエチレングリコールジメチルエーテル及びトリエチレングリコールブチルメチルエーテルから成る群より選択された少なくとも1種類のジアルキルグリコールエーテルである[B13]に記載の電気化学デバイス。
[B15]電解液によって電解質層が構成された電池である[B01]乃至[B14]のいずれか1項に記載の電気化学デバイス。
[B16]電池は一次電池又は二次電池である[B15]に記載の電気化学デバイス。
[B17]負極は、マグネシウム、マグネシウム合金あるいはマグネシウム化合物から成る[B15]又は[B16]に記載の電気化学デバイス。
[B18]硫黄、フッ化黒鉛、金属酸化物又は金属ハロゲン化物を正極活物質として用いた正極を備えている[B15]乃至[B17]のいずれか1項に記載の電気化学デバイス。
[B19]金属酸化物又は金属ハロゲン化物を構成する金属は、スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛又はモリブデンである[B18]に記載の電気化学デバイス。
[B20]電池は、マグネシウム電池、空気電池、又は、燃料電池から成る[B15]乃至[B19]のいずれか1項に記載の電気化学デバイス。
[B21]キャパシタから成る[B01]乃至[B14]のいずれか1項に記載の電気化学デバイス。
[B22]キャパシタは、正極、負極、及び、正極と負極に挟まれ、電解液が含浸されたセパレータを備えている[B21]に記載の電気化学デバイス。
[B23]センサ、又は、マグネシウムイオンフィルタから成る[B01]乃至[B14]のいずれか1項に記載の電気化学デバイス。
[C01]《二次電池》
マグネシウム系材料から成る負極、及び、
水分含有率が、10ppmを超え、500ppm未満である電解液、
を少なくとも備えている二次電池。
[C02]水分含有率は、10ppmを超え、300ppm以下である[C01]に記載の二次電池。
[C03]電解液は、スルホン、及び、スルホンに溶解したマグネシウム塩を含んでいる[C01]又は[C02]に記載の二次電池。
[C04]マグネシウム塩は、MgXn(但し、nは1又は2であり、Xは、1価又は2価のアニオン)から成る[C03]に記載の二次電池。
[C05]Xは、ハロゲンを含む分子、−SO4、−NO3、又は、ヘキサアルキルジシアジド基から成る[C04]に記載の二次電池。
[C06]ハロゲンを含む分子は、MgX2(X=Cl,Br,I)から成る[C05]に記載の二次電池。
[C07]マグネシウム塩は、過塩素酸マグネシウム(Mg(ClO4)2)、硝酸マグネシム(Mg(NO3)2)、硫酸マグネシム(MgSO4)、テトラフルオロホウ酸マグネシウム(Mg(BF4)2)、テトラフェニルホウ酸マグネシウム(Mg(B(C6H5)4)2)、ヘキサフルオロリン酸マグネシウム(Mg(PF6)2)、ヘキサフルオロヒ酸マグネシウム(Mg(AsF6)2)、パーフルオロアルキルスルホン酸マグネシウム(Mg(Rf1SO3)2〈但し、Rf1はパーフルオロアルキル基〉、パーフルオロアルキルスルホニルイミド酸マグネシウム(Mg((Rf2SO2)2N)2〈但し、Rf2はパーフルオロアルキル基〉、及び、ヘキサアルキルジシアジドマグネシウム((Mg(HRDS)2)〈但し、Rはアルキル基〉から成る群より選択された少なくとも1種類のマグネシウム塩である[C05]に記載の二次電池。
[C08]スルホンは、R1R2SO2(但し、R1、R2はアルキル基を表す)で表されるアルキルスルホン又はアルキルスルホン誘導体である[C03]乃至[C07]のいずれか1項に記載の二次電池。
[C09]アルキルスルホンは、ジメチルスルホン、メチルエチルスルホン、メチル−n−プロピルスルホン、メチル−i−プロピルスルホン、メチル−n−ブチルスルホン、メチル−i−ブチルスルホン、メチル−s−ブチルスルホン、メチル−t−ブチルスルホン、エチルメチルスルホン、ジエチルスルホン、エチル−n−プロピルスルホン、エチル−i−プロピルスルホン、エチル−n−ブチルスルホン、エチル−i−ブチルスルホン、エチル−s−ブチルスルホン、エチル−t−ブチルスルホン、ジ−n−プロピルスルホン、ジ−i−プロピルスルホン、n−プロピル−n−ブチルスルホン、n−ブチルエチルスルホン、i−ブチルエチルスルホン、s−ブチルエチルスルホン及びジ−n−ブチルスルホンから成る群より選ばれた少なくとも1種類のアルキルスルホンであり、
アルキルスルホン誘導体はエチルフェニルスルホンである[C08]に記載の二次電池。
[C10]電解液は、エーテル、及び、エーテルに溶解したマグネシウム塩を含んでいる[C01]又は[C02]に記載の二次電池。
[C11]マグネシウム塩は、Mg(AlCl3R1)2、又は、Mg(AlCl2R2R3 )2(但し、R1,R2,R3はアルキル基である)から成る[C10]に記載の二次電池。
[C12]エーテルは、環状エーテル又は直鎖エーテルから成る[C10]又は[C11]に記載の二次電池。
[C13]環状エーテルは、テトラヒドロフラン、ジオキソラン、ジオキサン、エポキシド類及びフラン類から成る群より選択された少なくとも1種類の環状エーテルであり、
直鎖エーテルは、ジアルキルグリコールエーテルである[C12]に記載の二次電池。
[C14]ジアルキルグリコールエーテルは、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、ペンタエチレングリコールジメチルエーテル、ヘキサエチレングリコールジメチルエーテル、ポリエチレングリコールジメチルエーテル及びトリエチレングリコールブチルメチルエーテルから成る群より選択された少なくとも1種類のジアルキルグリコールエーテルである[C13]に記載の二次電池。
[C15]負極は、マグネシウム、マグネシウム合金あるいはマグネシウム化合物から成る[C01]乃至[C14]のいずれか1項に記載の二次電池。
[C16]硫黄、フッ化黒鉛、金属酸化物又は金属ハロゲン化物を正極活物質として用いた正極を備えている[C01]乃至[C15]のいずれか1項に記載の二次電池。
[C17]金属酸化物又は金属ハロゲン化物を構成する金属は、スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛又はモリブデンである[C16]に記載の二次電池。
[D01]《電池パック》
二次電池、二次電池に関する制御を行う制御手段、及び、二次電池を内包する外装を有する電池パックであって、
二次電池は、[C01]乃至[C17]のいずれか1項に記載の二次電池から成る電池パック。
[D02]《電子機器》
二次電池から電力の供給を受ける電子機器であって、
二次電池は、[C01]乃至[C17]のいずれか1項に記載の二次電池から成る電子機器。
[D03]《電動車両》
二次電池から電力の供給を受けて車両の駆動力に変換する変換装置、及び、二次電池に関する情報に基づいて車両制御に関する情報処理を行う制御装置を有する電動車両であって、
二次電池は、[C01]乃至[C17]のいずれか1項に記載の二次電池から成る電動車両。
[D04]《電力システム》
二次電池から電力の供給を受け、及び/又は、電力源から二次電池に電力を供給するように構成された電力システムであって、
二次電池は、[C01]乃至[C17]のいずれか1項に記載の二次電池から成る電力システム。
[D05]《電力貯蔵用電源》
二次電池を有し、電力が供給される電子機器が接続されるように構成された電力貯蔵用電源であって、
二次電池は、[C01]乃至[C17]のいずれか1項に記載の二次電池から成る電力貯蔵用電源。
[E01]《メッキ浴》
スルホン、及び、スルホンに溶解したマグネシウム塩を含んでおり、
マグネシウム塩は、マグネシウムのハロゲン化物(ハロゲンを含む分子)から成り、
水分含有率が、10ppmを超え、500ppm未満であるメッキ浴。
[E02]ハロゲン化物(ハロゲンを含む分子)は、MgX2(X=Cl,Br,I)から成る[E01]に記載のメッキ浴。
[E03]《メッキ浴》
スルホン、及び、スルホンに溶解したマグネシウム塩を含んでおり、
マグネシウム塩は、水素化ホウ素マグネシウム、過塩素酸マグネシウム、硝酸マグネシム、硫酸マグネシム、テトラフルオロホウ酸マグネシウム、テトラフェニルホウ酸マグネシウム、ヘキサフルオロリン酸マグネシウム、ヘキサフルオロヒ酸マグネシウム、パーフルオロアルキルスルホン酸マグネシウム、テトラフェニルホウ酸マグネシウム及びパーフルオロアルキルスルホニルイミド酸マグネシウム、及び、ヘキサアルキルジシアジドマグネシウムから成る群より選ばれた少なくとも1種類のマグネシウム塩から成り、
水分含有率が、10ppmを超え、500ppm未満であるメッキ浴。
[E04]スルホンは、R1R2SO2(但し、R1、R2はアルキル基を表す)で表されるアルキルスルホン又はアルキルスルホン誘導体である[E01]乃至[E03]のいずれか1項に記載のメッキ浴。
[E05]アルキルスルホンは、ジメチルスルホン、メチルエチルスルホン、メチル−n−プロピルスルホン、メチル−i−プロピルスルホン、メチル−n−ブチルスルホン、メチル−i−ブチルスルホン、メチル−s−ブチルスルホン、メチル−t−ブチルスルホン、エチルメチルスルホン、ジエチルスルホン、エチル−n−プロピルスルホン、エチル−i−プロピルスルホン、エチル−n−ブチルスルホン、エチル−i−ブチルスルホン、エチル−s−ブチルスルホン、エチル−t−ブチルスルホン、ジ−n−プロピルスルホン、ジ−i−プロピルスルホン、n−プロピル−n−ブチルスルホン、n−ブチルエチルスルホン、i−ブチルエチルスルホン、s−ブチルエチルスルホン及びジ−n−ブチルスルホンから成る群より選ばれた少なくとも1種類のアルキルスルホンであり、
アルキルスルホン誘導体はエチルフェニルスルホンである[E04]に記載のメッキ浴。
[E06]添加剤が含まれている[E01]乃至[E05]のいずれか1項に記載のメッキ浴。
[E07]添加剤には、金属イオンがアルミニウム(Al)、ベリリウム(Be)、ホウ素(B)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、ケイ素(Si)、スズ(Sn)、チタン(Ti)、クロム(Cr)、鉄(Fe)、コバルト(Co)及びランタン(La)から成る群より選ばれた少なくとも1種類の原子又は原子団の陽イオンから成る塩が含まれており、又は、
添加剤には、水素、アルキル基、アルケニル基、アリール基、ベンジル基、アミド基、フッ素イオン(F-)、塩素イオン(Cl-)、臭素イオン(Br-)、ヨウ素イオン(I-)、過塩素酸イオン(ClO4 -)、テトラフルオロホウ酸イオン(BF4 -)、ヘキサフルオロリン酸イオン(PF6 -)、ヘキサフルオロヒ酸イオン(AsF6 -)、パーフルオロアルキルスルホン酸イオン(Rf1SO3 -)〈但し、Rf1はパーフルオロアルキル基〉、及び、パーフルオロアルキルスルホニルイミドイオン(Rf2SO2)2N-〈但し、Rf2はパーフルオロアルキル基〉から成る群より選ばれた少なくとも1種類の原子、有機基又は陰イオンから成る塩が含まれている[E06]に記載のメッキ浴。
[E08]更に、非極性溶媒を含んでいる[E01]乃至[E07]のいずれか1項に記載のメッキ浴。
[E09]非極性溶媒の誘電率及びドナー数は、いずれも20以下である[E08]に記載のメッキ浴。
[E10]非極性溶媒は、芳香族炭化水素、エーテル、ケトン、エステル及び鎖状炭酸エステルから成る群より選ばれた少なくとも1種類の非極性溶媒から成る[E08]又は[E09]に記載のメッキ浴。
[E11]芳香族炭化水素は、トルエン、ベンゼン、o−キシレン、m−キシレン、p−キシレン、又は、1−メチルナフタレンであり、
エーテルは、ジエチルエーテル、又は、テトラヒドロフランであり、
ケトンは、4−メチル−2−ペンタノンであり、
エステルは、酢酸メチル、又は、酢酸エチルであり、
鎖状炭酸エステルは、炭酸ジメチル、炭酸ジエチル、又は、炭酸エチルメチルである[E10]に記載のメッキ浴。
Claims (17)
- マグネシウム系材料から成る負極を備えた電気化学デバイス用の電解液であって、
水分含有率が、10ppmを超え、500ppm未満である電解液。
- 水分含有率は、10ppmを超え、300ppm以下である請求項1に記載の電解液。
- スルホン、及び、スルホンに溶解したマグネシウム塩を含んでいる請求項1に記載の電解液。
- マグネシウム塩は、MgXn(但し、nは1又は2であり、Xは、1価又は2価のアニオン)から成る請求項3に記載の電解液。
- Xは、ハロゲンを含む分子、−SO4、−NO3、又は、ヘキサアルキルジシアジド基から成る請求項4に記載の電解液。
- ハロゲンを含む分子は、MgX2(X=Cl,Br,I)から成る請求項5に記載の電解液。
- スルホンは、R1R2SO2(但し、R1、R2はアルキル基を表す)で表されるアルキルスルホン又はアルキルスルホン誘導体である請求項3に記載の電解液。
- アルキルスルホンは、ジメチルスルホン、メチルエチルスルホン、メチル−n−プロピルスルホン、メチル−i−プロピルスルホン、メチル−n−ブチルスルホン、メチル−i−ブチルスルホン、メチル−s−ブチルスルホン、メチル−t−ブチルスルホン、エチルメチルスルホン、ジエチルスルホン、エチル−n−プロピルスルホン、エチル−i−プロピルスルホン、エチル−n−ブチルスルホン、エチル−i−ブチルスルホン、エチル−s−ブチルスルホン、エチル−t−ブチルスルホン、ジ−n−プロピルスルホン、ジ−i−プロピルスルホン、n−プロピル−n−ブチルスルホン、n−ブチルエチルスルホン、i−ブチルエチルスルホン、s−ブチルエチルスルホン及びジ−n−ブチルスルホンから成る群より選ばれた少なくとも1種類のアルキルスルホンであり、
アルキルスルホン誘導体はエチルフェニルスルホンである請求項7に記載の電解液。
- エーテル、及び、エーテルに溶解したマグネシウム塩を含んでいる請求項1に記載の電解液。
- マグネシウム塩は、Mg(AlCl3R1)2、又は、Mg(AlCl2R2R3 )2(但し、R1,R2,R3はアルキル基である)から成る請求項9に記載の電解液。
- エーテルは、環状エーテル又は直鎖エーテルから成る請求項9に記載の電解液。
- 環状エーテルは、テトラヒドロフラン、ジオキソラン、ジオキサン、エポキシド類及びフラン類から成る群より選択された少なくとも1種類の環状エーテルであり、
直鎖エーテルは、ジアルキルグリコールエーテルである請求項11に記載の電解液。
- マグネシウム系材料から成る負極を備えた電気化学デバイスであって、
水分含有率が、10ppmを超え、500ppm未満である電解液を備えている電気化学デバイス。
- 水分含有率は、10ppmを超え、300ppm以下である請求項13に記載の電気化学デバイス。
- 電解液は、スルホン、及び、スルホンに溶解したマグネシウム塩を含んでいる請求項13に記載の電気化学デバイス。
- 電解液は、エーテル、及び、エーテルに溶解したマグネシウム塩を含んでいる請求項13に記載の電気化学デバイス。
- 電解液によって電解質層が構成された電池である請求項13に記載の電気化学デバイス。
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