JPWO2016152405A1 - 液晶性化合物、液晶組成物および表示素子 - Google Patents

Abstract

本願発明が解決しようとする課題は、誘電率異方性（Δε）が負であり絶対値が大きく、ネマチック相−アイソトロピック転移温度（Ｔｎｉ）が高く、粘度（η）が低く、屈折率異方性（Δｎ）が大きく、他の液晶材料との相溶性が高く、熱や光による劣化を起こしにくくかつ簡便に合成可能な液晶化合物を提供することである。本発明では、一般式（ｉ）で表される化合物、一般式（ｉ）で表される化合物を用いた液晶組成物及び当該液晶組成物を用いた液晶表示素子を提供する。

Description

本発明は液晶性化合物に関する。

液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、各種測定機器、自動車用パネル、ワードプロセッサー、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ、時計、広告表示板等に用いられるようになっている。液晶表示方式としては、その代表的なものにＴＮ（ツイステッド・ネマチック）型、ＳＴＮ（スーパー・ツイステッド・ネマチック）型、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いたＶＡ（垂直配向）型やＩＰＳ（イン・プレーン・スイッチング）型またはＦＦＳ（フリンジ・フィールド・スイッチング）型等がある。液晶組成物に求められる主な特性としては、（１）水分、空気、熱、光などの外的刺激に対して安定であること、（２）室温を中心としてできるだけ広い温度範囲で液晶相を示していること、（３）低粘性であること、および（４）駆動電圧が低いことの４つが挙げられ、個々の表示素子にとって誘電率異方性（Δε）や屈折率異方性（Δｎ）等を最適な値とするために、液晶組成物は数種類から数十種類の化合物から構成されていることが一般的である。

上記の液晶組成物の特性のうち、Δεについては、正の値である組成物と負の値である組成物が各々使い分けられている。これらのうち、Δεが負の値を示す液晶材料を用いる表示方式としては、ＥＣＢ型、ＶＡ型、更にＦＦＳ型などが挙げられる。中でも、ＶＡ型表示方式は、テレビ等の用途に使用され、高速かつ広視野角であることが要求される。この際に液晶組成物に対しては、低電圧駆動、高速応答及び広い動作温度範囲が要求される。すなわち、Δεが負で絶対値が大きく、粘度（η）が低く、高いネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔ_ｎｉ）を示すことが要求される。また、屈折率異方性（Δｎ）とセルギャップ（ｄ）との積であるΔｎ×ｄの設定から、液晶組成物のΔｎはｄに合わせて適当な範囲に調節する必要があるが、近年高速応答に対応するためにセルギャップは小さく設計される傾向にあり、この場合は液晶組成物のΔｎを大きくすることが要求される。

また、高速応答性や高いコントラストが得られる液晶表示素子としてＰＳＡ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｕｓｔａｉｎｅｄ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）型液晶表示装置、ＰＳＶＡ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｔａｂｉｌｉｓｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）型液晶表示装置が開発されている。ＰＳＡやＰＳＶＡ型液晶表示素子は、非重合性液晶性組成物及び重合性化合物からなる重合性化合物含有液晶組成物を基板間に配した状態で、場合により基板間に電圧を印加して液晶分子を配向させ、配向した状態で紫外線等を照射することにより、重合性化合物を重合させて液晶の配向状態を硬化物に記憶させている。またＩＰＳ（インプレーンスイッチング）型液晶表示素子に適用する場合は、無印加状態で硬化させることにより作成できる。このような液晶表示素子に適用する場合は、紫外線に強い組成物が必要である。

上記の要求を満たすべく、種々の液晶化合物がこれまでに開発されてきた。Δεが負の液晶材料として、以下のような２，３−ジフルオロフェニレン骨格を有する液晶化合物が提案されている（特許文献１参照）。

しかしながら、このような化合物は、比較的Δεの絶対値（｜Δε｜）は大きいものの、Δｎが小さいため、ｄを小さくして高速応答化を実現するには有効ではなく、またＴｎｉが低く、これら化合物を液晶組成物に添加すると液晶組成物のＴｎｉが低下してしまう問題点を有していた。

また、Ｔｎｉが高く、かつΔｎが大きい化合物としては、下記のようなトラン骨格を有する化合物が知られているが、粘度（η）が高く、高速応答の要求には不十分であった（非特許文献１、２参照）。

以上より、｜Δε｜が大きく、ηが小さく、且つΔｎが大きな液晶化合物が望まれている。また、TFT用液晶組成物に使用することから、微量不純物が少なく安価に製造できる製造方法及び製造中間体の開発が求められていた。

特開平２−４７２５

Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ Ｖｏｌ．３４ Ｎｏ１２（２００７）ｐｐ．１４７３−１４７８ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ Ｖｏｌ．３７ Ｎｏ２（２０１０）ｐｐ．１３９−１４７

本願発明が解決しようとする課題は、誘電率異方性（Δε）が負であり絶対値が大きく、アイソトロピック転移温度（Ｔｎｉ）が高く、粘度（η）が低く、屈折率異方性（Δｎ）が大きく、相溶性が高く、熱や光による劣化を起こしにくくかつ簡便に合成可能な液晶化合物を提供することである。

本願発明者は上記課題を解決するために鋭意検討した結果、本願発明の完成に至った。
すなわち、本発明は、一般式（ｉ）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は各々独立して、炭素原子数１から１５のアルキル基を表すが、アルキル基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−又は環構造により置き換えられても良く、
ｎ^ｉ１は、１、２又は３を表し、
Ｘ^ｉ１及びＸ^ｉ２は各々独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を表すが、ｎ^ｉ１が２又は３である場合に、複数存在するＸ^ｉ１は同一であっても異なっていてもよく、複数存在するＸ^ｉ２は同一であっても異なっていてもよい。）で表される化合物を提供し、併せて当該化合物を含有する液晶組成物及び表示素子を提供する。

本発明に係る液晶化合物は、粘度が低く、アイソトロピック転移温度が高く、相溶性が高く、屈折率異方性が高く、熱や光による劣化を起こしにくい。本発明に係る液晶化合物を用いた液晶組成物を用いると高速応答液晶表示素子の提供が可能となる。

一般式（ｉ）において、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は粘度を低下させる為には、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数２〜８のアルケニル基であることが好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが特に好ましい。また、直鎖状であることが好ましい。該アルキル基は、１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−又は環構造によって置換していてもよいが、無置換であるか、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−又は環構造で置換されていることが好ましく、無置換であるか、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は環構造で置換されていることが好ましい。なお、他の液晶成分との混和性を上昇させるためには、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２が異なることが好ましい。

ｎ^ｉ１は、１又は２が好ましい。

Ｘ^ｉ１及びＸ^ｉ２は、ともに水素原子であるか、ともにフッ素原子であるか、一方が水素原子で他方がフッ素原子であることが好ましい。

分子内にフッ素原子が、０〜３個あることが好ましく、Δεが負の化合物としては２個であることが好ましく、Δεが−１〜１程度である中性の化合物としては０又は１個であることが好ましい。

一般式（ｉ）において、ｎ^ｉ１が１または２であり、Ｘ^ｉ１及びＸ^ｉ２が各々独立して、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基であることが好ましく、一般式（ｉ）において、ｎ^ｉ１が２であり、少なくとも一方のベンゼン上に存在するＸ^ｉ１及びＸ^ｉ２が各々独立して、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基であることがさらに好ましい。特に、ｎ^ｉ１が２であり、少なくとも一方のベンゼン上に存在するＸ^ｉ１及びＸ^ｉ２がともにフッ素原子であることが特に好ましい。

負のΔεを示し、かつ｜Δε｜を大きくするためには、Ｘ^ｉ１及びＸ^ｉ２が各々独立して、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基であることが好ましい。また、Ｔｎｉを高くするためには、ｎ^ｉ１が２又は３であることが好ましい。また、粘度を低くするためには、ｎ^ｉ１が１又は２であり、かつＸ^ｉ１及びＸ^ｉ２が各々独立して水素原子またはフッ素原子であることが好ましい。また、Δｎを大きくするためには、ｎ^ｉ１が２又は３であることが好ましい。

本発明の一般式（ｉ）に示す化合物の好ましい化合物の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

一般式（ｉ）で表される化合物は、一般式（ｉ−１）〜（ｉ−４）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^ｉ３及びＲ^ｉ４は各々独立して、炭素原子数１から１２のアルキル基を表すが、アルキル基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられても良く、
Ｘ^ｉ１及びＸ^ｉ２は一般式（ｉ）におけるＸ^ｉ１及びＸ^ｉ２と同じ意味を表し、
ｍ^ｉ１及びｍ^ｉ２は１、２又は３を表すが、一般式（ｉ−４）においてｍ^ｉ１＋ｍ^ｉ２は２又は３を表し、Ａ^ｉ１及びＢ^ｉ１は各々独立して、
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）及び
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
（ｃ） （ｃ）ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、分子内にＡ^ｉ１及び／又はＢ^ｉ１が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよい。）
Ｒ^ｉ３及びＲ^ｉ４は粘度を低下させる為には、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数２〜８のアルケニル基であることが好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが特に好ましい。また、直鎖状であることが好ましい。該アルキル基中では、１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−又は環構造によって置換していてもよいが、無置換であるか、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−又は環構造で置換されていることが好ましく、無置換であるか、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は環構造で置換されていることが好ましい。なお、他の液晶成分との混和性を上昇させるためには、Ｒ^ｉ３及びＲ^ｉ４が異なることが好ましい。
Ａ^ｉ１及びＢ^ｉ１は各々独立して、１，４−シクロヘキシレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基又は２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基が好ましい。

Ｘ^ｉ１及びＸ^ｉ２がともに水素原子を表す場合には、分子内に存在するＡ^ｉ１及び／又はＢ^ｉ１の少なくとも１つは２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基であることが好ましい。

一般式（ｉ−１）で表される化合物（一般式（ｉａ）と同義である。）としては、以下の一般式（ｉａ−１）〜（ｉａ−９）が特に好ましい。

（式中、Ｒ^ｉ３及びＲ^ｉ４は前記一般式（ｉ−１）におけるＲ^ｉ３及びＲ^ｉ４と同じ意味を表す。）
一般式（ｉ−２）で表される化合物としては、一般式（ｉｂ）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｘ^ｉ１及びＸ^ｉ２は前記一般式（ｉ）におけるＸ^ｉ１及びＸ^ｉ２と同じ意味を表し、Ｒ^ｉ３及びＲ^ｉ４は前記一般式（ｉ−２）におけるＲ^ｉ３及びＲ^ｉ４と同じ意味を表す。）
一般式（ｉｂ）は、以下の一般式（ｉｂ−１）〜（ｉｂ−９）が特に好ましい。

（式中、Ｒ^ｉ３及びＲ^ｉ４は前記一般式（ｉｂ）におけるＲ^ｉ３及びＲ^ｉ４と同じ意味を表す。）
一般式（ｉ−３）で表される化合物としては、一般式（ｉｃ）、（ｉｄ）、（ｉｆ）及び（ｉｇ）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｘ^ｉ１及びＸ^ｉ２は前記一般式（ｉ）におけるＸ^ｉ１及びＸ^ｉ２と同じ意味を表し、Ｒ^ｉ３及びＲ^ｉ４は前記一般式（ｉ−３）におけるＲ^ｉ３及びＲ^ｉ４と同じ意味を表し、Ｘ^ｉ３及びＸ^ｉ４は各々独立して、前記一般式（ｉ）におけるＸ^ｉ１と同じ意味を表す。）
一般式（ｉｃ）の中では、以下の一般式（ｉｃ−１）〜（ｉｃ−９）が特に好ましい。

（式中、Ｒ^ｉ３及びＲ^ｉ４は、一般式（ｉｃ）におけるＲ^ｉ３及びＲ^ｉ４と同じ意味を表す。）
一般式（ｉｄ）の中では、以下の一般式（ｉｄ−１）〜（ｉｄ−１０）が特に好ましい。

（式中、Ｒ^ｉ３及びＲ^ｉ４は各々独立して、一般式（ｉｄ）におけるＲ^ｉ３及びＲ^ｉ４と同じ意味を表し、Ｘ^ｉ１及びＸ^ｉ２は、前記一般式（ｉ）におけるＸ^ｉ１及びＸ^ｉ２と同じ意味を表す。）
一般式（ｉｆ）の中では、以下の一般式（ｉｆ−１）〜（ｉｆ−１０）が特に好ましい。

（式中、Ｒ^ｉ３及びＲ^ｉ４は各々独立して、一般式（ｉｆ）におけるＲ^ｉ３及びＲ^ｉ４と同じ意味を表し、Ｘ^ｉ１及びＸ^ｉ２は、前記一般式（ｉ）におけるＸ^ｉ１及びＸ^ｉ２と同じ意味を表す。）
一般式（ｉｇ）の中では、以下の一般式（ｉｇ−１）〜（ｉｇ−１０）が特に好ましい。

（式中、Ｒ^ｉ３及びＲ^ｉ４は各々独立して、一般式（ｉｇ）におけるＲ^ｉ３及びＲ^ｉ４と同じ意味を表し、Ｘ^ｉ１及びＸ^ｉ２は、前記一般式（ｉ）におけるＸ^ｉ１及びＸ^ｉ２と同じ意味を表す。）
一般式（ｉ−４）で表される化合物としては、一般式（ｉｅ）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｘ^ｉ１及びＸ^ｉ２は前記一般式（ｉ）におけるＸ^ｉ１及びＸ^ｉ２と同じ意味を表し、Ｒ^ｉ３及びＲ^ｉ４は前記一般式（ｉ−４）におけるＲ^ｉ３及びＲ^ｉ４と同じ意味を表し、Ｘ^ｉ３及びＸ^ｉ４は各々独立して、前記一般式（ｉ）におけるＸ^ｉ１と同じ意味を表す。）
一般式（ｉｅ）の中では、以下の一般式（ｉｅ−１）〜（ｉｅ−１０）が特に好ましい。

（式中、Ｒ^ｉ３及びＲ^ｉ４は各々独立して、一般式（ｉｅ）におけるＲ^ｉ３及びＲ^ｉ４と同じ意味を表し、Ｘ^ｉ１及びＸ^ｉ２は、前記一般式（ｉ）におけるＸ^ｉ１及びＸ^ｉ２と同じ意味を表す。）
本発明において、一般式（ｉ）で表される化合物は、以下のようにして製造することができる。勿論本発明の趣旨及び適用範囲は、これら製造例により制限されるものではない。
（製法１）一般式（ｉ）で表される化合物の合成方法（１）

（式中、Ｒ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ｘ^ｉ１、Ｘ^ｉ２及びｎ^ｉ１は前記一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ｘ^ｉ１、Ｘ^ｉ２及びｎ^ｉ１と同じ意味を表し、Ｙ^ｉ１は水素原子、ハロゲン原子またはハロゲン等価体を表す。）
一般式（Ｓ−１）で表される化合物を一般式（Ｓ−２）で表される化合物と反応させることにより一般式（Ｓ−３）で表される化合物を得ることができる。反応例として例えば、一般式（Ｓ−２）で表される化合物のＹ^ｉ１の水素原子を強塩基により引き抜き、一般式（Ｓ−１）で表される化合物と反応させる方法が挙げられる。強塩基としては例えばブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド等が挙げられる。必要に応じてテトラメチルエチレンジアミン等を添加しても良い。あるいは、一般式（Ｓ−２）で表される化合物のＹ^ｉ１がハロゲンまたはハロゲン等価体である場合、グリニャール試薬へと誘導し、一般式（Ｓ−１）で表される化合物と反応させる方法、又はハロゲンリチウム交換反応によりリチオ化し、一般式（Ｓ−１）で表される化合物と反応させる方法が挙げられる。リチオ化剤の具体例としてはブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム等が挙げられる。

一般式（Ｓ−３）で表される化合物を脱水することにより一般式（ｉ）で表される化合物を得ることができる。脱水の方法としては、酸の存在下で加熱する方法が挙げられる。酸としては、例えば塩酸、硫酸、重硫酸カリウムなどの無機酸や、酢酸、トリフルオロ酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸などの有機酸、トリフッ化ホウ素などのルイス酸が挙げられる。あるいは、脱水の方法として、水酸基をｐ−トルエンスルホン酸クロリド、トリフルオロメタンスルホン酸クロリド、トリホスゲンなどと反応させて脱離基に変換した後、脱離反応を行うことで脱水することもできる。
（製法２）一般式（ｉ）で表される化合物の合成方法（２）

（式中、Ｒ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ｘ^ｉ１、Ｘ^ｉ２及びｎ^ｉ１は前記一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ｘ^ｉ１、Ｘ^ｉ２及びｎ^ｉ１と同じ意味を表し、Ｙ^ｉ１は水素原子、ハロゲン原子またはハロゲン等価体を表す。）
一般式（Ｓ−１）で表される化合物を一般式（Ｓ−９）で表される化合物と反応させることにより一般式（Ｓ−１０）で表される化合物を得ることができる。反応例として例えば、一般式（Ｓ−９）で表される化合物のＹ^ｉ１の水素原子を強塩基により引き抜き、一般式（Ｓ−１０）で表される化合物と反応させる方法が挙げられる。強塩基としては例えばブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド等が挙げられる。必要に応じてテトラメチルエチレンジアミン等を添加しても良い。あるいは、一般式（Ｓ−９）で表される化合物のＹ^ｉ１がハロゲンまたはハロゲン等価体である場合、グリニャール試薬へと誘導し、一般式（Ｓ−１）で表される化合物と反応させる方法、又はハロゲンリチウム交換反応によりリチオ化し、一般式（Ｓ−１）で表される化合物と反応させる方法が挙げられる。リチオ化剤の具体例としてはブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム等が挙げられる。

一般式（Ｓ−１０）で表される化合物を脱水することにより一般式（Ｓ−１１）で表される化合物を得ることができる。脱水の方法としては、酸の存在下で加熱する方法が挙げられる。酸としては、例えば塩酸、硫酸、重硫酸カリウムなどの無機酸や、酢酸、トリフルオロ酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸などの有機酸、トリフッ化ホウ素などのルイス酸が挙げられる。あるいは、脱水の方法として、水酸基をｐ−トルエンスルホン酸クロリド、トリフルオロメタンスルホン酸クロリド、トリホスゲンなどと反応させて脱離基に変換した後、脱離反応を行うことで脱水することもできる。

一般式（Ｓ−１１）で表される化合物にＲ^ｉ２を導入することにより、一般式（ｉ）で表される化合物を得ることができる。例えば、Ｒ^ｉ２がアルコキシ基である場合、導入の方法としては、一般式（Ｓ−１１）で表される化合物の芳香環上のプロトンを強塩基により引き抜き、ホウ酸エステルと反応させた後、加水分解してホウ酸にし、続いて酸化することにより水酸基にし、これをアルコキシ基にすることにより一般式（ｉ）で表される化合物を得ることができる。強塩基としては例えばブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド等が挙げられる。必要に応じてテトラメチルエチレンジアミン等を添加しても良い。ホウ酸エステルの具体例としてはホウ酸トリメチル、ホウ酸トリイソプロピル等が挙げられる。また、一般式（Ｓ−１１）で表される化合物をハロゲン化した後、グリニャール試薬へと誘導し、ホウ酸エステルと反応させた後、加水分解する方法、又はハロゲンリチウム交換反応によりリチオ化し、ホウ酸エステルと反応させた後、加水分解する方法が挙げられる。ホウ酸エステルの具体例としては前記の例が挙げられる。リチオ化剤の具体例としてはブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム等が挙げられる。続く酸化に用いる酸化剤としては、例えば過酸化水素などが挙げられる。この水酸基をアルコキシ基に変換する方法として、例えば塩基の存在下でハロゲン化アルキルと反応させるウィリアムソン反応が挙げられる。塩基としては例えば炭酸カリウム、炭酸セシウムなどが挙げられる。また、水酸基をアゾカルボン酸エステルとトリフェニルホスフィンで活性化し、アルコールと反応させる光延反応が挙げられる。アゾカルボン酸エステルとしては例えばアゾジカルボン酸ジエチル、アゾジカルボン酸ジイソプロピルなどが挙げられる。

また、一般式（Ｓ−１１）で表される化合物にＲ^ｉ２を導入して一般式（ｉ）で表される化合物を得る場合、例えば、Ｒ^ｉ２がアルキル基である場合、例えば対応する酸クロライドとルイス酸を用いたフリーデル・クラフツ反応、それに続くカルボニル基の還元による方法が挙げられる。ルイス酸としては例えば塩化アルミニウムが挙げられる。還元剤としては例えばヒドリド試薬を用いた還元又は金属触媒を用いた接触水素化還元が挙げられる。ヒドリド試薬としては例えば水素化リチウムアルミニウムが挙げられる。金属触媒としては例えばパラジウム炭素が挙げられる。
（製法３）一般式（ｉｄ）、（ｉｅ）、（ｉｆ）または（ｉｇ）で表される化合物の合成方法

（式中、Ｒ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ｘ^ｉ１及びＸ^ｉ２は前記一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ｘ^ｉ１及びＸ^ｉ２と同じ意味を表し、ｎ^ｉｓは各々独立して１または２を表し、Ｙ^ｉ１は水素原子、ハロゲン原子またはハロゲン等価体を表し、Ｙ^ｉ２はハロゲン原子またはハロゲン等価体を表す。）
一般式（Ｓ−１）で表される化合物を一般式（Ｓ−４）で表される化合物と反応させることにより一般式（Ｓ−５）で表される化合物を得ることができる。反応例として例えば、一般式（Ｓ−４）で表される化合物のＹ^ｉ１の水素原子を強塩基により引き抜き、一般式（Ｓ−１）で表される化合物と反応させる方法が挙げられる。強塩基としては例えばブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド等が挙げられる。必要に応じてテトラメチルエチレンジアミン等を添加しても良い。あるいは、一般式（Ｓ−４）で表される化合物のＹ^ｉ１がハロゲンまたはハロゲン等価体である場合、グリニャール試薬へと誘導し、一般式（Ｓ−１）で表される化合物と反応させる方法、又はハロゲンリチウム交換反応によりリチオ化し、一般式（Ｓ−１）で表される化合物と反応させる方法が挙げられる。リチオ化剤の具体例としてはブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム等が挙げられる。

一般式（Ｓ−５）で表される化合物を脱水することにより一般式（Ｓ−６）で表される化合物を得ることができる。脱水の方法としては、酸の存在下で加熱する方法が挙げられる。酸としては、例えば塩酸、硫酸、重硫酸カリウムなどの無機酸や、酢酸、トリフルオロ酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸などの有機酸、トリフッ化ホウ素などのルイス酸が挙げられる。また、脱水の方法として、水酸基をｐ−トルエンスルホン酸クロリド、トリフルオロメタンスルホン酸クロリド、トリホスゲンなどと反応させて脱離基に変換した後、脱離反応を行うこともできる。

一般式（Ｓ−６）で表される化合物の芳香環上のプロトンを強塩基により引き抜き、ホウ酸エステルと反応させた後、加水分解することにより一般式（Ｓ−７）で表される化合物を得ることができる。強塩基としては例えばブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド等が挙げられる。必要に応じてテトラメチルエチレンジアミン等を添加しても良い。ホウ酸エステルの具体例としてはホウ酸トリメチル、ホウ酸トリイソプロピル等が挙げられる。また、一般式（Ｓ−６）で表される化合物をハロゲン化した後、グリニャール試薬へと誘導し、ホウ酸エステルと反応させた後、加水分解する方法、又はハロゲンリチウム交換反応によりリチオ化し、ホウ酸エステルと反応させた後、加水分解する方法が挙げられる。ホウ酸エステルの具体例としては前記の例が挙げられる。リチオ化剤の具体例としてはブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム等が挙げられる。

一般式（Ｓ−７）で表される化合物を一般式（Ｓ−８）で表される化合物と反応させることにより一般式（ｉｄ）、（ｉｅ）、（ｉｆ）または（ｉｇ）で表される化合物を得ることができる。反応例として例えば金属触媒及び塩基存在下、クロスカップリングさせる方法が挙げられる。金属触媒の具体例としては［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、酢酸パラジウム（ＩＩ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）等が挙げられる。塩基の具体例としては炭酸カリウム、リン酸カリウム、炭酸セシウム等が挙げられる。反応条件としては例えばＭｅｔａｌ−Ｃａｔａｌｙｚｅｄ Ｃｒｏｓｓ−Ｃｏｕｐｌｉｎｇ Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ（Ａｒｍｉｎ ｄｅ Ｍｅｉｊｅｒｅ、Ｆｒａｎｃｏｉｓ Ｄｉｅｄｒｉｃｈ共著、Ｗｉｌｅｙ−ＶＣＨ）、Ｐａｌｌａｄｉｕｍ Ｒｅａｇｅｎｔｓ ａｎｄ Ｃａｔａｌｙｓｔｓ：Ｎｅｗ Ｐｅｒｓｐｅｃｔｉｖｅｓ ｆｏｒ ｔｈｅ ２１ｓｔ Ｃｅｎｔｕｒｙ（Ｊｉｒｏ Ｔｓｕｊｉ著、Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ，Ｌｔｄ．）、Ｃｒｏｓｓ−Ｃｏｕｐｌｉｎｇ Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ：Ａ Ｐｒａｃｔｉｃａｌ Ｇｕｉｄｅ（Ｔｏｐｉｃｓ ｉｎ Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）（Ｓ．Ｌ．Ｂｕｃｈｗａｌｄ、Ｋ．Ｆｕｇａｍｉ、Ｔ．Ｈｉｙａｍａ、Ｍ．Ｋｏｓｕｇｉ、Ｍ．Ｍｉｕｒａ、Ｎ．Ｍｉｙａｕｒａ、Ａ．Ｒ．Ｍｕｃｉ、Ｍ．Ｎｏｍｕｒａ、Ｅ．Ｓｈｉｒａｋａｗａ、Ｋ．Ｔａｍａｏ著、Ｓｐｒｉｎｇｅｒ）等の文献に記載の方法が挙げられる。

前記各工程において記載した以外の反応条件として、例えば実験化学講座（日本化学会編、丸善株式会社発行）、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ（Ａ Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．，Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎ）、Ｂｅｉｌｓｔｅｉｎ Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ（Ｂｅｉｌｓｔｅｉｎ−Ｉｎｓｔｉｔｕｔ ｆｕｅｒ Ｌｉｔｅｒａｔｕｒ ｄｅｒ Ｏｒｇａｎｉｓｃｈｅｎ Ｃｈｅｍｉｅ、Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ Ｂｅｒｌｉｎ ａｎｄ Ｈｅｉｄｅｌｂｅｒｇ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ．Ｋ）、Ｆｉｅｓｅｒｓ’ Ｒｅａｇｅｎｔｓ ｆｏｒ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．）等の文献に記載のもの又はＳｃｉＦｉｎｄｅｒ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ Ｓｅｒｖｉｃｅ，Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ）、Ｒｅａｘｙｓ（Ｅｌｓｅｖｉｅｒ Ｌｔｄ．）等のデータベースに収載のものが挙げられる。

また、各工程において適宜反応溶媒を用いることができる。溶媒の具体例としてはエタノール、テトラヒドロフラン、トルエン、ジクロロメタン、水等が挙げられる。有機溶媒及び水の二相系で反応を行う場合、相間移動触媒を添加することも可能である。相間移動触媒の具体例としてはベンジルトリメチルアンモニウムブロミド、テトラブチルアンモニウムブロミド等が挙げられる。

また、各工程において必要に応じて精製を行うことができる。精製方法としてはクロマトグラフィー、再結晶、蒸留、昇華、再沈殿、吸着、分液処理等が挙げられる。精製剤の具体例としてはシリカゲル、アルミナ、活性炭等が挙げられる。

以下、実施例を挙げて本発明を更に記述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。以下の実施例及び比較例の組成物における「％」は『質量％』を意味する。化合物の純度はＧＣ又はＵＰＬＣによって分析した。化合物および反応溶媒の略称は以下の通りである：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、４−プロピルシクロヘキサノン（３ＣＯ）、４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）シクロヘキサノン（２ＣＣＯ）、４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサノン（３ＣＣＯ）、４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）シクロヘキサノン（４ＣＣＯ）
（実施例１）化合物（ｉａ‐１−３０２）の製造

（化合物（ａ１−２）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、冷却管、滴下ロートを備えた反応容器に、マグネシウム（２．４３ｇ）およびＴＨＦ１０ｍｌを加え、ジブロモエタン数滴を加えて加熱した。マグネシウムから気泡が発生したことを確認し、あらかじめＴＨＦ１４０ｍｌに溶解しておいた化合物（ａ１−１）（２０．０ｇ）を滴下し、６０℃で１時間半加熱攪拌した。この反応混合物を０℃に冷却し、あらかじめＴＨＦ４０ｍｌに溶解しておいた３ＣＯ（１４．２ｇ）を滴下し、室温で３時間攪拌した。この反応混合物に対して１０％塩酸５００ｍｌを加えて攪拌後、有機層を分けとり、さらに水層をジクロロメタン２００ｍｌで抽出した。得られた有機層を合わせた後、水２５０ｍｌ、飽和食塩水２５０ｍｌで洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、化合物（ａ１−２）（２４．８３ｇ）を得た。
（化合物（ｉａ‐１−３０２）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロートを備えた反応容器に、得られた化合物（ａ１−２）（２４．８ｇ）、ピリジン（１７ｇ）およびトルエン９０ｍｌを加え、攪拌しながら０℃に冷却した。この混合物に対し、あらかじめトルエン３５ｍｌに溶解させたトリホスゲン（８．７５ｇ）を滴下した後、室温で２時間攪拌した。この反応混合物に水２００ｍｌを加えた後、有機層を分離し、さらにトルエン１００ｍｌで抽出した。得られた有機層を合わせた後、水１００ｍｌ、飽和食塩水１００ｍｌで洗浄した後、アルミナ（１２ｇ）を詰めたカラムを通過させた。得られた溶液を濃縮し、アセトン／メタノール混合溶媒を用いて再結晶を行い、化合物（ｉａ‐１−３０２）（１７．４２ｇ）を得た。
ＧＣ−ＭＳ：ｍ／ｚ ２６２．１７ [Ｍ^＋]
実施例１と同様の反応、および必要に応じて公知の方法に準拠した方法を用いて、実施例２（化合物（ｉａ‐１−１０２））〜実施例１０（化合物（ｉａ‐１−Ｖ０３））を合成した。

（実施例１１）化合物（ｉａ‐２−３０２）の製造

（化合物（ａ２−２）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロートを備えた反応容器に、ＴＨＦ５０ｍｌおよび化合物（ａ２−１）（５．６ｇ）を加え、−６０℃まで冷却した。この混合物中にｓｅｃ−ブチルリチウム４４ｍｌ（ヘキサン溶液、１．０Ｍ）を滴下し、−５０℃で３０分攪拌した。この反応混合物に対し、あらかじめＴＨＦ１０ｍｌに溶解させた３ＣＯ（７．０ｇ）を滴下し、−５０℃で３０分攪拌した。この反応混合物を０℃まで昇温し、１０％塩酸５０ｍｌを加えて攪拌後、有機層を分けとり、さらに水層をジクロロメタン５０ｍｌで抽出した。得られた有機層を合わせた後、水５０ｍｌ、飽和食塩水５０ｍｌで洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、化合物（ａ２−２）（１０．８７ｇ）を得た。
（化合物（ｉａ‐２−３０２）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、冷却管を備えた反応容器に、化合物（ａ２−２）（６．９ｇ）、ｐ−トルエンスルホン酸（０．８ｇ）およびトルエン４０ｍｌを加え、攪拌しながら加熱還流させた。反応終了後、この反応混合液を、飽和重曹水２０ｍｌ、飽和食塩水２０ｍｌで洗浄した後、シリカゲル（６ｇ）を詰めたカラムを通過させた。得られた溶液を濃縮し、アセトン／メタノール混合溶媒を用いて再結晶を行い、化合物（ｉａ‐２−３０２）（６．９２ｇ）を得た。
ＧＣ−ＭＳ：ｍ／ｚ ２６２．１７ [Ｍ^＋]
実施例１１と同様の反応、および必要に応じて公知の方法に準拠した方法を用いて、実施例１２（化合物（ｉａ‐２−１０２））〜実施例２０（化合物（ｉａ‐２−Ｖ０３））を合成した。

（実施例２１）化合物（ｉａ‐３−３０２）の製造

（化合物（ａ３−２）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロートを備えた反応容器に、化合物（Ａ）１９１．２４ｇおよびＴＨＦ１９００ｍｌを加え、−６０℃に冷却した。１．６Ｍブチルリチウム／ヘキサン溶液１０００ｍｌを−６０℃にて滴下後、１時間攪拌し、次にあらかじめＴＨＦ６５０ｍｌに溶解しておいた３ＣＯ２１３．６８ｇを−６０℃にて滴下し、２時間半攪拌した。この反応混合物を室温に昇温した後、１０％塩酸１０００ｍｌを加えて攪拌後、有機層を分けとり、さらに水層をトルエン８００ｍｌで抽出した。得られた有機層を合わせた後、飽和食塩水１０００ｍｌで洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、化合物（ａ３−２）４０２．４０ｇを得た。

（化合物（ａ３−３）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、冷却管を備えた反応容器に、得られた化合物（ａ３−２）４０２．４０ｇ、パラ−トルエンスルホン酸ナトリウム一水和物３０．１０ｇおよびトルエン１２００ｍｌを加え、２時間半攪拌しながら脱水還流した。この反応混合物に水６００ｍｌを加えた後、有機層を分離し、さらに水層をトルエン５００ｍｌで２回抽出した。得られた有機層を合わせた後、飽和食塩水５００ｍｌで洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、粗体３６９．６９ｇを得た。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル１８０ｇ）に対し、あらかじめトルエン１２００ｍｌに溶解しておいた粗体を通し、さらにトルエン１２００ｍｌで溶出させた。得られた溶液を濃縮し、化合物（ａ３−３）３５７．５１ｇを得た。

（化合物（ａ３−４）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロートを備えた反応容器に、ジイソプロピルアミン１６．４１ｇおよびＴＨＦ８０ｍｌを加え、−１０℃に冷却した。１．６Ｍブチルリチウム／ヘキサン溶液９３ｍｌを−１０℃にて滴下し、１時間攪拌し、次にあらかじめＴＨＦ３０ｍｌに溶解しておいた化合物（ａ３−３）２５ｇおよびホウ酸トリイソプロピル２９．８４ｇを−１０℃にて同時に滴下し、４時間半攪拌した。この反応混合物を０℃に昇温した後、１０％塩酸１２５ｍｌを加えて攪拌後、有機層を分けとり、さらに水層をＴＨＦ１３０ｍｌで抽出した。得られた有機層を合わせた後、飽和食塩水１５０ｍｌで洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、化合物（ａ３−４）３９．６０ｇを得た。
（化合物（ａ３−５）の合成）
撹拌装置、温度計を備えた反応容器に、得られた化合物（ａ３−４）３９．６０ｇおよびＴＨＦ２００ｍｌを加え、０℃に冷却した。次に３０％過酸化水素水１７．９９ｇを加え、室温に昇温し、２時間半撹拌した。この反応混合物に水１２５ｍｌを加えた後、有機層を分離し、さらに水層をＴＨＦ／トルエン（体積比１／１）１００ｍｌで２回抽出した。得られた有機層を合わせた後、１０％亜硫酸ナトリウム水溶液１００ｍｌ、飽和食塩水１００ｍｌで洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、粗体３１．６０ｇを得た。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル６０ｇ）に対し、あらかじめヘキサン／トルエン（体積比１／２）１８０ｍｌに溶解しておいた粗体を通し、さらにヘキサン／トルエン（体積比１／２）７５０ｍｌで溶出させた。得られた溶液を濃縮し、化合物（ａ３−５）２８．９８ｇを得た。
（化合物（ｉａ‐３−３０２）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、冷却管を備えた反応容器に、得られた化合物（ａ３−５）２８．９８ｇ、ヨウ化エチル２３．２９ｇ、炭酸カリウム２３．８１ｇおよびアセトン１２０ｍｌを加え、４５℃で４時間撹拌した後、還流で３時間撹拌した。反応混合物を室温に冷却後、ヘキサン／トルエン（体積比１／１）３００ｍｌ、飽和食塩水３００ｍｌを加え有機層を分離した。得られた有機層に無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、粗体３３．５９ｇを得た。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル３５ｇ）に対し、あらかじめヘキサン７０ｍｌに溶解しておいた粗体を通し、さらにヘキサン２１０ｍｌで溶出させた。得られた溶液を濃縮し、化合物（ｉａ‐３−３０２）２７．２４ｇを得た。
ＧＣ−ＭＳ：ｍ／ｚ ２８０．１６ [Ｍ^＋]
相転移：Ｃｒ ３３ Ｉｓｏ
実施例２１と同様の反応、および必要に応じて公知の方法に準拠した方法を用いて、実施例２２（化合物（ｉａ‐３−１０２））〜実施例３０（化合物（ｉａ‐３−Ｖ０３））を合成した。

（実施例３１）化合物（ｉｂ‐３−２０２）の製造

（化合物（ｂ３−２）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロートを備えた反応容器を−６０℃に冷却し、^ｎＢｕＬｉ（１．６Ｍヘキサン溶液）（３６．４ｍｌ）をとり、テトラエチレンジアミン（８．０ｇ）を加えて３０分間撹拌した。これに、あらかじめ調製した化合物（ｂ３−１）（１０ｇ）のＴＨＦ８０ｍｌ溶液を滴下し、同温度で１時間撹拌した。ＴＨＦ２５ｍｌに溶解しておいた２ＣＣＯ（１１．０ｇ）を滴下し、さらに同温度で１時間撹拌した。反応混合物を室温まで昇温した後、水５ｍｌを加え、続いて６Ｎ塩酸２５ｍｌをゆっくり加え、さらに２０分間撹拌した．大気圧下、有機層を分けとり、さらに水層をヘキサン１５ｍｌとＴＨＦ３０ｍｌの混合溶媒で抽出した。得られた有機層を合わせた後、飽和食塩水５０ｍｌで２回洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、化合物（ｂ３−２）の混合物（２２．５２ｇ）を得た。
（化合物（ｉｂ‐３−２０２）の合成）
窒素雰囲気化、撹拌装置、温度計、滴下ロートを備えた反応容器に、化合物（３）（２２．５２ｇ）のＴＨＦ６０ｍｌ溶液を調製し、さらにピリジン（１０．２ｍｌ）を加え、５℃に冷却した。

あらかじめＴＨＦ２２ｍｌに溶解しておいたトリホスゲン（５．７ｇ）を滴下し、１時間撹拌した。室温まで昇温し、突沸しないように水７５ｍｌをゆっくり滴下した。トルエン５０ｍｌを加えた後、大気圧下、有機層を分けとり、さらに水層をトルエン２５ｍｌで抽出した。得られた有機層を合わせた後、飽和食塩水５０ｍｌで洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、黄色液体（２１．４３ｇ）を得た。これを５５℃加熱下ヘキサン６０ｍｌに溶解させ、シリカゲル（１６ｇ）を詰めた５５℃加温カラムを通過させ、ヘキサン６０ｍｌで追い出した。溶液を減圧下濃縮し、得られた無色残渣（１１．０５ｇ）に、室温下、ヘキサン３０ｍｌを加えたところ、無色結晶が析出した。これを−２０℃まで冷却し、２時間静置した。結晶を濾取し、減圧下加熱乾燥した後、アセトンとメタノールの混合溶媒で再結晶を実施した。得られた結晶を減圧下加熱乾燥したところ、無色結晶の化合物（ｉｂ‐３−２０２）（５．５７ｇ）を得た。
ＧＣ−ＭＳ：ｍ／ｚ ３４８．２３ [Ｍ^＋]
相転移：Ｃｒｙ ７７ ＳｍＡ １０４ Ｎｍ １４６ Ｉｓｏ
（実施例３２）化合物（ｉｂ‐３−３０２）の製造

（化合物（ｂ３−３）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロートを備えた反応容器に、化合物（ｂ３−１）（３５ｇ）のＴＨＦ１０５ｍｌ溶液を調製し、−４０℃に冷却した。^ｎＢｕＬｉ（１．６Ｍヘキサン溶液）（１６６ｍｌ）を滴下し、同温度で１時間撹拌した。これにＴＨＦ１００ｍｌに溶解しておいた３ＣＣＯ（４６．７ｇ）を滴下し、さらに同温度で１時間撹拌した。反応混合物を０℃まで昇温した後、水２０ｍｌを加え、続いて６Ｎ塩酸１００ｍｌをゆっくり加え、さらに２０分間撹拌した．大気圧下、有機層を分けとり、さらに水層をヘキサン６０ｍｌとＴＨＦ１２０ｍｌの混合溶媒で抽出した。得られた有機層を合わせた後、飽和食塩水２００ｍｌで２回洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、化合物（ｂ３−３）の混合物（８４．１７ｇ）を得た。
（化合物（ｉｂ‐３−３０２）の合成）
窒素雰囲気化、撹拌装置、温度計を備えた反応容器に、化合物（ｂ３−３）（８４．１７ｇ）のＴＨＦ２４０ｍｌ溶液を調製し、さらにピリジン（４２．５ｍｌ）を加え、５℃に冷却した。

あらかじめＴＨＦ８５ｍｌに溶解しておいたトリホスゲン（２３．５ｇ）を滴下し、１時間撹拌した。室温まで昇温し、突沸しないように水３００ｍｌをゆっくり滴下した。トルエン２００ｍｌを加えた後、大気圧下、有機層を分けとり、さらに水層をトルエン１００ｍｌで抽出した。得られた有機層を合わせた後、飽和食塩水２００ｍｌで洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、黄色液体（８６．８０ｇ）を得た。これをトルエン５４０ｍｌとヘキサン１８０ｍｌの混合溶媒に溶解させ、シリカゲル（６３ｇ）を詰めたカラムを通過させ、トルエン２５０ｍｌとヘキサン１００ｍｌの混合溶媒で追い出した。溶液を減圧下濃縮し、得られた黄色残渣（６９．２４ｇ）に、室温下、ヘキサン２１０ｍｌを加えたところ、無色結晶が析出した。これを−２０℃まで冷却し、２時間静置した。結晶を濾取し、減圧下加熱乾燥した後、アセトンとメタノールの混合溶媒で再結晶を実施した。得られた結晶を減圧下加熱乾燥し、ヘキサンで再結晶を実施した。結晶を濾取し、５５℃加熱下、ヘキサン１５０ｍｌに溶解させた後、シリカゲル（２１ｇ）を詰めたカラムを通過させ、ヘキサン３００ｍｌで追い出した。溶液を減圧下濃縮し、引き続き加熱乾燥したところ、無色結晶の化合物（ｉｂ‐３−３０２）（２６．９３ｇ）を得た。
ＧＣ−ＭＳ：ｍ／ｚ ３６２．２４ [Ｍ^＋]
相転移：Ｃｒｙ ７２ ＳｍＡ １１５ Ｎｍ １７５ Ｉｓｏ
（実施例３３）化合物（ｉｂ‐３−４０２）の製造

（化合物（ｂ３−４）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計を備えた反応容器に、化合物（ｂ３−１）（３５ｇ）のＴＨＦ２８０ｍｌ溶液を調製し、−６０℃に冷却した。^ｎＢｕＬｉ（１．６Ｍヘキサン溶液）（１５２ｍｌ）を滴下し、同温度で２時間撹拌した。これにＴＨＦ１５０ｍｌに溶解しておいた４ＣＣＯ（４９．６ｇ）を滴下し、さらに同温度で１時間撹拌した。反応混合物を室温まで昇温した後、水２０ｍｌを加え、続いて６Ｎ塩酸１００ｍｌをゆっくり加え、さらに２０分間撹拌した．大気圧下、有機層を分けとり、さらに水層をヘキサン６０ｍｌとＴＨＦ１２０ｍｌの混合溶媒で抽出した。得られた有機層を合わせた後、飽和食塩水２００ｍｌで２回洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、化合物（ｂ３−４）の混合物（８５．２０ｇ）を得た。
（化合物（ｉｂ‐３−４０２）の合成）
窒素雰囲気化、撹拌装置、温度計を備えた反応容器に、化合物（３）（８５．２０ｇ）のＴＨＦ２６０ｍｌ溶液を調製し、さらにピリジン（４１．８ｍｌ）を加え、５℃に冷却した。

あらかじめＴＨＦ８３ｍｌに溶解しておいたトリホスゲン（２３．１ｇ）を滴下し、１時間撹拌した。室温まで昇温し、突沸しないように水３００ｍｌをゆっくり滴下した。トルエン２００ｍｌを加えた後、大気圧下、有機層を分けとり、さらに水層をトルエン１００ｍｌで抽出した。得られた有機層を合わせた後、飽和食塩水２００ｍｌで洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、黄色液体（７９．５５ｇ）を得た。これをヘキサン５００ｍｌとトルエン１００ｍｌの混合溶媒に溶解させ、シリカゲル（５６ｇ）を詰めたカラムを通過させ、ヘキサン５００ｍｌで追い出した。溶液を減圧下濃縮し、得られた黄色残渣（５２．０７ｇ）に、室温下、ヘキサン１５０ｍｌを加えたところ、無色結晶が析出した。これを−２０℃まで冷却し、２時間静置した。結晶を濾取し、減圧下加熱乾燥した後、アセトンとメタノールの混合溶媒で再結晶を実施した。得られた結晶を減圧下加熱乾燥し、ヘキサンで再結晶を実施した。結晶を濾取し、５５℃加熱下、ヘキサン１１０ｍｌに溶解させた後、シリカゲル（２５ｇ）を詰めたカラムを通過させ、ヘキサン１５０ｍｌで追い出した。溶液を減圧下濃縮し、引き続き加熱乾燥したところ、無色結晶の化合物（ｉｂ‐３−４０２）（３４．４３ｇ）を得た。
ＧＣ−ＭＳ：ｍ／ｚ ３７６．２６ [Ｍ^＋]
相転移：Ｃｒｙ ６４ ＳｍＡ １３１ Ｎｍ １７３ Ｉｓｏ
（実施例３４）化合物（ｉｂ‐３−３０３）の製造

（化合物（ｂ３−６）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロートを備えた反応容器に、化合物（ａ３−５）（３８ｇ）のＴＨＦ３０５ｍｌ溶液を調製し、−４０℃に冷却した。^ｎＢｕＬｉ（１．６Ｍヘキサン溶液）（１５２ｍｌ）を滴下し、同温度で３時間撹拌した。これにＴＨＦ１５０ｍｌに溶解しておいた３ＣＣＯ（４６．６ｇ）を滴下し、さらに同温度で１時間撹拌した。反応混合物を０℃まで昇温した後、水２０ｍｌを加え、続いて６Ｎ塩酸２００ｍｌをゆっくり加え、さらに２０分間撹拌した．大気圧下、有機層を分けとり、さらに水層をヘキサン６０ｍｌとＴＨＦ１２０ｍｌの混合溶媒で抽出した。得られた有機層を合わせた後、飽和食塩水２００ｍｌで２回洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、化合物（ａ３−６）の混合物（８６．３７ｇ）を得た。
（化合物（ｉｂ‐３−３０３）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計を備えた反応容器に、化合物（ｂ３−６）（８６．３７ｇ）のＴＨＦ２５０ｍｌ溶液を調製し、さらにピリジン（３９．８ｇ）を加え、５℃に冷却した。

あらかじめＴＨＦ８０ｍｌに溶解しておいたトリホスゲン（２２．５ｇ）を滴下し、２時間撹拌した。室温まで昇温し、突沸しないように水３００ｍｌをゆっくり滴下した。トルエン２００ｍｌを加えた後、大気圧下、有機層を分けとり、さらに水層をトルエン１００ｍｌで抽出した。得られた有機層を合わせた後、飽和食塩水２００ｍｌで洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、黄色液体（１０２ｇ）を得た。これをトルエン１００ｍｌとヘキサン２００ｍｌの混合溶媒に溶解させ、シリカゲル（６０ｇ）を詰めたカラムを通過させ、トルエン１００ｍｌとヘキサン３００ｍｌの混合溶媒で追い出した。溶液を減圧下濃縮し、得られた黄色残渣（８０ｇ）に、室温下、ヘキサン２４０ｍｌを加えたところ、無色結晶が析出した。これを−２０℃まで冷却し、一晩静置しエタノール１２ｍｌを加えた。結晶を濾取し、減圧下加熱乾燥した後、アセトンとメタノールの混合溶媒で再結晶を実施した。得られた結晶を減圧下加熱乾燥し、ヘキサンで再結晶を実施した。結晶を濾取し、５５℃加熱下、ヘキサン１２０ｍｌに溶解させた後、シリカゲル（２５ｇ）を詰めたカラムを通過させ、ヘキサン１５０ｍｌで追い出した。溶液を減圧下濃縮し、引き続き加熱乾燥したところ、無色結晶の化合物（ｉｂ‐３−３０３）（３９．０２ｇ）を得た。
ＧＣ−ＭＳ：ｍ／ｚ ３７６．２６ [Ｍ^＋]
相転移：Ｃｒｙ ６５ ＳｍＡ １３７ Ｎｍ １６４ Ｉｓｏ
実施例３１〜３４と同様の反応、および必要に応じて公知の方法に準拠した方法を用いて、実施例３５（化合物（ｉｂ‐１−１０２））〜実施例５９（化合物（ｉｂ‐３−Ｖ０３））を合成した。

（実施例６０）化合物（ｉｂ‐３−２０１）の製造

（化合物（ｂ３−９）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計を備えた反応容器に、化合物（ｂ３−７）（３１．８ｇ）のＴＨＦ（３００ｍＬ）溶液を調製し、−４０℃に冷却した。ｎＢｕＬｉ（１．６Ｍヘキサン溶液）（１５２ｍＬ）を滴下し、同温度で３時間撹拌した。これにＴＨＦ（１５０ｍＬ）に溶解しておいた化合物（ｂ３−８）（４３．７ｇ）を滴下し、さらに同温度で１時間撹拌した。反応混合物を０℃まで昇温した後、水２０ｍＬを加え、続いて１０％塩酸２５０ｍＬをゆっくり加え、さらに２０分間撹拌した。有機層を分けとり、さらに水層をヘキサン６０ｍＬとＴＨＦ１２０ｍＬの混合溶媒で抽出した。得られた有機層を合わせた後、飽和食塩水２００ｍＬで２回洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、化合物（ｂ３−９）の混合物（８３．８ｇ）を得た。

（化合物（ｉｂ−３−２０１）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計を備えた反応容器に、化合物（ｂ３−９）（８３．８ｇ）のＴＨＦ２５０ｍＬ溶液を調製し、さらにピリジン（３９．８ｇ）を加え、５℃に冷却した。
あらかじめＴＨＦ８０ｍＬに溶解しておいたトリホスゲン（２２．５ｇ）を滴下し、２時間撹拌した。室温まで昇温し、突沸しないように水３００ｍＬをゆっくり滴下した。トルエン２００ｍＬを加えた後、大気圧下、有機層を分けとり、さらに水層をトルエン１００ｍＬで抽出した。得られた有機層を合わせた後、飽和食塩水２００ｍＬで洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、これをトルエン６０ｍＬとヘキサン１８０ｍＬの混合溶媒に溶解させ、シリカゲル（３０ｇ）を詰めたカラムを通過させ、トルエン９０ｍＬとヘキサン２７０ｍＬの混合溶媒で追い出した。溶液を減圧下濃縮し、得られた黄色残渣に、室温下、ヘキサン２１０ｍＬを加えたところ、無色結晶が析出した。これを−２０℃まで冷却し、一晩静置しエタノール１０ｍＬを加えた。結晶を濾取し、減圧下加熱乾燥した後、アセトンとメタノールの混合溶媒で再結晶を実施した。得られた結晶を減圧下加熱乾燥し、無色結晶の化合物（ｉｂ−３−２０１）（３４．９ｇ）を得た。
相転移：Ｃｒ ９８ ＳｍＡ １０３ Ｎ １４０ Ｉｓｏ
（実施例６１）化合物（ｉｈ‐３−３０２）の製造

（化合物（ｈ３−２）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、ジムロート、温度計を備えた反応容器に、常温下マグネシウム（１２．１ｇ）のＴＨＦ２５ｍｌ溶液を調製し、３０分撹拌した。これに予め調製しておいた１−ブロモ−４−プロピルベンゼン（９９．４ｇ）のＴＨＦ３５０ｍｌ溶液を５０ｍｌ程度滴下したところ、反応系の発熱（内温４５℃まで）を確認し、滴下を止め、還流下撹拌した。発熱がおさまり、室温まで冷却した後、残った１−ブロモ−４−プロピルベンゼンのＴＨＦ溶液を、内温４５℃を超えないように滴下し、４５分間撹拌した。続いて予め調製しておいた化合物（１）（６０．０ｇ）とＴＨＦ１５０ｍｌの溶液を、内温４５℃を超えないように滴下した。３０分間撹拌した後、氷浴で冷却しながら、１０％塩化アンモニウム水５００ｍｌをゆっくり加えたところ、白色固体が析出し、時間を経るとともに無色液体へと変化した。その際、ｐＨ試験紙でｐＨ７以上、９以下であることを確認した。得られた有機層と水層を分け、水層からトルエン２５０ｍｌで抽出した。得られた有機層と抽出した有機層を合わせ、飽和食塩水２５０ｍｌで二回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧下濃縮することで化合物（ｈ３−２）（１１６ｇ）を得た。
（化合物（ｈ３−３）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、滴下ロート、温度計を備えた反応容器に、化合物（ｈ３−２）（１１６ｇ）のＴＨＦ３２０ｍｌ溶液を調製し、さらにピリジン（７４．０ｍｌ）を加え、５℃に冷却した。あらかじめＴＨＦ１５０ｍｌに溶解しておいたトリホスゲン（４１．０ｇ）を滴下し、１時間撹拌した。室温まで昇温し、突沸しないように水５００ｍｌをゆっくり滴下した。トルエン３５０ｍｌを加えた後、大気圧下、有機層を分けとり、さらに水層をトルエン３００ｍｌで抽出した。得られた有機層を合わせた後、飽和食塩水３５０ｍｌで洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、黄色液体（８７．９ｇ）を得た。これを５５℃加熱下ヘキサン２７０ｍｌに溶解させ、アルミナシリカ（６３ｇ）を詰めた５５℃加温カラムを通過させ、ヘキサン６３０ｍｌで追い出した。溶液を減圧下濃縮したところ、淡黄色残渣（ｈ３−３）（８２．０ｇ）が得られた。
（化合物（ｈ３−４）の合成）
１Ｌのオートクレーブに、パラジウムカーボン（ｗｅｔ）とＴＨＦ１２０ｍｌに溶解させた化合物（ｈ３−３）を入れ、水素圧（０．５ＭＰａ）をかけながら室温下４時間撹拌した。その後、セルロースを積んだロートを通過させ、ＴＨＦで洗いこんだ。得られた溶液を減圧下濃縮することで、黄色残渣（２６．２ｇ）が得られた。これをヘキサン７５ｍｌ及びトルエン２５ｍｌに溶解させ、アルミナシリカ（１８ｇ）を詰めたカラムを通過させ、ヘキサン３００ｍｌで追い出した。溶液を減圧下濃縮したところ、淡黄色残渣（ｈ３−４）（２４．９ｇ）が得られた。
（化合物（ｈ３−５）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計を備えた反応容器に、トルエン１００ｍｌに溶解させた化合物（ｈ３−４）とギ酸（５１．３ｍｌ）を加え、５０℃加温下２時間撹拌した後、室温まで冷却し、水１７０ｍｌを加えた。水層から、トルエン１００ｍｌで抽出した後、得られた有機層を合わせ、水１７０ｍｌ、飽和重曹水１７０ｍｌ及び飽和食塩水１７０ｍｌで洗浄した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧下濃縮することで、黄色残渣（ｈ３−５）（２２．５ｇ）が得られた。
（化合物（ｈ３−６）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、滴下ロート、温度計を備えた反応容器を−６０℃に冷却し、^ｎＢｕＬｉ（１．６Ｍヘキサン溶液）（３４．９ｍｌ）をとり、テトラエチレンジアミン（７．７０ｇ）を加えて３０分間撹拌した。これに、あらかじめ調製した１−エトキシ−２，３−ジフルオロベンゼン（９．６０ｇ）のＴＨＦ７７ｍｌ溶液を滴下し、同温度で５時間撹拌した。ＴＨＦ２０ｍｌに溶解しておいた化合物（ｈ３−５）（１１．０ｇ）を滴下し、さらに同温度で１時間撹拌した。反応混合物を室温まで昇温した後、水５ｍｌを加え、続いて６Ｎ塩酸２５ｍｌをゆっくり加え、さらに２０分間撹拌した。大気圧下、有機層を分けとり、さらに水層をヘキサン１５ｍｌとＴＨＦ３０ｍｌの混合溶媒で抽出した。得られた有機層を合わせた後、飽和食塩水５０ｍｌで２回洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、化合物（ｈ３−６）の混合物（２１．２２ｇ）を得た。
（化合物（ｉｈ‐３−３０２）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、滴下ロート、温度計を備えた反応容器に、化合物（ｈ３−６）（２２．５２ｇ）のＴＨＦ６０ｍｌ溶液を調製し、さらにピリジン（１０．２ｍｌ）を加え、５℃に冷却した。あらかじめＴＨＦ２２ｍｌに溶解しておいたトリホスゲン（５．４３ｇ）を滴下し、１時間撹拌した。室温まで昇温し、突沸しないように水７５ｍｌをゆっくり滴下した。トルエン５０ｍｌを加えた後、大気圧下、有機層を分けとり、さらに水層をトルエン２５ｍｌで抽出した。得られた有機層を合わせた後、飽和食塩水５０ｍｌで洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、黄色液体（２１．４ｇ）を得た。これを５５℃加熱下ヘキサン６０ｍｌに溶解させ、シリカゲル（１６ｇ）を詰めた５５℃加温カラムを通過させ、ヘキサン６０ｍｌで追い出した。溶液を減圧下濃縮し、得られた無色残渣（１４．１ｇ）に、室温下、ヘキサン３０ｍｌを加えたところ、無色結晶が析出した。これを−２０℃まで冷却し、２時間静置した。結晶を濾取し、減圧下加熱乾燥した後、アセトンとメタノールの混合溶媒で再結晶を２回実施した。得られた結晶を減圧下加熱乾燥したところ、無色結晶の化合物（ｉｈ‐３−３０２）（３．１０ｇ）を得た。
ＧＣ−ＭＳ：ｍ／ｚ ３５６．２０ [Ｍ^＋]
相転移：Ｃｒｙ ９０ Ｎｍ １０５ Ｉｓｏ
実施例６１と同様の反応、および必要に応じて公知の方法に準拠した方法を用いて、実施例６２（化合物（ｉｈ‐１−３２））〜実施例７９（化合物（ｉｈ‐３３−Ｖ０２））を合成した。

（実施例８０）化合物（ｉｊ‐３−３３）の製造

（化合物（ｊ３−１）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロートを備えた反応容器に、ジイソプロピルアミン１２．８６ｇおよびＴＨＦ１２０ｍｌを加え、−３０℃に冷却した。１．６Ｍブチルリチウム／ヘキサン溶液７３ｍｌを−２０℃にて滴下し、３０分攪拌し、次にあらかじめＴＨＦ１００ｍｌに溶解しておいた化合物（ａ３−３）２０．０６ｇを−２０度にて滴下した。この反応混合物に対し、あらかじめＴＨＦ２０ｍｌに溶解しておいた３ＣＯ１７．８ｇを−１０℃にて滴下し、１時間半攪拌し、さらに０℃に昇温した後１時間攪拌した。この反応混合物に対し、１０％塩酸９０ｍｌを加えて攪拌後、有機層を分けとり、さらに水層をトルエン５０ｍｌで抽出した。得られた有機層を合わせた後、飽和重曹水１００ｍｌ、飽和食塩水１００ｍｌで洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、化合物（ｊ３−１）を含む混合物３５．０２ｇを得た。
（化合物（ｉｊ‐３−３３）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、冷却管を備えた反応容器に、化合物（ｊ３−１）を含む混合物（３５ｇ）、ｐ−トルエンスルホン酸（０．８５ｇ）およびトルエン１２０ｍｌを加え、攪拌しながら３時間加熱還流させた。反応終了後、この反応混合液を、飽和重曹水６０ｍｌ、飽和食塩水６０ｍｌで洗浄した後、シリカゲル（２０ｇ）を詰めたカラムを通過させた。得られた溶液を濃縮し、アセトン／メタノール混合溶媒を用いて再結晶を行い、化合物（ｉｊ‐３−３３）（１１．１８ｇ）を得た。
ＧＣ−ＭＳ：ｍ／ｚ ３５８．２５ [Ｍ^＋]
相転移：Ｃｒｙ ５８．５ Ｎ １２１．２ Ｉｓｏ
実施例８０と同様の反応、および必要に応じて公知の方法に準拠した方法を用いて、実施例８１（化合物（ｉｊ‐１−２１））〜実施例９８（化合物（ｉｃ‐３−Ｖ２））を合成した。

（実施例９９）化合物（ｉｄ‐４１−３０２）の製造

（化合物（ｄ４−２）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロートを備えた反応容器に、マグネシウム（２．５５ｇ）およびＴＨＦ７ｍｌを加え、ジブロモエタン数滴を加えて加熱した。マグネシウムから気泡が発生したことを確認し、あらかじめＴＨＦ３０ｍｌに溶解しておいた３−フルオロブロモベンゼン １７．５ｇ（０．１ｍｏｌ）を滴下し、６０℃で１時間半加熱攪拌した。この反応混合物を０℃に冷却し、あらかじめＴＨＦ３０ｍｌに溶解しておいた３ＣＯ（１５．４ｇ）を滴下し、室温で３時間攪拌した。この反応混合物に対して１０％塩酸７７ｍｌを加えて攪拌後、有機層を分けとり、さらに水層をトルエン３０ｍｌで抽出した。得られた有機層を合わせた後、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、化合物（ｄ４−２）のトルエン溶液（３７．８３ｇ）を得た。
（化合物（ｄ４−３）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、ディーン・シュタークトラップを備えた反応容器に、得られた化合物（ｄ４−２）のトルエン溶液（３７．８３ｇ）、パラトルエンスルホン酸・１水和物（０．７６ｇ）およびトルエン５０ｍｌを加え、攪拌しながら７時間加熱還流した。室温まで放冷後、この反応混合物に水３０ｍｌとヘキサン３０ｍｌを加えた後、有機層を分離し、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液、飽和食塩水で洗浄した後、溶剤を減圧留去した。ヘキサン６５ｍｌを加えて溶解した溶液を、シリカゲル（３５ｇ）を詰めたカラムを通過させ、さらにヘキサン２２０ｍｌを通過させた。得られたカラム通過溶液を濃縮し、化合物（ｄ４−３）（１８．２４ｇ）を得た。
（化合物（ｄ４−４）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計を備えた反応容器に、得られた化合物（ｄ４−３）（１０．９２ｇ）、テトラヒドロフラン１００ｍｌを加え、攪拌しながら−７０℃に冷却した。−７２℃〜−６８℃に温度を保ちながら、１Mのsec−ブチルリチウムのシクロヘキサン、ヘキサン混合溶液６０ｍｌを滴下した後、さらに３０分攪拌冷却を続けた。−６８℃〜−６５℃に温度を保ちながら、ホウ酸トリメチル７．７９ｇとテトラヒドロフラン７０ｍｌの混合溶液を滴下した後、さらに３０分攪拌冷却を続けた。冷却を止め溶液温度を室温に戻した後、氷冷しながら、１０％塩酸６９ｍｌを滴下した。有機層を分けとり、さらに水層を酢酸エチル１５０ｍｌで抽出した。得られた有機層を合わせた後、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、化合物（ｄ４−４）（１２．７ｇ）を得た。
（化合物（ｄ４−５）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計を備えた反応容器に、１−ブロモ−２，３−ジフルオロベンゼン（１．９３ｇ）、得られた化合物（ｄ４−４）（２．６２ｇ）、ビス（ジターシャリーブチル（４−ジメチルアミノフェニル）フォスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）錯体（０．０７１ｇ）、エタノール３０ｍｌおよび２M炭酸カリウム水溶液７．５ｍｌを加え、攪拌しながら６０℃で２時間加熱した。加熱を止め溶液温度を室温に戻した後、水４０ｍｌを加えた。トルエン２０ｍｌで抽出し、有機層を分けとり、さらに水層をトルエン２０ｍｌで再抽出した。得られた有機層を合わせた後、水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。溶剤を減圧留去後、ヘキサン２５ｍｌを加えて溶解した溶液を、シリカゲル（５ｇ）を詰めたカラムを通過させ、さらにヘキサン５０ｍｌを通過させた。得られたカラム通過溶液を濃縮し、化合物（ｄ４−５）（２．７８ｇ）を得た。
（化合物（ｄ４−６）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計を備えた反応容器に、得られた化合物（ｄ４−５）（２．６４ｇ）、テトラヒドロフラン２６ｍｌを加え、攪拌しながら−７０℃に冷却した。−７２℃〜−６８℃に温度を保ちながら、１Mのsec−ブチルリチウムのシクロヘキサン、ヘキサン混合溶液９．６ｍｌを滴下した後、さらに３０分攪拌冷却を続けた。−６８℃〜−６５℃に温度を保ちながら、ホウ酸トリメチル １．２５ｇとテトラヒドロフラン１１ｍｌの混合溶液を滴下した後、さらに３０分攪拌冷却を続けた。冷却を止め溶液温度を室温に戻した後、氷冷しながら、１０％塩酸 １１．１ｍｌを滴下した。有機層を分けとり、飽和食塩水で洗浄し、得られた溶液を室温で攪拌しながら、１５％過酸化水素水を滴下した。さらに室温で５時間攪拌した後、氷冷攪拌しながら、１０％亜硫酸ナトリウム水溶液７．２６ｇを滴下した。ヨウ化カリウムでんぷん紙で過酸化水素が検出されないことを確認後、水２０ｍｌを加え、有機層を分けとり、さらに水層をトルエン５ｍｌとテトラヒドロフラン５ｍｌの混合溶液で抽出した。得られた有機層を合わせた後、水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、化合物（ｄ４−６）（２．７６ｇ）を得た。
（化合物（ｉｄ‐４１−３０２）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計を備えた反応容器に、得られた化合物（ｄ４−６）（１．７３ｇ）、アセトン６ｍｌ、ヨウ化エチル０．９４ｇ、無水炭酸カリウム１．３８ｇを加え、攪拌しながら５時間加熱還流した。加熱を止め溶液温度を室温に戻した後、水を加え、析出した淡黄色結晶をろ取し、水洗した。含水ウェットケーキを風乾後、ヘキサン５ｍｌとトルエン５ｍｌの混合溶剤を加えて溶解した溶液を、シリカゲル（５ｇ）を詰めたカラムを通過させ、さらにヘキサン１５ｍｌとトルエン１５ｍｌとの混合溶剤を通過させた。得られたカラム通過溶液を濃縮し、化合物６（１．７１ｇ）を得た。ヘキサンを溶剤として再結晶後、アセトンとメタノールの１：１混合溶剤から再結晶した。さらに、ヘキサンと酢酸エチルの１０：１混合溶剤から再結晶して化合物（ｉｄ‐４１−３０２）（１．１５ｇ）を得た。
ＧＣ−ＭＳ：ｍ／ｚ ３７４．１９ [Ｍ^＋]
相転移：Ｃｒｙ ７０．８ Ｎ １３０．５ Ｉｓｏ
¹H-NMR (400MHz, CDCl₃)δ: 0.87-0.95(t,3H), 1.27-1.44(m,8H), 1.49(t, 3H), 1.60(m,1H), 1.80-1.94(m,2H), 2.32-2.45(m,3H), 4.16(q,2H), 6.21(s,1H), 6.77-6.81(t,1H), 7.03-7.07(t,1H), 7.17(d,1H), 7.22-7.30(d+d,2H)
（実施例１００）化合物（ｉｄ‐０４−１０２）の製造
実施例９９と同様の反応、および必要に応じて公知の方法に準拠した方法を用いて、実施例１００（化合物（ｉｄ‐０４−１０２））を合成した。
転移温度 (℃): Cr 124 N 139 Iso
¹H NMR (CDCl₃, TMS内部標準): δ (ppm) = 7.45 (4H, s), 7.09 (1H, dt, J₁ = 8.76 Hz, J₂ = 2.10 Hz), 6.79 (1H, dt, J₁ = 8.86 Hz, J₂ = 1.12 Hz), 6.16 (1H, s), 4.15 (2H, q, J = 7.00 Hz), 2.48 - 2.46 (2H, m), 2.33 - 2.27 (1H, m), 1.90 - 1.70 (3H, m), 1.47 (3H, t, J = 7.00 Hz), 1.41 - 1.33 (1H, m), 1.02 (3H, d, J = 6.32 Hz)
（実施例１０１）化合物（ｉｄ‐０４−２０２）の製造

（化合物（ｄ４−９）の合成）窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロート、冷却管を備えた反応容器に、マグネシウム４．１９ｇおよび、ＴＨＦ１０ｍｌを加え室温下で攪拌した。ここへ、化合物（ｄ４−７）３０ｇをＴＨＦ９０ｍｌに溶解した溶液を少しずつ滴下し、室温で１時間攪拌した。次に、化合物（ｄ４−８）２２．７ｇをＴＨＦ７０ｍｌに溶解した溶液を少しずつ滴下し、室温で３時間攪拌した。この反応混合物を０℃に冷却後、１０％塩酸水溶液を１５０ｍｌ加えた。ここへ、トルエン５０ｍｌを加え、有機層を分取した。得られた有機層を飽和炭酸水素ナトリウム溶液１００ｍｌおよび飽和食塩水１００ｍｌで洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、化合物（ｄ４−９）の粗体３８．０９ｇを得た。

（化合物（ｄ４−１０）の合成）窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、冷却管を備えた反応容器に、上記のとおり得られた化合物（ｄ４−９）の粗体１９．０ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物１．４９ｇおよびトルエン１８０ｍｌを加え、１１０℃還流下で１時間撹拌した。反応混合物を室温に冷却後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液１００ｍｌを加え、有機層を分離した。得られた有機層を、飽和食塩水１００ｍｌで洗浄した。得られた溶液を濃縮した。その後、カラムクロマトグラフィーで精製、濃縮し、化合物（ｄ４−１０）２１．８ｇを得た。
（化合物（ｉｄ−０４−２０２）の合成）窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロート、冷却管を備えた反応容器に、上記のとおり得られた化合物（ｄ４−１０）６．２ｇ、りん酸三カリウム１１．９３ｇ、Ｎｉ（ＰＰｈ_３）_２（１−ｎａｐｈ）Ｃｌ０．６３ｇ、トリフェニルホスフィン０．６６ｇ、トルエン３０ｍｌおよび水１８ｍｌを加え、８０℃に加温した。あらかじめＴＨＦ２０ｍｌに溶解しておいた化合物（ｄ４−１１）６．２ｇを滴下し、７１℃で１時間半攪拌した。反応混合物を室温に冷却後、有機層を分けとり、さらに水層をトルエン３０ｍｌで抽出した。得られた有機層を合わせた後、水３０ｍｌおよび飽和食塩水３０ｍｌで洗浄した。得られた溶液を濃縮し、化合物（ｉｄ−０４−２０２）の粗体１５．０ｇを得た。カラムクロマトグラフィーで精製、濃縮し、化合物（ｉｄ−０４−２０２）の粗体１３．０ｇを得た。アセトン溶媒を用いて再結晶を２回繰り返し、ヘキサン／トルエン混合溶媒を用いて再結晶を３回行い、乾燥することで化合物（ｉｄ−０４−２０２）４．６ｇを得た。
転移温度（℃）：Ｃｒ １０５ Ｎ １４２ Ｉ
（実施例１０２）化合物（ｉｄ‐０４−３０２）の製造
実施例１０１と同様の反応、および必要に応じて公知の方法に準拠した方法を用いて、実施例１０２（化合物（ｉｄ‐０４−３０２））を合成した。
転移温度 (℃): Cr 122 N 177 Iso
（実施例１０３）化合物（ｉｄ‐０４−４０２）の製造

（化合物（ｄ４−１３）の合成）窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロート、冷却管を備えた反応容器に、４−クロロブロモベンゼン１０．０ｇおよびＴＨＦ４０ｍｌを加え、−５０℃に冷却した。１．６Ｍブチルリチウム／ヘキサン溶液３５．９ｍｌを−５０℃にて滴下し、２時間攪拌し、次に化合物（ｄ４−１２）９．３ｇを−４０℃にて滴下し、１時間攪拌した。この反応混合物を０℃に昇温した後、水５ｍｌおよび１０％塩酸４０ｍｌを順に加えて攪拌後、有機層を分けとり、さらに水層をヘキサン１０ｍｌで抽出した。得られた有機層を合わせた後、水４０ｍｌと飽和食塩水４０ｍｌで洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、化合物（ｄ４−１３）の粗体１５．７ｇを得た。

（化合物（ｄ４−１４）の合成）窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、冷却管を備えた反応容器に、上記のとおり得られた化合物（ｄ４−１３）の粗体１５．７ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物１．０ｇおよびトルエン６０ｍｌを加え、１１０℃還流下で１時間撹拌した。反応混合物を室温に冷却後、水３０ｍｌを加え有機層を分離した。得られた有機層を、飽和食塩水３０ｍｌで２回洗浄した。得られた溶液を濃縮し、化合物（ｄ４−１４）の粗体２０．０ｇを得た。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル２０ｇ）に対し、あらかじめヘキサン４０ｍｌに溶解しておいた粗体を通し、さらにヘキサン１２０ｍｌで溶出させた。得られた溶液を濃縮・乾燥し、化合物（ｄ４−１４）６．７ｇを得た。
（化合物（ｉｄ‐０４−４０２）の合成）窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロート、冷却管を備えた反応容器に、上記のとおり得られた化合物（ｄ４−１４）６．７ｇ、りん酸三カリウム２３．０ｇ、Ｎｉ（ＰＰｈ_３）_２（１−ｎａｐｈ）Ｃｌ０．６１ｇ、トリフェニルホスフィン０．６４ｇ、トルエン３４ｍｌおよび水２０ｍｌを加え、８０℃に加温した。あらかじめＴＨＦ１８ｍｌに溶解しておいた化合物（ｄ４−１５）５．８ｇを滴下し、７６℃で１時間半攪拌した。反応混合物を室温に冷却後、有機層を分けとり、さらに水層をトルエン３０ｍｌで抽出した。得られた有機層を合わせた後、水３０ｍｌおよび飽和食塩水３０ｍｌで洗浄した。得られた溶液を濃縮し、化合物（ｉｄ‐０４−４０２）の粗体１５．０ｇを得た。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル１５ｇ）に対し、あらかじめヘキサン／トルエン（体積比２／１）４５ｍｌに溶解しておいた粗体を通し、さらにヘキサン／トルエン（体積比２／１）９０ｍｌで溶出させた。得られた溶液を濃縮し、化合物（ｉｄ‐０４−４０２）の粗体１０．６ｇを得た。アセトン溶媒を用いて再結晶を２回繰り返し、ヘキサン／トルエン混合溶媒を用いて再結晶を１回行い、乾燥することで化合物（ｉｄ‐０４−４０２）５．４ｇを得た。
転移温度（℃）：Ｃｒ １０６ Ｎ １７３ Ｉ
（実施例１０４）化合物（ｉｄ‐０４−３０３）の製造

（化合物（ｄ４−１７）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計を備えた反応容器に、ジイソプロピルアミン３０．４ｇ（０．３ｍｏｌ）およびＴＨＦ１５０ｍｌを加え、−１０℃に冷却した。１．６Nのブチルリチウムのヘキサン溶液１７５ｍｌ（０．２８ｍｏｌ）を同温度で滴下後、さらに１時間攪拌した。１−プロポキシ−２，３−ジフロロベンゼン３４．４ｇ（０．２mol）、ホウ酸トリイソプロピル ５６．４ｇ（０．３ｍｏｌ）及びＴＨＦ１３０ｍｌの混合溶液を同温度で滴下後、さらに１時間同温度で攪拌した。０℃で１０％塩酸２５０ｍｌを滴下後、ＴＨＦ１３０ｍｌ及びトルエン１３０ｍｌの混合溶液で抽出した。飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥させた。得られた溶液を濃縮し、化合物（ｄ４−１７）４３．０ｇを得た。
（化合物（ｄ４−１８）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、冷却管、温度計を備えた反応容器に、１−ブロモ−４−ヨードベンゼン７．９ｇ（０．０５ｍｏｌ）、パラジウム（0）トリフェニルホスフィンテトラキス錯体（１．１６ｇ）、トルエン２０ｍｌおよび２M炭酸カリウム水溶液２８ｍｌを加え、攪拌しながら７５℃に加熱した。同温度で化合物（ｄ４−１７）１１．３４ｇ（０．０５２５ｍｏｌ）とエタノール５７ｍｌの混合溶液を滴下後、さらに同温度で６時間攪拌した。室温まで放冷後、この反応混合物に水１６４ｍｌとトルエン８２ｍｌを加えて抽出後、有機層を分離し、水層をトルエン８２ｍｌで再抽出した有機層と合わせた後、水、飽和食塩水で洗浄した後、溶剤を減圧留去した。ヘキサン１３０ｍｌを加えて溶解した溶液を、シリカ（６５ｇ）を詰めたカラムを通過させ、さらにヘキサン１．６Ｌを通過させた。得られたカラム通過溶液を濃縮し、化合物（ｄ４−１８）（１１．８ｇ）を得た。
（化合物（ｄ４−１９）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、冷却管、温度計を備えた反応容器に、マグネシウム（０．９２ｇ）およびＴＨＦ２．８ｍｌを加え、ジブロモエタン数滴を加えて加熱した。マグネシウムから気泡が発生したことを確認し、あらかじめＴＨＦ１９ｍｌに溶解しておいた化合物（ｄ４−１８）１１．８ｇを滴下し、６０℃で１時間加熱攪拌した。この反応混合物に、あらかじめＴＨＦ１１ｍｌに溶解しておいた４−プロピルシクロヘキサノン（５．６ｇ）を滴下し、６０℃で２時間攪拌した。室温まで放冷後、この反応混合物に対して１０％塩酸２８ｍｌを加えて攪拌後、有機層を分けとり、さらに水層をトルエン３０ｍｌで抽出した。得られた有機層を合わせた後、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、化合物（ｄ４−１９）の粗生成物１４ｇを得た。
（化合物（ｉｄ‐０４−３０３）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、ディーン・シュタークトラップを備えた反応容器に、得られた化合物（ｄ４−１９）の粗生成物（１４．０ｇ）、パラトルエンスルホン酸・１水和物（０．２７ｇ）およびトルエン４０ｍｌを加え、攪拌しながら３時間加熱還流した。室温まで放冷後、この反応混合物にヘキサン２０ｍｌと水２０ｍｌを加えた後、有機層を分離し、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液、飽和食塩水で洗浄した後、溶剤を減圧留去した。ヘキサン５０ｍｌとトルエン２５ｍｌを加えて溶解した溶液を、シリカ（７５ｇ）を詰めたカラムを通過させ、さらにヘキサン２６７ｍｌとトルエン１３３ｍｌの混合溶液を通過させた。得られたカラム通過溶液を濃縮し、化合物（ｉｄ‐０４−３０３）（１３．１ｇ）を得た。ヘキサンから２度再結晶後、アセトン、メタノール混合溶媒から２度再結晶して精製した。
転移温度（℃）：Cr 117 N 164 Iso
実施例９９〜１０４と同様の反応、および必要に応じて公知の方法に準拠した方法を用いて、実施例１０５（化合物（ｉｄ‐０４−２２））〜実施例２６２（化合物（ｉｄ‐１４−１Ｖ０２））を合成した。

（実施例１６３）化合物（ｉｄ‐２４−３０２）の製造

（化合物（ｄ２４−３）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロート、冷却管を備えた反応容器に、化合物（ｄ２４−１）１５．９ｇ、炭酸カリウム３１．１ｇ、ＰｄＣｌ_２（ａｍｐｈｏｓ）_２０．４ｇ、ＴＨＦ１２０ｍｌおよび水１１３ｍｌを加え、６０℃に加温した。あらかじめＴＨＦ７５ｍｌに溶解しておいた化合物（ｄ２４−２）２５ｇを滴下し、６０℃で１時間攪拌した。反応混合物を室温に冷却後、トルエン１００ｍｌ、ヘキサン１００ｍｌを加え、有機層を分取した。得られた有機層を飽和食塩水１００ｍｌで洗浄し、濃縮することで、化合物（ｄ２４−３）の粗体２８．０ｇを得た。その後、カラムクロマトグラフィーで精製、濃縮し、化合物（ｄ２４−３）の２６．１ｇを得た。
（化合物（ｄ２４−５）の合成）窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロート、冷却管を備えた反応容器に、化合物（ｄ２４−３）９ｇ、ＴＨＦ９０ｍｌを加え、−７０℃に冷却した。ここへ、ｓ−ＢｕＬｉ８８ｍｌ（０．５３Ｍ）を少しづつ加え、−７０℃で、１時間攪拌した。次に、化合物（ｄ２４−４）５．２５ｇをＴＨＦ１０ｍｌに溶解した溶液を少しずつ滴下し、−７０℃で１時間攪拌した。その後、０℃まで昇温し、１０％塩酸水溶液を６０ｍｌ、トルエン１００ｍｌを加え、有機層を分取した。得られた有機層を水１００ｍｌ、飽和食塩水１００ｍｌで洗浄し、濃縮した。その後、カラムクロマトグラフィーで精製、濃縮し、化合物（ｄ２４−５）１４．０ｇを得た。
（化合物（ｉｄ‐２４−３０２）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、冷却管を備えた反応容器に、上記のとおり得られた化合物（ｄ２４−５）の１４．０ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物０．６８ｇおよびトルエン３０ｍｌを加え、１１０℃還流下で１時間撹拌した。反応混合物を室温に冷却後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液３０ｍｌを加え、有機層を分離した。得られた有機層を、飽和食塩水３０ｍｌで洗浄した。得られた溶液を濃縮した。その後、カラムクロマトグラフィーで精製、濃縮し、化合物（ｉｄ‐２４−３０２）の租体１３．１ｇを得た。アセトン／メタノール混合溶媒を用いて再結晶を５回行い、乾燥することで化合物（ｉｄ‐２４−３０２）５．７ｇを得た。
転移温度（℃）：Ｃｒ ９３ Ｎ １４２ Ｉ
（実施例１６４）化合物（ｉｄ‐２４−２０２）の製造

（化合物（ｄ２４−８）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロート、冷却管を備えた反応容器に、化合物（ｄ２４−３）６．５ｇ、ＴＨＦ６５ｍｌを加え、−７０℃に冷却した。ここへ、ｓ−ＢｕＬｉ３１．３ｍｌ（１．０７Ｍ）を少しずつ加え、−７０℃で、１時間攪拌した。次に、化合物（ｄ２４−７）３．５ｇをＴＨＦ１０ｍｌに溶解した溶液を少しずつ滴下し、−７０℃で１時間攪拌した。その後、０℃まで昇温し、１０％塩酸水溶液を５０ｍｌ、トルエン１００ｍｌを加え、有機層を分取した。得られた有機層を水１００ｍｌ、飽和食塩水１００ｍｌで洗浄し、濃縮した。その後、カラムクロマトグラフィーで精製、濃縮し、化合物（ｄ２４−８）１４．６ｇを得た。
（化合物（ｉｄ‐２４−２０２）の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、冷却管を備えた反応容器に、上記のとおり得られた化合物（ｄ２４−８）の１４．６ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物０．４９ｇおよびトルエン３０ｍｌを加え、１１０℃還流下で１時間撹拌した。反応混合物を室温に冷却後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液３０ｍｌを加え、有機層を分離した。得られた有機層を、飽和食塩水３０ｍｌで洗浄した。得られた溶液を濃縮した。その後、カラムクロマトグラフィーで精製、濃縮し、化合物（ｉｄ‐２４−２０２）の租体１１．９ｇを得た。アセトン／メタノール混合溶媒を用いて再結晶を２回行い、乾燥することで化合物（ｉｄ‐２４−２０２）２．５ｇを得た。
転移温度（℃）：Ｃｒ ７６ Ｎ １１３ Ｉ
実施例９９〜１０４、実施例１６３〜１６４と同様の反応、および必要に応じて公知の方法に準拠した方法を用いて、実施例１６５（化合物（ｉｄ‐２４−２２））〜実施例２１６（化合物（ｉｆ‐３２−Ｖ０２））を合成した。

（実施例２１７）液晶組成物の調製−１
以下の組成からなるホスト液晶組成物（Ｈ）

を調製した。ここで、（Ｈ）の物性値は以下の通りである。

ネマチック相上限温度（Ｔ_ｎ−ｉ）：１０３．４℃
屈折率異方性（Δｎ）：０．０９９
誘電率異方性（Δε）：０．００
粘度(η²⁰)：１５．４
この母体液晶（Ｈ）８０％と、実施例２１で得られた化合物（ｉａ‐３−３０２）２０％からなる液晶組成物（Ｍ−Ａ）を調製した。この組成物の物性値は以下の通りである。

Ｔ_ｎ−ｉ：８０．４℃
Δｎ：０．１０２
Δε：−１．１４
η²⁰：１４．４
調製した液晶組成物（Ｍ−Ａ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。

（比較例１）液晶組成物の調製−２
母体液晶（Ｈ）８０％と、化合物（Ｒ−１）２０％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｂ）を調製した。

この組成物の物性値は以下の通りである。

Ｔ_ｎ−ｉ：８０．９℃
Δｎ：０．０９６
Δε：−１．０９
η²⁰：１５．２
調製した液晶組成物（Ｍ−Ｂ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。

実施例２１７と比較例１を比較する事により、本願化合物はＴ_ｎ→ｉをおおむね維持したまま、Δｎを上昇させ、Δεを減少させて負の値とさせ、さらに粘度を低下させる事が判明した。

（実施例２１８）液晶組成物の調製−３
母体液晶（Ｈ）８０％と実施例３１で得られた化合物（ｉｂ‐３−２０２）２０％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｃ）を調製した。この組成物の物性値は以下の通りである。

Ｔ_ｎ−ｉ：１１１．８℃
Δｎ：０．１０６
Δε：−１．０６
η²⁰：２２．３
調製した液晶組成物（Ｍ−Ｃ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。

（比較例２）液晶組成物の調製−４
母体液晶（Ｈ）８０％と、化合物（Ｒ−２）２０％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｃ）を調製した。

この組成物の物性値は以下の通りである。

Ｔ_ｎ−ｉ：１１１．１℃
Δｎ：０．１００
Δε：−０．９７
η²⁰：２１．８
調製した液晶組成物（Ｍ−Ｃ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。

実施例２１８と比較例２を比較する事により、本願化合物はＴ_ｎ→ｉを上昇させ、Δｎを上昇させ、Δεを減少させて負の値とさせる事が判明した。

（実施例２１９）液晶組成物の調製−５
母体液晶（Ｈ）８０％と実施例３２で得られた化合物（ｉｂ‐３−３０２）２０％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｄ）を調製した。この組成物の物性値は以下の通りである。

Ｔ_ｎ−ｉ：１１７．３℃
Δｎ：０．１０７
Δε：−１．０２
η²⁰：２０．９
調製した液晶組成物（Ｍ−Ｄ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。

（比較例３）液晶組成物の調製−６
母体液晶（Ｈ）８０％と、化合物（Ｒ−３）２０％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｅ）を調製した。

この組成物の物性値は以下の通りである。

Ｔ_ｎ−ｉ：１１６．９℃
Δｎ：０．１０２
Δε：−０．９７
η²⁰：２０．９
調製した液晶組成物（Ｍ−Ｅ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。

実施例２１９と比較例３を比較する事により、本願化合物はＴ_ｎ→ｉをおおむね維持したまま、Δｎを上昇させ、Δεを減少させて負の値とさせる事が判明した。

（実施例２２０）液晶組成物の調製−７
母体液晶（Ｈ）８０％と実施例３３で得られた化合物（ｉｂ‐３−４０２）２０％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｆ）を調製した。この組成物の物性値は以下の通りである。

Ｔ_ｎ−ｉ：１１６．４℃
Δｎ：０．１１０
Δε：−０．９５
η²⁰：２０．６
調製した液晶組成物（Ｍ−Ｆ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。

（比較例４）液晶組成物の調製−８
母体液晶（Ｈ）８０％と、化合物（Ｒ−４）２０％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｇ）を調製した。

この組成物の物性値は以下の通りである。

Ｔ_ｎ−ｉ：１１６．１℃
Δｎ：０．１０１
Δε：−０．８８
η²⁰：２１．５
調製した液晶組成物（Ｍ−Ｇ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。

実施例２２０と比較例４を比較する事により、本願化合物はＴ_ｎ→ｉを上昇させ、Δｎを上昇させ、Δεを減少させて負の値とさせ、粘度を低下させる事が判明した。

（実施例２２１）液晶組成物の調製−９
母体液晶（Ｈ）８０％と実施例３４で得られた化合物（ｉｂ‐３−３０３）２０％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｈ）を調製した。この組成物の物性値は以下の通りである。

Ｔ_ｎ−ｉ：１１４．７℃
Δｎ：０．１０５
Δε：−０．９５
η²⁰：２０．９
調製した液晶組成物（Ｍ−Ｈ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。

（比較例５）液晶組成物の調製−１０
母体液晶（Ｈ）８０％と、化合物（Ｒ−５）２０％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｉ）を調製した。

この組成物の物性値は以下の通りである。

Ｔ_ｎ−ｉ：１１３．７℃
Δｎ：０．１００
Δε：−０．８７
η²⁰：２１．０
調製した液晶組成物（Ｍ−Ｉ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。

実施例２２１と比較例５を比較する事により、本願化合物はＴ_ｎ→ｉを上昇させ、Δｎを上昇させ、Δεを減少させて負の値とさせる事が判明した。

（実施例２２２）液晶組成物の調製−１１
母体液晶（Ｈ）８０％と実施例９９で得られた化合物（ｉｄ‐４１−３０２）２０％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｊ）を調製した。この組成物の物性値は以下の通りである。

Ｔ_ｎ−ｉ：１２６．０℃
Δｎ：０．２０６
Δε：−５．１９
η²⁰：３７．９
調製した液晶組成物（Ｍ−Ｊ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。

（実施例２２３）液晶組成物の調製−１２
母体液晶（Ｈ）８０％と実施例１０１で得られた化合物（ｉｄ‐０４−２０２）２０％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｌ）を調製した。この組成物の物性値は以下の通りである。

Ｔ_ｎ−ｉ：１３２．４℃
Δｎ：０．１７９
Δε：−４．９５
η²⁰：３９．０
調製した液晶組成物（Ｍ−Ｌ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。

（比較例６）液晶組成物の調製−１３
母体液晶（Ｈ）８０％と、化合物（Ｒ−６）２０％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｋ）を調製した。

この組成物の物性値は以下の通りである。

Ｔ_ｎ−ｉ：１３１．７℃
Δｎ：０．１７３
Δε：−４．８５
η²⁰：３９．１
調製した液晶組成物（Ｍ−Ｋ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。

実施例２２２および実施例２２３と比較例６を比較する事により、本願化合物はＴ_ｎ→ｉを上昇させ、Δｎを上昇させ、Δεを減少させて負の値とさせ、粘度を低下させる事が判明した。

（実施例２２４）液晶組成物の調製−１４
母体液晶（Ｈ）８０％と実施例１０２で得られた化合物（ｉｄ‐０４−３０２）２０％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｏ）を調製した。この組成物の物性値は以下の通りである。

Ｔ_ｎ−ｉ：１６２．７℃
Δｎ：０．１８７
Δε：−４．５１
η²⁰：３７．０
調製した液晶組成物（Ｍ−Ｏ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。

（実施例２２５）液晶組成物の調製−１５
母体液晶（Ｈ）８０％と実施例１０４で得られた化合物（ｉｄ‐０４−３０３）２０％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｐ）を調製した。この組成物の物性値は以下の通りである。

Ｔ_ｎ−ｉ：１４９．０℃
Δｎ：０．１７１
Δε：−４．５４
η²⁰：３９．６
調製した液晶組成物（Ｍ−Ｐ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。

（実施例２２６）液晶組成物の調製−１６
母体液晶（Ｈ）８０％と実施例１０３で得られた化合物（ｉｄ‐０４−４０２）２０％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｑ）を調製した。この組成物の物性値は以下の通りである。

Ｔ_ｎ−ｉ：１５４．８℃
Δｎ：０．１７５
Δε：−４．７１
η²⁰：３９．０
調製した液晶組成物（Ｍ−Ｑ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。
（比較例７）液晶組成物の調製−１７
母体液晶（Ｈ）８０％と、化合物（Ｒ−７）２０％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｎ）を調製した。

この組成物の物性値は以下の通りである。

Ｔ_ｎ−ｉ：１４８．９℃
Δｎ：０．１６６
Δε：−４．４６
η²⁰：３９．８
調製した液晶組成物（Ｍ−Ｎ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。

実施例２２４−２２６と比較例７を比較する事により、本願化合物はＴ_ｎ→ｉを上昇させ、Δｎを上昇させ、Δεを減少させて負の値とさせ、粘度を低下させる事が判明した。

Claims (6)

1. 一般式（ｉ）
   

   

   （式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は各々独立して、炭素原子数１から１５のアルキル基を表すが、アルキル基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−又は環構造により置き換えられても良く、
   ｎ^ｉ１は、１、２又は３を表し、
   Ｘ^ｉ１及びＸ^ｉ２は各々独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を表すが、ｎ^ｉ１が２又は３である場合に、複数存在するＸ^ｉ１は同一であっても異なっていてもよく、複数存在するＸ^ｉ２は同一であっても異なっていてもよい。）
2. 一般式（ｉ）において、ｎ^ｉ１が１であり、Ｘ^ｉ１及びＸ^ｉ２が各々独立して、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基である請求項１に記載の化合物。
3. 一般式（ｉ）において、ｎ^ｉ１が２であり、少なくとも一方のベンゼン上に存在するＸ^ｉ１及びＸ^ｉ２が各々独立して、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基である請求項１に記載の化合物。
4. 請求項１から３のいずれか一項に記載の化合物を一種又は二種以上含有する組成物。
5. 室温において液晶相を有する請求項４記載の組成物。
6. 請求項４又は５記載の組成物を使用した表示素子。