JPWO2016159044A1 - フィルムコンデンサ用ポリプロピレン、フィルムコンデンサ用二軸延伸フィルム、フィルムコンデンサ、およびこれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

高温、高周波数電流と言う過酷な環境下で使用されても十分な絶縁破壊電圧を有し、熱収縮率が小さい二軸延伸フィルムに好適な、延伸性および延伸時の均一性に優れるフィルムコンデンサ用ポリプロピレン（Ｆ）、および該二軸延伸フィルムを含むフィルムコンデンサの提供を目的としている。本発明のポリプロピレン（Ｆ）は、（１）ＭＦＲ（ＪＩＳ Ｋ ７２１０、２３０℃、２.１６ｋｇ荷重）が、１〜１０（ｇ／１０分）の範囲にあり、（２）ｍｍｍｍ分率が、９３％以上であり、（３）13Ｃ−ＮＭＲを用いて測定される＜２，１＞エリトロ部位欠損量が、０．１ｍｏｌ％未満であり、（４）空気中で完全に燃焼させて得られる灰分量が、５０ｐｐｍ以下であり、（５）イオンクロマトグラフ法により測定した塩素量が、５ｐｐｍ以下であり、（６）ＧＰＣ法で測定したＭｗ／Ｍｎが６．５〜１２であるプロピレン単独重合体と、融点が２９０℃以下であるα晶核剤を含んでなる。

Description

本発明は、フィルムコンデンサ用ポリプロピレン、フィルムコンデンサ用二軸延伸フィルム、フィルムコンデンサ、およびこれらの製造方法に関する。詳しくは、絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）が高く、熱収縮率が小さいフィルムコンデンサ用二軸延伸フィルムに好適な、延伸性および延伸時の均一性に優れるフィルムコンデンサ用ポリプロピレン、および該フィルムコンデンサ用二軸延伸フィルムを含むフィルムコンデンサに関する。

ポリプロピレンは、優れた延伸特性と絶縁性、耐電圧性を有することから、フィルムコンデンサ用のフィルムとして広く使用されている。フィルムコンデンサは、主に自動車分野や家電分野などで需要が高まっており、さらなる小型化、高信頼性、コストダウンの要求があるため、用いられるフィルムに対して、さらなる絶縁破壊電圧の向上が要望されている。なお、ＢＤＶは、通常１０％程度の差があると、有意差として認められる。

フィルムコンデンサ用のフィルムとしては、たとえば、特許文献１には、高立体規則性ポリプロピレンを主体とした組成物からなるフィルムが開示されている。

しかしながら、ポリプロピレンの立体規則性を向上させるだけでは、十分な絶縁破壊電圧、特に高温、高周波数電流と言う過酷な環境において高い絶縁破壊電圧を有するフィルムを得ることはできず、市場の要求を満足するコンデンサを得ることはできていない。近年では、特に電力変換機器を中心にスイッチング素子の高周波化や高温駆動化などによる高効率化の実用化が進められており、高信頼性、小型化、コストダウンの実現に対応できる部品の要求が高まっている。

また、特許文献２には、ポリプロピレンとα晶核剤を含み、キャパシタフィルムに用いることができるポリプロピレン組成物についての記載がある。しかしながら、該文献に記載のポリプロピレンは、¹³Ｃ−ＮＭＲを用いて測定される＜２，１＞エリトロ部位欠損量が０．１ｍｏｌ％と多いため、該ポリプロピレンを用いたことでは、融点が低いこと等の理由から、特に高温において高いＢＤＶを有するフィルムを得ることができない。また、該ポリプロピレンを用いたことでは、良好な厚み精度を有するフィルムの作製が困難であることなどの理由から、高周波数電流と言う過酷な環境においても高い絶縁破壊電圧を有するフィルムを得ることができず、高品質なキャパシタフィルムを得ることはできない。特許文献２では、キャパシタフィルムにおけるサンプル間のばらつき（βパラメータ）の改善を課題としており、ＢＤＶの向上については、何ら記載も示唆もなされていない。さらに、特許文献２に記載のポリプロピレンでは、優れた延伸性および延伸時の均一性を得ることもできない。

特許文献３には、β晶分率が高く、キャパシタフィルムに用いることができる原反シートおよびフィルムについての記載がある。しかしながら、該フィルムにおいても、延伸可能温度幅が狭いこと等の理由から、延伸性に優れ、十分な絶縁破壊電圧を有するフィルムを得ることができず、高品質なキャパシタフィルムを得ることはできない。

特開昭６１−１１０９０６号公報 特許第５５８６７８４号 特開２００９−５７４７３号公報

本発明は、上記のような従来技術に伴う問題を解決しようとするものであって、特に高温、高周波数電流と言う過酷な環境下で使用されても十分な絶縁破壊電圧を有し、熱収縮率が小さいフィルムコンデンサ用二軸延伸フィルムに好適な、延伸性および延伸時の均一性に優れるフィルムコンデンサ用ポリプロピレン（本発明では『ポリプロピレン（Ｆ）』とも称す）、および該フィルムコンデンサ用二軸延伸フィルム（本発明において、二軸延伸フィルムとも称す）を含むフィルムコンデンサ、およびこれらの製造方法の提供を目的としている。

本発明者らは、上記問題点を解決すべく鋭意研究した結果、少なくとも、特定のプロピレン単独重合体と、特定の融点を有するα晶核剤を含んでなるフィルムコンデンサ用ポリプロピレンが、フィルムを延伸する場合の延伸性および延伸時の均一性に優れ、しかも該フィルムコンデンサ用ポリプロピレンを二軸延伸して得られるフィルムコンデンサ用二軸延伸フィルムは、十分な絶縁破壊電圧、特に高温において高い絶縁破壊電圧を有し、熱収縮率が小さく、フィルムコンデンサに好適であることを見出し、本発明を完成するに至った。また、二軸延伸フィルムを含んで得られるフィルムコンデンサは、高温、高周波数電流という苛酷な環境で使用されても十分な品質を維持できることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明には、以下の事項が含まれる。

本発明のフィルムコンデンサ用ポリプロピレンは、少なくとも、（１）ＪＩＳ Ｋ ７２１０に準拠して、２３０℃、２.１６ｋｇ荷重にて測定したメルトフローレート（ＭＦＲ）が、１〜１０ｇ／１０分の範囲にあり、（２）¹³Ｃ−ＮＭＲを用いて測定したペンタッドアイソタクティック分率（ｍｍｍｍ分率）が、９３％以上であり、（３）¹³Ｃ−ＮＭＲを用いて測定される＜２，１＞エリトロ部位欠損量が、０．１ｍｏｌ％未満であり、（４）空気中で完全に燃焼させて得られる灰分量が、５０ｐｐｍ以下であり、（５）イオンクロマトグラフ法により測定した塩素量が、５ｐｐｍ以下であり、（６）ゲルパーミエーションクロマトグラフ（ＧＰＣ）法で測定した分子量分布Ｍｗ／Ｍｎが６．５〜１２であるプロピレン単独重合体と、融点が２９０℃以下であるα晶核剤を含んでなることを特徴とする。

ポリプロピレン（Ｆ）は、少なくとも、前記プロピレン単独重合体と前記α晶核剤を溶融混練して得られることが好ましい。

本発明のフィルムコンデンサ用ポリプロピレンの製造方法は、少なくとも、前記プロピレン単独重合体と、前記α晶核剤を溶融混練する工程を含むことを特徴とする。

前記α晶核剤が、ノニトール誘導体およびソルビトール誘導体から選ばれる少なくとも１種以上であることが好ましい。

前記α晶核剤の配合量が、前記プロピレン単独重合体１００重量％に対して、１〜２０００ｐｐｍであることが好ましい。

本発明のフィルムコンデンサ用二軸延伸フィルムは、本発明のポリプロピレン（Ｆ）を二軸延伸して得られることを特徴とする。

本発明のフィルムコンデンサ用二軸延伸フィルムの製造方法は、本発明のポリプロピレン（Ｆ）を二軸延伸する工程を含むことを特徴とする。

本発明のフィルムコンデンサは、本発明の二軸延伸フィルムを含む。

本発明によれば、延伸温度幅が広く均一に延伸されているためツブや剥離ボイドがなく、十分な絶縁破壊電圧、特に高温下で使用されても高い絶縁破壊電圧を有し、熱収縮率が小さい薄膜のフィルムコンデンサ用二軸延伸フィルムを得ることが出来る。そのため、該二軸延伸フィルムを含んで得られるフィルムコンデンサは、小型で大容量キャパシタを提供することができ、高温、高周波数電流という苛酷な環境で使用されても十分な品質を維持できるため、たとえば、ハイブリッド自動車の高出力化、小型化および軽量化に大きく貢献することができる。

以下、本発明について詳説する。

〔プロピレン単独重合体〕
本発明のフィルムコンデンサ用ポリプロピレン（Ｆ）の原料となるプロピレン単独重合体は、以下の（１）〜（６）の要件を満たす。また、以下の（１）〜（７）の要件を満たすと、成形性が良好となり、耐電圧がさらに向上するため、より好ましい。

（１）ＪＩＳ Ｋ ７２１０に準拠して、２３０℃、２.１６ｋｇ荷重にて測定したメルトフローレート（ＭＦＲ）が、１〜１０（ｇ／１０分）、好ましくは１．５〜５（ｇ／１０分）、より好ましくは２〜５（ｇ／１０分）の範囲である。ＭＦＲが、１ｇ／１０分未満であると、押出性が困難となり、フィルムの成形性に劣り、かつ、延伸が容易でなく、１０ｇ／１０分を超えると、フィルムの延伸時に破断が起こる場合があり、好ましくない。なお、これは、溶融張力が不足していることが原因と考えられる。

（２）¹³Ｃ−ＮＭＲを用いて測定したペンタッドアイソタクティック分率（ｍｍｍｍ分率）が９３％以上、好ましくは９４％以上、より好ましくは９６％以上、さらにより好ましくは９８％以上である。プロピレン単独重合体のペンタッドアイソタクティック分率（ｍｍｍｍ分率）が、９３％未満では、高い絶縁破壊電圧を有する二軸延伸フィルムおよび該フィルムを含むフィルムコンデンサが得られない。これは、ペンタッドアイソタクティック分率が低いため、電気を通しやすい非晶部が多いことが原因と推定される。なお、ペンタッドアイソタクティック分率の上限は特に制限されないが、通常９９.９％以下、好ましくは９９．５％以下である。

なお、ペンタッドアイソタクティック分率（ｍｍｍｍ分率）は、Ａ．ｚａｍｂｅｌｌｉらのＭａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，８，６８７（１９７５）に示された帰属により定められた値であり、¹³Ｃ−ＮＭＲを使用して測定される分子鎖中のペンタッド単位でのアイソタクチック連鎖の存在割合を示しており、ペンタッドアイソタクティック分率＝（２１．７ｐｐｍでのピーク面積）／（１９〜２３ｐｐｍでのピーク面積）で算出される。

（３）¹³Ｃ−ＮＭＲを用いて測定される＜２，１＞エリトロ部位欠損量が、通常０．１ｍｏｌ％未満であり、好ましくは０．０５ｍｏｌ％以下であり、より好ましくは０．０２ｍｏｌ％以下である。下限値は、該＜２，１＞エリトロ部位欠損量が存在しないことが好ましく、０ｍｏｌ％が好ましい。該範囲にあると、特に高温、高周波数電流と言う過酷な環境においても高い絶縁破壊電圧を有する二軸延伸フィルムを得ることができる。本発明に係るプロピレン単独重合体は、ポリマー鎖内のプロピレンの部位誤挿入量が少ないため、後述の特定のα晶核剤と好適に相溶する。そのため、ポリマー鎖内に微細な球晶が生じやすく、フィルムを延伸する場合の延伸性および延伸時の均一性が向上する。さらに、ポリマー中の絶縁破壊し易い部分も減少していると推定され、得られる二軸延伸フィルムの絶縁破壊電圧、特に高温における絶縁破壊電圧が向上すると考えられる。

（４）空気中で完全に燃焼させて得られる灰分量が、５０ｐｐｍ以下、好ましくは３０ｐｐｍ以下、より好ましくは２５ｐｐｍ以下、さらにより好ましくは２０ｐｐｍ以下である。灰分量が、５０ｐｐｍを超えると、高い絶縁破壊電圧を有するフィルムコンデンサ用ポリプロピレンフィルムが得られない。これは、灰分が多いとボイドができやすいため、破壊耐電圧に影響を与えるためと推定される。

（５）イオンクロマトグラフ法により測定した塩素量が、５ｐｐｍ以下、好ましくは３ｐｐｍ以下、より好ましくは２ｐｐｍ以下である。塩素量が、５ｐｐｍを超えると、高い絶縁破壊電圧を有する二軸延伸フィルムが得られない。これは、塩素が塩酸となり徐々にポリプロピレンを破壊してしまい、長期使用時の破壊耐電圧に影響を与えるためと推定される。

なお、これらプロピレン単独重合体中の不純物において、灰分量および塩素量が少ないほど、破壊耐電圧に対する影響は少ないと推定される。

（６）ゲルパーミエーションクロマトグラフ（ＧＰＣ）法で測定した分子量分布Ｍｗ／Ｍｎ（Ｍｗ：重量平均分子量、Ｍｎ：数平均分子量）は、通常６．５〜１２であり、好ましくは７．０〜１２であり、さらに好ましくは７．０を超えて１１．５以下であり、さらにより好ましくは、良好な厚み精度を有するフィルムを製膜できる等の理由から、高温時においてもより高い絶縁破壊電圧を有し、熱収縮率が小さいフィルムコンデンサ用ポリプロピレンフィルムを得ることができるので、８．０〜１０である。分子量分布Ｍｗ／Ｍｎが６．５未満であると、高分子量成分が少なく、延伸時の延伸応力の立ち上がりが小さく、厚み精度の良好なフィルムが得られない場合がある。また、分子量分布Ｍｗ／Ｍｎが１２を超えると、樹脂内部の粘度差が著しく、延伸時の破断が生じやすくなる場合がある。分子量分布Ｍｗ／Ｍｎが上記範囲であると、フィルム成形性および延伸性に優れるため、好ましい。

（７）示差走査熱量計（ＤＳＣ）測定により得られる融点（Ｔｍ）は、１５５℃以上、好ましくは１６０℃以上であり、より好ましくは１６２℃以上である。なお、Ｔｍの上限は特にはないが、通常、１７０℃以下である。Ｔｍが、前述の範囲にあると、得られる二軸延伸フィルムは、耐熱収縮、破壊耐電圧などに優れる。これは、自由に動き回れる非晶部が少ないためと推定される。

〔プロピレン単独重合体の製造方法〕
本発明のプロピレン単独重合体の製造方法は、前記要件（１）〜（６）、好ましくは（１）〜（７）を満たす限りにおいて何ら限定されるものではないが、通常は固体状チタン触媒成分を含むオレフィン重合用触媒の存在下でプロピレンを重合する方法が好ましくは用いられる。前記固体状チタン触媒成分としては、たとえば、（Ｉ）マグネシウム、チタン、ハロゲンおよび電子供与体を含有する固体状チタン触媒成分と、（II）有機金属化合物触媒成分と、（III）アルコキシシランに代表される有機ケイ素化合物や特定のポリエーテル化合物に代表される電子供与体とを含む触媒が挙げられる。

上記固体状チタン触媒成分（Ｉ）は、マグネシウム化合物（ａ−１）、チタン化合物（ａ−２）および電子供与体（ａ−３）を接触させることにより調製することができる。マグネシウム化合物（ａ−１）としては、マグネシウム−炭素結合またはマグネシウム−水素結合を有するマグネシウム化合物のような還元能を有するマグネシウム化合物、およびハロゲン化マグネシウム、アルコキシマグネシウムハライド、アリロキシマグネシウムハライド、アルコキシマグネシウム、アリロキシマグネシウム、マグネシウムのカルボン酸塩等で代表される還元能を有さないマグネシウム化合物を挙げることができる。

固体状チタン触媒成分（Ｉ）の調製の際には、チタン化合物（ａ−２）としては、たとえば下記式（３）で示される４価のチタン化合物を用いるのが好ましい。

Ｔｉ(ＯＲ⁶)_gＸ¹ _4-g …（３）
（式（３）中、Ｒ⁶は炭化水素基、Ｘ¹はハロゲン原子、０≦ｇ≦４である。）
具体的にはＴｉＣｌ₄、ＴｉＢｒ₄、ＴｉＩ₄などのテトラハロゲン化チタン；Ｔｉ(ＯＣＨ₃)Ｃｌ₃、Ｔｉ(ＯＣ₂Ｈ₅)Ｃｌ₃、Ｔｉ(Ｏ−ｎ−Ｃ₄Ｈ₉)Ｃｌ₃、Ｔｉ(ＯＣ₂Ｈ₅)Ｂｒ₃、Ｔｉ(Ｏ−ｉｓｏ−Ｃ₄Ｈ₉)Ｂｒ₃などのトリハロゲン化アルコキシチタン；Ｔｉ(ＯＣＨ₃)₂Ｃｌ₂、Ｔｉ(ＯＣ₂Ｈ₅)₂Ｃｌ₂、Ｔｉ(Ｏ−ｎ−Ｃ₄Ｈ₉)₂Ｃｌ₂、Ｔｉ(ＯＣ₂Ｈ₅)₂Ｂｒ₂などのジハロゲン化ジアルコキシチタン；Ｔｉ(ＯＣＨ₃)₃Ｃｌ、Ｔｉ(ＯＣ₂Ｈ₅)₃Ｃｌ、Ｔｉ(Ｏ−ｎ−Ｃ₄Ｈ₉)₃Ｃｌ、Ｔｉ(ＯＣ₂Ｈ₅)₃Ｂｒなどのモノハロゲン化トリアルコキシチタン；Ｔｉ(ＯＣＨ₃)₄、Ｔｉ(ＯＣ₂Ｈ₅)₄、Ｔｉ(Ｏ−ｎ−Ｃ₄Ｈ₉)₄、Ｔｉ(Ｏ−ｉｓｏ−Ｃ₄Ｈ₉)₄、Ｔｉ(Ｏ−２−エチルヘキシル)₄などのテトラアルコキシチタン等が挙げられる。

固体状チタン触媒成分（Ｉ）の調製の際に用いられる電子供与体（ａ−３）としては、たとえばアルコール、フェノール、ケトン、アルデヒド、有機酸または無機酸のエステル、有機酸ハライド、前記ポリエーテルを好ましい例とするエーテル、酸アミド、酸無水物、アンモニア、アミン、ニトリル、イソシアネート、含窒素環状化合物、含酸素環状化合物などが挙げられる。これらの中でもフタル酸エステルを代表例とする芳香族ポリエステル化合物や置換基を有するコハク酸エステルを代表例とする脂肪族ポリエステル、および後述する脂環族ポリエステル、前記ポリエーテルを好ましい例として挙げることが出来る。これらの化合物は１種単独で、あるいは、複数以上を組み合わせて用いてもよい。

本発明において、好ましく用いられる電子供与体（ａ−３）としては、下記式（１）で特定される環状エステル化合物が挙げられる。また下記式（２）で特定される環状エステル化合物を含んでいてもよい。

式（１）において、ｎは５〜１０の整数である。Ｒ²およびＲ³はそれぞれ独立にＣＯＯＲ¹またはＲであり、Ｒ²およびＲ³のうち少なくとも１つはＣＯＯＲ¹である。環状骨格中の単結合（Ｃ^a−Ｃ^a結合、およびＲ³がＲである場合のＣ^a−Ｃ^b結合を除く）は、二重結合に置き換えられていてもよい。

Ｒ¹は、それぞれ独立に炭素数1〜２０の1価の炭化水素基である。複数個あるＲは、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０の炭化水素基、ハロゲン原子、窒素含有基、酸素含有基、リン含有基、ハロゲン含有基およびケイ素含有基から選ばれる原子または基であり、互いに結合して環を形成していてもよいが、少なくとも１つのＲは水素原子ではない。

Ｒが互いに結合して形成される環の骨格中に二重結合が含まれていてもよく、該環の骨格中に、ＣＯＯＲ¹が結合したＣ^aを２つ以上含む場合は、該環の骨格をなす炭素原子の数は５〜１０である。

式（２）において、ｎは５〜１０の整数である。

Ｒ⁴およびＲ⁵はそれぞれ独立にＣＯＯＲ¹または水素原子であり、Ｒ⁴およびＲ⁵のうち少なくとも１つはＣＯＯＲ¹である。Ｒ¹は、それぞれ独立に炭素数1〜２０の1価の炭化水素基である。環状骨格中の単結合（Ｃ^a−Ｃ^a結合を除く）は、二重結合に置き換えられていてもよい。

前記式（１）において、前記環状骨格中の炭素原子間結合のすべては単結合であることが好ましい。式（１）で表される環状エステル化合物の中でも3,6-ジメチルシクロヘキサン-1,2-ジカルボン酸ジイソブチル、3,6-ジメチルシクロヘキサン-1,2-ジカルボン酸ジn-ヘキシル、3,6-ジメチルシクロヘキサン-1,2-ジカルボン酸ジn-オクチル、3-メチル-6-エチルシクロヘキサン-1,2-ジカルボン酸ジイソブチル、3-メチル-6-エチルシクロヘキサン-1,2-ジカルボン酸ジn-ヘキシル、3-メチル-6-エチルシクロヘキサン-1,2-ジカルボン酸ジn-オクチル、3-メチル-6-n-プロピルシクロヘキサン-1,2-ジカルボン酸ジイソブチル、3-メチル-6-n-プロピルシクロヘキサン-1,2-ジカルボン酸ジn-ヘキシル、3-メチル-6-n-プロピルシクロヘキサン-1,2-ジカルボン酸ジn-オクチル、3,6-ジエチルシクロヘキサン-1,2-ジカルボン酸ジイソブチル、3,6-ジエチルシクロヘキサン-1,2-ジカルボン酸ジn-ヘキシルおよび3,6-ジエチルシクロヘキサン-1,2-ジカルボン酸ジn-オクチルが特に好ましい。

また式（２）で表される化合物の中でもシクロヘキサン-1,2-ジカルボン酸ジイソブチル、シクロヘキサン-1,2-ジカルボン酸ジヘキシル、シクロヘキサン-1,2-ジカルボン酸ジへプチル、シクロヘキサン-1,2-ジカルボン酸ジオクチルおよびシクロヘキサン-1,2-ジカルボン酸ジ2-エチルヘキシルが特に好ましい。

上記のようなマグネシウム化合物（ａ−１）、チタン化合物（ａ−２）および電子供与体（ａ−３）を接触させる際には、ケイ素、リン、アルミニウムなどの他の反応試剤を共存させてもよく、また担体を用いて担体担持型の固体状チタン触媒成分（Ｉ）を調製することもできる。

固体状チタン触媒成分（Ｉ）は、公知の方法を含むあらゆる方法を採用して調製することができるが、下記に数例挙げて簡単に述べる。

（１）アルコールや金属酸エステルなどとマグネシウム化合物（ａ−１）との付加物の炭化水素溶液を、チタン化合物（ａ−２）や有機金属化合物と接触反応させて固体を析出させた後、または析出させながらチタン化合物（ａ−２）と接触反応させる方法。

（２）マグネシウム化合物（ａ−１）およびアルコールやエステルなどと固体状付加物をチタン化合物（ａ−２）や有機金属化合物と接触、反応させた後、チタン化合物（ａ−２）を接触反応させる方法。

（３）無機担体と有機マグネシウム化合物（ａ−１）との接触物に、チタン化合物（ａ−２）および電子供与体（ａ−３）を接触反応させる方法。この際予め接触物をハロゲン含有化合物および／または有機金属化合物と接触反応させてもよい。

（４）芳香族ハロゲン化炭化水素などの共存下に行う工程を含む上記いずれかの方法。

これらが好ましい例として挙げられる。

前記有機金属化合物触媒成分（II）としては、周期表第１族、２族、１３族から選ばれる金属を含むものが好ましく、具体的には下記に示すような有機アルミニウム化合物、第Ｉ族金属とアルミニウムとの錯アルキル化合物、および第II族金属の有機金属化合物などを挙げることができる。

式：Ｒ⁷ _mＡｌ（ＯＲ⁸)_rＨ_pＸ_q
（式中、Ｒ⁷およびＲ⁸は炭素原子を通常１〜１５個、好ましくは１〜４個含む炭化水素基であり、これらは互いに同一でも異なっていてもよい。Ｘはハロゲン原子を表し、０＜ｍ≦３、ｒは０≦ｒ＜３、ｐは０≦ｐ＜３、ｑは０≦ｑ＜３の数であり、かつｍ＋ｒ＋ｐ＋ｑ＝３である。）で示される有機アルミニウム化合物（ｂ−１）。

式：Ｍ¹ＡｌＲ⁷ ₄
（式中、Ｍ¹はＬｉ、ＮａまたはＫであり、Ｒ⁷は前記と同じである。）で示される第１族金属とアルミニウムとの錯アルキル化物（ｂ−２）。

式：Ｒ⁷Ｒ⁸Ｍ²
（式中、Ｒ⁷およびＲ⁸は上記と同様であり、Ｍ²はＭｇ、ＺｎまたはＣｄである。）で示される第２族または第１３族のジアルキル化合物（ｂ−３）。

前記有機アルミニウム化合物（ｂ−１）としては、たとえばＲ⁷ _mＡｌ(ＯＲ⁸)_3-m（Ｒ⁷およびＲ⁸は前記と同様であり、ｍは好ましくは１．５≦ｍ≦３の数である。）で示される化合物、Ｒ⁷ _mＡｌＸ_3-m（Ｒ⁷は前記と同様であり、Ｘはハロゲンであり、ｍは好ましくは０＜ｍ＜３である。）で示される化合物、Ｒ⁷ _mＡｌＨ_3-m（Ｒ⁷は前記と同様であり、ｍは好ましくは２≦ｍ＜３である。）で示される化合物、Ｒ⁷ _mＡｌ(ＯＲ⁸)_nＸ_q（Ｒ⁷およびＲ⁸は前記と同様であり、Ｘはハロゲン、０＜ｍ≦３、０≦ｎ＜３、０≦ｑ＜３であり、かつｍ＋ｎ＋ｑ＝３である。）で示される化合物などを挙げることができる。

前記有機ケイ素化合物触媒成分（III）の具体的なものとしては、下記式（４）で表される有機ケイ素化合物などが挙げられる。

ＳｉＲ⁹Ｒ¹⁰ _d(ＯＲ¹¹)_3-d…（４）
（式（４）中、ｄは０、１または２、Ｒ⁹はシクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンテニル基、シクロペンタジエニル基、アルキル基、ジアルキルアミノ基およびこれらの誘導体からなる群から選ばれる基、Ｒ¹⁰およびＲ¹¹は炭化水素基を示す。）
式（４）において、Ｒ⁹の好ましいものとしては、シクロペンチル基、２−メチルシクロペンチル基、３−メチルシクロペンチル基、２−エチルシクロペンチル基、３−プロピルシクロペンチル基、３−イソプロピルシクロペンチル基、３−ブチルシクロペンチル基、３−ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンチル基、２,２−ジメチルシクロペンチル基、２,３−ジメチルシクロペンチル基、２,５−ジメチルシクロペンチル基、２,２,５−トリメチルシクロペンチル基、２,３,４,５−テトラメチルシクロペンチル基、２,２,５,５−テトラメチルシクロペンチル基、１−シクロペンチルプロピル基、１−メチル−１−シクロペンチルエチル基などのシクロペンチル基またはその誘導体；シクロヘキシル基、２−メチルシクロヘキシル基、３−メチルシクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、２−エチルシクロヘキシル基、３−エチルシクロヘキシル基、４−エチルシクロヘキシル基、３−プロピルシクロヘキシル基、３−イソプロピルシクロヘキシル基、３−ブチルシクロヘキシル基、３−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル基、４−プロピルシクロヘキシル基、４−イソプロピルシクロヘキシル基、４−ブチルシクロヘキシル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル基、２,２−ジメチルシクロヘキシル基、２,３−ジメチルシクロヘキシル基、２,５−ジメチルシクロヘキシル基、２,６−ジメチルシクロヘキシル基、２,２,５−トリメチルシクロヘキシル基、２,３,４,５−テトラメチルシクロヘキシル基、２,２,５,５−テトラメチルシクロヘキシル基、２,３,４,５,６−ペンタメチルシクロヘキシル基、１−シクロヘキシルプロピル基、１−メチル−１−シクロヘキシルエチル基などのシクロヘキシル基またはその誘導体；シクロペンテニル基、２−シクロペンテニル基、３−シクロペンテニル基、２−メチル−１−シクロペンテニル基、２−メチル−３−シクロペンテニル基、３−メチル−３−シクロペンテニル基、２−エチル−３−シクロペンテニル基、２,２−ジメチル−３−シクロペンテニル基、２,５−ジメチル−３−シクロペンテニル基、２,３,４,５−テトラメチル−３−シクロペンテニル基、２,２,５,５−テトラメチル−３−シクロペンテニル基などのシクロペンテニル基またはその誘導体；１,３−シクロペンタジエニル基、２,４−シクロペンタジエニル基、１,４−シクロペンタジエニル基、２−メチル−１,３−シクロペンタジエニル基、２−メチル−２,４−シクロペンタジエニル基、３−メチル−２,４−シクロペンタジエニル基、２−エチル−２,４−シクロペンタジエニル基、２,２−ジメチル−２,４−シクロペンタジエニル基、２,３−ジメチル−２,４−シクロペンタジエニル基、２,５−ジメチル−２,４−シクロペンタジエニル基、２,３,４,５−テトラメチル−２,４−シクロペンタジエニル基などのシクロペンタジエニル基またはその誘導体；イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、sｅｃ-ブチル基等のアルキル基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジブチルアミノ基などのジアルキルアミノ基などの嵩高い置換基が挙げられる。より好ましくはシクロペンチル基、シクロヘキシル基、イソプロピル基であり、特に好ましくはシクロペンチル基である。

また、式（４）において、Ｒ¹⁰およびＲ¹¹の炭化水素基の具体的なものとしては、上記の置換基以外にたとえばアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基などの炭化水素基を挙げることができる。Ｒ¹⁰またはＲ¹¹が２個以上存在する場合、Ｒ¹⁰同士またはＲ¹¹同士は同一でも異なっていてもよく、またＲ¹⁰とＲ¹¹とは同一でも異なっていてもよい。また式（４）において、Ｒ¹⁰とＲ¹¹とはアルキレン基等で架橋されていてもよい。

式（４）で表される有機ケイ素化合物の具体的なものとしては、ジエチルアミノトリエトキシシラン、シクロペンチルトリメトキシシラン、２−メチルシクロペンチルトリメトキシシラン、２,３−ジメチルシクロペンチルトリメトキシシラン、２,５−ジメチルシクロペンチルトリメトキシシラン、シクロペンチルトリエトキシシラン、シクロペンテニルトリメトキシシラン、３−シクロペンテニルトリメトキシシラン、２,４−シクロペンタジエニルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシランなどのトリアルコキシシラン類；ジイソプロピルジメトキシシラン、tert-ブチルエチルジメトキシシラン、シクロペンチルtert-ブチルジメトキシシラン、シクロヘキシルイソブチルジメトキシシラン、ビスジエチルアミノジメトキシシラン、ジシクロペンチルジメトキシシラン、ビス（２−メチルシクロペンチル）ジメトキシシラン、ビス（３−tert−ブチルシクロペンチル）ジメトキシシラン、ビス（２,３−ジメチルシクロペンチル）ジメトキシシラン、ビス（２,５−ジメチルシクロペンチル）ジメトキシシラン、ジシクロペンチルジエトキシシラン、ジシクロペンテニルジメトキシシラン、ジ（３−シクロペンテニル）ジメトキシシラン、ビス（２,５−ジメチル−３−シクロペンテニル）ジメトキシシラン、ジ−２,４−シクロペンタジエニルジメトキシシラン、ビス（２,５−ジメチル−２,４−シクロペンタジエニル）ジメトキシシラン、ビス（１−メチル−１−シクロペンチルエチル）ジメトキシシラン、シクロペンチルシクロペンテニルジメトキシシラン、シクロペンチルシクロペンタジエニルジメトキシシラン、シクロペンタジエニルインデニルジメトキシシラン、ジシクロヘキシルジメトキシシランなどのジアルコキシシラン類；トリシクロペンチルメトキシシラン、トリシクロペンテニルメトキシシラン、トリシクロペンタジエニルメトキシシラン、トリシクロペンチルエトキシシラン、ジシクロペンチルメチルメトキシシラン、ジシクロペンチルエチルメトキシシラン、ジシクロペンチルメチルエトキシシラン、シクロペンチルジメチルメトキシシラン、シクロペンチルジエチルメトキシシラン、シクロペンチルジメチルエトキシシラン、ビス（２,５−ジメチルシクロペンチル）シクロペンチルメトキシシラン、ジシクロペンチルシクロペンテニルメトキシシラン、ジシクロペンチルシクロペンタジエニルメトキシシラン、トリシクロヘキシルメトキシシランなどのモノアルコキシシラン類等を挙げることができる。これらの中でも、ジイソプロピルジメトキシシラン、tert-ブチルエチルジメトキシシラン、シクロペンチルtert-ブチルジメトキシシラン、シクロヘキシルイソブチルジメトキシシラン、ビスジエチルアミノジメトキシシラン、ジエチルアミノトリエトキシシラン、ジシクロペンチルジメトキシシランなどが、プロピレン単独重合体の立体規則性が高くなるため好ましく、その中でもジシクロペンチルジメトキシシランが特に好ましい。これらの化合物は、単独で用いることも、２種以上を組み合わせて用いることもできる。

上記のような固体状チタン触媒成分（Ｉ）、有機金属化合物触媒成分（II）、および有機ケイ素化合物触媒成分（III）からなる触媒を用いてプロピレンの重合を行うに際して、予め予備重合を行うこともできる。予備重合は、固体状チタン触媒成分（Ｉ）、有機金属化合物触媒成分（II）、および必要に応じて有機ケイ素化合物触媒成分（III）の存在下に、オレフィンを重合させる。

予備重合オレフィンとしては、例えば炭素数２〜８のα−オレフィンを用いることができる。具体的には、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−オクテンなどの直鎖状のオレフィン；３−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−ペンテン、３−エチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ヘキセン、４,４−ジメチル−１−ヘキセン、４,４−ジメチル−１−ペンテン、４−エチル−１−ヘキセン、３−エチル−１−ヘキセンなどの分岐構造を有するオレフィン等を用いることができる。これらは共重合させてもよい。得られるプロピレン単独重合体の結晶化度を高める目的からは３−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−ペンテン等の嵩高いオレフィンを用いることが好ましい場合がある。

予備重合は、固体状チタン触媒成分（Ｉ）１ｇ当り０．１〜１０００ｇ程度、好ましくは０．３〜５００ｇ程度の重合体が生成するように行うことが望ましい。予備重合量が多すぎると、本重合における重合体の生成効率が低下することがある。予備重合では、本重合における系内の触媒濃度よりもかなり高濃度で触媒を用いることができる。

本重合の際には、固体状チタン触媒成分（Ｉ）（または予備重合触媒）を重合容積１Ｌ当りチタン原子に換算して約０．０００１〜５０ミリモル、好ましくは約０．００１〜１０ミリモルの量で用いることが望ましい。有機金属化合物触媒成分（II）は、重合系中のチタン原子１モルに対する金属原子量で約１〜２０００モル、好ましくは約２〜５００モル程度の量で用いることが望ましい。有機ケイ素化合物触媒成分（III）は、有機金属化合物触媒成分（II）の金属原子１モル当り約０．００１〜５０モル、好ましくは約０．０１〜２０モル程度の量で用いることが望ましい。

重合は、気相重合法あるいは溶液重合法、懸濁重合法などの液相重合法いずれで行ってもよく、各段を別々の方法で行ってもよい。また連続式、半連続式のいずれの方式で行ってもよく、各段を複数の重合器たとえば２〜１０器の重合器に分けて行ってもよい。

重合媒体として、不活性炭化水素類を用いてもよく、また液状のプロピレンを重合媒体としてもよい。また各段の重合条件は、重合温度が約−５０〜＋２００℃、好ましくは約２０〜１００℃の範囲で、また重合圧力が常圧〜１０ＭＰａ（ゲージ圧）、好ましくは約０．２〜５ＭＰａ（ゲージ圧）の範囲内で適宜選択される。

重合終了後、必要に応じて公知の触媒失活処理工程、触媒残渣除去工程、乾燥工程等の後処理工程を行うことにより、プロピレン単独重合体がパウダーとして得られる。前記固体状チタン触媒成分としては、例えば、特許２７２３１３７号公報、特許２７７６９１４号公報、国際公開第２００６／７７９４５号パンフレット、国際公開第２００８／１０４５９号パンフレット、特開平４−２１８５０７号公報、特許２７７４１６０号公報、国際公開第２００４／１６６６２号パンフレット、特開２０１１−２５６２７８号公報、特開２００９−５７４７３号公報等に開示された触媒でも使用できるものがある。

〔プロピレン単独重合体の形状〕
本発明に係るプロピレン単独重合体は、その形状が、粉末、顆粒またはペレットのいずれかであってもよい。粉末、顆粒は、プロピレン単独重合体から得られ、ペレットは、粉末、顆粒を造粒することによって得られる。

〔フィルムコンデンサ用ポリプロピレン（Ｆ）〕
ポリプロピレン（Ｆ）は、少なくとも、前記プロピレン単独重合体と、後述の特定の融点を有するα晶核剤を含んで得られ、好ましくは、少なくとも、該プロピレン単独重合体と該α晶核剤を溶融混練して得られる。ポリプロピレン（Ｆ）によれば、フィルムを二軸延伸する時の延伸温度幅が非常に広く、均一に二軸延伸することができる。そのため、本発明によれば、均一に延伸されているためツブや剥離ボイドがなく、十分な絶縁破壊電圧、特に高温下で使用されても高い絶縁破壊電圧を有し、熱収縮率が小さい薄膜の二軸延伸フィルムを得ることができる。

この理由については定かではないが、本発明者らは、以下のように推定している。本発明に係るプロピレン単独重合体にα晶核剤を配合してなることで、ポリプロピレン（Ｆ）中に微細な球晶が生じる。該微細な球晶が生じると、延伸により球晶が破壊された後の微結晶分散性に優れるため、延伸性および二軸延伸時の均一性が顕著に向上し、二軸延伸フィルムの絶縁破壊電圧は顕著に向上し、特に、高温、高周波数電流時において高い絶縁破壊電圧を有すると推定される。

〔α晶核剤〕
α晶核剤は、特定の融点を有する核剤であれば特に限定されない。α晶核剤として、融点を有しない核剤、たとえば、タルク、マイカ、リン酸２，２−メチレンビス（４，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ナトリウム、ヒドロキシ−ジ−パラ−t−ブチル安息香酸アルミニウムなどの核剤は、フィルム中で異物として存在する等の理由から、延伸性や絶縁破壊電圧の改良の効果を得られない。

α晶核剤の融点は、通常２９０℃以下、好ましくは２７０℃以下、より好ましくは１００〜２７０℃、使用時の耐熱性などの理由から、さらに好ましくは１２０〜２６０℃である。該融点が２９０℃を超えると、プロピレン単独重合体にα晶核剤を配合した際に融解せず、該核剤は、該単独重合体に異物として残存するおそれがある。そのため、フィルム製膜時の破断や、得られた二軸延伸フィルムの外観およびコンデンサ特性などの品質が悪化するおそれがあり、好ましくない。また、融点の下限値は、本発明の効果を奏する限り特に限定されないが、融点が低すぎると、フィルムコンデンサを作製する際に成形機で発煙や部品への付着が置き、生産性を阻害するおそれがある。

該融点は、たとえば、以下の方法により測定できる。

示差走査熱量計により、発熱・吸熱曲線を求め、昇温時の最大融解ピーク位置の温度をＴｍとする。測定は、たとえば、示差走査熱量計を用いて、内容量３０μＬのアルミニウム製穴あきサンプルパンに約５ｍｇのサンプルを入れ、アルミニウム製の蓋をして１０℃／ｍｉｎで３５０℃まで昇温した際に観察された吸熱ピークを解析して、融点(Ｔｍ)を求める。

また、本発明では、α晶核剤として、プロピレン単独重合体に可溶なものが好ましい。可溶性のα晶核剤は、一連の加熱溶解及び冷却再結晶化を示し、分散度を改善することによって特徴付けられる。上記溶解及び再結晶化を測定する方法は、例えば、Ｋｒｉｓｔｉａｎｓｅｎらにより、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ ３８（２００５）、１０４６１〜１０４６５頁に、そしてＢａｌｚａｎｏらにより、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ ４１（２００８）、５３５０〜５３５５頁に記述されている。詳しくは、溶解及び再結晶化は、ＩＳＯ６２７１−１０：１９９９によって定義されているように、動的モードでの溶融レオロジーを用いることによってモニターすることができる。

α晶核剤の配合量は、本発明の効果を奏する限り特に限定されないが、前記プロピレン単独重合体１００重量％に対し、通常１〜２０００ｐｐｍ、好ましくは１０〜１５００ｐｐｍ、より好ましくは５０〜１０００ｐｐｍである。α晶核剤の配合量が、１ｐｐｍより少ないと、α晶核剤の配合の効果を得ることはできず、延伸性および絶縁破壊電圧の効果が得られない。また、２０００ｐｐｍを超えると、α晶核剤がブリードアウトして、ロール汚染などの不具合を生じるおそれがある。

α晶核剤としては、たとえば、ノニトール誘導体およびソルビトール誘導体が挙げられ、より作業環境への影響が少なく、ロール汚染性が低い等の理由から、ノニトール誘導体が好ましい。α晶核剤は、１種単独でまたは２種以上組み合わせて使用することができる。

ソルビトール誘導体としては、例えば下記式（Ａ１）で表される化合物が挙げられる。

式（Ａ１）中、Ｒ⁴およびＲ⁵は互いに同一でも異なっていてもよく、炭素数１〜８のアルキル基、ハロゲン原子、炭素数１〜４のアルコキシ基のいずれかであり、ｍおよびｎはそれぞれ独立に０〜３の整数である。

具体的には、１,３,２,４-ジベンジリデンソルビトール、１,３-ベンジリデン-２,４-ｐ-メチルベンジリデンソルビトール、１,３-ベンジリデン-２,４-ｐ-エチルベンジリデンソルビトール、１,３-ｐ-メチルベンジリデン-２,４-ベンジリデンソルビトール、１,３-ｐ-エチルベンジリデン-２,４-ベンジリデンソルビトール、１,３-ｐ-メチルベンジリデン-２,４-ｐ-エチルベンジリデンソルビトール、１,３-ｐ-エチルベンジリデン-２,４-ｐ-メチルベンジリデンソルビトール、１,３,２,４-ジ（ｐ-メチルベンジリデン）ソルビトール、１,３,２,４-ジ（ｐ-エチルベンジリデン）ソルビトール、１,３,２,４-ジ（ｐ-ｎ-プロピルベンジリデン）ソルビトール、１,３,２,４-ジ（ｐ-iso-プロピルベンジリデン）ソルビトール、１,３,２,４-ジ（ｐ-ｎ-ブチルベンジリデン）ソルビトール、１,３,２,４-ジ（ｐ-s-ブチルベンジリデン）ソルビトール、１,３,２,４-ジ（ｐ-tert-ブチルベンジリデン）ソルビトール、１,３,２,４-ジ（２',４'-ジメチルベンジリデン）ソルビトール、１,３,２,４-ジ（ｐ-メトキシベンジリデン）ソルビトール、１,３,２,４-ジ（ｐ-エトキシベンジリデン）ソルビトール、１,３-ベンジリデン-２-４-ｐ-クロルベンジリデンソルビトール、１,３-ｐ-クロルベンジリデン-２,４-ベンジリデンソルビトール、１,３-ｐ-クロルベンジリデン-２,４-ｐ-メチルベンジリデンソルビトール、１,３-ｐ-クロルベンジリデン-２,４-ｐ-エチルベンジリデンソルビトール、１,３-ｐ-メチルベンジリデン-２,４-ｐ-クロルベンジリデンソルビトール、１,３-ｐ-エチルベンジリデン-２,４-ｐ-クロルベンジリデンソルビトールおよび１,３,２,４-ジ（ｐ-クロルベンジリデン）ソルビトールおよびこれらの２個以上の混合物を例示できる。これらの中でも、特に１,３,２,４-ジベンジリデンソルビトール、１,３,２,４-ジ（ｐ-メチルベンジリデン）ソルビトール、１,３,２,４-ジ（ｐ-エチルベンジリデン）ソルビトール、１,３-ｐ-クロルベンジリデン-２,４-ｐ-メチルベンジリデンソルビトール、１,３,２,４-ジ（ｐ-クロルベンジリデン）ソルビトールおよびそれらの２種以上の混合物が好ましい。

ノニトール誘導体としては、たとえば特開２００９−１２０８２１号公報に記載の式（１）で表わされる化合物などが挙げられ（段落〔００２０〕〜〔００２４〕、〔００２７〕など参照）、より具体的には、下記一般構造式（Ｂ１）で示される化合物が挙げられる。

上記構造式（Ｂ１）において、ｎは０、１または２である。

Ａは非水素基を示す。非水素基Ａは、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基であり、これらの基中の水素原子は、ハロゲン原子または水酸基で置換されていてもよい。好ましくは、−ＣＨ₃、−ＣＨ₂ＣＨ₃、−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₃、−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₃、−ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨ₂、−ＣＨ（ＣＨ₃）ＣＨ＝ＣＨ₂、−ＣＨ₂ＣＨ−Ｘ−ＣＨ₂−Ｘ'、−ＣＨ₂ＣＨ−Ｘ''−ＣＨ₂−ＣＨ₃、−ＣＨ₂ＣＨ−Ｘ'''−ＣＨ₂ＯＨ、または−ＣＨ−ＯＨ−ＣＨ−ＯＨ−ＣＨ₂−ＯＨである。ここでＸ、Ｘ'、Ｘ''およびＸ'''は、ハロゲン原子またはハロゲン化アルキル基などのハロゲン化炭化水素基である。好ましくはフッ素原子、塩素原子または臭素原子であるか、あるいはフッ素原子、塩素原子または臭素原子を含むハロゲン化アルキル基である。

Ｒ¹〜Ｒ¹⁰は、互いに独立して、同一であっても異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、フェニル基または炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、もしくは炭素数１〜２０のアシル基であり、フェニル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、およびアシル基中の水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよい。ハロゲン原子としては、特に限定されないが、フッ素原子が好ましい。

Ｒ¹〜Ｒ¹⁰において、任意の二つの隣接基は互いに環式基を形成していてもよい。

延伸性および二軸延伸時の均一性が向上し、二次延伸時の絶縁破壊電圧がより向上する点から、さらに好ましくは、構造式（Ｂ１）において、ｎは０、１または２であり、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁹およびＲ¹⁰は、全て水素原子であり、Ｒ³、Ｒ⁸およびＡは、それぞれ炭素数１〜２０のアルキル基である。

式（Ｂ１）で表わされる化合物の製造方法としては、特に限定されないが、たとえば、ＷＯ２００５／１１１１３４号公報等に記載の方法を挙げることができる。

また、好ましいノニトール誘導体としては、１，２，３−トリデオキシ−４，６：５，７−ビス−Ｏ−［（４−プロピルフェニル）メチレン］−ノニトールを挙げることができ、これは市販品としても、容易に入手することができ、例えば、ミラッドＮＸ８０００（ミリケン・アンド・カンパニー社製）を挙げることができる。

〔その他の添加剤〕
本発明に係るプロピレン単独重合体およびポリプロピレン（Ｆ）には、発明の目的を損なわない範囲で、α晶核剤と共に、一般的にポリプロピレン樹脂に配合可能な公知の添加剤、たとえば、架橋剤、耐候性安定剤、耐熱安定剤、帯電防止剤、スリップ防止剤、アンチブロッキング剤、防曇剤、滑剤、顔料、染料、可塑剤、老化防止剤、塩酸吸収剤、酸化防止剤、中和剤などを添加して得られてもよい。

該添加剤の配合量は、本発明の効果を奏する限り特に限定されないが、プロピレン単独重合体またはポリプロピレン（Ｆ）１００重量部に対して、それぞれ通常０．０００１〜１０重量部程度、好ましくは０．０１〜５重量部程度である。

酸化防止剤を配合する場合、その配合量はプロピレン単独重合体またはポリプロピレン（Ｆ）に対して、通常５００〜８０００ｐｐｍ程度、好ましくは５００ｐｐｍ以上８０００ｐｐｍ未満、より好ましくは７５０ｐｐｍ以上７５００ｐｐｍ未満である。

また、フィッシュアイやベタつき成分の増加といったフィルムの不良につながる中和剤を配合する場合は、その配合量は、プロピレン単独重合体またはポリプロピレン（Ｆ）に対して、通常５ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍ程度、好ましくは５ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ未満、より好ましくは１０ｐｐｍ以上７５０ｐｐｍ未満、より好ましくは１５ｐｐｍ以上５００ｐｐｍ未満である。

〔フィルムコンデンサ用ポリプロピレン（Ｆ）の製造方法〕
本発明のポリプロピレン（Ｆ）は、公知の方法を用いて製造することができる。例えば、ヘンシェルミキサー、リボンブレンダー、バンバリーミキサーなどの通常の混練装置を用いて、プロピレン単独重合体を、α晶核剤と、必要に応じて前記の添加剤と共に、溶融混練する方法が挙げられる。溶融混練およびペレタイズは、通常の単軸押出機あるいは二軸押出機、ブラベンダー又はロールを使用して、通常１７０〜２８０℃、好ましくは１９０〜２５０℃で溶融混練し、ペレタイズする。また、ポリプロピレン（Ｆ）は、二軸延伸フィルムの原料として、公知の技術を用いて、ペレタイズなしに直接二軸延伸フィルム用の原反シート又は原反フィルムとして製造することもできる。

［フィルムコンデンサ用二軸延伸フィルム、その製造方法およびフィルムコンデンサ］
二軸延伸フィルムは、ポリプロピレン（Ｆ）を延伸してなり、ツブや剥離ボイドがなく、十分な絶縁破壊電圧、特に高温下で使用されても高い絶縁破壊電圧を有し、熱収縮率が低い。また、ポリプロピレン（Ｆ）は、延伸性に優れるため、得られる二軸延伸フィルムを薄膜とすることができる。

二軸延伸フィルムは、延伸可能温度幅が、通常８℃以上、好ましくは９℃以上、より好ましくは１０℃以上である。該延伸可能温度幅が、該範囲にあれば、生産性に優れた二軸延伸フィルムを得られるため、好ましい。

延伸可能温度幅は、たとえば、実施例に記載の方法により測定できる。

二軸延伸フィルムを含んで得られるフィルムコンデンサは、高温、高周波数電流という苛酷な環境で使用されても十分な品質を維持でき、また、小型の大容量キャパシタ用として十分な性能を発揮でき、たとえば、ハイブリッド自動車の高出力化および軽量化に大きく貢献できる。

二軸延伸フィルムを樹脂の流れ方向（ＭＤ方向）に１０ｍｍ幅で１００ｍｍの長さにカットし、通常１２０℃の熱風オーブンに入れて１５分間加熱し、元の長さに対する収縮した長さの割合で求めたときの熱収縮率（％）が、本発明の効果を奏する限り限定されないが、好ましくは−２.０〜＋２.０％、より好ましくは−１.５〜＋１.５％である。熱収縮率が下回ると巻き締まりが不十分で形態保持が困難であり、空隙が生じて素子の劣化が起こる可能性がある。熱収縮率が上回ると素子の変形が起き、変形による空隙が生じて素子の劣化や、さらには破壊が起こる可能性がある。

二軸延伸フィルムの厚みは、本発明の効果を奏する限り限定されないが、好ましくは１〜２０μｍ、より好ましくは１〜１５μｍ、さらに好ましくは１．２〜１０μｍ、さらにより好ましくは１．５〜８μｍ、特に好ましくは１．８〜８μｍである。厚みが前記範囲にある二軸延伸フィルムは、従来公知の材料を使用した場合よりも良好な電気特性（絶縁破壊電圧）を示す。厚みが前記範囲を下回るフィルムは、現在の技術では成形が困難となることがあり、厚みが前記範囲を上回るフィルムを用いた場合には、フィルムコンデンサが大きくなってしまい、現状のコンデンサの小型化に対する要求に応えられないことがある。通常、高い絶縁破壊電圧を得るために、電気に対する抵抗を増加させるため、フィルムの膜厚を厚くする。しかし、公知のフィルムでは、小型化の要求に応えられない。本発明の二軸延伸フィルムは、上記のとおり、薄膜であり、二軸延伸フィルムを含んで得られるフィルムコンデンサは、高温、高周波数電流という苛酷な環境で使用されても十分な品質を維持できる。

二軸延伸フィルムは、ポリプロピレン（Ｆ）に、必要に応じて、各種酸化防止剤（イルガノックス１０１０、ＢＨＴ（ジブチルヒドロキシトルエン）、イルガフォス１６８など）、ステアリン酸カルシウムなどの各種添加剤を添加しながら、通常１８０〜２８０℃の範囲で溶融押出し、得られた原反シートを、たとえば、一軸延伸として、通常１００〜１６０℃で通常２〜１０倍に機械方向（原反シートを作成する際に押出される樹脂の流れと平行な方向）に延伸して、二軸延伸として、一軸延伸によって得られたフィルムを更に一軸延伸と同様な条件で機械方向とは直角に逐次延伸することや機械方向及び機械方向とは直角な方向への延伸を同時に行う同時二軸延伸を行うことによって得ることができる。

工業的には、たとえば、チューブラーフィルム法、テンター法など、種々公知の同時二軸あるいは逐次二軸延伸方法により、二軸延伸ンフィルムを得ることができる。

テンター法では、Ｔダイから溶融押し出しされた溶融シートを冷却ロールで固化させ、該シートを必要により予熱したあと延伸ゾーンに導入し、次いで通常１００〜１６０℃の温度で縦方向に通常３〜７倍、横方向に通常５〜１１倍で延伸される。合計の延伸面倍率は、通常２０〜７０倍、好ましくは３０〜５０倍である。２０倍より低いとフィルム強度が大きくならず、７０倍を超えるとボイドが生じ易く、幅方向の強度が低くなり、長さ方向に裂けやすくなる。最後にこの二軸延伸されたフィルムは、通常１６０〜１９０℃で熱固定することも必要により行われる。

本発明において、二軸延伸フィルムを、公知のフィルムコンデンサに用いることができる。二軸延伸フィルムは、薄膜においても、高い絶縁破壊電圧を示し、小型のキャパシタにおいても、高いコンデンサ容量を得ることができる。

以下、本発明を実施例により説明するが、本発明は、この実施例により何ら限定されるものではない。

実施例、比較例において各物性は以下のように測定した。

（１）メルトフローレート（ＭＦＲ）
試料（プロピレン単独重合体）のＭＦＲは、ＪＩＳ Ｋ ７２１０に準拠して、２３０℃で２．１６ｋｇの荷重にて測定した。

（２）ペンタッドアイソタクティック分率（ｍｍｍｍ分率）
試料（プロピレン単独重合体）のペンタッドアイソタクティック分率（ｍｍｍｍ分率）は、Ａ．ｚａｍｂｅｌｌｉらのＭａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，８，６８７（１９７５）に示された帰属に基づき、下記条件で¹³Ｃ−ＮＭＲを用いて測定し、メソペンタッド分率＝（２１．７ｐｐｍでのピーク面積）／（１９〜２３ｐｐｍでのピーク面積）とした。

〈測定条件〉
種類：ＪＮＭ−Ｌａｍｂａｄａ４００（日本電子（株）社製）
分解能：４００ＭＨｚ
測定温度：１２５℃
溶媒：１，２，４−トリクロロベンゼン／重水素化ベンゼン＝７／４
パルス幅：７．８μｓｅｃ
パルス間隔：５ｓｅｃ
積算回数：２０００回
シフト基準：ＴＭＳ＝０ｐｐｍ
モード：シングルパルスブロードバンドデカップリング
（３）灰分量
１００ｇの試料（プロピレン単独重合体）を磁性ルツボに入れ、電熱器上で加熱し試料を燃焼させ、８００℃の電気炉に３０分入れ、完全灰化させた。ルツボをデシケーター中で１時間冷却したのち精密天秤で灰分の重量を０.１ｍｇ単位まで測定し、試料に対する灰分量（ｐｐｍ）を算出した。

（４）塩素量
試料燃焼装置（三菱化成（株）社製燃焼装置）に試料（プロピレン単独重合体）約０.８ｇをセットし、アルゴン／酸素気流下、４００〜９００℃の条件で燃焼させ、出てきた燃焼ガスを吸収液（超純水）に通し塩素を捕集した。吸収液を濃縮装置付きのイオンクロマトグラフ（日本ダイオネクス（株）社製ＤＸ−３００、日本ダイオネクス（株）社製陰イオンカラムＡＳ４Ａ−ＳＣ）に導入し、得られたクロマトグラムの面積より塩素量を算出した。なお、検出限界は、１ｐｐｍである。

（５）分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）
分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、Ｗａｔｅｒｓ社製１５０ＣＶｔｙｐｅを用い、以下のようにして測定した。分離カラムは、昭和電工（株）社製ＳｈｏｄｅｘＡＤ−８０６ｍｓであり、カラム温度は１３５℃とし、移動相にはｏ−ジクロロベンゼンを用い、試料（プロピレン単独重合体）濃度は７．５ｍｇ/４ｍＬとした。標準ポリスチレンは、分子量がＭｗ＜１０００およびＭｗ＞４×１０⁶については東ソー社製を用い、１０００≦Ｍｗ≦４×１０⁶についてはプレッシャーケミカル社製を用いた。

（６）＜２，１＞エリトロ部位欠陥量
¹³Ｃ−ＮＭＲを用いて、特開平７-１４５２１２号公報に記載された方法に従って、全プロピレン構成単位中のプロピレンモノマーの２，１−挿入の割合を測定した。

具体的には、¹³Ｃ−ＮＭＲスペクトルは、試料５０〜６０ｍｇをＮＭＲサンプル管（５ｍｍφ）中でヘキサクロロブタジエン、ｏ-ジクロロベンゼンまたは１，２，４−トリクロロベンゼン約０.５ｍlに約０.０５ｍlのロック溶媒である重水素化ベンゼンを加えた溶媒中で完全に溶解させた後、１２０℃でプロトン完全デカップリング法にて測定した。測定条件は、フリップアングル４５°、パルス間隔３.４Ｔ₁以上（Ｔ₁は、メチル基のスピン格子緩和時間のうち最長の値）を選択した。なお、プロピレン単独重合体においてメチレン基およびメチン基のＴ₁は、メチル基より短いので、この測定条件では全ての炭素の磁化の回復は９９％以上である。

＜２，１＞エリトロ部位欠陥量は、全プロピレン挿入に対する２，１−プロピレンモノマー挿入の頻度として、下記の式で計算した。なお、式中、ΣＩＣＨ₃は全メチル基の面積を示す。また、ＩαδおよびＩβγは、それぞれαβピーク（３７.１ｐｐｍ付近で共鳴）の面積、βγピーク（２７.３ｐｐｍ付近で共鳴）の面積を示す。なお、これらメチレンピークの命名は、Ｃａｒｍａｎらの方法（Ｒｕｂｂｅｒ Ｃｈｅｍ. Ｔｅｃｈｎｏｌ.，４４(１９７１),７８１）に従った。

（７）融点（Ｔｍ）
（７−１）α晶核剤の融点（Ｔｍ、℃）
示差走査熱量計(ＤＳＣ７、パーキンエルマー社製)を用いて、内容量３０μＬのアルミニウム製穴あきサンプルパンに約５ｍｇのサンプルを入れ、アルミニウム製の蓋をして１０℃／ｍｉｎで３５０℃まで昇温した際に観察された、吸熱ピークを融点(Ｔｍ)と定義した。

（７−２）プロピレン単独重合体の融点（Ｔｍ、℃）
試料（プロピレン単独重合体）０.４０ｇ程度を０.２ｍｍ厚フィルムの成形金型に入れ、２４０℃で７分加熱後、冷却プレスしフィルムを作成した。得られたフィルムから５.０ｍｇ±０.５ｍｇを切り取り、専用アルミパンでクリンプし測定サンプルとした。サンプルを、パーキンエルマー社製ＤＳＣ７を用い窒素気流下で、３０℃で０.５分間保持したのち、３０℃から２４０℃までを３０℃／ｍｉｎで昇温し、２４０℃で１０分間保持したのち、２４０℃から３０℃までを１０℃／ｍｉｎで降温し、３０℃でさらに２分間保持したのち、次いで１０℃／ｍｉｎで昇温する際の吸熱曲線から融点（Ｔｍ）を求めた。

（８）延伸可能温度幅
延伸可能温度幅は、厚み２５０μｍの原反シートを用いて予熱温度幅を１４５℃から１６５℃まで１℃刻みで変更し、延伸時にフィルムが破断しなかった温度幅から求めた。

（９）絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）
絶縁破壊電圧測定用の二軸延伸フィルムは、延伸可能温度幅の中央に位置する温度にて、厚さ２５０μmの原反シートを延伸して作製した。なお、延伸条件は、以下のとおりである。

＜延伸条件＞
延伸装置：ＫＡＲＯＩＶ（商品名、ブルックナー社製）
予熱温度：１５４℃
予熱時間：６０秒
延伸倍率：縦方向（機械方向）５倍×横方向７倍の逐次二軸延伸（延伸面倍率：４５倍）
延伸速度：６ｍ／分。

次いで、ＪＩＳ Ｃ２３３０に準じ、春日電気（株）社製６点式直流交流切替式１５ＫＶ耐圧試験機を用い、１２０℃の温度の基で、１００〜５００Ｖ／ｓｅｃの電圧上昇をもって、上記で得られた二軸延伸フィルム（２５０ｍｍ×３００ｍｍ、厚み５μｍ）に電圧を印加して絶縁破壊電圧を測定し、耐圧特性を求めた。上部電極は質量５００ｇ、２５ｍｍφの黄銅製円柱を（＋）電極として、下部電極はシリコンゴムに、ＪＩＳ−Ｈ−４１６０に規定するアルミニウム箔を巻き付けて、これを（−）電極とした。また、測定は、フィルム１枚に対して６点を、シート３枚に対して行い、平均値をＢＤＶ値とした。

なお、絶縁破壊電圧は、破壊耐電圧の測定値（Ｖ）をフィルムの厚み（μｍ）で除したものである。

〔プロピレン単独重合体（ＰＰ１）の製造例１〕
（１）固体触媒の調製
内容積２リットルの高速撹拌装置（商品名：ＴＫホモミクサーＭ型、特殊機化工業製）内を十分窒素置換した。その後、該装置に精製デカン７００ｍｌ、塩化マグネシウム１０ｇ、エタノール２４．２ｇおよびレオドール（登録商標）ＳＰ−Ｓ２０（商品名、花王（株）製、ソルビタンジステアレート）３ｇを入れた。この懸濁液を撹拌しながら昇温し、１２０℃にて８００ｒｐｍで３０分間撹拌した。次いで、該懸濁液を、沈殿物が生じないように高速撹拌しながら、内径５ｍｍのテフロン（登録商標）製チューブを用いて、予め−１０℃に冷却された精製デカン１リットルを張り込んである２リットルのガラスフラスコ（攪拌機付）内に移した。移液により生成した固体を濾過し、精製ｎ−ヘプタンで十分洗浄することにより、塩化マグネシウム１モルに対してエタノールが２．８モル配位した固体状付加物を得た。

前記固体状付加物をデカンで懸濁状にして、マグネシウム原子に換算して２３ミリモルの前記固体状付加物を、−２０℃に保持した四塩化チタン１００ｍｌ中に、攪拌下、導入して混合液を得た。該混合液を５時間かけて８０℃に昇温した。温度が８０℃に達したところで、３，６−ジメチルシクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸ジイソブチル（シス体、トランス体混合物）を、前記固体状付加物のマグネシウム原子１モルに対して０．１５モルの割合の量で添加し、４０分間かけて１１０℃まで昇温した。攪拌しながら９０分間１１０℃で保持することにより、これらを反応させた。

前記反応終了後、熱濾過にて固体部を採取した。該固体部を１００ｍｌの四塩化チタンにて再懸濁させた後、昇温して１１０℃に達したところで、４５分間撹拌しながら保持することによりこれらを反応させた。該反応終了後、再び熱濾過にて固体部を採取し、１００℃のデカンおよびヘプタンで、洗液中に遊離のチタン化合物が検出されなくなるまで十分に洗浄した。

（２）予備重合触媒の製造
前記（１）で調製した固体状チタン触媒成分１３０ｇ、トリエチルアルミニウム７１ｍＬ、ヘプタン６５Ｌを内容量２００Ｌの攪拌機付きオートクレーブに挿入した。内温を１０〜１８℃に保ちながら、プロピレンを１３００ｇ挿入し、６０分間攪拌しながら反応させることで、予備重合触媒を得た。該予備重合触媒は前記固体状チタン触媒成分１ｇ当りポリプロピレンを１０ｇ含んでいた。

（３）本重合
内容量１０００Ｌの攪拌器付きベッセル重合器に、プロピレンを１３８ｋｇ／時間、前記予備重合触媒を１．７ｇ／時間、トリエチルアルミニウムを１２ｍＬ／時間、ジシクロペンチルジメトキシシランを２２ｍＬ／時間連続的に供給した。さらに、水素を気相部の水素濃度が２．５ｍｏｌ％になるように供給した。重合温度７０℃、圧力３．０ＭＰａ／Ｇの条件で重合を行った。

得られたスラリーを内容量５００Ｌの攪拌機付きベッセル重合器へ送り、更に重合を行った。重合器へは、プロピレンを３３ｋｇ／時間、水素を気相部の水素濃度が１．８ｍｏｌ％になるように供給した。重合温度６７℃、圧力２．９ＭＰａ／Ｇの条件で重合を行った。

得られたスラリーを内容量５００Ｌの攪拌機付きベッセル重合器へ送り、更に重合を行った。重合器へは、プロピレンを１３ｋｇ／時間、水素を気相部の水素濃度が１．５ｍｏｌ％になるように供給した。重合温度６５℃、圧力２．７ＭＰａ／Ｇの条件で重合を行った。

得られたスラリーを液体プロピレンによる洗浄槽に送液し、プロピレン単独重合体パウダーを洗浄した。得られたスラリーの溶媒を気化後、気固分離を行い、プロピレン単独重合体を得た。得られたプロピレン単独重合体は、コニカル乾燥機に導入して、８０℃で真空乾燥を行った。次いで生成物１００キログラムに対し、純水６０グラムとプロピレンオキサイド０．５４リットルとを添加して、９０℃で２時間脱塩素処理を行った。その後、８０℃にて真空乾燥を行い、プロピレン単独重合体（以下、ＰＰ１ａとも示す）のパウダーを得た。

（４）プロピレン単独重合体ペレットの作製
得られたプロピレン単独重合体（ＰＰ１ａ）１００質量部に対して、酸化防止剤として３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシトルエンを０．２質量部、酸化防止剤としてテトラキス［メチレン−３（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタンを０．５質量部、中和剤としてステアリン酸カルシウムを０．０１質量部、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサンを０．００３質量部配合した。この混合物を、単軸押出機を用いて、２３０℃で溶融混練してプロピレン単独重合体（ＰＰ１ａ）の造粒を行って、プロピレン単独重合体（ＰＰ１）を得た。なお、造粒機には、ＧＭＺ５０−３２（商品名、（株）ジーエムエンジニアリング製、Ｌ／Ｄ＝３２、５０ｍｍφ単軸）を使用した。

〔プロピレン単独重合体（ＰＰ２）の製造例２〕
（１）固体触媒の調製
無水塩化マグネシウム３００グラム、灯油１．６リットル、２−エチルヘキシルアルコール１．５リットルを１４０℃で３時間加熱して均一溶液とした。この溶液に無水フタル酸７０グラムを添加し、１３０℃で１時間攪拌して溶解した後、室温まで冷却した。さらに上記の溶液を−２０℃に冷却した四塩化チタン８．５リットル中にゆっくり滴下した。滴下終了後１１０℃まで昇温し、フタル酸ジイソブチル２１５ミリリットルを加え、さらに２時間攪拌した。熱時ろ過により固体を分離し、得られた固体を再度四塩化チタン１０リットル中に懸濁させ、再び１１０℃で２時間攪拌した。熱時ろ過により固体を分離し、得られた固体をｎ−ヘプタンで、洗浄液にチタンが実質上検出されなくなるまで洗浄した。得られた固体触媒はチタン２．２質量％、フタル酸ジイソブチル１１．０質量％を含有していた。

（２）重合
内部を十分に乾燥し、窒素で置換した内容積７０リットルのオートクレーブを準備し、トリエチルアルミニウム２ミリリットルをヘプタン１０００ミリリットルで希釈した混合物、ジシクロペンチルジメトキシシラン０．８ミリリットル、前記固体触媒１５０ミリグラムを加え、プロピレン２０ｋｇ、水素１７Ｎリットルを加え、７０℃で２時間重合した。重合後未反応のプロピレンをデカンテーションにより分離し、重合生成物を液化プロピレンで３回洗浄した。次いで、生成物に水０．２グラムとプロピレンオキサイド１０ミリリットルを添加して、さらに９０℃で１５分間処理し、減圧下で５分間乾燥した。このプロピレンオキサイドによる処理を３回繰り返し、生成ポリマーを取り出すことで、プロピレン単独重合体（以下、ＰＰ２ａとも示す）を得た。

（３）プロピレン単独重合体ペレットの作製
得られたプロピレン単独重合体（ＰＰ２ａ）１００質量部に対して、カルシウムステアレート０．００２質量部、イルガノックス（登録商標）−１３３０（商品名、チバガイギー社製）０．２質量部を混合し、２５０℃でペレット化することで、プロピレン単独重合体ペレット（ＰＰ２）を得た。なお、ペレット化は、実施例１と同様の方法で行った。

〔プロピレン単独重合体（ＰＰ３）の製造例３〕
［固体状チタン触媒成分（ａ）の調製］
無水塩化マグネシウム９５２ｇ、デカン４４２０ｍｌおよび２−エチルヘキシルアルコール３９０６ｇを、１３０℃で２時間加熱して均一溶液とした。この溶液中に無水フタル酸２１３ｇを添加し、１３０℃にてさらに１時間攪拌混合を行って無水フタル酸を溶解させた。

このようにして得られた均一溶液を２３℃まで冷却した後、この均一溶液の７５０ｍｌを、−２０℃に保持された四塩化チタン２０００ｍｌ中に１時間にわたって滴下した。滴下後、得られた混合液の温度を４時間かけて１１０℃に昇温し、１１０℃に達したところでフタル酸ジイソブチル（ＤＩＢＰ）５２．２ｇを添加し、これより２時間攪拌しながら同温度に保持した。次いで熱時濾過にて固体部を採取し、この固体部を２７５０ｍｌの四塩化チタンに再懸濁させた後、再び１１０℃で２時間加熱した。

加熱終了後、再び熱濾過にて固体部を採取し、１１０℃のデカンおよびヘキサンを用いて、洗浄液中にチタン化合物が検出されなくなるまで洗浄した。

上記のように調製された固体状チタン触媒成分（ａ）はヘキサンスラリーとして保存されるが、このうち一部を乾燥して触媒組成を調べた。固体状チタン触媒成分（ａ）は、チタンを３重量％、塩素を５８重量％、マグネシウムを１８重量％およびＤＩＢＰを２１重量％の量で含有していた。

［予備重合触媒の調製］
１０Ｌの攪拌機付きのオートクレーブ中に、窒素雰囲気下、精製ヘプタン７Ｌとトリエチルアルミニウム０．１６ｍｏｌおよび上記で得られた固体状チタン触媒成分（ａ）をチタン原子換算で０．０５３ｍｏｌ装入した後、プロピレン９００ｇを導入し、温度５℃以下に保ちながら、１時間反応させた。

重合終了後、反応器内を窒素で置換し、上澄み液の除去及び精製ヘプタンによる洗浄を３回行った。得られた予備重合触媒を精製ヘプタンに再懸濁して触媒供給槽に移し、固体状チタン触媒成分（ａ）濃度で１ｇ／Ｌとなるよう、精製ヘプタンの追加により調整を行った。この予備重合触媒は固体状チタン触媒成分（ａ）１ｇ当たりポリプロピレン１０ｇを含んでいた。

［重合］
内容積１４０Ｌの攪拌機付き重合槽１に液化プロピレン１００Ｌを装入し、この液位を保ちながら、液化プロピレン８３ｋｇ／Ｈｒ、予備重合触媒１８ｇ／Ｈｒ、トリエチルアルミニウム４７ｍｍｏｌ／Ｈｒ、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン７ｍｍｏｌ／Ｈｒを連続的に供給し、温度７３℃で重合した。また、水素も重合槽１の気相部の濃度を０．３７ｍｏｌに保つように連続的に供給した。この重合槽１で生成した重合体の生成量比（重合全体に占める重合槽１の生成量の割合）は、３０重量％であった。得られた重合体を内容積５００Ｌの攪拌機付き重合槽２へスラリー状のまま送液した。

重合槽２では液位３００Ｌを保ちながら、新たに液化プロピレン２１７ｋｇ／Ｈｒを連続的に供給し、温度７１℃で重合した。また、水素も重合槽２の気相部の濃度を０．３７ｍｏｌ％に保つように連続的に供給した。重合槽２で生成した重合体の生成量比（重合全体に占める重合槽２の生成量の割合）は、４５重量％であった。得られた重合体を内容積５００Ｌの攪拌機付き重合槽３へスラリー状のまま送液した。

重合槽３では液位３００Ｌを保ちながら、新たに液化プロピレン７５ｋｇ／Ｈｒを連続的に供給し、温度７０℃で重合した。また水素も重合槽２と同様、気相部の濃度を０．３７ｍｏｌ％に保つように連続的に供給した。得られたスラリーは失活後、プロピレンによる洗浄槽に送液後、ポリプロピレンパウダーを洗浄し脱灰した。重合槽３で生成した重合体の生成量比（重合全体に占める重合槽３の生成量の割合）は、２５重量％であった。その後、プロピレンを蒸発させポリプロピレンパウダーを得た。

［ペレット化］
得られたポリプロピレン樹脂１００重量部に対して、酸化防止剤として３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシトルエンを０．１重量部、酸化防止剤としてテトラキス［メチレン−３（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタンを０．２重量部、中和剤としてステアリン酸カルシウムを０．０１重量部を配合し、単軸押出機を用いて、樹脂温度２３０℃で溶融混練してポリプロピレン樹脂のペレット化を行って、プロピレン単独重合体（ＰＰ３）を得た。なお、単軸押出機は、（株）ジーエムエンジニアリング製ＧＭＺ５０−３２（Ｌ／Ｄ＝３２）を使用した。

〔プロピレン単独重合体（ＰＰ４）の製造例４〕
（１）固体触媒担体の調整
１Ｌ枝付フラスコにＳｉＯ₂（ＡＧＣエスアイテック製サンスフェア（登録商標）Ｈ１２１）３００ｇをサンプリングし、トルエン８００ｍＬを入れ、スラリー化した。次に５Ｌ４つ口フラスコへ移液をし、トルエン２６０ｍＬを加えた。メチルアルミノキサン（以下、ＭＡＯ）−トルエン溶液（１０ｗｔ％溶液）を２８３０ｍＬ導入した。室温のままで、３０分間攪拌した。１時間で１１０℃に昇温し、４時間反応を行った。反応終了後、室温まで冷却した。冷却後、上澄みトルエンを抜き出し、フレッシュなトルエンで、置換率が９５％になるまで、置換を行った。

（２）固体触媒の製造（担体への金属触媒成分の担持）
グローブボックス内にて、５Ｌ４つ口フラスコにジメチルシリレンビス−（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジルコニウムジクロリドを１．０ｇ秤取った。フラスコを外へ出し、トルエン０．５Ｌおよび前記（１）で調製したＭＡＯ／ＳｉＯ₂／トルエンスラリー２．０Ｌ（固体成分として１００ｇ）を窒素下で加え、３０分間攪拌し担持を行った。得られたジメチルシリレンビス−（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジルコニウムジクロリド／ＭＡＯ／ＳｉＯ₂／トルエンスラリーはｎ−ヘプタンにて９９％置換を行い、最終的なスラリー量を４．５リットルとした。この操作は、室温で行った。

（３）前重合触媒の製造
前記（２）で調製した固体触媒成分１０１ｇ、トリエチルアルミニウム１１１ｍＬ、ヘプタン８０Ｌを内容量２００Ｌの攪拌機付きオートクレーブに挿入し、内温１５〜２０℃に保ちエチレンを３０３ｇ挿入し、１８０分間攪拌しながら反応させた。重合終了後、固体成分を沈降させ、上澄み液の除去およびヘプタンによる洗浄を２回行った。得られた前重合触媒を精製ヘプタンに再懸濁して、固体触媒成分濃度で１ｇ／Ｌとなるよう、ヘプタンにより調整を行った。この前重合触媒は固体触媒成分１ｇ当りポリエチレンを３ｇ含んでいた。

（４）本重合
内容量５８Ｌのジャケット付循環式管状重合器にプロピレンを３０ｋｇ／時間、水素を５ＮＬ／時間、前記（３）で製造した触媒スラリーを固体触媒成分として１．７ｇ／時間、トリエチルアルミニウム１．０ｍｌ／時間を連続的に供給し、気相の存在しない満液の状態にて重合した。管状重合器の温度は３０℃であり、圧力は３．１ＭＰａ／Ｇであった。

得られたスラリーは内容量１０００Ｌの攪拌機付きベッセル重合器へ送り、更に重合を行った。重合器へは、プロピレンを５０ｋｇ／時間、水素を気相部の水素濃度が０．３０ｍｏｌ％になるように供給した。重合温度７０℃、圧力３．０ＭＰａ／Ｇで重合を行った。

得られたスラリーは内容量５００Ｌの攪拌機付きベッセル重合器へ送り、更に重合を行った。重合器へは、プロピレンを１５ｋｇ／時間、水素を気相部の水素濃度が０．３０ｍｏｌ％になるように供給した。重合温度６９℃、圧力２．９ＭＰａ／Ｇで重合を行った。

得られたスラリーは内容量５００Ｌの攪拌機付きベッセル重合器へ送り、更に重合を行った。重合器へは、プロピレンを１２ｋｇ／時間、水素を気相部の水素濃度が０．３０ｍｏｌ％になるように供給した。重合温度６８℃、圧力２．９ＭＰａ／Ｇで重合を行った。

得られたスラリーは内容量５００Ｌの攪拌機付きベッセル重合器へ送り、更に重合を行った。重合器へは、プロピレンを１３ｋｇ／時間、水素を気相部の水素濃度が０．３０ｍｏｌ％になるように供給した。重合温度６７℃、圧力２．９ＭＰａ／Ｇで重合を行った。

得られたスラリーを気化後、気固分離を行い、プロピレン単独重合体を得た。プロピレン単独重合体は、４０ｋｇ／ｈで得られた。プロピレン単独重合体を８０℃で真空乾燥を行って、プロピレン単独重合体（ＰＰ４）を得た。

〔実施例１〕
上記製造例１で得られたプロピレン単独重合体（ＭＦＲ：４.０ｇ／１０分、ｍｍｍｍ：９７％、灰分量：２０ｐｐｍ、塩素量：１ｐｐｍ、＜２，１＞エリトロ部位欠陥量：０．０ｍｏｌ％、Ｔｍ：１６３℃、Ｍｗ／Ｍｎ：９．０）に、α晶核剤として、ノニトール誘導体（ミリケン社製ミラッドＮＸ８０００、融点：２４５℃）を２００ｐｐｍ配合し、単軸押出機を用いて、２３０℃で溶融混練を行うことで、フィルムコンデンサ用ポリプロピレンの造粒を得た。なお、造粒機には、ＧＭＺ５０−３２（商品名、（株）ジーエムエンジニアリング製、Ｌ／Ｄ＝３２、５０ｍｍφ単軸）を使用した。

前記フィルムコンデンサ用ポリプロピレンのペレットを、３０ｍｍφのＴダイ（（株）ジーエムエンジニアリング製）で２５０℃に溶融後、押出し、３０℃の温度に保持された１個の冷却ロールにより、引張り速度１．０ｍ／分で冷却し、厚さが２５０μｍの原反シートを得た。得られた原反シートを８５ｍｍ×８５ｍｍにカットし、以下の条件で二軸延伸し、評価用の二軸延伸フィルム（膜厚：７μｍ）を得た。得られたフィルムの測定結果を表１に示す。

延伸装置：ＫＡＲＯＩＶ（商品名、ブルックナー社製）
予熱温度：１５４℃
予熱時間：６０秒
延伸倍率：５×７倍（ＭＤ方向５倍、ＴＤ方向７倍）の逐次二軸延伸
延伸速度：６ｍ／分。

〔実施例２および３〕
実施例２では、α晶核剤の配合量を５００ｐｐｍとした以外は、実施例１と同様にしてフィルムを作製した。

実施例３では、α晶核剤の配合量を１０００ｐｐｍとした以外は、実施例１と同様にしてフィルムを作製した。

これらのフィルムについての測定結果を表１に示す。

〔実施例４〕
上記製造例２で得られたプロピレン単独重合体（ＭＦＲ：４.０ｇ／１０分、ｍｍｍｍ：９８％、灰分量：２０ｐｐｍ、塩素量：１ｐｐｍ、＜２，１＞エリトロ部位欠陥量：０．０ｍｏｌ％、Ｔｍ：１６３℃、Ｍｗ／Ｍｎ：６．５）を用い以外は、実施例１と同様にしてフィルムを作製した。

得られたフィルムについて、結果を表１に示す。

〔比較例１〕
α晶核剤を配合しないで、実施例１と同様にしてフィルムを作製した。得られたフィルムについて、結果を表１に示す。

〔比較例２〕
核剤として、リン酸エステル金属塩（株式会社ＡＤＥＫＡ社製アデカスタブ（登録商標）ＮＡ１１、融点：４００℃以上）を５００ｐｐｍ配合した以外は、実施例１と同様にしてフィルムを作製した。

得られたフィルムについて、結果を表１に示す。

〔比較例３〕
核剤として、タルク（富士タルク工業社製ＬＭＳ２００、９００℃で分解）を５００ｐｐｍ配合した以外は、実施例１と同様にしてフィルムを作製した。

得られたフィルムについて、結果を表１に示す。

〔比較例４〕
上記製造例２で得られたプロピレン単独重合体を用いた以外は、比較例１と同様にしてフィルムを作製した。

得られたフィルムについて、結果を表１に示す。

〔比較例５〕
上記製造例３で得られたプロピレン単独重合体（ＭＦＲ：３．５ｇ／１０分、ｍｍｍｍ：９２％、灰分量：２０ｐｐｍ、塩素量：１ｐｐｍ、＜２，１＞エリトロ部位欠陥量：０．０ｍｏｌ％、Ｔｍ：１６０℃、Ｍｗ／Ｍｎ：５．５）を用い以外は、実施例２と同様にしてフィルムを作製した。

得られたフィルムについて、結果を表１に示す。

〔比較例６〕
上記製造例４で得られたプロピレン単独重合体（ＭＦＲ：４.２ｇ／１０分、ｍｍｍｍ：９５％、灰分量：１５０ｐｐｍ、塩素量：１ｐｐｍ未満、＜２，１＞エリトロ部位欠陥量：０．８５ｍｏｌ％、Ｔｍ：１４８℃、Ｍｗ／Ｍｎ：２．８）を用い以外は、実施例２と同様にしてフィルムを作製した。

得られたフィルムについて、結果を表１に示す。

本発明のフィルムコンデンサ用二軸延伸フィルムは、実施例および比較例に示すように、延伸温度幅が広く、１２０℃の高温においても非常に高い絶縁破壊電圧を有することが分かる。

（２）ペンタッドアイソタクティック分率（ｍｍｍｍ分率）
試料（プロピレン単独重合体）のペンタッドアイソタクティック分率（ｍｍｍｍ分率）は、Ａ．ｚａｍｂｅｌｌｉらのＭａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，８，６８７（１９７５）に示された帰属に基づき、下記条件で¹³Ｃ−ＮＭＲを用いて測定し、ペンタッドアイソタクティック分率＝（２１．７ｐｐｍでのピーク面積）／（１９〜２３ｐｐｍでのピーク面積）とした。

［重合］
内容積１４０Ｌの攪拌機付き重合槽１に液化プロピレン１００Ｌを装入し、この液位を保ちながら、液化プロピレン８３ｋｇ／Ｈｒ、予備重合触媒１８ｇ／Ｈｒ、トリエチルアルミニウム４７ｍｍｏｌ／Ｈｒ、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン７ｍｍｏｌ／Ｈｒを連続的に供給し、温度７３℃で重合した。また、水素も重合槽１の気相部の濃度を０．３７ｍｏｌ％に保つように連続的に供給した。この重合槽１で生成した重合体の生成量比（重合全体に占める重合槽１の生成量の割合）は、３０重量％であった。得られた重合体を内容積５００Ｌの攪拌機付き重合槽２へスラリー状のまま送液した。

Claims (8)

1. 少なくとも、（１）ＪＩＳ Ｋ ７２１０に準拠して、２３０℃、２.１６ｋｇ荷重にて測定したメルトフローレート（ＭＦＲ）が、１〜１０（ｇ／１０分）の範囲にあり、
   （２）¹³Ｃ−ＮＭＲを用いて測定したペンタッドアイソタクティック分率（ｍｍｍｍ分率）が、９３％以上であり、
   （３）¹³Ｃ−ＮＭＲを用いて測定される＜２，１＞エリトロ部位欠損量が、０．１ｍｏｌ％未満であり、
   （４）空気中で完全に燃焼させて得られる灰分量が、５０ｐｐｍ以下であり、
   （５）イオンクロマトグラフ法により測定した塩素量が、５ｐｐｍ以下であり、
   （６）ゲルパーミエーションクロマトグラフ（ＧＰＣ）法で測定した分子量分布Ｍｗ／Ｍｎが６．５〜１２であるプロピレン単独重合体と、
   融点が２９０℃以下であるα晶核剤を含んでなることを特徴とするフィルムコンデンサ用ポリプロピレン。
2. 少なくとも、前記プロピレン単独重合体と前記α晶核剤を溶融混練して得られる、請求項１に記載のフィルムコンデンサ用ポリプロピレン。
3. 前記α晶核剤が、ノニトール誘導体およびソルビトール誘導体から選ばれる少なくとも１種以上であることを特徴とする請求項１または２に記載のフィルムコンデンサ用ポリプロピレン。
4. 前記α晶核剤の配合量が、前記プロピレン単独重合体１００重量％に対して、１〜２０００ｐｐｍであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のフィルムコンデンサ用ポリプロピレン。
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載のフィルムコンデンサ用ポリプロピレンを二軸延伸して得られる、フィルムコンデンサ用二軸延伸フィルム。
6. 請求項５に記載のフィルムコンデンサ用二軸延伸フィルムを含む、フィルムコンデンサ。
7. 少なくとも、下記要件（１）〜（６）を満たすプロピレン単独重合体と、融点が２９０℃以下であるα晶核剤を溶融混練する工程を含む、フィルムコンデンサ用ポリプロピレンの製造方法。
   （１）ＪＩＳ Ｋ ７２１０に準拠して、２３０℃、２.１６ｋｇ荷重にて測定したメルトフローレート（ＭＦＲ）が、１〜１０（ｇ／１０分）の範囲にある。
   （２）¹³Ｃ−ＮＭＲを用いて測定したペンタッドアイソタクティック分率（ｍｍｍｍ分率）が、９３％以上である。
   （３）¹³Ｃ−ＮＭＲを用いて測定される＜２，１＞エリトロ部位欠損量が、０．１ｍｏｌ％未満である。
   （４）空気中で完全に燃焼させて得られる灰分量が、５０ｐｐｍ以下である。
   （５）イオンクロマトグラフ法により測定した塩素量が、５ｐｐｍ以下である。
   （６）ゲルパーミエーションクロマトグラフ（ＧＰＣ）法で測定した分子量分布Ｍｗ／Ｍｎが６．５〜１２である。
8. 請求項１〜４のいずれか一項に記載のフィルムコンデンサ用ポリプロピレンを二軸延伸する工程を含む、フィルムコンデンサ用二軸延伸フィルムの製造方法。