JPWO2016017645A1 - 無機膜付き支持基板およびガラス積層体、ならびに、それらの製造方法および電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

本発明は高温での処理を行った際におけるガラス基板（１６）と無機膜（１４）と間の発泡を抑制し、さらに、無機膜（１４）とガラス基板（１６）との密着性も良好な無機膜付き支持基板（１０）を提供することを目的とする。本発明は無機膜付き支持基板（１０）における無機膜（１４）側の表面が、表面粗さＲａが２ｎｍ超、かつ、負荷曲線の負荷長さ率０％と１０％とにおける山高さの差が２０ｎｍ以下であることを特徴とする無機膜付き支持基板（１０）に関する。

Description

本発明は、ガラス基板を用いて液晶パネルや有機ＥＬパネルなどの電子デバイスを製造する際に使用される無機膜付き支持基板、および、これにガラス基板を積層したガラス積層体、ならびに、これらの製造方法および電子デバイスの製造方法に関する。

近年、太陽電池（ＰＶ）、液晶パネル（ＬＣＤ）、有機ＥＬパネル（ＯＬＥＤ）などの電子デバイス（電子機器）の薄型化、軽量化が進行している。これに対応して、これらの電子デバイスに用いるガラス基板の薄板化が進行している。
一方、薄板化によりガラス基板の強度が不足すると、電子デバイスの製造工程において、ガラス基板のハンドリング性が低下する。

そこで、最近では、上記の課題に対応するため、ガラス基板を支持基板で支持した状態で、ガラス基板に電子デバイスを製造することが行われている。例えば、ガラス製の支持基板に無機膜（吸着膜）を形成した無機膜付きの支持基板を用意し、この支持基板の無機膜上にガラス基板を積層して密着した積層体を得て、この積層体のガラス基板に電子デバイスを製造した後、該積層体から電子デバイスが製造されたガラス基板を剥離する方法が提案されている（特許文献１および２）。
これらの方法によれば、ガラス基板が薄くてもハンドリング性を向上させ、適切な位置決めを可能とすると共に、所定の処理後に素子が配置されたガラス基板を積層体から容易に剥離することができる旨が開示されている。

日本国特開２０１１−１８４２８４号公報 日本国特開２０１１−２０１７２５号公報

ところで、近年、電子デバイスの高性能化の要求に伴い、電子デバイスの製造の際により高温条件下（例えば、４５０℃以上）での処理の実施が望まれている。
ところが、従来の無機膜付きの支持基板にガラス基板を積層した積層体では、４５０℃以上での高温処理、特に５００〜６００℃のような高温処理を行うと、ガラス基板や無機膜に付着物が生じたり、含まれるガスが放出される等することにより、ガラス基板と無機膜との間に多数の気泡が生じてしまう場合が有る。

また、従来の無機膜付きの支持基板では、無機膜の表面にガラス基板を積層する際に密着性が悪い場合も有る。すなわち、支持基板の無機膜とガラス基板とを重ねても自然には密着しないばかりか、機械的にプレスしても密着しなかったり、密着したとしても容易に剥離する場合も有る。

本発明の目的は、このような従来技術の問題点を解決することにあり、高温での処理を行った際におけるガラス基板と無機膜と間の発泡を抑制し、さらに、無機膜とガラス基板との密着性も良好な無機膜付き支持基板、および、この無機膜付き支持基板にガラス基板を積層したガラス積層体、ならびに、この無機膜付き支持基板およびガラス積層体の製造方法、電子デバイスの製造方法を提供することにある。

本発明者らは前記目的を達成するために鋭意検討を行った結果、本発明を完成した。
すなわち、本発明に係る無機膜付き支持基板は、支持基板と、前記支持基板上に形成された無機膜とを有し、
前記無機膜付き支持基板における無機膜側の表面が、表面粗さＲａが２ｎｍ超、かつ、負荷曲線の負荷長さ率０％と１０％とにおける山高さの差が２０ｎｍ以下であることを特徴とする。

前記無機膜付き支持基板において、前記表面粗さＲａおよび前記山高さの差が、前記無機膜の表面性状に起因することが好ましい。また、その時の前記無機膜の厚さが１０ｎｍ以上であるのが好ましい。
また、前記無機膜付き支持基板において、前記表面粗さＲａおよび前記山高さの差が、前記支持基板の表面性状に起因する、もしくは、前記無機膜の表面性状および前記支持基板の表面性状に起因することが好ましい。また、その時の前記無機膜の厚さが１０〜６０ｎｍであるのが好ましい。
本発明に係る無機膜付き支持基板における支持基板はガラス製であることが好ましい。

また、本発明のガラス積層体は、前記本発明に係る無機膜付き支持基板の無機膜上に、ガラス基板を積層することを特徴とする。

また、本発明の無機膜付き支持基板の製造方法の第１の態様は、支持基板の表面に無機膜を成膜し、その後、前記無機膜の表面を平坦化することを特徴とする。

また、本発明の無機膜付き支持基板の製造方法の第２の態様は、支持基板となる板状物の表面を粗面化処理して支持基板を作製し、前記支持基板の表面に無機膜を形成することを特徴とする。

前記無機膜付き支持基板の製造方法の第２の態様において、前記無機膜を形成した後、さらに、前記無機膜を平坦化することが好ましい。
また、前記板状物の表面を粗面化処理した後、さらに、前記粗面化処理した面の平坦化を行って支持基板を作製することが好ましい。

また、本発明のガラス積層体の製造方法は、前記第１の態様又は第２の態様により無機膜付き支持基板を製造した後、前記無機膜付き支持基板の無機膜上にガラス基板を積層することを特徴とする。

さらに、本発明の電子デバイスの製造方法は、前記本発明のガラス積層体の製造方法を用いることを特徴とする。

本発明に係る無機膜付き支持基板を、ガラス基板を積層したガラス積層体の支持基板に用いることによって、該ガラス基板に電子デバイスを形成する際に、良好な密着性を提供すると共に、電子デバイスの製造において４５０℃を超えるような高温処理を行っても、ガラス基板と無機膜との間に気泡が生じることを抑制できる。

図１（Ａ）は、本発明の無機膜付き支持基板の一例を概念的に示す側面の断面図であり、図１（Ｂ）は、本発明のガラス積層体の一例を概念的に示す側面の断面図である。 図２は、負荷曲線の一例を概念的に示す図である。 図３（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の無機膜付き支持基板およびガラス積層体の製造方法の一例を説明するための側面の断面図である。 図４（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の無機膜付き支持基板およびガラス積層体の製造方法の一例を説明するための側面の断面図である。 図５（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の無機膜付き支持基板およびガラス積層体の製造方法の一例を説明するための側面の断面図である。

以下、本発明の無機膜付き支持基板およびガラス積層体、ならびに、本発明の無機膜付き支持基板の製造方法、ガラス積層体の製造方法及び、電子デバイスの製造方法について、添付の図面に示される好適実施例を基に、詳細に説明する。
なお、本明細書において、“重量％”と“質量％”とは同義である。

図１（Ａ）に、本発明の無機膜付き支持基板の一例を概念的に示す。なお、図１（Ａ）は、無機膜付き支持基板の側面の断面図である。
本発明の無機膜付き支持基板１０は、ガラス基板を用いる電子デバイス等の製造において、ガラス基板を支持する支持基板として用いられるものであり、基本的に、支持基板１２と無機膜１４とから構成される。
このような無機膜付き支持基板１０は、図１（Ｂ）に概念的に示すように、無機膜１４にガラス基板１６が積層、密着されて、本発明のガラス積層体２０とされ、ガラス基板１６を用いる電子デバイスの製造に利用される。
ここで、本発明の無機膜付き支持基板１０において、無機膜１４側の表面は、表面粗さＲａが２ｎｍ超で、かつ、負荷曲線の負荷長さ率０％と１０％とにおける山高さの差が２０ｎｍ以下である。この点に関しては、後に詳述する。

支持基板１２は、図１（Ｂ）に示すガラス積層体２０において、主にガラス基板１６を支持して、ガラス基板１６の損傷や変形を防止するものである。
本発明の無機膜付き支持基板１０において、支持基板１２は、ガラス板、ステンレススチール（ＳＵＳ）板などの金属板などの各種の板材（板状物）が利用可能である。

ここで、ガラス積層体２０を利用する電子デバイスの製造において、熱処理を伴う工程を有する場合には、支持基板１２は、ガラス基板１６との線膨張係数の差の小さい材料で形成されるのが好ましい。
支持基板１２は、ガラス基板１６と同一材料で形成されるのが好ましく、支持基板１２はガラス板であるのがより好ましい。特に、支持基板１２は、ガラス基板１６と同じガラス材料からなるガラス板であるのが好ましい。

支持基板１２の厚さは、後述するガラス基板１６よりも厚くてもよく、薄くてもよい。
好ましくは、ガラス基板１６の厚さ、無機膜１４の厚さ、および後述する無機膜付きガラス積層体２０の厚さに基づいて、支持基板１２の厚さが選択される。例えば、電子デバイスの製造工程が０．５ｍｍの基板を処理するように設計されたものであって、ガラス基板１６の厚さおよび無機膜１４の厚さの和が０．１ｍｍの場合、支持基板１２の厚さを０．４ｍｍとする。

支持基板１２の厚さは、通常の場合、０．２〜５ｍｍであるのが好ましい。
なお、支持基板１２がガラス板の場合には、扱いやすく、割れにくいなどの理由から、支持基板１２の厚さは、０．０８ｍｍ以上であるのが好ましい。また、ガラス板の厚さは、電子デバイス用部材形成後に剥離する際に、割れずに適度に撓むような剛性が望まれる理由から、１．０ｍｍ以下であるのが好ましい。

無機膜付き支持基板１０において、支持基板１２の一方の表面（主面の１面）には、無機物からなる膜である無機膜１４が形成される。
無機膜１４は、無機膜付き支持基板１０にガラス基板１６を積層して、剥離可能に密着させるための膜（吸着膜）である。言い換えると、無機膜１４は、易剥離性を有して、無機膜付き支持基板１０にガラス基板１６を積層、密着（貼着）して保持する機能を具備する膜である。
無機膜１４は、優れた耐熱性を示す。そのため、ガラス積層体２０を高温条件に曝しても層自体の化学変化が起きにくく、後述するガラス基板１６との間でも化学結合を生じにくい。また、重剥離化によるガラス基板１６への無機膜１４の付着が生じにくい。なお、重剥離化とは、無機膜１４とガラス基板１６との界面の剥離強度が、支持基板１２と無機膜１４との界面の剥離強度、および、無機膜１４の材料自体の強度（バルク強度）のいずれかよりも大きくなることをいう。無機膜１４とガラス基板１６との界面で重剥離化が起こると、ガラス基板１６表面に無機膜１４の成分が付着しやすく、その表面の清浄化が困難となりやすい。ガラス基板１６表面への無機膜１４の付着とは、無機膜１４全体がガラス基板１６表面に付着すること、および、無機膜１４表面が損傷し無機膜１４表面の成分の一部がガラス基板１６表面に付着すること、などを意味する。

無機膜１４は、電子デバイス等の製造において、電子デバイスを形成されるガラス基板を支持するための、公知の無機膜付き支持基板で利用されている、各種の無機化合物からなるものが利用可能である。
具体的には、酸化物、窒化物、酸窒化物、炭化物、炭窒化物、珪化物および弗化物からなる群から選ばれる少なくとも１つを含むのが好ましい。

酸化物、窒化物、酸窒化物としては、例えば、Ｓｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｙ、Ｎｂ、Ｎａ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｍｇ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｓｒ、Ｓｎ、Ｉｎ、ＣｅおよびＢａから選ばれる１種類以上の元素の酸化物、窒化物、酸窒化物が挙げられる。より具体的には、酸化チタン（ＴｉＯ_２）、酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ガリウム（Ｇａ_２Ｏ_３）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛スズ（ＺＴＯ）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムセリウム（ＩＣＯ）、窒化硅素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タングステン（ＷＮ）、窒化クロム（ＣｒＮ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化モリブデン（ＭｏＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）などが挙げられる。

炭化物、炭窒化物としては、例えば、Ｔｉ、Ｗ、Ｓｉ、ＺｒおよびＮｂから選ばれる１種以上の元素の炭化物、炭窒化物が挙げられる。より具体的には、炭化チタン（ＴｉＣ）、炭化タングステン（ＷＣ）、炭化硅素（ＳｉＣ）、炭化ニオブ（ＮｂＣ）、炭化ジルコニウム（ＺｒＣ）、炭窒化チタン（ＴｉＣＮ）、炭窒化タングステン（ＷＣＮ）、炭窒化硅素（ＳｉＣＮ）、炭窒化ニオブ（ＮｂＣＮ）、炭窒化ジルコニウム（ＺｒＣＮ）などが挙げられる。

珪化物としては、例えば、Ｗ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｔｉ、ＺｒおよびＢａから選ばれる１種以上の元素の珪化物が挙げられる。
弗化物としては、例えば、Ｍｇ、Ｙ、ＬａおよびＢａから選ばれる１種以上の元素の弗化物が挙げられる。

中でも、電子デバイスの製造工程等において、ガラス積層体２０を熱処理した後のガラス基板１６との剥離性が良好である、熱処理前の加工に耐えられる密着性を持ちながら熱処理による膜特性の変化が少なく再利用が容易である、容易に入手できる、成膜などでの制御が可能である等の点で、炭化硅素、酸化インジウムスズおよび酸化インジウムセリウムは、より好適に例示される。

無機膜１４の平均線膨張係数は、支持基板１２等の形成材料に応じて、適宜、設定すればよい。
例えば、支持基板１２としてガラス板を使用する場合は、その平均線膨張係数は１０×１０^−７〜２００×１０^−７／℃が好ましい。この範囲であれば、ガラス板との平均線膨張係数の差が小さくなり、高温環境下におけるガラス基板１６と無機膜付き支持基板１０との位置ずれをより抑制することができる。

無機膜１４は、前述した無機化合物の少なくとも１種が主成分として含まれているのが好ましい。ここで、主成分とは、これらの総含有量が、無機膜１４の全量に対して、９０質量％以上であることを意味し、９８質量％以上であるのが好ましく、９９質量％以上であるのがより好ましい。無機膜の成分および含有量はＥＤＸ（Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ；エネルギー分散型Ｘ線分光法）や、ＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ；Ｘ線光電子分光法）、ＳＩＭＳ（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ；二次イオン質量分析法）により測定することができる。

無機膜１４の厚さは、後述のプロセスや膜材料に依存して目的とする無機膜１４の表面性状、積層されるガラス基板１６の種類、支持基板１２の表面性状等に応じて、適宜、設定すればよい。

なお、無機膜１４は、図１（Ａ）及び（Ｂ）では単層として記載されているが、２層以上の積層構造であってもよい。また、２層以上の積層構造の場合、各層が異なる組成であってもよい。
さらに、無機膜１４は通常支持基板１２の全面に形成されるが、本発明の効果を損なわない範囲で、支持基板１２表面に、無機膜１４が形成されない領域を有してもよい。

ここで、本発明の無機膜付き支持基板１０においては、無機膜１４側の表面は、表面粗さＲａが２ｎｍ超で、かつ、負荷曲線の負荷長さ率０％と１０％とにおける山高さの差が２０ｎｍ以下である。本発明は、このような構成を有することにより、無機膜１４とガラス基板１６との良好な密着性を確保し、また、高温処理を行った際における無機膜１４とガラス基板１６との間に生じる発泡を抑制している。
この点に関しては、後に詳述する。

本発明のガラス積層体２０は、図１（Ｂ）に概念的に示すように、このような本発明の無機膜付き支持基板１０の無機膜１４に、ガラス基板１６を積層して、密着してなるものである。

ガラス基板１６は、一般的なものであってよく、例えばＬＣＤやＯＬＥＤなど、ガラス基板１６（ガラス積層体２０）を使用する電子デバイスの種類や、その製造工程に適したガラスを、適宜、選択すればよい。
一例として、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化硅素を主な成分とする酸化物系ガラス等が好適に例示される。なお、酸化物系ガラスは、酸化物換算による酸化硅素の含有量が４０〜９０質量％のガラスが好ましい。
例えば、ガラス基板１６がＬＣＤに利用される場合には、アルカリ金属成分の溶出が液晶に影響を与えやすいことから、アルカリ金属成分を実質的に含まないガラス（無アルカリガラス（ただし、通常アルカリ土類金属成分は含まれる））が利用される。

ガラス基板１６は、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形して得られる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法、フルコール法、ラバース法などが用いられる。また、特に厚さが薄いガラス基板は、いったん板状に成形したガラスを成形可能温度に加熱し、延伸などの手段で引き伸ばして薄くする方法（リドロー法）で成形して得られる。

ガラス基板１６の厚さは、ガラス基板１６の用途や大きさに応じて、適宜、設定すればよい。
具体的には、ガラス基板１６の厚さは、ガラス基板１６の薄型化および／または軽量化の観点から、０．８ｍｍ以下が好ましく、０．３ｍｍ以下がより好ましく、０．１５ｍｍ以下が特に好ましい。ガラス基板１６の厚さを０．８ｍｍ以下とすることにより、ガラス基板１６の薄型化および／または軽量化の要求を好適に満たすことができる。また、ガラス基板１６の厚さを０．３ｍｍ以下とすることにより、ガラス基板１６に良好なフレキシブル性を与えることが可能である。さらに、ガラス基板１６の厚さを０．１５ｍｍ以下とすることにより、ガラス基板１６をロール状に巻き取ることが可能になる。
また、ガラス基板１６の厚さは、ガラス基板１６の製造が容易である、ガラス基板１６の取り扱いが容易である等の理由から、０．０３ｍｍ以上であるのが好ましい。

なお、ガラス基板１６は２層以上からなっていてもよく、この場合、各々の層を形成する材料は同種材料であってもよいし、異種材料であってもよい。また、この場合、「ガラス基板の厚さ」は全ての層の合計の厚さとする。

前述のように、本発明の無機膜付き支持基板１０またはガラス積層体２０において、無機膜１４側の表面は、表面粗さＲａが２ｎｍ超で、かつ、負荷曲線の負荷長さ率０％と１０％とにおける山高さの差が２０ｎｍ以下である。
本発明の無機膜付き支持基板１０は、このような構成を有することにより、無機膜１４にガラス基板１６を積層してガラス積層体２０とする際に、無機膜１４とガラス基板１６との良好な密着性を確保することができると共に、ガラス基板１６に電子デバイスを形成するために高温での熱処理を行っても、無機膜１４とガラス基板１６との間に泡が生じることを抑制できる。さらに、本発明の無機膜付き支持基板１０は、ガラス基板１６に電子デバイスを形成するために熱処理を行った後における無機膜１４とガラス基板１６との剥離性も良好である（良好な易剥離性を有する）。

薄膜のガラス基板に電子デバイスを形成するための支持体として、特許文献１や特許文献２に示されるような、支持基板に無機膜を形成してなる無機膜付き支持基板が知られている。この無機膜付き支持基板を利用することにより、薄膜のガラス基板を用いた場合であって、良好なハンドリング性を確保して、適正に電子デバイスを作製できる。
ここで、近年では、電子デバイスの高性能化のため、電子デバイスの製造の際に、４５０℃以上のような高温条件下での処理の実施が望まれている。ところが、従来の無機膜付きの支持基板では、４５０℃以上での高温処理、特に、５００〜６００℃のような高温処理を行うと、ガラス基板や無機膜に付着物が生じたり、含まれるガスが放出されることによって、ガラス基板と無機膜との間に多数の泡が生じてしまう場合が有る。
さらに、従来の無機膜付きの支持基板では、無機膜とガラス基板とを積層した際に、無機膜とガラス基板との密着性が不十分で、支持基板の無機膜とガラス基板とを重ねても自然には密着しないばかりか、機械的にプレスしても密着しなかったり、密着したとしても意図せずに剥離してしまう場合も有る。

これに対し、本発明の無機膜付き支持基板１０は、無機膜１４側の表面の表面粗さＲａを２ｎｍ超とし、かつ、無機膜１４の負荷曲線の負荷長さ率０％と１０％とにおける山高さの差を２０ｎｍ以下とする。
すなわち、本発明においては、無機膜１４側の表面の表面粗さＲａを２ｎｍ超と大きくすることにより、無機膜１４とガラス基板１６との間に、面方向の外部まで連通する、ガラス基板１６や無機膜１４から放出されたガスの抜け道を形成できる。
そのため、ガラス積層体２０を６００℃等の高温で処理しても、ガスが無機膜１４とガラス基板１６との間に留まることが無く、無機膜１４とガラス基板１６との間に気泡が生じることを抑制できる。

その反面、無機膜１４側の表面の表面粗さＲａを大きくすると、この表面における凸部の高さの差が大きく、無機膜１４とガラス基板１６との接触を好適に行うことができず、無機膜１４とガラス基板１６とを積層した際の密着性が低下してしまう。
これに対し、本発明においては、無機膜付き支持基板１０における無機膜１４側の表面の負荷曲線の負荷長さ率０％と１０％とにおける山高さの差を２０ｎｍ以下とすることにより、無機膜１４とガラス基板１６とを積層した際に、良好な密着性を確保できる。

図２に、無機膜付き支持基板の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）による測定で得られた粗さ曲線から作成した負荷曲線の一例を概念的に示す。
周知のように、負荷曲線（ベアリングカーブ／ＢＡＣ）とは、凹凸を有する表面について、例えばＡＦＭ等を用いて作成した表面の粗さ曲線における、凸部の深さ（高さ）と、深さの確率密度との関係を示す確率密度曲線を、高い凸部から積分して積み上げたもので、横軸が負荷長さ率（累積確率頻度）で、縦軸が最上部からの深さ（高さ、山高さ）である。
本発明においては、図２に示すように、この負荷曲線における負荷長さ率０％と１０％とにおける山高さの差ｄを２０ｎｍ以下とする。言い換えれば、負荷曲線の負荷長さ率０％と１０％とにおける切断レベルの差を２０ｎｍ以下とする。
なお、本発明において、負荷曲線とは、ＪＩＳ Ｂ ０６７１−２：２００２に記載される負荷曲線である。

負荷曲線の負荷長さ率０％と１０％とにおける山高さの差ｄが２０ｎｍ以下ということは、ガラス基板１６が積層される無機膜１４側の表面において、確率密度の低い凸部を抑制して、凸部の高さの差が十分に小さいことを示す。すなわち、無機膜１４側の表面において、高さが揃っている。
そのため、表面粗さＲａが大きくても、無機膜１４とガラス基板１６との密着を妨害するような凸部が少なく、かつ、無機膜１４とガラス基板１６との接触面積も十分に確保できる。
従って、本発明によれば、大きな表面粗さＲａによって無機膜１４とガラス基板１６との間での泡の発生を抑制しつつ、無機膜１４とガラス基板１６の密着性を確保できる。さらに、無機膜１４側の表面の表面粗さＲａを２ｎｍ超とし、負荷曲線の負荷長さ率０％と１０％とにおける山高さの差ｄを２０ｎｍ以下とすることにより、ガラス積層体２０を高温で熱処理した後の剥離性も良好にできる。

本発明の無機膜付き支持基板１０において、無機膜１４側の表面の表面粗さＲａが２ｎｍ以下では、無機膜１４およびガラス基板１６から放出されたガスを十分に排出することができず、無機膜１４とガラス基板１６との間に多くの泡が生じてしまう。
無機膜１４とガラス基板１６との間の泡をより好適に抑制できる、ガラス積層体２０を高温で熱処理した後の剥離性も良好にできる等の点で、無機膜１４の表面粗さＲａは２．２ｎｍ以上が好ましく、３ｎｍ以上がより好ましい。
また、無機膜１４とガラス基板１６との密着性をより好適にできる、ガラス積層体２０を高温で熱処理した後の剥離性も良好にできる等の点で、無機膜１４側の表面の表面粗さＲａは１０ｎｍ以下が好ましく、５ｎｍ以下がより好ましい。
なお、本発明において、表面粗さＲａ（算術平均粗さＲａ）は、ＡＦＭを用いて測定するものであり、ＪＩＳ Ｂ ０６０１：２００１に準拠して測定すればよい。

他方、無機膜１４側の表面が、負荷曲線の負荷長さ率０％と１０％とにおける山高さの差ｄが２０ｎｍを超えるものである場合には、無機膜１４とガラス基板１６とを積層した際に、両者の接触を十分に行うことができず、無機膜１４とガラス基板１６との密着力を十分に得ることができない。
無機膜１４とガラス基板１６との密着力をより好適にできる、ガラス積層体２０を高温で熱処理した後の剥離性も良好にできる等の点で、負荷曲線の負荷長さ率０％と１０％とにおける山高さの差ｄは１０ｎｍ以下がより好ましい。
また、無機膜１４とガラス基板１６との間の泡をより好適に抑制できる、ガラス積層体２０を高温で熱処理した後の剥離性も良好にできる等の点で、負荷曲線の負荷長さ率０％と１０％とにおける山高さの差ｄは０．１ｎｍ以上が好ましい。

以下、図３（Ａ）〜図３（Ｄ）の概念図を参照して、図１（Ａ）に示す無機膜付き支持基板１０および図１（Ｂ）に示すガラス積層体２０を製造する、本発明の製造方法の一例を示す。

まず、図３（Ａ）に示すように、支持基板１２となるガラス板等を用意して、図３（Ｂ）に示すように、その１面（一方の主面）に無機膜１４となるベタ膜１４ａを成膜する。
ベタ膜１４ａの成膜方法は、形成する無機膜１４の種類に応じて、スパッタリング、真空蒸着（常温、高温）、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、ゾルゲル法などの塗布法等、目的とする膜を成膜できるものであれば、公知の各種の方法が利用可能である。

ベタ膜１４ａの表面粗さは、ベタ膜１４ａの厚さ、成膜条件や成膜方法によって変化する。従って、ベタ膜１４ａの厚さは、目的とする無機膜１４の表面性状や無機膜１４の形成材料等に応じて、適宜、設定すればよい。一般的に、ベタ膜１４ａの厚さが厚い方が表面が粗くなる。ここで、ベタ膜１４ａの厚さは、５０〜５０００ｎｍが好ましく、１００〜５００ｎｍがより好ましい。
ベタ膜１４ａの厚さを上記範囲とすることにより、ベタ膜１４ａの表面を十分に粗くして、後述する研磨等の平坦化によって、無機膜１４側の表面の表面粗さＲａが２ｎｍ超で、負荷曲線の負荷長さ率０％と１０％とにおける山高さの差ｄが２０ｎｍ以下である無機膜付き支持基板１０を安定して作製できる。また、ベタ膜１４ａを不要に厚くすることは、安定生産、生産性の低下、コストの抑制という観点から望ましく無いが、ベタ膜１４ａの厚さを５００ｎｍ以下とすることで、この不都合も回避できる。

次いで、図３（Ｃ）に示すように、形成したベタ膜１４ａの表面を平坦化して、無機膜１４を形成し、本発明の無機膜付き支持基板１０とする。
このベタ膜１４ａの表面の研磨によって、無機膜１４の表面の高さを揃えて、無機膜付き支持基板１０の無機膜１４側の表面を、表面粗さＲａが２ｎｍ超で、負荷曲線の負荷長さ率０％と１０％との山高さの差ｄが２０ｎｍ以下として、無機膜１４とガラス基板１６との間においてガスの抜け道を確保し、かつ、無機膜付き支持基板１０のガラス基板１６と無機膜１４との接触面積を確保できる。

ベタ膜１４ａの平坦化は、公知の方法が、各種、利用可能である。
一例として、研磨が例示される。研磨方法は、ベタ膜１４ａの形成材料等に応じて、公知の各種の方法が利用可能である。一例として、遊離砥粒を分散してなるスラリーを用いる湿式のブラシ研磨やパッド研磨、固定砥粒を有するテープを用いる乾式あるいは湿式のテープ研磨等が例示される。
また、ベタ膜１４ａの平坦化方法としては、イオンボンバードや反応性イオンエッチングなどの、プラズマによるドライ処理も利用可能である。

ベタ膜１４ａの研磨量は、目的とする無機膜１４の表面性状や無機膜１４の形成材料、ベタ膜１４ａの膜厚等に応じて、適宜、設定すればよい。

無機膜１４の厚さは、無機膜１４の表面性状や形成材料等に応じて、適宜、設定すればよい。ここで、無機膜１４側の表面粗さ等を無機膜１４の表面の形状によって決定する無機膜付き支持基板１０では、無機膜１４は、ある程度の厚さを有するのが好ましい。
そのため、無機膜１４の厚さは、１０ｎｍ以上であるのが好ましく、特に、４５〜４５００ｎｍが好ましく、９０〜４５０ｎｍが好ましい。
無機膜１４の厚さを上記範囲とすることにより、より確実に、無機膜１４側の表面を、表面粗さＲａが２ｎｍ超で、負荷曲線の負荷長さ率０％と１０％との山高さの差ｄが２０ｎｍ以下にできる、ガラス積層体２０を高温で熱処理した後の剥離性も良好にできる等の点で好ましい。

さらに、図３（Ｄ）に示すように、無機膜付き支持基板１０の無機膜１４上にガラス基板１６を積層して、本発明のガラス積層体２０とする。
ガラス基板１６の積層は、無機膜１４の形成材料等に応じて、公知の各種の方法が利用可能である。一例として、常圧環境下で無機膜付き支持基板１０とガラス基板１６とを重ねた後、ロールやプレスを用いて圧着させる方法が挙げられる。ロールやプレスで圧着することにより、無機膜付き支持基板１０とガラス基板１６とが、より良好な密着力で密着するので好ましい。また、ガラス基板１６の積層方法としては、真空ラミネート法や真空プレス法による圧着も、好適に利用可能である。

図１（Ａ）等に示す例では、平面状の支持基板１２に、表面に凹凸を有する無機膜１４を形成することで、無機膜付き支持基板１０の無機膜１４側の表面の表面粗さＲａを２ｎｍ超とし、かつ、負荷曲線の負荷長さ率０％と１０％とにおける山高さの差ｄを２０ｎｍ以下としている。すなわち、無機膜１４側の表面の表面粗さＲａ、および、負荷曲線の負荷長さ率０％と１０％とにおける山高さの差ｄが、主に、無機膜１４の表面性状に起因している。
しかしながら、本発明は、これに限定されず、支持基板表面に凹凸を形成することによって、無機膜１４側の表面を、表面粗さＲａが２ｎｍ超で、負荷曲線の負荷長さ率０％と１０％とにおける山高さの差ｄが２０ｎｍ以下であるものとしてもよい。すなわち、無機膜１４側の表面の表面粗さＲａ、および、負荷曲線の負荷長さ率０％と１０％とにおける山高さの差ｄが、主に、支持基板の表面性状に起因するものであってもよい。
また、無機膜１４側の表面の表面粗さＲａ及び山高さの差ｄが、無機膜の表面性状及び支持基板の表面性状に共に起因するものであってもよい。
この無機膜付き支持基板およびガラス積層体、ならびに、その製造方法の一例を図４（Ａ）〜図４（Ｅ）に概念的に示す。

本例では、まず、図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示すように、支持基板２４となるガラス板Ｇの表面に粗面化処理を行って、表面に凹凸を形成したガラス板２４ａを作製する。
なお、このガラス板Ｇの粗面化処理に先立って、処理液への浸漬等によってガラス成分との析出物（反応物）をガラス板の表面に形成して、この析出物をマスクとして、ガラス板Ｇの粗面化処理を行ない、その後、この析出物を薬液等で除去することで、表面に凹凸を形成したガラス板２４ａを作製してもよい。これにより作製されたガラス板は、表面の凹凸の高さが揃うことから好ましい。
また、この表面に凹凸を有するガラス板２４ａを作製するための粗面化処理は、部分的に、ガラス板Ｇの元の表面が残るように行うのが好ましい。

粗面化処理による凹凸を有するガラス板２４ａの作製は、高温でのフッ化水素ガスの吹き付け、マスクを用いるドライもしくはウエットでのエッチング、研磨、サンドブラスト等のブラスト等、公知のガラスの粗面化処理が各種利用可能である。

ガラス板２４ａの粗面化の程度は、目的とする無機膜２６の表面性状や無機膜２６の形成材料等に応じて、適宜、設定すればよい。ここで、この粗面化処理は、ガラス板２４ａの表面に５〜５００ｎｍ程度の凹凸を形成するように行うのが好ましく、１０〜５０ｎｍ程度の凹凸を形成するように行うのがより好ましい。
ガラス板２４ａの粗面化を上記範囲とすることにより、より確実に、無機膜２６側の表面を、表面粗さＲａが２ｎｍ超で、負荷曲線の負荷長さ率０％と１０％との山高さの差ｄが２０ｎｍ以下にできる。該粗面化処理は、後述するガラス積層体３２とした後の洗浄等によるガラス基板１６との界面への処理液の浸透を防げる等の点で好ましい。

この粗面化処理によって、ガラス板２４ａの表面が、表面粗さＲａが２ｎｍ超で、負荷曲線の負荷長さ率０％と１０％とにおける山高さの差ｄを２０ｎｍ以下となった場合には、このガラス板２４ａを支持基板２４として用いる。

あるいは、必要に応じて、図４（Ｃ）に示すように、粗面化したガラス板２４ａの表面を平坦化して、表面粗さＲａが２ｎｍ超で、負荷曲線の負荷長さ率０％と１０％とにおける山高さの差ｄが２０ｎｍ以下の表面を有する支持基板２４を作製する。
ガラス板２４ａの表面の平坦化は、公知の方法が、各種、利用可能である。
平坦化方法としては、研磨が例示される。研磨方法は、ガラス板２４ａの形成材料等に応じて、公知の各種の方法が利用可能である。一例として、遊離砥粒を分散してなるスラリーを用いる湿式のブラシ研磨、固定砥粒を有するテープを用いる乾式あるいは湿式のテープ研磨等が例示される。
また、ガラス板２４ａの平坦化方法としては、イオンボンバードや反応性イオンエッチングなどの、プラズマによるドライ処理も利用可能である。

次いで、図４（Ｄ）に示すように、支持基板２４の表面に無機膜２６を形成して、本発明の無機膜付き支持基板３０とする。
前述のように、支持基板２４の表面は、表面粗さＲａが２ｎｍ超で、負荷曲線の負荷長さ率０％と１０％とにおける山高さの差ｄが２０ｎｍ以下となっている。従って、無機膜２６を形成した無機膜付き支持基板３０の無機膜２６側の表面も、これに追従して、表面粗さＲａが２ｎｍ超で、負荷曲線の負荷長さ率０％と１０％とにおける山高さの差ｄが２０ｎｍ以下となる。
なお、無機膜２６の形成は、先と同様、形成する無機膜２６に応じた公知の方法で行えばよい。

無機膜２６の厚さは、支持基板２４の表面性状や無機膜２６の形成材料等に応じて、適宜、設定すればよい。ここで、無機膜２６側の表面粗さ等を支持基板２４の表面の形状によって決定する無機膜付き支持基板３０では、無機膜２６の膜厚は、薄い方が好ましい。そのため、無機膜２６の厚さは、１０〜６０ｎｍとするのが好ましく、１０〜４０ｎｍとするのがより好ましい。
無機膜２６の厚さを、上記範囲とすることにより、より確実に、無機膜２６側の表面を、表面粗さＲａが２ｎｍ超で、負荷曲線の負荷長さ率０％と１０％とにおける山高さの差ｄが２０ｎｍ以下にできる、無機膜付き支持基板３０の生産性を向上できる、無機膜付き支持基板３０のコストを低減できる等の点で好ましい。

次いで、図４（Ｅ）に示すように、無機膜付き支持基板３０の無機膜２６上にガラス基板１６を積層して、本発明のガラス積層体３２とする。
ガラス基板１６の積層方法は、先と同様、公知の方法で行えばよい。

さらに、本発明においては、支持基板および無機膜の両者の表面形状に起因して、無機膜付き支持基板の無機膜側の表面を、表面粗さＲａが２ｎｍ超で、負荷曲線の負荷長さ率０％と１０％とにおける山高さの差ｄが２０ｎｍ以下のものとしてもよい。
この無機膜付き支持基板およびガラス積層体、ならびに、その製造方法の一例を図５（Ａ）〜図５（Ｅ）に概念的に示す。

本例では、まず、図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示すように、支持基板３６となるガラス板Ｇの表面に粗面化処理を行って、表面に凹凸を形成して、支持基板３６を作製する。
粗面化処理は、先の図４（Ａ）等に示す例と同様に公知の方法で行えばよい。また、マスクを使う方法等によって、支持基板３６の表面の凹凸を揃えるのが好ましいのも、同様である。
さらに、粗面化処理は、部分的にガラス板Ｇの元の表面が残るように行うのが好ましいのも、同様である。
ガラス板Ｇの粗面化の程度すなわち支持基板３６の表面性状は、目的とする無機膜３８の表面性状や無機膜３８の形成材料等に応じて、適宜、設定すればよい。ここで、この粗面化処理は、支持基板３６の表面に５〜５００ｎｍ程度の凹凸を形成するように行うのが好ましく、１０〜１００ｎｍ程度の凹凸を形成するように行うのがより好ましい。
支持基板３６の粗面化を上記範囲とすることにより、より確実に、無機膜付き支持基板の無機膜３８側の表面を、表面粗さＲａが２ｎｍ超で、負荷曲線の負荷長さ率０％と１０％とにおける山高さの差ｄが２０ｎｍ以下にできる、後述するガラス積層体４２とした後の洗浄等によるガラス基板１６との界面への処理液の浸透を防げる等の点で好ましい。

次いで、図５（Ｃ）に示すように、支持基板３６の表面に、無機膜３８となるベタ膜３８ａを形成する。ベタ膜３８ａの形成は、先の例と同様に公知の方法で行えばよい。
ベタ膜３８ａの厚さは、目的とする無機膜３８の表面性状や無機膜３８の形成材料等に応じて、適宜、設定すればよい。
ここで、本例においては、後述するように、ベタ膜３８ａを平坦化することで、無機膜３８を形成する。また、後述するが、無機膜３８の厚さは、好ましくは１０〜６０ｎｍで、より好ましくは１０〜４０ｎｍである。従って、ベタ膜３８ａの厚さは、平坦化後の無機膜３８の厚さを、上記範囲に制御できるように、２０〜７０ｎｍが好ましく、２０〜５０ｎｍがより好ましい。

次いで、図５（Ｄ）に示すように、ベタ膜３８ａの表面を平坦化し、無機膜３８を形成して、本発明の無機膜付き支持基板４０とする。この平坦化によって、無機膜付き支持基板４０の無機膜３８側の表面を、表面粗さＲａが２ｎｍ超で、負荷曲線の負荷長さ率０％と１０％とにおける山高さの差ｄが２０ｎｍ以下にできる。
ベタ膜３８ａの平坦化は、先の例と同様に公知の方法で行えばよい。

ベタ膜３８ａの研磨量は、目的とする無機膜３８の表面性状や無機膜３８の形成材料、ベタ膜３８ａの厚さ等に応じて、適宜、設定すればよい。

無機膜３８の厚さは、支持基板３６の表面性状や無機膜３８の形成材料等に応じて、適宜、設定すればよい。ここで、無機膜３８側の表面粗さ等を支持基板３６の表面形状および無機膜３８の表面形状の両者によって決定する無機膜付き支持基板４０でも、無機膜３８の膜厚は、薄い方が好ましい。そのため、無機膜３８の厚さは、１０〜６０ｎｍとするのが好ましく、１０〜４０ｎｍとするのがより好ましい。
無機膜３８の厚さを、上記範囲とすることにより、より確実に、無機膜３８側の表面を、表面粗さＲａが２ｎｍ超で、負荷曲線の負荷長さ率０％と１０％とにおける山高さの差ｄが２０ｎｍ以下にできる、無機膜付き支持基板４０の生産性を向上できる、無機膜付き支持基板３０のコストを低減できる等の点で好ましい。

さらに、図５（Ｅ）に示すように、無機膜付き支持基板４０の無機膜３８にガラス基板１６を積層して、本発明のガラス積層体４２とする。
ガラス基板１６の積層方法は、先と同様、公知の方法で行えばよい。

このような本発明の無機膜付き支持基板およびガラス積層体は、ＬＣＤ、ＯＬＥＤ、電子ペーパー、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル、量子ドットＬＥＤパネル、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）、シャッターパネル等の電子デバイスの製造に、好適に利用される。

これらの電子デバイスは、本発明の製造方法で製造できる。
本発明の電子デバイスの製造方法は、本発明のガラス積層体の製造方法を用いた電子デバイスの製造方法である。本発明の電子デバイスの製造方法は、一例として、本発明の製造方法で無機膜付き支持基板及びガラス基板を含むガラス積層体を製造し、このガラス基板の表面に、ＬＣＤやＯＬＥＤ等を構成する電子デバイス用部材を形成し、該電子デバイス用部材を形成してなるガラス積層体から、前記無機膜付き支持基板を剥離し、ガラス基板と電子デバイス用部品とを有する電子デバイスを得る。
なお、このような本発明の電子デバイスの製造方法において、電子デバイス用部材は、製造する電子デバイスに応じた部材を、製造する電子デバイスに応じた公知の方法で形成すればよい。

以上、本発明の無機膜付き支持基板およびガラス積層体、ならびに、その製造方法および電子デバイスの製造方法について詳細に説明したが、本発明は、上述の例に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変更を行っても良いのは、もちろんである。

以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明を、より詳細に説明する。
［実施例１］
支持基板となるガラス板として、３００×３００ｍｍで厚さ０．５ｍｍの無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（旭硝子社製 ＡＮ１００）を用意した。
このガラス板の表面を約５８０℃に熱しながら、フッ化水素ガスを吹き付けることによって、表面を粗面化した。
粗面化したガラス板の表面の表面粗さＲａ、および、負荷曲線の負荷長さ率０％と１０％とにおける山高さの差（以下、『Ｓｄｃ（０−１０％）』とも言う）を、ＡＦＭ（日立ハイテクサイエンス社製、ＳＰＡ４００）を用いて測定した。
その結果、表面粗さＲａは１６ｎｍ、Ｓｄｃ（０−１０％）は７９ｎｍであった。

ガラス基板として、３００×３００ｍｍで厚さ０．２ｍｍの無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（旭硝子社製 ＡＮ１００）を用意した。
粗面化したガラス板およびガラス基板を良く洗浄して、粗面化面を当接して両者を積層したが、粗面化したガラス板とガラス基板とは、積層できなかった。

次いで、粗面化したガラス板の表面を、粒度＃８０００（ＪＩＳ Ｒ６００１：１９９８）の酸化アルミニウム砥粒を分散してなるスラリーおよびウレタンのディスクブラシを用いて、３０秒、研磨して、支持基板を作製した。
さらに、作製した支持基板の表面に、スパッタリングによって厚さ２０ｎｍの酸化インジウムセリウムの膜を無機膜として成膜して、無機膜付き支持基板を作製した。
先と同様に、作製した無機膜付き支持基板の無機膜側の表面の表面粗さＲａおよびＳｄｃ（０−１０％）を測定した。その結果、表面粗さＲａは３．５５ｎｍ、Ｓｄｃ（０−１０％）は９．５８ｎｍであった。

この無機膜付き支持基板および先のガラス基板を、良く洗浄した後、無機膜形成面を当接して両者を積層して、ガラス積層体とした。このガラス積層体においては、無機膜付き支持基板とガラス基板とは良好に密着し、泡も発生しなかった。また、無機膜付き支持基板とガラス基板とは、容易に剥離できた。
さらに、ガラス積層体を１００×２００ｍｍに切断して、再度、洗浄し、６００℃で１時間の熱処理を行った。熱処理後に、ガラス積層体を確認したところ、内部に泡は発生しなかった。さらに、熱処理後に無機膜付き支持基板とガラス基板とを剥離したところ、熱処理前とほぼ同じ力で、綺麗に剥離できた。

［実施例２］
支持基板として、３００×３００ｍｍで厚さ０．５ｍｍの無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（旭硝子社製 ＡＮ１００）を用意した。
この支持基板の表面に、スパッタリングによって厚さ４５０ｎｍの酸化インジウムスズの膜をベタ膜として成膜した。
実施例１と同様に、ベタ膜の表面の表面粗さＲａおよびＳｄｃ（０−１０％）を測定した。その結果、表面粗さＲａは６．６ｎｍ、Ｓｄｃ（０−１０％）は２１ｎｍであった。

ガラス基板として、３００×３００ｍｍで厚さ０．２ｍｍの無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（旭硝子社製 ＡＮ１００）を用意した。
ベタ膜を形成した支持基板およびガラス基板を良く洗浄して、ベタ膜面を当接して両者を積層したが、ベタ膜を形成した支持基板とガラス基板とは、積層できなかった。

次いで、ベタ膜を形成した支持基板のベタ膜の表面を、粒径８０ｎｍのコロイダルシリカおよびブラシを用いて１０ｎｍ研磨して、無機膜付き支持基板を作製した。
実施例１と同様に、作製した無機膜付き支持基板の無機膜側の表面の表面粗さＲａおよびＳｄｃ（０−１０％）を測定した。その結果、表面粗さＲａは２．３ｎｍ、Ｓｄｃ（０−１０％）は３ｎｍであった。

この無機膜付き支持基板および先のガラス基板を、良く洗浄した後、無機膜面を当接して両者を積層して、ガラス積層体とした。このガラス積層体においては、無機膜付き支持基板とガラス基板とは良好に密着し、泡も発生しなかった。また、無機膜付き支持基板とガラス基板とは、容易に剥離できた。
さらに、ガラス積層体を１００×２００ｍｍに切断して、再度、洗浄し、６００℃で１時間の熱処理を行った。熱処理後に、ガラス積層体を確認したところ、内部に泡は発生しなかった。さらに、熱処理後に無機膜付き支持基板とガラス基板とを剥離したところ、熱処理前とほぼ同じ力で、綺麗に剥離できた。

［実施例３］
支持基板となるガラス板として、３００×３００ｍｍで厚さ０．５ｍｍの無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（旭硝子社製 ＡＮ１００）を用意した。
このガラス板の表面を約５８０℃に熱しながら、フッ化水素ガスを吹き付けることによって、表面を粗面化して支持基板を作製した。
実施例１と同様に、支持基板の表面の表面粗さＲａおよびＳｄｃ（０−１０％）を測定した。その結果、表面粗さＲａは１６ｎｍ、Ｓｄｃ（０−１０％）は７９ｎｍであった。

ガラス基板として、３００×３００ｍｍで厚さ０．２ｍｍの無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（旭硝子社製 ＡＮ１００）を用意した。
支持基板およびガラス基板を良く洗浄して、粗面化面を当接して両者を積層したが、支持基板とガラス基板とは、積層できなかった。

支持基板の表面に、スパッタリングによって厚さ２０ｎｍの酸化インジウムセリウムの膜をベタ膜として成膜した。
さらに、ベタ膜の表面を、粒度＃８０００（ＪＩＳ Ｒ６００１：１９９８）の酸化アルミニウム砥粒を分散してなるスラリーおよびウレタン製のディスクブラシを用いて、１０秒、研磨して、無機膜を形成して、無機膜付き支持基板を作製した。
実施例１と同様に、作製した無機膜付き支持基板の無機膜側の表面の表面粗さＲａおよびＳｄｃ（０−１０％）を測定した。その結果、表面粗さＲａは２．３ｎｍ、Ｓｄｃ（０−１０％）は１９．７ｎｍであった。

この無機膜付き支持基板および先のガラス基板を、良く洗浄した後、無機膜面を当接して両者を積層して、ガラス積層体とした。このガラス積層体においては、無機膜付き支持基板とガラス基板とは良好に密着し、泡も発生しなかった。また、無機膜付き支持基板とガラス基板とは、容易に剥離できた。
さらに、ガラス積層体を１００×２００ｍｍに切断して、再度、洗浄し、６００℃で１時間の熱処理を行った。熱処理後に、ガラス積層体を確認したところ、内部に泡は発生しなかった。さらに、熱処理後に無機膜付き支持基板とガラス基板とを剥離したところ、熱処理前とほぼ同じ力で、綺麗に剥離できた。

［比較例１］
３００×３００ｍｍで厚さ０．５ｍｍの無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（旭硝子社製 ＡＮ１００）を用意した。
このガラス板の表面に、スパッタリングによって厚さ２０ｎｍの酸化インジウムセリウムの膜を無機膜として成膜して、無機膜付き支持基板を作製した。
実施例１と同様に、作製した無機膜付き支持基板の無機膜側の表面の表面粗さＲａおよびＳｄｃ（０−１０％）を測定した。その結果、表面粗さＲａは０．３ｎｍ、Ｓｄｃ（０−１０％）は１３ｎｍであった。

ガラス基板として、３００×３００ｍｍで厚さ０．２ｍｍの無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（旭硝子社製 ＡＮ１００）を用意した。
この無機膜付き支持基板およびガラス基板を、良く洗浄した後、無機膜面を当接して両者を積層して、ガラス積層体とした。このガラス積層体においては、無機膜付き支持基板とガラス基板とは良好に密着し、泡も発生しなかった。また、無機膜付き支持基板とガラス基板とは、容易に剥離できた。
さらに、ガラス積層体を１００×２００ｍｍに切断して、再度、洗浄し、６００℃で１時間の熱処理を行った。熱処理後に、ガラス積層体を確認したところ、内部に多数の泡が発生した。さらに、熱処理後に無機膜付き支持基板とガラス基板とを剥離したところ、熱処理前とほぼ同じ力で、綺麗に剥離できた。

［比較例２］
フッ化水素ガスによるガラス板の粗面化処理を行った後の、粒度＃８０００（ＪＩＳ Ｒ６００１：１９９８）の酸化アルミニウム砥粒を分散してなるスラリーを用いたウレタン製のディスクブラシでのガラス板の研磨を行わない以外は、実施例１と同様にして無機膜として酸化インジウムセリウムからなる膜を有する無機膜付き支持基板を作製した。
実施例１と同様に、作製した無機膜付き支持基板の無機膜側の表面の表面粗さＲａおよびＳｄｃ（０−１０％）を測定した。その結果、表面粗さＲａは１６ｎｍ、Ｓｄｃ（０−１０％）は７９ｎｍであった。

ガラス基板として、３００×３００ｍｍで厚さ０．２ｍｍの無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（旭硝子社製 ＡＮ１００）を用意した。
この無機膜付き支持基板およびガラス基板を、良く洗浄した後、無機膜面を当接して両者を積層した。しかしながら、無機膜付き支持基板とガラス基板とは、適正に積層できず、ガラス積層体は作製できなかった。

［比較例３］
スパッタリングによって酸化インジウムセリウムの膜を形成した後の、粒度＃８０００（ＪＩＳ Ｒ６００１：１９９８）の酸化アルミニウム砥粒を分散してなるスラリーを用いたウレタン製のディスクブラシでの酸化インジウムセリウム膜の研磨を行わない以外は、実施例３と同様にして無機膜付き支持基板を作製した。
実施例１と同様に、作製した無機膜付き支持基板の無機膜側の表面の表面粗さＲａおよびＳｄｃ（０−１０％）を測定した。その結果、表面粗さＲａは２１ｎｍ、Ｓｄｃ（０−１０％）は１０３ｎｍであった。

ガラス基板として、３００×３００ｍｍで厚さ０．２ｍｍの無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（旭硝子社製 ＡＮ１００）を用意した。
この無機膜付き支持基板およびガラス基板を、良く洗浄した後、無機膜面を当接して両者を積層した。しかしながら、無機膜付き支持基板とガラス基板とは、適正に積層できず、ガラス積層体は作製できなかった。
結果を下記の表にまとめて示す。表中「ＩＣＯ」とは酸化インジウムセリウムを意味し、「ＩＴＯ」とは酸化インジウムスズを意味する。

本発明を詳細に、また特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。本出願は２０１４年８月１日出願の日本特許出願（特願２０１４−１５７５５８）に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。

各種の電子デバイスの製造等に好適に利用可能である。

１０，３０，４０ 無機膜付き支持基板
１２，２４，３６ 支持基板
１４，２６，３８ 無機膜
１４ａ，３８ａ ベタ膜
１６ ガラス基板
２０，３２，４２ ガラス積層体
２４ａ ガラス板

Claims (14)

1. 支持基板と、前記支持基板上に形成された無機膜とを有する無機膜付き支持基板であって、
   前記無機膜付き支持基板における無機膜側の表面が、表面粗さＲａが２ｎｍ超、かつ、負荷曲線の負荷長さ率０％と１０％とにおける山高さの差が２０ｎｍ以下であることを特徴とする無機膜付き支持基板。
2. 前記表面粗さＲａおよび前記山高さの差が、前記無機膜の表面性状に起因する請求項１に記載の無機膜付き支持基板。
3. 前記無機膜の厚さが１０ｎｍ以上である請求項２に記載の無機膜付き支持基板。
4. 前記表面粗さＲａおよび前記山高さの差が、前記支持基板の表面性状に起因する請求項１に記載の無機膜付き支持基板。
5. 前記表面粗さＲａおよび前記山高さの差が、前記無機膜の表面性状および前記支持基板の表面性状に起因する請求項１に記載の無機膜付き支持基板。
6. 前記無機膜の厚さが１０〜６０ｎｍである請求項４または５に記載の無機膜付き支持基板。
7. 前記支持基板がガラス製である請求項１〜６のいずれか１項に記載の無機膜付き支持基板。
8. 請求項１〜７のいずれか１項に記載の無機膜付き支持基板の無機膜上に、ガラス基板を積層したガラス積層体。
9. 支持基板の表面に無機膜を成膜し、その後、前記無機膜の表面を平坦化することを特徴とする無機膜付き支持基板の製造方法。
10. 支持基板となる板状物の表面を粗面化処理して支持基板を作製し、前記支持基板の表面に無機膜を形成することを特徴とする無機膜付き支持基板の製造方法。
11. 前記無機膜を形成した後、さらに、前記無機膜を平坦化することを特徴とする請求項１０に記載の無機膜付き支持基板の製造方法。
12. 前記板状物の表面を粗面化処理した後、さらに、前記粗面化処理した面の平坦化を行って支持基板を作製することを特徴とする請求項１０または１１に記載の無機膜付き支持基板の製造方法。
13. 請求項９〜１２のいずれか１項に記載の製造方法で無機膜付き支持基板を製造した後、前記無機膜付き支持基板の無機膜上にガラス基板を積層することを特徴とするガラス積層体の製造方法。
14. 請求項１３に記載のガラス積層体の製造方法を用いた電子デバイスの製造方法。

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