JPWO2015190335A1 - Phototherapy device - Google Patents
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Abstract
広範囲の治療部位に対して高い治療効果を達成可能な光治療装置を提供する。フレキシブル基板と、前記フレキシブル基板を用いて構成され、当該フレキシブル基板の基板面に沿ってフレキシブルに屈曲する発光面を有すると共に半値幅100nm以下の波長領域の発光光を当該発光面から放出する面発光部材とを備えた光治療装置である。Provided is a phototherapy device capable of achieving a high therapeutic effect over a wide range of treatment sites. A surface emitting device that includes a flexible substrate and the flexible substrate, has a light emitting surface that flexibly bends along the substrate surface of the flexible substrate, and emits light emitted in a wavelength region having a half-value width of 100 nm or less from the light emitting surface. It is a phototherapy apparatus provided with the member.
Description
本発明は光治療装置に関し、特には光照射による広範囲の治療を効果的に行うための光治療装置に関する。 The present invention relates to a phototherapy device, and more particularly to a phototherapy device for effectively performing a wide range of treatment by light irradiation.
従来から、特定の疾病に対しては光照射による治療、いわゆる光治療が有効であることが知られている。例えば、肩こりや腰痛などの疼痛緩和や薄毛治療には赤外線の照射による治療が行われており、アトピー性皮膚炎の治療には紫外線の照射による治療が行われている。 Conventionally, it is known that treatment with light irradiation, so-called phototherapy, is effective for a specific disease. For example, treatment with infrared irradiation is performed for pain relief and thinning hair treatment such as stiff shoulders and low back pain, and treatment with ultraviolet irradiation is performed for treatment of atopic dermatitis.
以上のような光治療に用いられる光治療装置としては、例えば面上に発光ダイオード素子を配列した複数の発光手段と、発光手段のそれぞれについて発光量や発光時間を制御する制御手段とを備えたものが提案されている。このような光治療装置によれば、治療光の照射面における光強度分布や温度分布が均一化されるとしている(以上、例えば下記特許文献1参照)。また、他の光治療装置として、治療用波長を発する有機発光ダイオードを用いることにより、スペクトル幅を大きくすると共に、発熱を抑えた構成のものが提案されている。有機発光ダイオードは、量子ドットを含む構成であっても良いとしている(例えば下記特許文献2参照)。
As a phototherapy device used for the phototherapy as described above, for example, a plurality of light emitting means in which light emitting diode elements are arranged on the surface, and a control means for controlling the light emission amount and the light emission time for each of the light emitting means are provided. Things have been proposed. According to such a phototherapy device, the light intensity distribution and the temperature distribution on the treatment light irradiation surface are made uniform (see, for example,
さらに別の治療装置として、フレキシブル発光ダイオードを単一のフレキシブル基板上に形成することにより、安定したフィット性を患者の身体に提供することができる構成のものが提案されている(例えば下記特許文献3参照)。 Further, as another treatment apparatus, one having a configuration capable of providing a stable fit to a patient's body by forming a flexible light emitting diode on a single flexible substrate has been proposed (for example, the following patent document). 3).
ところで、光治療を行うにあたっては、治療部位に対して特定の狭帯域波長の光を選択的に照射することによって大きな治療効果が得られる場合があることが知られている。しかしながら、上述した光治療装置は、広い範囲の治療部位に対して、均一に特定の狭帯域波長の光を照射できる構成となっていない。 By the way, in performing phototherapy, it is known that a large therapeutic effect may be obtained by selectively irradiating a treatment site with light of a specific narrow band wavelength. However, the above-described phototherapy apparatus is not configured to uniformly irradiate light of a specific narrow band wavelength to a wide range of treatment sites.
そこで本発明は、広い範囲の治療部位に対して均一に特定の狭帯域波長の光を照射可能で、これによって広範囲の治療部位に対して高い治療効果を達成可能な光治療装置を提供することを目的とする。 Accordingly, the present invention provides a phototherapy device that can uniformly irradiate light of a specific narrow band wavelength to a wide range of treatment sites, and thereby achieve a high therapeutic effect on a wide range of treatment sites. With the goal.
このような目的を達成するための本発明の光治療装置は、フレキシブル基板と、前記フレキシブル基板を用いて構成され、当該フレキシブル基板の基板面に沿ってフレキシブルに屈曲する発光面を有すると共に半値幅100nm以下の波長領域の発光光を当該発光面から放出する面発光部材とを備えている。 In order to achieve such an object, the phototherapy device of the present invention comprises a flexible substrate and the flexible substrate, and has a light emitting surface that is flexibly bent along the substrate surface of the flexible substrate and has a half-value width. A surface light emitting member that emits emitted light in a wavelength region of 100 nm or less from the light emitting surface.
このような構成の光治療装置では、フレキシブル基板の基板面に沿ってフレキシブルに屈曲する発光面が設けられているため、広範囲の治療部位に沿って配置された発光面から治療部位に対して均一に半値幅100nm以下の狭帯域波長の発光光を照射することができる。 In the phototherapy device having such a configuration, since the light emitting surface that is flexibly bent along the substrate surface of the flexible substrate is provided, the light emitting surface arranged along a wide range of the treatment site is uniform with respect to the treatment site. It is possible to irradiate light having a narrow band wavelength with a half width of 100 nm or less.
以上説明したように本発明の光治療装置によれば、広い範囲の治療部位に対して均一に治療効果の高い狭帯域波長の発光光を照射可能であるため、広範囲の治療部位に対して治療効果の達成を期待することが可能になる。 As described above, according to the phototherapy device of the present invention, it is possible to irradiate a wide range of treatment sites uniformly with a light having a narrow band wavelength with a high therapeutic effect. It is possible to expect achievement of the effect.
以下、本発明の実施の形態を、図面に基づいて次に示す順に説明する。ここでは先ず、本発明を適用した実施形態の光治療装置の概略全体構成を説明し、その後、さらに具体的な第1実施形態〜第8実施形態の光治療装置の構成を説明する。尚、各実施形態において同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in the following order based on the drawings. Here, first, the schematic overall configuration of the phototherapy apparatus of the embodiment to which the present invention is applied will be described, and then the specific configuration of the phototherapy apparatus of the first to eighth embodiments will be described. In addition, in each embodiment, the same code | symbol is attached | subjected to the same component and the overlapping description is abbreviate | omitted.
≪実施形態の光治療装置の概要≫
図1は、本発明を適用した実施形態の光治療装置の概略全体構成を説明するための断面図である。この図に示すように、本発明を適用した実施形態の光治療装置1は、フレキシブル基板3と、このフレキシブル基板3を用いて構成された面発光部材5とを備えている。<< Outline of Phototherapy Device of Embodiment >>
FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining a schematic overall configuration of a phototherapy apparatus according to an embodiment to which the present invention is applied. As shown in this figure, a
<フレキシブル基板3>
フレキシブル基板3は、可撓性を有して屈曲する材料で構成されており、例えば樹脂フィルム、屈曲性を有する薄膜状のガラス材料または金属材料によって構成されている。このフレキシブル基板3は、面発光部材5で発生させた光がフレキシブル基板3を透過した後に発光光hとして取り出される場合であれば、発光光hに対する透過性を有する材料が選択して用いられる。またフレキシブル基板3は、面発光部材5で発生させた光が発光光hとしてフレキシブル基板3からは取り出されない場合であれば、発光光hに対する透過性を有している必要はない。<
The
フレキシブル基板3として用いられる樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン(商品名JSR社製)あるいはアペル(商品名三井化学社製)といったシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。
Examples of the resin film used as the
またフレキシブル基板3が樹脂フィルムで構成される場合であれば、樹脂フィルムの表面には、樹脂フィルムを構成する材料の劣化をもたらす水分や酸素などの侵入を抑制する機能を有する被膜が設けられていることとする。このような被膜としては、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等の無機膜や、有機膜、またはこれらを組み合わせたハイブリッド被膜が用いられ、例えば両者を交互に複数回積層させた被膜が用いられる。
If the
フレキシブル基板3を構成する金属材料として、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属、または合金が挙げられる。
Examples of the metal material constituting the
<面発光部材5>
面発光部材5は、フレキシブル基板3を用いて構成されたものであり、フレキシブル基板3の基板面に沿ってフレキシブルに屈曲する発光面5aを有している。また面発光部材5は、治療に用いるための光として半値幅100nm以下、好ましくは半値幅50nm以下、3nm以上の波長領域の発光光hを発光面5aから放出する。<
The surface
このような面発光部材5は、例えば図示したようにフレキシブル基板3の主面に沿って発光機能層10が設けられた構成であるか、またはフレキシブル基板3を導光板とした構成である。このような面発光部材5の発光面5aは、例えば図示したようにフレキシブル基板3の一主面側の基板面であるか、またはフレキシブル基板3の主面に沿って設けられた他の構成要素の表面であっても良い。
Such a surface
ここで、図示したように、面発光部材5が、発光機能層10を有するものである場合、発光機能層10は端子部分を除いて封止用接着剤17と封止用フレキシブル基板19とで封止された状態となっている。また、フレキシブル基板3を導光板とした構成の場合であっても、フレキシブル基板3が樹脂フィルムで構成されている場合には、上述のように水分や酸素などの侵入を抑制する機能を有する被膜が設けられている。これにより、光治療装置1は、防水性を備えたものとなり、風呂・水仕事にも耐える構成となっている。
Here, as illustrated, when the surface
またここで言う発光光hは、面発光部材5の発光面5aから放出される光であり、例えば面発光部材5の発光機能層10で発生させた光であるか、または面発光部材5を構成する何れかの構成要素で発生させた光を変調した光である。さらにここで言う半値幅100nm以下、好ましくは50nm以下の波長領域とは、発光光hのスペクトルの半値全幅であることとする。この発光光hは、治療に用いるための光であって、治療目的によっておおむね400nm〜1000nmの範囲の適宜の波長が設定される。例えば、薄毛治療を目的とした場合の一例として波長640nmの波長領域を含む光、アトピー性皮膚炎の治療を目的とした場合の一例として波長311nm−313nmの波長領域を含む光である。
The light emission h referred to here is light emitted from the
以上のような構成の光治療装置1では、フレキシブル基板3の基板面に沿ってフレキシブルに屈曲する発光面5aを有する。このため、広範囲の治療部位に沿って均一に発光面5aを配置し、この発光面5aから治療部位に対して均一に半値幅100nm以下、あるいは半値幅50nm以下と言った、治療効果の高い狭帯域の波長領域の光を照射することができる。この結果、広範囲の治療部位に対して高い治療効果の達成を期待することが可能になる。また、発光面5aから照射される狭帯域の光は、その波長領域を半値幅3nm以上とすることにより、有る程度のエネルギーを確保することができ、これによっても高い治療効果を期待することが可能になる。
The
<封止用接着剤17>
封止用接着剤17は、フレキシブル基板3と封止用フレキシブル基板19との間に挟持された発光機能層10を封止するためのシール剤として用いられる。このような封止用接着剤17は、具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、2−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤、エポキシ系等の熱及び化学硬化型(二液混合)の接着剤等が用いられ、乾燥剤を分散させて用いてもよい。<Sealing adhesive 17>
The sealing
<封止用フレキシブル基板19>
封止用フレキシブル基板19は、可撓性を有して屈曲する材料で構成されており、例えば樹脂フィルム、屈曲性を有する薄膜状のガラス材料または金属材料によって構成されている。このフレキシブル基板3は、面発光部材5で発生させた光が封止用フレキシブル基板19を透過した後に発光光hとして取り出される場合であれば、発光光hに対する透過性を有する材料が選択して用いられる。またフレキシブル基板3は、面発光部材5で発生させた光が封止用フレキシブル基板19から取り出されることがない場合には、光透過性を有する必要はない。を透過した後に発光光hとして取り出される場合であれば、発光光hに対する透過性を有する材料が選択して用いられる。<
The sealing
このような封止用フレキシブル基板19は、フレキシブル基板3で例示した材料のなかから適宜に選択した材料を用いて構成される。
Such a sealing
≪第1実施形態≫
図2は、第1実施形態の光治療装置の断面模式図である。この図に示す第1実施形態の光治療装置1−1は、フレキシブル基板3、フレキシブル基板3の一主面上に設けられた有機電界発光素子11、およびフレキシブル基板3の他主面上に設けられたバンドパスフィルタ13を備えている。そして、これらのフレキシブル基板3、有機電界発光素子11、およびバンドパスフィルタ13によって面発光部材5−1が構成され、バンドパスフィルタ13の一主面側がフレキシブル基板3の基板面に沿ってフレキシブルに屈曲する発光面5aとなっている。またここでの図示と詳細な説明は省略するが、この光治療装置1−1は、先に述べた封止用接着剤と封止用フレキシブル基板とによって、有機電界発光素子11が封止された状態となっている。以下、各構成要素の詳細を説明する。<< First Embodiment >>
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the phototherapy device of the first embodiment. The phototherapy device 1-1 of the first embodiment shown in this figure is provided on the
<フレキシブル基板3>
フレキシブル基板3は、先に例示した材料のうち、有機電界発光素子11で発生した光を透過する光透過性を有するものが選択して用いられる。<
As the
<有機電界発光素子11>
有機電界発光素子11は、フレキシブル基板3側から順に、下部電極11a、有機材料を用いて構成された発光機能層11b、および上部電極11cを積層した構成である。このうち、発光機能層11bは、少なくとも発光層を備えたものである。次に、下部電極11a、発光機能層11b、および上部電極11cの構成を説明する。<
The
[下部電極11a]
下部電極11aは、有機電界発光素子11における陽極または陰極を構成するものである。図面においては、一例として下部電極11aを陽極とした場合を図示している。またこの光治療装置1−1は、有機電界発光素子11の発光機能層11bで発生させた光を、フレキシブル基板3を透過させた後に発光光hとして取り出す構成である。このため、下部電極11aは、光透過性を有する電極として構成されている。[
The
光透過性を有する電極としては、光透過性と導電性とを兼ね備える点から銀(Ag)薄膜が好ましく用いられる。下部電極11aとして、銀薄膜を用いる場合であれば、銀薄膜を均一な膜厚で形成するための各種膜を、下部電極11aの下地層として設けても良い。
As the electrode having light transparency, a silver (Ag) thin film is preferably used in terms of having both light transparency and conductivity. If a silver thin film is used as the
このような下地層は、有機材料で構成されたものであっても、無機材料で構成されたものであってもよい。下地層を構成する有機材料としては、窒素を含有する化合物や、硫黄を含有する化合物、さらには窒素と硫黄を含有する化合物が好ましく用いられる。また下地層を構成する無機材料としては、アルミニウム(Al)、パラジウム(Pd)、プラチナ(Pt)、および亜鉛(Zn)のうちの少なくとも1種が好ましく用いられる。 Such an underlayer may be composed of an organic material or an inorganic material. As an organic material constituting the underlayer, a compound containing nitrogen, a compound containing sulfur, or a compound containing nitrogen and sulfur is preferably used. In addition, as the inorganic material constituting the underlayer, at least one of aluminum (Al), palladium (Pd), platinum (Pt), and zinc (Zn) is preferably used.
以上に例示した特定の材料は、何れも銀(Ag)との相互作用することにより、銀(Ag)の凝集を抑える効果を有する。このため、このような材料で構成された下地層に隣接させて銀(Ag)薄膜からなる下部電極11aを成膜することで、下部電極11aの膜厚均一性が確保される。
Each of the specific materials exemplified above has an effect of suppressing aggregation of silver (Ag) by interacting with silver (Ag). For this reason, the film thickness uniformity of the
また下部電極11aは、半透過半反射膜として構成しても良い。この場合、下部電極11aの膜厚を調整することにより、下部電極11aを半透過半反射膜として機能させる。下部電極11aとして、例えば銀(Ag)薄膜を用いた場合であれば、銀(Ag)薄膜の膜厚を5nm〜50nm、好ましくは8nm〜30nmとすることにより、下部電極11aを良好な半透過半反射膜として用いることができる。また発光機能層11bの全体膜厚を調整することにより、下部電極11aと上部電極11cとの間で治療に用いる特定の波長の光を共振させてフレキシブル基板3側から取り出す構成とする。これにより、有機電界発光素子11をマイクロキャビティ構造とする。このようなマイクロキャビティ構造の有機電界発光素子11は、フレキシブル基板3の屈曲性を損なうことのない厚さで構成されることとする。
The
[発光機能層11b]
発光機能層11bは、有機材料で構成された発光層を備えていれば、全体的な層構造が限定されることはなく、一般的な層構造であって良い。ただし、この発光層において発生する光は、光治療装置1−1の発光面5aから取り出す発光光hの波長領域を含む。発光機能層11bの代表的な構成としては、以下の構成を例示することができるが、これらに限定されるものではない。
(1)陽極/発光層/陰極
(2)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(3)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
(4)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(5)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(6)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(7)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/(電子阻止層/)発光層/(正孔阻止層/)電子輸送層/電子注入層/陰極[Light Emitting
As long as the light emitting
(1) Anode / light emitting layer / cathode (2) Anode / light emitting layer / electron transport layer / cathode (3) Anode / hole transport layer / light emitting layer / cathode (4) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron Transport layer / cathode (5) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode (6) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode ( 7) Anode / hole injection layer / hole transport layer / (electron blocking layer /) light emitting layer / (hole blocking layer /) electron transport layer / electron injection layer / cathode
尚、陽極と陰極との間に配置された層が、発光機能層11bを構成する層であり、図1を用いて説明した発光機能層10に相当する層である。上記の発光層は、単層または複数層で構成されており、発光層が複数の場合は各発光層の間に非発光性の中間層を設けてもよい。
In addition, the layer arrange | positioned between an anode and a cathode is a layer which comprises the light emission
ここでは特に発光機能層11bが、この光治療装置1−1による治療に用いられる波長の発光が得られる構成となっていることが重要である。
Here, in particular, it is important that the light emitting
[上部電極11c]
上部電極11cは、有機電界発光素子11における陽極または陰極を構成するものであり、下部電極11aが陽極の場合には陰極、下部電極11aが陰極の場合には陽極として用いられる。またこの光治療装置1−1は、有機電界発光素子11の発光機能層11bで発生させた発光光hを、フレキシブル基板3側から取り出す構成であるため、上部電極11cは光反射機能を有することが好ましい。光反射機能を有する上部電極11cとしては、例えばアルミニウム電極が用いられる。[
The
<バンドパスフィルタ13>
バンドパスフィルタ13は、発光機能層11bにおいて発生させてフレキシブル基板3を透過した光のうち治療に用いる特定の波長帯域の光のみを透過させるものであり、半値幅100nm以下、好ましくは半値幅50nm以下でかつ3nm以上の特定の波長帯域の光を透過させる。このようなバンドパスフィルタ13の一例としては、例えば誘電体多層膜で構成されたもの、または誘電体多層膜と共に金属誘電体多層膜の遮蔽フィルタを組み合わせた2キャビティ干渉フィルタとして構成されたものであっても良いが、フレキシブル基板3に追従して屈曲自在であることとする。ここで、誘電体多層膜は、酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化チタン(TiO2)、または硫化亜鉛(ZnS)等の高屈折率材料層と、酸化シリコン(SiO2)のような低屈折率材料層とを、共振波長に合わせた膜厚で交互に積層した構成を用いたものである。<
The band-
またバンドパスフィルタ13は、フレキシブル基板3において有機電界発光素子11が設けられている面とは逆側の主面に設けられ、例えばフレキシブル基板3に貼り合わせられているか、またはフレキシブル基板3の基板面に成膜によって形成されたものである。このバンドパスフィルタ13において、フレキシブル基板3に向かう面と逆側の面が、面発光部材5−1の発光面5aとなる。
The band-
<光治療装置1−1の効果>
以上のような構成の光治療装置1−1は、フレキシブル基板3と、有機電界発光素子11と、バンドパスフィルタ13とによって構成された面発光部材5−1を用いている。有機電界発光素子11は、それ自体が薄膜を積層した面発光部材であって屈曲性を有するため、フレキシブル基板3に追従して屈曲する。またバンドパスフィルタ13は、フレキシブル性を有して構成され、このバンドパスフィルタ13のフィルタ面で構成された発光面5aは、フレキシブル基板3に追従して屈曲する構成である。<Effect of phototherapy device 1-1>
The phototherapy device 1-1 having the above-described configuration uses a surface light-emitting member 5-1 configured by the
またこの光治療装置1−1では、有機電界発光素子11の発光機能層11bにおいて発光させた治療目的を達成するための波長を含む光が、バンドパスフィルタ13を通過することによって半値幅100nm以下、好ましくは半値幅50nm以下の狭帯域波長の発光光hとして発光面5aから放出される。
Moreover, in this phototherapy apparatus 1-1, the light containing the wavelength for achieving the treatment objective light-emitted in the light emitting
これにより、治療部位に沿って配置した発光面5aから、治療目的を達成するための波長を含む光を、半値幅100nm以下あるいは半値幅50nm以下といった、治療効果の高い狭帯域の光として照射することができる。この結果、広範囲の治療部位に対して高い治療効果の達成を期待することが可能になる。
Thereby, light including a wavelength for achieving the therapeutic purpose is emitted from the
しかも、銀(Ag)で構成された下部電極11aを、上述した特定の材料からなる下地層に隣接して設けることにより、下部電極11aの膜厚均一性を確保した構成であれば、下部電極11a−上部電極11c間における発光機能層11cの膜厚が安定化する。これにより、下部電極11a−上部電極11間のリーク発生が抑制される。この結果、フレキシブル性が高いことによってリークの懸念が高い光治療装置1−1において、リークに起因する異常発熱を防止することが可能になる。
In addition, if the
<変形例1>
尚、本第1実施形態の変形例1として、フレキシブル基板3と逆側から発光光hを放出させる構成を例示することができる。このような変形例1の場合、下部電極11aは光反射機能を有する電極として構成され、上部電極11cは光透過性を有する電極として構成される。また、バンドパスフィルタ13は、ここでの図示を省略した封止用フレキシブル基板側に貼り合わせまたは成膜によって設けた構成とし、フレキシブル基板3は光透過性を有している必要はなく、図示を省略した封止用接着剤と封止用フレキシブル基板とが光透過性を有する。このような構成であっても、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。<
As a first modification of the first embodiment, a configuration in which the emitted light h is emitted from the side opposite to the
さらにこの変形例1の構成において、光透過性を有する上部電極11cを銀(Ag)薄膜によって構成する場合、その下地層は発光機能層11bの一部を構成するものとなる。したがって下地層は、窒素や硫黄を含有する有機材料のうち、電荷輸送機能や電荷注入機能等、発光機能層として必要な機能を発揮できる材料を用いて構成され、これにより上述と同様のリークに起因する異常発熱を防止することが可能になる。
Further, in the configuration of the first modification, when the
<変形例2>
また本第1実施形態の変形例2として、バンドパスフィルタ13を用いずに、有機電界発光素子11をマイクロキャビティ構造としたことのみにより、発光光hの波長帯域を狭帯域化させる構成であっても良い。このような構成であっても、マイクロキャビティ構造により、半値幅100nm以下、好ましくは半値幅50nm以下の特定の狭帯域波長の発光光hを発光面5aから放出させることができる。<
Further, as a second modification of the first embodiment, the wavelength band of the emitted light h is narrowed only by using the
このような変形例2は、変形例1と組み合わせてフレキシブル基板3と逆側から発光光hを放出させる構成に対しても適用される。この場合、光取り出し側となる上部電極11cは、例えば銀(Ag)薄膜を用いて半透過半反射膜として構成すればよく、変形例1と同様の下地層に隣接させて設けることにより、上述した異常発熱を防止することが可能になる。
Such a
≪第2実施形態≫
図3は、第2実施形態の光治療装置の断面模式図である。この図に示す第2実施形態の光治療装置1−2が、第1実施形態の光治療装置と異なるところは、フレキシブル基板3と有機電界発光素子11との間にバンドパスフィルタとして誘電体多層膜21を設けたところにある。すなわち、フレキシブル基板3、誘電体多層膜21、および有機電界発光素子11によって面発光部材5−2が構成され、フレキシブル基板3の一主面側の基板面がフレキシブルに屈曲する発光面5aとなっている。フレキシブル基板3および有機電界発光素子11の構成、およびその他の構成は、第1実施形態と同様である。したがって、ここでは誘電体多層膜21の構成を説明し、他の構成要素の説明は省略する。<< Second Embodiment >>
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the phototherapy device of the second embodiment. The phototherapy device 1-2 of the second embodiment shown in this figure is different from the phototherapy device of the first embodiment in that a dielectric multilayer as a bandpass filter is provided between the
<誘電体多層膜21>
誘電体多層膜21は、光透過性を有するフレキシブル基板3と有機電界発光素子11との間の層間に配置されている。この誘電体多層膜21は、発光機能層11bにおいて発生させてフレキシブル基板3を透過した光のうち治療に用いる特定の波長の光のみを透過させるマイクロキャビティとして設けられ、半値幅100nm以下、好ましくは半値幅50nm以下でかつ3nm以上の特定の狭帯域波長の光を透過させる。<
The
このような誘電体多層膜21は、フレキシブル基板3の基板面上に成膜によって形成されたものであり、さらにこの誘電体多層膜21上に有機電界発光素子11を構成する各層が順次成膜によって形成される。このような誘電体多層膜21は、フレキシブル基板3の屈曲性を損なうことのない層構造であることとする。
Such a
<光治療装置1−2の効果>
以上のような第2実施形態の光治療装置1−2では、フレキシブル基板3の一主面側の基板面がフレキシブルに屈曲する発光面5aとなっている。したがって、発光面5aがフレキシブル基板3に追従して屈曲するフレキシブル性を有し、この発光面5aから半値幅100nm以下、好ましくは半値幅50nm以下でかつ3nm以上の特定の狭帯域波長の発光光hが放出される。この結果、第1実施形態と同様に、広い範囲の治療部位に対して均一に、治療効果の高い特定の狭帯域波長の発光光hを照射することが可能であるため、広範囲の治療部位に対して高い治療効果の達成を期待することが可能になる。<Effect of phototherapy device 1-2>
In the phototherapy device 1-2 of the second embodiment as described above, the substrate surface on one main surface side of the
尚、本第2実施形態の構成においても、第1実施形態で説明したように下部電極11aを、例えば銀薄膜で構成された半透過半反射膜とすることにより、有機電界発光素子11をマイクロキャビティ構造としても良い。この場合、下部電極11aおよび誘電体多層膜21の積層構造と、上部電極11cとの間で治療に用いる特定の波長の光を共振させてフレキシブル基板3側から取り出す構成となる。
Even in the configuration of the second embodiment, as described in the first embodiment, the
また、本第2実施形態においても、第1実施形態の変形例1と同様に、フレキシブル基板3と逆側から発光光hを放出させる構成を例示することができる。この場合、下部電極11aは光反射機能を有する電極として構成され、上部電極11cは光透過性を有する電極として構成される。そして有機電界発光素子11の上部電極11c側に誘電体多層膜21を成膜によって設け、有機電界発光素子11および誘電体多層膜21を覆って、図示を省略した封止用接着剤と封止用フレキシブル基板とを設けた構成とすれば良い。またフレキシブル基板3は、光透過性を有している必要はなく、封止用接着剤と封止用フレキシブル基板とが光透過性を有する。い。このような構成であっても、第2実施形態と同様の効果を得ることができる。
Also in the second embodiment, a configuration in which the emitted light h is emitted from the side opposite to the
さらに以上の第2実施形態の構成においても、下部電極11aまたは上部電極11cを、銀(Ag)薄膜によって構成する場合、第1実施形態で述べた特定の材料からなる下地層に隣接させて銀(Ag)薄膜を設けることにより、リークに起因する異常発熱を防止することが可能になる。
Further, in the configuration of the second embodiment described above, when the
≪第3実施形態≫
図4は、第3実施形態の光治療装置の断面模式図である。この図に示す第3実施形態の光治療装置1−3は、光透過性を有するフレキシブル基板3と、フレキシブル基板3の一主面上に設けられた量子ドット含有の有機電界発光素子(以下、QD−OLED11’と記す)とを備えている。またここでの図示を省略した封止用接着剤と封止用フレキシブル基板とによって、QD−OLED11’が封止されている。そして、これらのフレキシブル基板3およびQD−OLED11’によって面発光部材5−3が構成され、フレキシブル基板3の一主面側の基板面が発光面5aとなっている。このうちフレキシブル基板3、封止用接着剤、および封止用フレキシブル基板は第1実施形態と同様である。このため、以下においてはQD−OLED11’の構成について説明する。«Third embodiment»
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of the phototherapy device of the third embodiment. The phototherapy device 1-3 according to the third embodiment shown in this figure includes a
<QD−OLED11’>
QD−OLED11’は、フレキシブル基板3側から順に、下部電極11a、有機材料を用いて構成された発光機能層11b’、および上部電極11cを積層した構成である。このうち、発光機能層11b’は、少なくとも発光層を備えたものであり、この発光層を有する発光機能層11b’内に量子ドットQDが含有されているところが、通常の有機電界発光素子と異なるところである。下部電極11aおよび上部電極11cは、第1実施形態で説明した有機電界発光素子と同様である。このうち下部電極11aは、半透過半反射膜であっても良く、これによりQD−OLED11’がマイクロキャビティ構造を構成していても良いことは、第1実形態と同様である。<QD-OLED 11 '>
The QD-
[発光機能層11b’]
発光機能層11b’は、発光機能層11b’を構成する何れかの層内に量子ドットQDを含有していれば良く、全体的な層構造が限定されることはなく一般的な層構造であって良い。発光機能層11b’の代表的な構成は、第1実施形態で例示した発光機能層の構成と同様であり、発光層が複数の場合は各発光層の間に非発光性の中間層を設けてもよい。この発光機能層11b’が、図1を用いて説明した発光機能層10に相当している。[Light Emitting
The light emitting
ここでは、特に発光機能層11b’を構成する何れかの層が、この光治療装置1−3の治療目的を達成するための波長を含む発光光hが得られる量子ドットQDを含有していることが重要である。量子ドットQDは、数nm〜数十nmの大きさの化合物半導体の微粒子であり、エネルギーの吸収によって生じる発光のピークが急峻である。量子ドットQDにおける発光波長は、粒子のサイズによって極めて精密な発光波長の制御が可能であり、粒子のサイズが大きくなっていくと発光波長が短くなる。
Here, in particular, any of the layers constituting the light emitting
このような量子ドットQDの詳細については以降に説明するが、具体的な一例としては、CdSe、ZnSe、CdS、ZnO、ZnS等の化合物からなり、2種以上を組み合わせて用いてもよい。例えば、CdSeとZnSとで構成された量子ドットQDは、粒径6.3nm程度で発光波長640nm、半値幅60nm未満の発光が得られる。 Although details of such quantum dots QD will be described later, as a specific example, a compound such as CdSe, ZnSe, CdS, ZnO, and ZnS may be used in combination of two or more. For example, a quantum dot QD composed of CdSe and ZnS can emit light having a particle size of about 6.3 nm and an emission wavelength of 640 nm and a half-value width of less than 60 nm.
発光機能層11b’における発光層は、発光機能層11b’を構成する何れかの層内に含有された量子ドットQDを効果的に励起状態とすることが可能な波長の発光を生じる構成である。このような発光層としては、少なくとも1つのホスト材料と少なくとも1つの発光ドーパント材料を含む構成であることが好ましい。
The light emitting layer in the light emitting
<光治療装置1−3の効果>
以上のような第3実施形態の光治療装置1−3であっても、QD−OLED11’は、それ自体が薄膜を積層した構成であって屈曲性を有するため、フレキシブル基板3に追従して屈曲する。このため、フレキシブル基板3の基板面に設けられる発光面5aは、フレキシブル基板3に追従して屈曲するフレキシブル性を有することになり、この発光面5aから量子ドットQDの発光による半値幅100nm以下の特定の狭帯域波長の発光光hが放出される。この結果、第1実施形態と同様に、広い範囲の治療部位に対して均一に、治療効果の高い特定の狭帯域波長の発光光hを照射することが可能であるため、広範囲の治療部位に対して高い治療効果の達成を期待することが可能になる。<Effect of phototherapy device 1-3>
Even in the phototherapy device 1-3 according to the third embodiment as described above, the QD-
また特に、この光治療装置1−3は、発光機能層11b’の発光層に量子ドットQDを含有させたことにより、発光波長のピークが急峻で半値幅が狭い発光を得ることができる。したがって、発光光hを狭帯域化させるためのバンドパスフィルタを用いる必要がなく、面発光部材5−3を薄型化できるため、発光面5aのフレキシブル性が確保し易い構成である。
In particular, this phototherapy device 1-3 can obtain light emission with a sharp emission wavelength peak and a narrow half-value width by containing quantum dots QD in the light emitting layer of the light emitting
さらに以上の第3実施形態の構成においても、下部電極11aまたは上部電極11cを、銀(Ag)薄膜によって構成する場合、第1実施形態で述べた特定の材料からなる下地層に隣接させて銀(Ag)薄膜を設けることにより、リークに起因する異常発熱を防止することが可能になる。
Further, in the configuration of the third embodiment described above, when the
尚、以上の第3実施形態の光治療装置1−3に対して、第1実施形態の構成または第2実施形態の構成を組み合わせることで、さらに組み合わせた効果を得ることができる。すなわち、第1実施形態の構成と組み合わせ、光治療装置1−3において、QD−OLED11’と逆側のフレキシブル基板3の基板面にバンドパスフィルタを設けた構成としても良い。また、第1実施形態の変形例1の構成と組み合わせ、フレキシブル基板3と逆側から発光光hを放出させる構成としても良い。さらに第2実施形態と組み合わせ、QD−OLED11’とフレキシブル基板3との間に誘電体多層膜を設けてもよく、さらに逆側から発光光hと放出させる構成としてもよい。
In addition, the combined effect can be acquired by combining the structure of 1st Embodiment or the structure of 2nd Embodiment with respect to the phototherapy apparatus 1-3 of the above 3rd Embodiment. That is, it is good also as a structure which provided the band pass filter in the board | substrate surface of the
≪第4実施形態≫
図5は、第4実施形態の光治療装置の断面模式図である。この図に示す第4実施形態の光治療装置1−4は、光透過性を有するフレキシブル基板3と、フレキシブル基板3の一主面上に、複数層(ここでは2層)のQD−OLED11’−1およびQD−OLED11’−2を積層させた構成である。そして、これらのフレキシブル基板3、QD−OLED11’−1、およびQD−OLED11’−2によって面発光部材5−4が構成され、フレキシブル基板3の一主面側の基板面が発光面5aとなっている。また、QD−OLED11’−1およびQD−OLED11’−2は、ここでの図示を省略した封止用接着剤と封止用フレキシブル基板とによって封止されている。以上のうちフレキシブル基板3、封止用接着剤、および封止用フレキシブル基板は第1実施形態と同様のもので良い。<< Fourth Embodiment >>
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of the phototherapy device of the fourth embodiment. The phototherapy device 1-4 of the fourth embodiment shown in this figure includes a
複数層のQD−OLED11’−1およびQD−OLED11’−2は、第3実施形態で説明したQD−OLEDと同様の構成であり、フレキシブル基板3側から順に、QD−OLED11’−1、QD−OLED11’−2の順に設けられている。これらのQD−OLED11’−1およびQD−OLED11’−2は、1層の中間電極11dを共有電極として用いて積層されており、異なる波長の発光光h1と発光光h2とを発生する。以下、QD−OLED11’−1およびQD−OLED11’−2の構成を説明する。
The multi-layer QD-
<QD−OLED11’−1>
フレキシブル基板3側に設けられたQD−OLED11’−1は、下部電極11a、発光機能層11b’−1、および中間電極11dによって構成されている。<QD-OLED 11'-1>
The QD-
このうち下部電極11aは、QD−OLED11’−1の陽極または陰極として用いられるものであり、光透過性を有する電極であることは、他の実施形態と同様である。
Among these, the
また発光機能層11b’−1は、発光層を有し、この発光層は治療に用いる波長を含む発光光h1が得られる量子ドットQD1を含有する。この発光機能層11b’−1は、図1を用いて説明した発光機能層10に相当する。
The light emitting
中間電極11dは、QD−OLED11’−1において上部電極として用いられ、下部電極11aが陽極の場合には陰極、下部電極11aが陰極の場合には陽極として用いられる。図面においては、一例として下部電極11aを陽極とし中間電極11dを陰極とした場合を図示している。またこのような中間電極11dは、光透過性を有する電極として設けられている。
The
以上のようなQD−OLED11’−1は、下部電極11aと中間電極11dの間に電圧を印加することにより、他方のQD−OLED11’−2に対して発光機能層11b’−1からの発光が独立に制御される構成となっている。
The above QD-
<QD−OLED11’−2>
QD−OLED11’−1に重ねて設けられたQD−OLED11’−2は、中間電極11d、発光機能層11b’−2、および上部電極11cによって構成されている。<QD-OLED 11'-2>
The QD-
このうち中間電極11dは、QD−OLED11’−2において下部電極として用いられ、上部電極11cが陽極の場合には陰極、上部電極11cが陰極の場合には陽極として用いられる。図面においては、一例として上部電極11cを陽極とし中間電極11dを陽極とした場合を図示している。
Among these, the
また発光機能層11b’−2は、発光層を有し、この発光層は治療に用いる波長を含む発光光h2が得られる量子ドットQD2を含有する。この発光機能層11b’−2は、図1を用いて説明した発光機能層10に相当し、この光治療装置1−4においては、フレキシブル基板3に対して、複数の発光機能層11b’−1および発光機能層11b’−2が積層された構成となっている。
The light emitting
上部電極11cは、QD−OLED11’−2の陽極または陰極として用いられるものであり、光反射機能を有する電極であることは、他の実施例と同様である。
The
ここで、QD−OLED11’−2によって生じる発光光h2は、隣接するQD−OLED11’−1によって生じる発光光h1とは異なる波長である。このためQD−OLED11’−2の発光機能層11b’−2で用いる量子ドットQD2と、QD−OLED11’−1で用いる量子ドットQD−1とは、これを構成する化合物または粒径が異なることとする。
Here, the emitted light h2 generated by the QD-OLED 11'-2 has a wavelength different from that of the emitted light h1 generated by the adjacent QD-OLED 11'-1. For this reason, the quantum dot QD2 used in the light emitting
以上のようなQD−OLED11’−2は、中間電極11dと上部電極11cとの間に電圧を印加することにより、他方のQD−OLED11’−1に対して発光機能層11b’−2からの発光が独立に制御される構成となっている。
The QD-
<光治療装置1−4の効果>
以上のような第4実施形態の光治療装置1−4であっても、QD−OLED11’−1およびQD−OLED11’−2は、それら自体が薄膜を積層した構成であって屈曲性を有するため、フレキシブル基板3に追従して屈曲し、フレキシブル基板3の基板面に設けられる発光面5aはフレキシブル性を有する。そして、このフレキシブルに屈曲する発光面5aからは、量子ドットQD1および量子ドットQD2の発光による半値幅100nm以下の特定の狭帯域波長の発光光h1および発光光h2が、それぞれに制御されて放出される。<Effect of phototherapy device 1-4>
Even in the phototherapy device 1-4 according to the fourth embodiment as described above, the QD-
この結果、第1実施形態と同様に、広い範囲の治療部位に対して均一に、治療効果の高い特定の狭帯域波長の発光光h1および発光光h2を照射可能であるため、広範囲の治療部位に対して高い治療効果の達成を期待することが可能になる。 As a result, similar to the first embodiment, it is possible to irradiate the light-emitting light h1 and the light-emitting light h2 having a specific narrow band wavelength with high therapeutic effect uniformly over a wide range of treatment sites. It can be expected to achieve a high therapeutic effect on the patient.
しかも、発光面5aから放出される発光光h1および発光光h2は、それぞれ異なる波長であり、下部電極11a、中間電極11d、および上部電極11cへの電圧印加によって独立に発光が制御されるため、1つの光治療装置1−4を異なる目的の治療に用いることが可能になる。
Moreover, the emitted light h1 and the emitted light h2 emitted from the
尚、以上の第4実施形態の構成において、QD−OLED11’−1およびQD−OLED11’−2をマイクロキャビティ構造とする場合、下部電極11aを半透過半反射膜とする。そして、発光機能層11b’−1および発光機能層11b’−2の膜厚調整により、量子ドットQD1の発光によって得られる発光光h1、および量子ドットQD2の発光によって得られる発光光h2を、下部電極11aと上部電極11cとの間で共振させる構成とする。
In the configuration of the fourth embodiment described above, when the QD-OLED 11'-1 and the QD-OLED 11'-2 have a microcavity structure, the
さらに、以上の第4実施形態においては、中間電極11dが光透過性を有する電極であることとした。しかしながら、中間電極11dを光反射機能を有する電極とし、下部電極11aおよび上部電極11cを光透過性を有する電極として構成してもよい。この場合、QD−OLED11’−1による発光光h1は、フレキシブル基板3を透過して放出され、QD−OLED11’−2は、上部電極11cを透過して放出される構成となる。これにより、QD−OLED11’−1およびQD−OLED11’−2を挟んだ両側に、フレキシブル基板3に沿った発光面が設けられ、各発光面から異なる特定の狭帯域波長の発光光h1および発光光h2が放出されるリバーシブル構造とすることができる。
Furthermore, in the above fourth embodiment, the
このような構成であれば、QD−OLED11’−1およびQD−OLED11’−2をマイクロキャビティ構造とする場合に、発光機能層11b’−1の膜厚調整と、発光機能層11b’−2の膜厚調整とを、それぞれ個別に行うことが可能であり、マイクロキャビティ構造の設計の自由度を高めることができる。
With such a configuration, when the QD-
さらに以上の第4実施形態の構成においても、下部電極11a、上部電極11c、または中間電極11dを、銀(Ag)薄膜によって構成する場合、第1実施形態で述べた特定の材料からなる下地層に隣接させて銀(Ag)薄膜を設けることにより、リークに起因する異常発熱を防止することが可能である。尚、中間電極11dを、銀(Ag)薄膜によって構成する場合の下地層は、発光機能層11b’−1の一部を構成するものとなる。したがって下地層は、窒素や硫黄を含有する有機材料のうち、電荷輸送機能や電荷注入機能等、発光機能層として必要な機能を発揮できる材料を用いて構成され、これにより上述と同様のリークに起因する異常発熱を防止することが可能になる。
Further, in the configuration of the fourth embodiment described above, when the
尚、以上の第4実施形態においては、中間電極11dを介して積層されたQD−OLED11’−1およびQD−OLED11’−2が、異なる波長の発光光h1と発光光h2とを発生する光治療装置1−4を説明した。しかしながら、QD−OLED11’−1およびQD−OLED11’−2は、同一波長の発光光h1と発光光h2を発生するものであっても良い。このような構成により、発光機能層11b’−1および発光機能層11b’−2の膜厚調整をすることでQD−OLED11’−1およびQD−OLED11’−2のマイクロキャビティを活用し、より高輝度の発光光h1+h2を用いた治療や、照射強度の切り替えを実施することが可能である。
In the fourth embodiment described above, the QD-
さらに以上の第4実施形態においては、中間電極11dを介して2つの発光機能層11b’−1および発光機能層11b’−2を積層させた構成の光治療装置1−4を説明した。しかしながら、2つの発光機能層11b’−1および発光機能層11b’−2は、中間電極11dに換えて絶縁性の中間層を介して積層されていてもよい。絶縁性の中間層は、一般的に電荷発生層、電子引抜層、接続層、中間絶縁層の何れかであり、陽極側の隣接層に電子を、陰極側の隣接層に正孔を供給する機能を持った層であれば、公知の材料構成を用いることができる。このような構成により電極間の距離が広げられ、リーク発生が抑制される。この結果、フレキシブル性が高いことによってリークの懸念が高い光治療装置において、リークに起因する異常発熱を防止することが可能になる。
Furthermore, in the above fourth embodiment, the phototherapy device 1-4 having the configuration in which the two light emitting
また以上の第4実施形態の光治療装置1−4に対して、上述した実施形態および変形例の構成を組み合わせることで、さらに組み合わせた効果を得ることができる。すなわち、第1実施形態の構成と組み合わせ、光治療装置1−4において、QD−OLED11’−1およびQD−OLED11’−2と逆側のフレキシブル基板3の基板面にバンドパスフィルタを設けた構成としても良い。ただし、QD−OLED11’−1およびQD−OLED11’−2が異なる波長の発光光h1と発光光h2とを発生するものである場合、バンドパスフィルタは、遮蔽フィルタを設けず、2つの異なる波長領域の光をそれぞれに共振させる誘電体多層膜部分を積層させたものとする。また、第1実施形態の変形例1の構成と組み合わせ、フレキシブル基板3と逆側から発光光h1および発光光h2を放出させる構成としても良い。さらに第2実施形態と組み合わせ、QD−OLED11’−1とフレキシブル基板3との間に誘電体多層膜を設けてもよい。この誘電体多層膜は、2つの異なる波長領域の光をそれぞれに共振させる誘電体多層膜部分を積層させたものとする。
Moreover, the combined effect can be acquired by combining the structure of embodiment mentioned above and the modification with respect to the phototherapy apparatus 1-4 of the above 4th Embodiment. That is, in combination with the configuration of the first embodiment, in the phototherapy device 1-4, a configuration in which a band-pass filter is provided on the substrate surface of the
また以上の第4実施形態においては、量子ドットQDを含有する2つの素子(QD−OLED11’−1およびQD−OLED11’−2)を積層させた構成を説明した。しかしながら、このような積層構成は、図2を用いて説明した第1実施形態および図3を用いて説明した第2実施形態にも適用され、量子ドットQDを用いていない有機電界発光素子11を積層させた構成としても良い。
In the above fourth embodiment, the configuration in which two elements (QD-OLED 11'-1 and QD-OLED 11'-2) containing quantum dots QD are stacked has been described. However, such a laminated structure is also applied to the first embodiment described with reference to FIG. 2 and the second embodiment described with reference to FIG. 3, and the
この場合、積層される複数の有機電界発光素子11は、異なる波長の光を発生することとする。そして図2に示した第1実施形態の構成であれば、バンドパスフィルタ13として、遮蔽フィルタを設けず、積層させた有機電界発光素子において得られた2つの異なる波長領域の光をそれぞれに共振させる誘電体多層膜部分を積層させたものを用いる。また図3に示した第2実施形態の構成であれば、誘電体多層膜21として、2つの異なる波長領域の光、または同一波長の光をそれぞれに共振させるものを用いる。
In this case, the plurality of organic
≪第5実施形態≫
図6は、第5実施形態の光治療装置の断面模式図である。この図に示す第5実施形態の光治療装置1−5は、光透過性を有するフレキシブル基板3と、フレキシブル基板3の一主面上に設けられた量子ドット発光層を有する発光素子(以下、QLED11”と記す)とを備えている。そして、これらのフレキシブル基板3およびQLED11”によって面発光部材5−5が構成され、フレキシブル基板3の一主面側の基板面が発光面5aとなっている。また、QLED11”は、ここでの図示を省略した封止用接着剤と封止用フレキシブル基板とによって封止されている。以上のうちフレキシブル基板3、封止用接着剤、および封止用フレキシブル基板は第1実施形態と同様のもので良い。このため、以下においてはQLED11”の構成について説明する。«Fifth embodiment»
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of the phototherapy device of the fifth embodiment. The phototherapy device 1-5 of the fifth embodiment shown in this figure includes a light-transmitting
<QLED11”>
QLED11”は、フレキシブル基板3側から順に、下部電極11a、量子ドットと有機材料とを用いて構成された発光機能層11b”、および上部電極11cを積層した構成である。このうち、発光機能層11b”は、少なくとも量子ドット発光層51を備えたものであるところが特徴的である。この発光機能層11b”が、図1を用いて説明した発光機能層10に相当する。尚、下部電極11aおよび上部電極11cは、第1実施形態で説明した有機電界発光素子と同様である。下部電極11aは、半透過半反射膜であっても良く、これによりQLED11”がマイクロキャビティ構造を構成していても良い。<QLED11 ">
The
[発光機能層11b”]
発光機能層11b”は、量子ドットQDを用いて構成された量子ドット発光層51を備えていれば良く、全体的な層構造は第1実施形態において説明した有機電界発光素子の発光層を量子ドット発光層51と置き換えた構造であって良い。量子ドット発光層51は、例えば量子ドットQDの分散液を塗布して成膜される。尚、量子ドット発光層51を構成する量子ドットQDは、第3実施形態と同様のものであり、この光治療装置1−5の治療目的を達成するための波長を含む発光光hが得られるものである。[Light Emitting
The light-emitting
一例として、下部電極11aをITO(酸化インジウムスズ)からなる陰極として構成した場合の構成は、下部電極11a側から順に次のようである。[ZnOナノ粒子層からなる電子輸送層/CdSeとZnSからなる量子ドットQDで構成された量子ドット発光層51/CBP(4,4'-N,N'-dicarbazole-biphenyl)を用いた正孔輸送層/MoO3微粒子正孔注入層]。
As an example, the configuration when the
このような構成は、量子ドット発光層51の下地としてZnOナノ粒子層からなる電子輸送層を適用することにより、下地の損傷なく量子ドット発光層51を設けることが可能である。
In such a configuration, by applying an electron transport layer composed of a ZnO nanoparticle layer as a base of the quantum dot light-emitting
この場合であっても、例えば、CdSeとZnSとで構成された量子ドットQDは、粒径6.3nm程度で発光波長640nm、半値幅60nm未満の発光が得られる。 Even in this case, for example, a quantum dot QD composed of CdSe and ZnS can emit light having a particle size of about 6.3 nm, an emission wavelength of 640 nm, and a half-value width of less than 60 nm.
<光治療装置1−5の効果>
以上のような第5実施形態の光治療装置1−5であっても、QLED11”は、それ自体が薄膜を積層した構成であって屈曲性を有するため、フレキシブル基板3に追従して屈曲する。このため、フレキシブル基板3の基板面に設けられる発光面5aは、フレキシブル基板3に追従して屈曲するフレキシブル性を有することになり、この発光面5aから量子ドットQDの発光による半値幅100nm以下の特定の狭帯域波長の発光光hが放出される。この結果、第1実施形態と同様に、広い範囲の治療部位に対して均一に、治療効果の高い特定の狭帯域波長の発光光hを照射することが可能であるため、広範囲の治療部位に対して高い治療効果の達成を期待することが可能になる。<Effect of phototherapy device 1-5>
Even in the phototherapy device 1-5 according to the fifth embodiment as described above, the
また特に、この光治療装置1−5は、発光機能層11b”が量子ドット発光層51を有することにより、発光波長のピークが急峻で半値幅が狭い発光を得ることができる。したがって、発光光hを狭帯域化させるためのバンドパスフィルタを用いる必要がなく、面発光部材5−5を薄型化できるため、発光面5aのフレキシブル性が確保し易い構成である。
In particular, this phototherapy device 1-5 can obtain light emission with a sharp emission wavelength peak and a narrow half-value width because the light-emitting
さらに以上の第5実施形態の構成においても、下部電極11aまたは上部電極11cを、銀(Ag)薄膜によって構成する場合、第1実施形態で述べた特定の材料からなる下地層に隣接させて銀(Ag)薄膜を設けることにより、リークに起因する異常発熱を防止することが可能になる。
Further, in the configuration of the fifth embodiment described above, when the
尚、以上の第5実施形態の光治療装置1−5に対して、上述した第1実施形態または第2実施形態の構成を組み合わせることで、さらに組み合わせた効果を得ることができる。すなわち、第1実施形態の構成と組み合わせ、光治療装置1−5において、QLED11”と逆側のフレキシブル基板3の基板面にバンドパスフィルタを設けた構成としても良い。また、第1実施形態の変形例1の構成と組み合わせ、フレキシブル基板3と逆側から発光光hを放出させる構成としても良い。さらに第2実施形態と組み合わせ、QLED11”とフレキシブル基板3との間に誘電体多層膜を設けてもよい。
In addition, the combined effect can be acquired by combining the structure of 1st Embodiment or 2nd Embodiment mentioned above with respect to the phototherapy apparatus 1-5 of the above 5th Embodiment. That is, in combination with the configuration of the first embodiment, in the phototherapy device 1-5, a configuration may be adopted in which a bandpass filter is provided on the substrate surface of the
さらに以上の第5実施形態の光治療装置1−5は、第4実施形態と組み合わせ異なる波長の発光光を発するQLEDを積層させた構成としても良く、これにより異なる複数の治療目的に用いることも可能である。また、同一波長の発光光を発するQLEDを積層させた構成であれば、リークに起因する異常発熱を防止することが可能になる。 Furthermore, the phototherapy device 1-5 of the fifth embodiment described above may be configured by laminating QLEDs that emit light having different wavelengths in combination with the fourth embodiment, and thus may be used for a plurality of different treatment purposes. Is possible. In addition, if the QLEDs that emit light having the same wavelength are stacked, abnormal heat generation due to leakage can be prevented.
≪第6実施形態≫
図7は、第6実施形態の光治療装置の断面模式図である。この図に示す第6実施形態の光治療装置1−6が、図2を用いて説明した第1実施形態の光治療装置1−1と異なるところはバンドパスフィルタ13に換えて量子ドットフィルム61を用いたところにある。他の構成は第1実施形態と同様である。したがって、ここでは量子ドットフィルム61の構成を説明し、他の構成要素の説明は省略する。<< Sixth Embodiment >>
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of the phototherapy device of the sixth embodiment. The phototherapy device 1-6 of the sixth embodiment shown in this figure is different from the phototherapy device 1-1 of the first embodiment described with reference to FIG. It is in place using. Other configurations are the same as those of the first embodiment. Therefore, the structure of the quantum dot film 61 is demonstrated here and description of another component is abbreviate | omitted.
<量子ドットフィルム61>
量子ドットフィルム61は、有機電界発光素子11において発生させた光を、この光治療装置1−6の治療目的を達成するための波長を含む発光光hに変換するものである。<Quantum dot film 61>
The quantum dot film 61 converts light generated in the
このような量子ドットフィルム61は、例えば量子ドットQDの分散液を塗布して成膜される。尚、量子ドットフィルム61を構成する量子ドットQDは、第3実施形態と同様のものであり、この光治療装置1−6の治療目的を達成するための波長を含む発光光hが得られるものである。 Such a quantum dot film 61 is formed by applying, for example, a dispersion of quantum dots QD. In addition, the quantum dot QD which comprises the quantum dot film 61 is the same as that of 3rd Embodiment, and the emitted light h containing the wavelength for achieving the therapeutic objective of this phototherapy apparatus 1-6 is obtained It is.
例えば、発光波長640nm、半値幅60nm未満の発光光hを得るための量子ドットフィルム61であれば、CdSeとZnSとで構成された粒径6.3nm程度の量子ドットQDを用いて量子ドットフィルム61を構成すれば良い。 For example, in the case of the quantum dot film 61 for obtaining the emission light h having an emission wavelength of 640 nm and a half width of less than 60 nm, a quantum dot film using a quantum dot QD composed of CdSe and ZnS and having a particle size of about 6.3 nm is used. 61 may be configured.
<光治療装置1−6の効果>
以上のような第6実施形態の光治療装置1−6であっても、量子ドットフィルム61の表面で構成される発光面5aは、フレキシブル基板3に追従して屈曲するフレキシブル性を有する。そして、量子ドットフィルム61において波長変換された半値幅100nm以下の特定の狭帯域波長の発光光hが、この発光面5aから放出される。この結果、第1実施形態と同様に、広い範囲の治療部位に対して均一に、治療効果が高い特定の狭帯域波長の発光光hを照射することが可能であるため、広範囲の治療部位に対して高い治療効果の達成を期待することが可能になる。<Effect of phototherapy device 1-6>
Even in the phototherapy device 1-6 of the sixth embodiment as described above, the
尚、本第6実施形態の構成においても、第1実施形態の変形例1と同様に、フレキシブル基板3と逆側から発光光hを放出させる構成を例示することができる。この場合、下部電極11aは光反射機能を有する電極として構成され、上部電極11cは光透過性を有する電極として構成され、有機電界発光素子11の上部電極11c側に量子ドットフィルム61を成膜によって設けた構成とすれば良い。またフレキシブル基板3は、光透過性を有している必要はない。このような構成であっても、第6実施形態と同様の効果を得ることができる。
Also in the configuration of the sixth embodiment, a configuration in which the emitted light h is emitted from the side opposite to the
また本第6実施形態を第4実施形態と組み合わせ、2つの有機電界発光素子を積層させた構成としても良い。この場合、有機電界発光素子の積層構造を、2枚の量子ドットフィルム61で挟持させ、また積層させた有機電界発光素子において共通に用いられる中間電極を反射電極、下部電極および上部電極を透明電極とする。これにより、フレキシブル基板3側とその逆側から、それぞれ別の量子ドットフィルム61で波長変換された光が取り出されるリバーシブル構造の光治療装置が得られる。
Further, the sixth embodiment may be combined with the fourth embodiment to have a configuration in which two organic electroluminescent elements are stacked. In this case, the laminated structure of the organic electroluminescent elements is sandwiched between the two quantum dot films 61, and the intermediate electrode commonly used in the laminated organic electroluminescent elements is a reflective electrode, and the lower electrode and the upper electrode are transparent electrodes. And Thereby, the phototherapy apparatus of the reversible structure from which the light by which the wavelength conversion was carried out with the respectively different quantum dot film 61 is taken out from the
以上の第6実施形態および他の実施形態との組み合わせの構成においても、下部電極11aまたは上部電極11cを、銀(Ag)薄膜によって構成する場合、第1実施形態で述べた特定の材料からなる下地層に隣接させて銀(Ag)薄膜を設けることにより、リークに起因する異常発熱を防止することが可能になる。
Also in the configuration of the combination with the sixth embodiment and the other embodiments described above, when the
≪第7実施形態≫
図8は、第7実施形態の光治療装置の断面模式図である。この図に示す第7実施形態の光治療装置1−7は、フレキシブル基板として構成された導光板71と、導光板71の端縁に設けられた光源73と、導光板71の一主面側に設けられた量子ドット部75とを備えている。また光治療装置1−7は、導光板71の他主面側に設けられた反射層77を備えている。これらの導光板71、光源73、および量子ドット部75によって面発光部材5−7が構成され、導光板71の基板面に沿って設けられた量子ドット部75の表面が、フレキシブル基板の基板面に沿ってフレキシブルに屈曲する発光面5aとなっている。以下、各構成要素の詳細を説明する。<< Seventh Embodiment >>
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of the phototherapy device of the seventh embodiment. The phototherapy device 1-7 of the seventh embodiment shown in this figure includes a
<導光板71(フレキシブル基板)>
導光板71は、フレキシブル基板として構成されたものであり、先にフレキシブル基板3を構成する材料として示したもののうち、光源73で発生した光を透過する光透過性を有するものが選択して用いられる。このような材料のうち、特に樹脂フィルムであれば、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、シクロオレフィン系樹脂が好適に用いられる。<Light guide plate 71 (flexible substrate)>
The
<光源73>
光源73は、量子ドット部75を構成する量子ドットQDを発光させるための光を放出するものである。このような光源73は、例えば青色発光のLED素子が用いられる。この光源73は、導光板71の端縁から導光板71に対して光を導入する状態で配置される。このような光源73は、反射カップ73a内に収容された状態で導光板71の端縁に配置されており、光源73から放出された光が反射カップ73aの内壁で反射させて効果的に導光板71に導入される構成となっている。<
The
<量子ドット部75>
量子ドット部75は、光源73から放出された光を、治療目的を達成するための波長に変調するためのものである。この量子ドット部75は、導光板71の光射出面側に設けられた層状のものであって、導光板71の光射出面側の全面を覆う状態で設けられている。このような量子ドット部75は、例えば量子ドットQDを樹脂中に分散させて塗布した量子ドットフィルムであったり、またはこのような量子ドットフィルムをバリアフィルムで挟持して貼り合わせたものであり、導光板71に追従してフレキシブルに屈曲する。ここでは、量子ドット部75の表面が、フレキシブル基板として構成された導光板71の基板面に沿ってフレキシブルに屈曲する発光面5aとなっている。<
The
このような量子ドット部75を構成する量子ドットQDは、第3実施形態と同様のものであり、光源73から放出された光を、この光治療装置1−7の治療目的を達成するための波長を含む発光光hに変換するものである。
The quantum dots QD constituting the
<反射層77>
反射層77は、導光板71の外周面において、光源73および量子ドット部75が設けられている以外の面を全面的に覆う状態で配置された層である。このような反射層77は、量子ドット部75と共に、導光板71に追従してフレキシブルに屈曲することとする。尚、反射層77は、導光板71および量子ドット部75の屈曲を妨げることがなく、かつ光源73からの光を無駄なく量子ドット部75側に反射させることができれば、導光板71に対して独立して設けられて良い。<
The
<光治療装置1−7の効果>
以上のような第7実施形態の光治療装置1−7であっても、量子ドット部75の表面で構成される発光面5aは、フレキシブル基板として構成された導光板71に追従して屈曲するフレキシブル性を有する。このため、この発光面5aから量子ドットQDの発光による半値幅100nm以下の特定の狭帯域波長の発光光hが放出される。この結果、第1実施形態と同様に、広い範囲の治療部位に対して均一に、治療効果が高い特定の狭帯域波長の発光光hを照射することが可能であるため、広範囲の治療部位に対して高い治療効果の達成を期待することが可能になる。<Effect of phototherapy device 1-7>
Even in the phototherapy device 1-7 of the seventh embodiment as described above, the
≪第8実施形態≫
図9は、第8実施形態の光治療装置の断面模式図である。この図に示す第8実施形態の光治療装置1−8は、図8を用いて説明した第7実施形態の光治療装置の変形例である。この光治療装置1−8が、第7実施形態の光治療装置と異なるところは、導光板71と光源73との間に量子ドット部81を設けたところにあり、他の構成は第7実施形態と同様である。このような光治療装置1−8は、導光板71、光源73、および量子ドット部81によって面発光部材5−8が構成され、導光板71の基板面がフレキシブルに屈曲する発光面5aとなっている。以下においては、量子ドット部81の構成を説明し、他の構成要素の説明は省略する。<< Eighth Embodiment >>
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of the phototherapy device of the eighth embodiment. The phototherapy device 1-8 of the eighth embodiment shown in this figure is a modification of the phototherapy device of the seventh embodiment described with reference to FIG. This phototherapy device 1-8 is different from the phototherapy device of the seventh embodiment in that a
<量子ドット部81>
量子ドット部81は、光源73から放出された光を、治療目的を達成するための波長に変調するためのものであり、導光板71と光源73との間に設けられている。この量子ドット部81は、例えば量子ドットQDを封止した透明チューブであり、光源73と共に反射カップ73a内に収容された状態で、導光板71の端縁において光源73と導光板71との間に配置されている。<
The
このような量子ドット部81を構成する量子ドットQDは、第3実施形態と同様のものであり、光源73から放出された光を、この光治療装置1−8の治療目的を達成するための波長を含む発光光hに変換するものである。
The quantum dots QD constituting the
以上の量子ドット部81によって変換された発光光hは、導光板71内で導かれ、反射層77で反射して導光板71の一主面で構成された発光面5aから放出される。
The emitted light h converted by the
<光治療装置1−8の効果>
以上のような第8実施形態の光治療装置1−8であっても、導光板71の一主面で構成された発光面5aは、フレキシブル基板として構成された導光板71に追従して屈曲するフレキシブル性を有する。このため、この発光面5aから量子ドットQDの発光による半値幅100nm以下の特定の狭帯域波長の発光光hが放出される。この結果、第1実施形態と同様に、広い範囲の治療部位に対して均一に、治療効果の高い特定の狭帯域波長の発光光hを照射することが可能であるため、広範囲の治療部位に対して均一に高い治療効果の達成を期待することが可能になる。<Effect of phototherapy device 1-8>
Even in the phototherapy device 1-8 of the eighth embodiment as described above, the
また特に、この光治療装置1−8は、量子ドット部81を導光板71の端縁に設けたことにより、面発光部材5−8を薄型化できるため、第7実施形態の光治療装置と比較して発光面5aのフレキシブル性が確保し易い構成である。
In particular, the phototherapy device 1-8 can reduce the thickness of the surface light emitting member 5-8 by providing the
≪第9実施形態≫
図10は、第9実施形態の光治療装置の断面模式図である。この図に示す第9実施形態の光治療装置1−9は、先の図5を用いて説明した第4実施形態の光治療装置の変形例である。この光治療装置1−4が、第4実施形態の光治療装置と異なるところは、量子ドットQDを用いていない複数層(ここでは2層)の有機電界発光素子11−1および有機電界発光素子11−2を積層させたところにあり、他の構成は同様である。<< Ninth embodiment >>
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of the phototherapy device of the ninth embodiment. The phototherapy device 1-9 of the ninth embodiment shown in this figure is a modification of the phototherapy device of the fourth embodiment described with reference to FIG. This phototherapy device 1-4 differs from the phototherapy device of the fourth embodiment in that it is a multi-layer (two layers here) organic electroluminescent device 11-1 and organic electroluminescent device that do not use quantum dots QD. It is in the place which laminated | stacked 11-2, and another structure is the same.
複数層の有機電界発光素子11−1および有機電界発光素子11−2は、第1実施形態で説明した有機電界発光素子と同様の構成であり、それぞれがマイクロキャビティ構造で構成されていることとする。これらは、フレキシブル基板3側から順に、有機電界発光素子11−1、有機電界発光素子11−2の順に設けられている。これらの有機電界発光素子11−1および有機電界発光素子11−2は、1層の中間電極11dを共有電極として用いて積層されており、異なる波長の発光光h1と発光光h2とを発生する。
The multi-layer organic electroluminescent device 11-1 and the organic electroluminescent device 11-2 have the same configuration as the organic electroluminescent device described in the first embodiment, and each has a microcavity structure. To do. These are provided in order of the organic electroluminescent element 11-1 and the organic electroluminescent element 11-2 in order from the
中間電極11dは、有機電界発光素子11−1において上部電極として用いられ、下部電極11aが陽極の場合には陰極、下部電極11aが陰極の場合には陽極として用いられる。図面においては、一例として下部電極11aを陽極とし中間電極11dを陰極とした場合を図示している。また中間電極11dは、有機電界発光素子11−2において下部電極として用いられ、上部電極11cが陽極の場合には陰極、上部電極11cが陰極の場合には陽極として用いられる。図面においては、一例として上部電極11cを陽極とし中間電極11dを陽極とした場合を図示している。
The
またこのような中間電極11dは、光透過性を有する電極として設けられている。
Further, such an
以上のような光治療装置1−9は、有機電界発光素子11−1と有機電界発光素子11−2とが、互いに独立して発光が制御される構成となっている。 The phototherapy device 1-9 as described above is configured such that the organic electroluminescence element 11-1 and the organic electroluminescence element 11-2 are controlled to emit light independently of each other.
<光治療装置1−9の効果>
以上のような第9実施形態の光治療装置1−9であっても、第4実施形態と同様の効果を得ることができる。<Effect of phototherapy device 1-9>
Even the phototherapy device 1-9 of the ninth embodiment as described above can achieve the same effects as those of the fourth embodiment.
また本第9実施形態の光治療装置1−9は、第4実施形態の構成と同様に、中間電極11dを光反射機能を有する電極とすることで、第4実施形態で述べたリバーシブル構造することができる。また第4実施形態の構成と同様に、同一波長の光を共振させる複数層(ここでは2層)の有機電界発光素子11−1および有機電界発光素子11−2を積層させてもよい。さらに、本第9実施形態の光治療装置1−9は、他の実施形態および変形例と組み合わせ、バンドパスフィルタや誘電体多層膜を設けた構成としてもよく、それぞれの効果を得ることができる。
The phototherapy device 1-9 of the ninth embodiment has the reversible structure described in the fourth embodiment by using the
≪第10実施形態≫
図11は、第10実施形態の光治療装置の断面模式図である。この図に示す第10実施形態の光治療装置1−10は、第4実施形態および第9実施形態の光治療装置の変形例である。この光治療装置1−10が、第4実施形態および第9実施形態の光治療装置と異なるところは、量子ドットQDを用いていない複数層(ここでは2層)の有機電界発光素子11−1および有機電界発光素子11−2が、絶縁性の中間層11eを共有する状態で積層されているとことにある。他の構成は、第4実施形態と同様である。«Tenth embodiment»
FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of the phototherapy device of the tenth embodiment. The phototherapy device 1-10 of the tenth embodiment shown in this figure is a modification of the phototherapy devices of the fourth and ninth embodiments. This phototherapy device 1-10 is different from the phototherapy devices of the fourth embodiment and the ninth embodiment in that a plurality of layers (here, two layers) of organic electroluminescent elements 11-1 that do not use the quantum dots QD. The organic electroluminescence element 11-2 is laminated in a state of sharing the insulating
すなわち光治療装置1−10は、フレキシブル基板3側から順に、下部電極11a、発光機能層11b−1、絶縁性の中間層11e、発光機能層11b−2、および上部電極11cがこの順に積層された構成である。
That is, in the phototherapy device 1-10, the
絶縁性の中間層は、一般的に電荷発生層、電子引抜層、接続層、中間絶縁層の何れかであり、陽極側の隣接層に電子を、陰極側の隣接層に正孔を供給する機能を持った層であれば、公知の材料構成を用いることができる。このような構成により電極間の距離が広げられ、リーク発生が抑制される。この結果、フレキシブル性が高いことによってリークの懸念が高い光治療装置において、リークに起因する異常発熱を防止することが可能になる。 The insulating intermediate layer is generally a charge generation layer, an electron extraction layer, a connection layer, or an intermediate insulating layer, and supplies electrons to the anode side adjacent layer and holes to the cathode side adjacent layer. A known material structure can be used as long as it has a function. Such a configuration increases the distance between the electrodes and suppresses the occurrence of leakage. As a result, it is possible to prevent abnormal heat generation due to the leak in the phototherapy device having a high concern about the leak due to the high flexibility.
<光治療装置1−10の効果>
以上のような第10実施形態の光治療装置1−10であっても、第4実施形態と同様に第4実施形態と同様の効果を得ることができる。<Effect of phototherapy device 1-10>
Even in the phototherapy device 1-10 of the tenth embodiment as described above, the same effect as that of the fourth embodiment can be obtained as in the fourth embodiment.
また本第10実施形態の光治療装置1−10も、第4実施形態の構成と同様に、同一波長の光を共振させる複数層(ここでは2層)の有機電界発光素子11−1および有機電界発光素子11−2を積層させてもよく、さらに他の実施形態及び変形例との組み合わせが可能であり、それぞれの効果を得ることができる。 Further, the phototherapy device 1-10 of the tenth embodiment also has a plurality of layers (here, two layers) of organic electroluminescent elements 11-1 that resonate light of the same wavelength and the organic, similarly to the configuration of the fourth embodiment. The electroluminescent element 11-2 may be stacked, and further combinations with other embodiments and modifications are possible, and the respective effects can be obtained.
≪量子ドットQD≫
次に、上述した第3実施形態〜第7実施形態で説明した量子ドットQDの詳細を説明する。≪Quantum dot QD≫
Next, details of the quantum dots QD described in the third to seventh embodiments will be described.
量子ドットQDは、量子閉じ込め効果を有する所定の大きさの粒子である。量子ドットQDの粒子径は、具体的には1〜20nmであり、好ましくは1〜10nmである。このような微粒子のエネルギー準位Eは、一般に、プランク定数を「h」と、電子の有効質量を「m」と、微粒子の半径を「R」としたとき、下記式(1)で表される。 The quantum dot QD is a particle of a predetermined size having a quantum confinement effect. The particle diameter of the quantum dot QD is specifically 1 to 20 nm, preferably 1 to 10 nm. The energy level E of such fine particles is generally expressed by the following formula (1) where the Planck constant is “h”, the effective mass of electrons is “m”, and the radius of the fine particles is “R”. The
E∝h2/mR2…式(1) E∝h2 / mR2 Formula (1)
式(1)で示されるように、微粒子のバンドギャップは、「R-2」に比例して大きくなり、いわゆる、量子ドット効果が得られる。このように、量子ドットの粒子径を制御、規定することによって、量子ドットのバンドギャップ値を制御することができる。すなわち、微粒子の粒子径を制御、規定することにより、通常の原子には無い多様性を持たせることができる。 As shown by the formula (1), the band gap of the fine particles increases in proportion to “R-2”, and a so-called quantum dot effect is obtained. Thus, the band gap value of a quantum dot can be controlled by controlling and defining the particle diameter of the quantum dot. That is, by controlling and defining the particle diameter of the fine particles, it is possible to provide diversity not found in ordinary atoms.
平均粒子径の測定方法としては、公知の方法を用いることができる。例えば、透過型電子顕微鏡(TEM)により量子ドットの粒子観察を行い、そこから粒子径分布の数平均粒子径として求める方法や、動的光散乱法により量子ドットの粒子径分布を測定し、その数平均粒子径として求める方法、X線小角散乱法により得られたスペクトルから量子ドットの粒子径分布シミュレーション計算を用いて粒子径分布を導出する方法などが挙げられる。一例として、動的光散乱法を適用する場合には、粒径測定装置(Malvern社製「ZETASIZER Nano Series Nano −ZS」)が用いられる。 As a method for measuring the average particle diameter, a known method can be used. For example, the quantum dot particles are observed with a transmission electron microscope (TEM), and the number average particle size of the particle size distribution is obtained therefrom, or the particle size distribution of the quantum dots is measured by a dynamic light scattering method. Examples thereof include a method for obtaining the number average particle size and a method for deriving the particle size distribution from the spectrum obtained by the X-ray small angle scattering method using the particle size distribution simulation calculation of the quantum dots. As an example, when applying the dynamic light scattering method, a particle size measuring device (“ZETASIZER Nano Series Nano-ZS” manufactured by Malvern) is used.
<量子ドットQDの構成材料>
以上のような量子ドットQDの構成材料としては、次のものが例示される。
(1)炭素、ケイ素、ゲルマニウム、錫等の周期表第14族元素の単体<Composition material of quantum dot QD>
Examples of the constituent material of the quantum dot QD as described above include the following.
(1) Simple elements of Group 14 elements of the periodic table such as carbon, silicon, germanium and tin
(2)リン(黒リン)等の周期表第15族元素の単体、セレン、テルル等の周期表第16族元素の単体 (2) Simple substance of Group 15 element of periodic table such as phosphorus (black phosphorus), Simple substance of Group 16 element of periodic table such as selenium and tellurium
(3)炭化ケイ素(SiC)等の複数の周期表第14族元素からなる化合物 (3) Compounds composed of a plurality of Group 14 elements of the periodic table, such as silicon carbide (SiC)
(4)酸化錫(IV)(SnO2)、硫化錫(II,IV)(Sn(II)Sn(IV)S3)、硫化錫(IV)(SnS2)、硫化錫(II)(SnS)、セレン化錫(II)(SnSe)、テルル化錫(II)(SnTe)、硫化鉛(II)(PbS)、セレン化鉛(II)(PbSe)、テルル化鉛(II)(PbTe)等の周期表第14族元素と周期表第16族元素との化合物 (4) Tin oxide (IV) (SnO2), tin sulfide (II, IV) (Sn (II) Sn (IV) S3), tin sulfide (IV) (SnS2), tin sulfide (II) (SnS), selenium Periods such as tin (II) halide (SnSe), tin (II) telluride (SnTe), lead (II) sulfide (PbS), lead (II) selenide (PbSe), lead telluride (II) (PbTe) Compounds of Group 14 elements and Group 16 elements of the Periodic Table
(5) 窒化ホウ素(BN)、リン化ホウ素(BP)、砒化ホウ素(BAs)、窒化アルミニウム(AlN)、リン化アルミニウム(AlP)、砒化アルミニウム(AlAs)、アンチモン化アルミニウム(AlSb)、窒化ガリウム(GaN)、リン化ガリウム(GaP)、砒化ガリウム(GaAs)、アンチモン化ガリウム(GaSb)、窒化インジウム(InN)、リン化インジウム(InP)、砒化インジウム(InAs)、アンチモン化インジウム(InSb)等の周期表第13族元素と周期表第15族元素との化合物(あるいはIII−V族化合物半導体)
(5) Boron nitride (BN), boron phosphide (BP), boron arsenide (BAs), aluminum nitride (AlN), aluminum phosphide (AlP), aluminum arsenide (AlAs), aluminum antimonide (AlSb), gallium nitride (GaN), gallium phosphide (GaP), gallium arsenide (GaAs), gallium antimonide (GaSb), indium nitride (InN), indium phosphide (InP), indium arsenide (InAs), indium antimonide (InSb), etc. Compounds of
(6)硫化アルミニウム(Al2S3)、セレン化アルミニウム(Al2Se3)、酸化ガリウム(Ga2O3)、硫化ガリウム(Ga2S3)、セレン化ガリウム(Ga2Se3)、テルル化ガリウム(Ga2Te3)、酸化インジウム(In2O3)、硫化インジウム(In2S3)、セレン化インジウム(In2Se3)、テルル化インジウム(In2Te3)等の周期表第13族元素と周期表第16族元素との化合物 (6) Aluminum sulfide (Al2S3), aluminum selenide (Al2Se3), gallium oxide (Ga2O3), gallium sulfide (Ga2S3), gallium selenide (Ga2Se3), gallium telluride (Ga2Te3), indium oxide (In2O3), indium sulfide (In2S3), indium selenide (In2Se3), indium telluride (In2Te3), etc.
(7)塩化タリウム(I)(TlCl)、臭化タリウム(I)(TlBr)、ヨウ化タリウム(I)(TlI)等の周期表第13族元素と周期表第17族元素との化合物
(7) Compound of
(8)酸化亜鉛(ZnO)、硫化亜鉛(ZnS)、セレン化亜鉛(ZnSe)、テルル化亜鉛(ZnTe)、酸化カドミウム(CdO)、硫化カドミウム(CdS)、セレン化カドミウム(CdSe)、テルル化カドミウム(CdTe)、硫化水銀(HgS)、セレン化水銀(HgSe)、テルル化水銀(HgTe)等の周期表第12族元素と周期表第16族元素との化合物(あるいはII−VI族化合物半導体) (8) Zinc oxide (ZnO), zinc sulfide (ZnS), zinc selenide (ZnSe), zinc telluride (ZnTe), cadmium oxide (CdO), cadmium sulfide (CdS), cadmium selenide (CdSe), telluride Compound (or II-VI group compound semiconductor) of periodic table group 12 element and periodic table group 16 element such as cadmium (CdTe), mercury sulfide (HgS), mercury selenide (HgSe), mercury telluride (HgTe) )
(9)硫化砒素(III)(As2S3)、セレン化砒素(III)(As2Se3)、テルル化砒素(III)(As2Te3)、硫化アンチモン(III)(Sb2S3)、セレン化アンチモン(III)(Sb2Se3)、テルル化アンチモン(III)(Sb2Te3)、硫化ビスマス(III)(Bi2S3)、セレン化ビスマス(III)(Bi2Se3)、テルル化ビスマス(III)(Bi2Te3)等の周期表第15族元素と周期表第16族元素との化合物 (9) Arsenic sulfide (III) (As2S3), Arsenic selenide (III) (As2Se3), Arsenic telluride (III) (As2Te3), Antimony sulfide (III) (Sb2S3), Antimony selenide (III) (Sb2Se3) Periodic table group 15 elements such as antimony telluride (III) (Sb2Te3), bismuth sulfide (III) (Bi2S3), bismuth selenide (III) (Bi2Se3), bismuth telluride (III) (Bi2Te3) Compounds with Group 16 elements
(10)酸化銅(I)(Cu2O)、セレン化銅(I)(Cu2Se)等の周期表第11族元素と周期表第16族元素との化合物
(10) Compounds of
(11)塩化銅(I)(CuCl)、臭化銅(I)(CuBr)、ヨウ化銅(I)(CuI)、塩化銀(AgCl)、臭化銀(AgBr)等の周期表第11族元素と周期表第17族元素との化合物
(11) Periodic table of copper (I) chloride (CuCl), copper bromide (I) (CuBr), copper iodide (I) (CuI), silver chloride (AgCl), silver bromide (AgBr), etc. Compounds of group elements and
(12)酸化ニッケル(II)(NiO)等の周期表第10族元素と周期表第16族元素との化合物
(12) Compound of
(13)酸化コバルト(II)(CoO)、硫化コバルト(II)(CoS)等の周期表第9族元素と周期表第16族元素との化合物 (13) Compounds of Group 9 elements of the periodic table and Group 16 elements of the periodic table such as cobalt oxide (II) (CoO), cobalt sulfide (II) (CoS)
(14)四酸化三鉄(Fe3O4)、硫化鉄(II)(FeS)等の周期表第8族元素と周期表第16族元素との化合物 (14) Compounds of Group 8 elements of the periodic table and Group 16 elements of the periodic table such as triiron tetroxide (Fe 3 O 4), iron (II) sulfide (FeS)
(15)酸化マンガン(II)(MnO)等の周期表第7族元素と周期表第16族元素との化合物、硫化モリブデン(IV)(MoS2)、酸化タングステン(IV)(WO2)等の周期表第6族元素と周期表第16族元素との化合物 (15) Periodic group such as manganese oxide (II) (MnO), periodic table group 7 element and periodic table group 16 element, molybdenum sulfide (IV) (MoS2), tungsten oxide (IV) (WO2), etc. Compounds of Group 6 elements and Periodic Group 16 elements
(16)酸化バナジウム(II)(VO)、酸化バナジウム(IV)(VO2)、酸化タンタル(V)(Ta2O5)等の周期表第5族元素と周期表第16族元素との化合物
(16) Compound of
(17)酸化チタン(TiO2、Ti2O5、Ti2O3、Ti5O9等)等の周期表第4族元素と周期表第16族元素との化合物 (17) Compound of periodic table group 4 element such as titanium oxide (TiO2, Ti2O5, Ti2O3, Ti5O9, etc.) and periodic table group 16 element
(18)硫化マグネシウム(MgS)、セレン化マグネシウム(MgSe)等の周期表第2族元素と周期表第16族元素との化合物
(18) Compounds of
(19)酸化カドミウム(II)クロム(III)(CdCr2O4)、セレン化カドミウム(II)クロム(III)(CdCr2Se4)、硫化銅(II)クロム(III)(CuCr2S4)、セレン化水銀(II)クロム(III)(HgCr2Se4)等のカルコゲンスピネル類、バリウムチタネート(BaTiO3) (19) Cadmium oxide (II) chromium (III) (CdCr2O4), cadmium selenide (II) chromium (III) (CdCr2Se4), copper sulfide (II) chromium (III) (CuCr2S4), mercury selenide (II) chromium (III) Chalcogen spinels such as (HgCr2Se4), barium titanate (BaTiO3)
以上のうち(4),(5),(6),(8),(9),(18)が好ましい。なかでも、Si、Ge、GaN、GaP、InN、InP、Ga2O3、Ga2S3、In2O3、In2S3、ZnO、ZnS、CdO、CdSがより好ましい。これらの物質は、毒性の高い陰性元素を含まないので耐環境汚染性や生物への安全性に優れており、発光素子の形成に有利である。またこれらの材料のうち、CdSe、ZnSe、CdSは、発光の安定性の点で好ましい。発光効率、高屈折率、安全性の経済性の観点から、ZnO、ZnSの量子ドットが好ましい。また、上記の材料は、1種で用いるものであってもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 Of these, (4), (5), (6), (8), (9), and (18) are preferable. Of these, Si, Ge, GaN, GaP, InN, InP, Ga2O3, Ga2S3, In2O3, In2S3, ZnO, ZnS, CdO, and CdS are more preferable. Since these substances do not contain highly toxic negative elements, they are excellent in resistance to environmental pollution and safety to living organisms, and are advantageous for forming a light emitting device. Of these materials, CdSe, ZnSe, and CdS are preferable in terms of light emission stability. From the viewpoints of luminous efficiency, high refractive index, and safety, ZnO and ZnS quantum dots are preferable. Moreover, said material may be used by 1 type and may be used in combination of 2 or more type.
なお、上述した量子ドットQDには、必要に応じて微量の各種元素を不純物としてドープしてもよい。 The above-described quantum dots QD may be doped with a small amount of various elements as impurities as necessary.
量子ドットQDの表面は、不活性な無機物の被覆層(シェル)または有機配位子で構成された被膜(キャッピング層)で被覆されたものであるのが好ましい。すなわち、量子ドットQDは、a)コア粒子とシェルとを有するコア/シェル構造、またはb)コア粒子とキャッピング層とで構成された構造、またはc)コア/シェル構造の周囲をさらにキャッピング層で覆った構造であることが好ましい。シェルを構成する化合物は、コア粒子を構成する化合物よりもバンドギャップが大きい。またコア/シェル構造は少なくとも2種類の化合物で形成されていることが好ましく、2種類以上の化合物でグラジエント構造を形成していても良い。 The surface of the quantum dot QD is preferably coated with an inert inorganic coating layer (shell) or a coating (capping layer) made of an organic ligand. That is, the quantum dot QD has a) a core / shell structure having core particles and a shell, or b) a structure constituted by core particles and a capping layer, or c) a capping layer around the core / shell structure. A covered structure is preferable. The compound constituting the shell has a larger band gap than the compound constituting the core particle. The core / shell structure is preferably formed of at least two kinds of compounds, and the gradient structure may be formed of two or more kinds of compounds.
以上のような構成の量子ドットQDは、塗布液中における量子ドットQDの凝集を効果的に防止することができ、量子ドットQDの分散性を向上させることができるとともに、輝度効率が向上し、連続駆動させた場合に生じる色ズレを抑制することができる。また、シェルやキャッピング層の存在により安定的に発光特性が得られる。 The quantum dots QD configured as described above can effectively prevent the aggregation of the quantum dots QD in the coating liquid, improve the dispersibility of the quantum dots QD, and improve the luminance efficiency. It is possible to suppress the color shift that occurs when continuously driven. Further, the light emission characteristics can be stably obtained due to the presence of the shell and the capping layer.
また、コア/シェル構造の量子ドットQDは、後述するような機能性表面修飾剤を量子ドットQDの表面付近に確実に担持させることができる。シェルの厚さは、特に限定されないが、0.1〜10nmであるのが好ましく、0.1〜5nmであるのがより好ましい。一般に、量子ドットQDのサイズにより発光色が制御でき、シェルの厚さが前記範囲内の値であると、シェルの厚みが原子数個分に相当する厚さから1個のコア粒子に満たない厚さであり、コア粒子を高密度で充填することができ、十分な発光量が得られる。また、シェルの存在によりお互いのコア粒子の粒子表面に存在する欠陥、ダングリングボンドへの電子トラップによる非発光の電子エネルギーの転移を抑制でき、量子効率の低下を抑えることができる。 Further, the quantum dot QD having the core / shell structure can surely carry a functional surface modifier as described later near the surface of the quantum dot QD. Although the thickness of a shell is not specifically limited, It is preferable that it is 0.1-10 nm, and it is more preferable that it is 0.1-5 nm. In general, if the emission color can be controlled by the size of the quantum dots QD and the shell thickness is within the above range, the thickness of the shell is less than one core particle from a thickness corresponding to several atoms. The thickness is sufficient to fill the core particles with a high density, and a sufficient amount of light emission can be obtained. In addition, the presence of the shell can suppress the transfer of non-emissive electron energy due to the defects existing on the surface of the core particles and the electron traps on the dangling bonds, thereby suppressing the decrease in quantum efficiency.
<機能性表面修飾剤>
塗布液中において量子ドットの表面付近には、キャッピング層を構成するキャッピング剤(有機配位子)として機能性表面修飾剤が付着しているのが好ましい。これにより、塗布液中における量子ドットQDの分散性を特に優れたものとすることができる。また、量子ドットQDの製造時において量子ドットQDの表面に機能性表面修飾剤を付着させることにより、形成される量子ドットQDの形状が真球度の高いものとなり、また、量子ドットQDの粒子径分布を狭く抑えられるため、特に優れたものとすることができる。<Functional surface modifier>
In the coating solution, a functional surface modifier is preferably attached as a capping agent (organic ligand) constituting the capping layer near the surface of the quantum dot. Thereby, the dispersibility of the quantum dots QD in the coating liquid can be made particularly excellent. Further, by attaching a functional surface modifier to the surface of the quantum dot QD during the manufacture of the quantum dot QD, the shape of the formed quantum dot QD becomes high in sphericity, and the particles of the quantum dot QD Since the diameter distribution can be kept narrow, it can be made particularly excellent.
以上のような機能性表面修飾剤は、コア粒子の表面に直接付着されるか、または量子ドットQDがコア/シェル構造であればシェルの表面に付着される。 The functional surface modifier as described above is directly attached to the surface of the core particle, or attached to the surface of the shell if the quantum dot QD has a core / shell structure.
機能性表面修飾剤としては、以下が例示される。
(1)トリプロピルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリヘキシルホスフィン、トリオクチルホスフィン等のトリアルキルホスフィン類。
(2)ポリオキシエチレンn−オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンn−ノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル類。
(3)トリ(n−ヘキシル)アミン、トリ(n−オクチル)アミン、トリ(n−デシル)アミン等の第3級アミン類。
(4)トリプロピルホスフィンオキシド、トリブチルホスフィンオキシド、トリヘキシルホスフィンオキシド、トリオクチルホスフィンオキシド、トリデシルホスフィンオキシド等の有機リン化合物。
(5)ピリジン、ルチジン、コリジン、キノリン類の含窒素芳香族化合物等の有機窒素化合物。
(6)ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、テトラデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン等のアミノアルカン類。
(7)ジブチルスルフィド等のジアルキルスルフィド類。
(8)ジメチルスルホキシドやジブチルスルホキシド等のジアルキルスルホキシド類。
(9)チオフェン等の含硫黄芳香族化合物等の有機硫黄化合物。
(10)パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸等の高級脂肪酸。
(11)アルコール類。
(12)ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類。
(13)ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のポリエチレングリコールジエステル類。
(14)ソルビタン脂肪酸エステル類。
(15)脂肪酸変性ポリエステル類。
(16)3級アミン変性ポリウレタン類。
(17)ポリエチレンイミン類。The following are examples of functional surface modifiers.
(1) Trialkylphosphines such as tripropylphosphine, tributylphosphine, trihexylphosphine, and trioctylphosphine.
(2) Polyoxyethylene alkylphenyl ethers such as polyoxyethylene n-octylphenyl ether and polyoxyethylene n-nonylphenyl ether.
(3) Tertiary amines such as tri (n-hexyl) amine, tri (n-octyl) amine, and tri (n-decyl) amine.
(4) Organic phosphorus compounds such as tripropylphosphine oxide, tributylphosphine oxide, trihexylphosphine oxide, trioctylphosphine oxide, tridecylphosphine oxide.
(5) Organic nitrogen compounds such as nitrogen-containing aromatic compounds of pyridine, lutidine, collidine, and quinolines.
(6) Aminoalkanes such as hexylamine, octylamine, decylamine, dodecylamine, tetradecylamine, hexadecylamine, octadecylamine and the like.
(7) Dialkyl sulfides such as dibutyl sulfide.
(8) Dialkyl sulfoxides such as dimethyl sulfoxide and dibutyl sulfoxide.
(9) Organic sulfur compounds such as sulfur-containing aromatic compounds such as thiophene.
(10) Higher fatty acids such as palmitic acid, stearic acid, and oleic acid.
(11) Alcohols.
(12) Polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, and polyoxyethylene oleyl ether.
(13) Polyethylene glycol diesters such as polyethylene glycol dilaurate and polyethylene glycol distearate.
(14) Sorbitan fatty acid esters.
(15) Fatty acid-modified polyesters.
(16) Tertiary amine-modified polyurethanes.
(17) Polyethyleneimines.
量子ドットが後述するような方法で調製されるものである場合、機能性表面修飾剤は、高温液相において微粒子に配位して安定化する物質であるのが好ましく、具体的には上記(1)〜(11)が好ましい。このような機能性表面修飾剤を用いることにより、塗布液中における量子ドットQDの分散性を特に優れたものとすることができる。また、量子ドットQDの製造時において形成される量子ドットQDの形状をより真球度の高いものとし、量子ドットQDの粒度分布をよりシャープなものとすることができる。 When the quantum dot is prepared by a method as described later, the functional surface modifier is preferably a substance that is coordinated and stabilized by the fine particles in the high-temperature liquid phase. 1) to (11) are preferable. By using such a functional surface modifier, the dispersibility of the quantum dots QD in the coating solution can be made particularly excellent. Further, the shape of the quantum dots QD formed at the time of manufacturing the quantum dots QD can be made higher in sphericity, and the particle size distribution of the quantum dots QD can be made sharper.
<量子ドットの製造方法>
量子ドットの製造方法としては、従来行われている下記のような量子ドットの製造方法等が挙げられるが、これらに限定されるものではなく公知の任意の方法を用いることができる。<Method for producing quantum dots>
Examples of the method for producing quantum dots include the following conventional methods for producing quantum dots and the like, but are not limited thereto, and any known method can be used.
例えば、高真空下のプロセスとしては、分子ビームエピタキシー法、CVD法等;液相製造方法としては、原料水溶液を、例えば、n−ヘプタン、n−オクタン、イソオクタン等のアルカン類、またはベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等の非極性有機溶媒中の逆ミセルとして存在させ、この逆ミセル相中にて結晶成長させる逆ミセル法、熱分解性原料を高温の液相有機媒体に注入して結晶成長させるホットソープ法、さらに、ホットソープ法と同様に、酸塩基反応を駆動力として比較的低い温度で結晶成長を伴う溶液反応法等が挙げられる。 For example, as a process under high vacuum, a molecular beam epitaxy method, a CVD method, etc .; As a liquid phase production method, an aqueous raw material is used, for example, alkanes such as n-heptane, n-octane, isooctane, or benzene, toluene. Inverted micelles, which exist as reverse micelles in non-polar organic solvents such as aromatic hydrocarbons such as xylene, and crystal growth in this reverse micelle phase, inject a thermally decomposable raw material into a high-temperature liquid-phase organic medium Examples thereof include a hot soap method for crystal growth and a solution reaction method involving crystal growth at a relatively low temperature using an acid-base reaction as a driving force, as in the hot soap method.
これらの製造方法から任意の方法を使用することができるが、中でも、液相製造方法が好ましい。 Any method can be used from these production methods, and among these, the liquid phase production method is preferred.
なお、液相製造方法において、量子ドットの合成に際して表面に存在する表面修飾剤を初期表面修飾剤と呼ぶ。例えば、ホットソープ法における初期表面修飾剤の例としては、トリアルキルホスフィン類、トリアルキルホスフィンオキシド類、アルキルアミン類、ジアルキルスルホキシド類、アルカンホスホン酸等が挙げられる。これらの初期表面修飾剤は、交換反応により上述の機能性表面修飾剤に交換することが好ましい。 In the liquid phase production method, a surface modifier that exists on the surface during the synthesis of quantum dots is referred to as an initial surface modifier. For example, examples of the initial surface modifier in the hot soap method include trialkylphosphines, trialkylphosphine oxides, alkylamines, dialkyl sulfoxides, alkanephosphonic acid and the like. These initial surface modifiers are preferably exchanged for the above-described functional surface modifiers by an exchange reaction.
具体的には、例えば、前述したホットソープ法により得られるトリオクチルホスフィンオキシド等の初期表面修飾剤は、機能性表面修飾剤を含有する液相中で行う交換反応により、上述の機能性表面修飾剤と交換することが可能である。 Specifically, for example, the initial surface modifier such as trioctyl phosphine oxide obtained by the hot soap method described above is obtained by performing the functional surface modification described above by an exchange reaction performed in a liquid phase containing the functional surface modifier. It is possible to replace it with an agent.
[量子ドットの製造例]
量子ドットの製造例として、CdSe/ZnSのコア/シェル構造を、機能性表面修飾剤(キャッピング剤)を付着させたキャッピング層で覆った量子ドットの作製を説明する。[Production example of quantum dots]
As an example of manufacturing a quantum dot, the production of a quantum dot in which a core / shell structure of CdSe / ZnS is covered with a capping layer to which a functional surface modifier (capping agent) is attached will be described.
先ず、界面活性剤としてTOPO(trioctylphosphine oxide)を使用した有機溶媒に(CH3)2Cd(dimethyl cadmium)、TOPSe(trioctylphosphine selenide)などのコア(CdSe)に該当する前駆体物質を注入して結晶が生成されるようにし、結晶が一定の大きさで成長するように高温で一定時間維持する。その後、シェル(ZnS)に該当する前駆体物質を注入して既に生成されたコアの表面にシェルが形成されるようにする。これにより、TOPOでキャッピング(capping)されたCdSe/ZnSのコア/シェル構造の量子ドットが得られる。 First, (CH3) 2Cd (dimethyl cadmium) in an organic solvent using TOPO (trioctylphosphine oxide) as a surfactant and a precursor material corresponding to a core (CdSe) such as TOPSe (trioctylphosphine selenide) is injected. And maintain at a high temperature for a certain time so that the crystal grows in a certain size. Thereafter, a precursor material corresponding to the shell (ZnS) is injected so that the shell is formed on the surface of the core already formed. As a result, a quantum dot having a core / shell structure of CdSe / ZnS capped with TOPO is obtained.
<量子ドットを用いた層の成膜>
正孔輸送材料、電子輸送材料、発光層材料などの材料と量子ドットの混合液をスピンコートなどで塗布することで、各種材料層と層分離した量子ドット層を界面に形成することができる。その他にも、自己組織化単分子膜をパターニングされたPDMS(ポリジメチルシロキサン)スタンプ等を用いて基板上に転写する、マイクロコンタクトプリンティング法等のドライ法や、量子ドットを含有する塗工液をスピンコートする方法等を挙げることができる。<Film formation using quantum dots>
By applying a mixture of a material such as a hole transport material, an electron transport material, and a light emitting layer material and a quantum dot by spin coating or the like, a quantum dot layer separated from various material layers can be formed at the interface. In addition, a dry method such as a microcontact printing method for transferring a self-assembled monolayer onto a substrate using a patterned PDMS (polydimethylsiloxane) stamp or the like, or a coating solution containing quantum dots Examples of the method include spin coating.
≪実施形態の光治療装置の適用例≫
以上の実施形態で説明した本発明の光治療装置は、疾病に対して選択された波長の光照射による治療、いわゆる光治療に用いるものであるが、これに限定されることはない。例えば本発明の光治療装置は、例えば患者に接する発光面側に、シップ薬のメントール、発熱を利用するアロマ、お灸剤などの治療剤を含有する層を設けることで、治療剤による治療効果を兼ねた装置としてもよい。≪Example of application of phototherapy device of embodiment≫
The phototherapy device of the present invention described in the above embodiment is used for treatment by irradiation with light having a wavelength selected for a disease, so-called phototherapy, but is not limited thereto. For example, in the phototherapy device of the present invention, the therapeutic effect of the therapeutic agent is provided by providing a layer containing a therapeutic agent such as a menthol of ship medicine, an aroma utilizing fever, and a moisturizer on the light emitting surface side in contact with the patient. It is good also as a device which served as both.
また、本発明の光治療装置は、上述した各実施形態および変形例の構成に対して、さらに患者に接する発光面5a側に粘着層を設けた構成としてもよい。また、素子や光源に対してやりすぎ防止のタイマーを設けた構成、発熱を感知して加熱時に自動的に素子や光源からの発光をオフにする機能を設けてもよい。
Moreover, the phototherapy apparatus of this invention is good also as a structure which further provided the adhesion layer in the
1,1−1,1−2,1−3,1−4,1−5,1−6,1−7,1−8,1−9,1−10…光治療装置、3…フレキシブル基板、5,5−1,5−2,5−3,5−4,5−5,5−6,5−7,5−8…面発光部材、5a…発光面、h,h1,h2…発光光、11…有機電界発光素子、11’…QD−OLED、11”…QLED、10,11b,11b’,11b”…発光機能層、13…バンドバスフィルタ、17…封止用接着剤、19…封止用フレキシブル基板、21…誘電体多層膜、61…量子ドットフィルム、71…導光板、73…光源、75,81…量子ドット部、QD,QD1,QD2…量子ドット
1, 1-1, 1-2, 1-3, 1-4, 1-5, 1-6, 1-7, 1-8, 1-9, 1-10 ... Phototherapy device, 3 ...
Claims (11)
前記フレキシブル基板を用いて構成され、当該フレキシブル基板の基板面に沿ってフレキシブルに屈曲する発光面を有すると共に半値幅100nm以下の波長領域の発光光を当該発光面から放出する面発光部材とを備えた
光治療装置。A flexible substrate;
A surface light emitting member that is configured using the flexible substrate and has a light emitting surface that flexibly bends along the substrate surface of the flexible substrate and that emits light emitted in a wavelength region having a half-value width of 100 nm or less from the light emitting surface. Light therapy device.
請求項1記載の光治療装置。The phototherapy device according to claim 1, wherein the surface light-emitting member emits emitted light having a peak wavelength half-width of 50 nm or less.
請求項1または2記載の光治療装置。The phototherapy device according to claim 1, wherein the surface light emitting member includes a light emitting functional layer provided along a substrate surface of the flexible substrate.
請求項1〜3の何れかに記載の光治療装置。The phototherapy device according to claim 1, wherein the surface light emitting member is configured using an organic electroluminescent element.
請求項1〜4の何れかに記載の光治療装置。The phototherapy device according to claim 1, wherein the surface emitting member is configured using quantum dots.
請求項1〜5の何れかに記載の光治療装置。The phototherapy device according to any one of claims 1 to 5, wherein the surface light emitting member includes a band-pass filter provided along a substrate surface of a flexible substrate.
請求項1〜6の何れかに記載の光治療装置。The phototherapy device according to claim 1, wherein the surface light emitting member includes a dielectric multilayer film provided along a substrate surface of a flexible substrate.
請求項1〜7の何れかに記載の光治療装置。The phototherapy device according to any one of claims 1 to 7, wherein the surface light-emitting member has a semi-transmissive and semi-reflective film configured using silver provided along a substrate surface of the flexible substrate.
請求項1〜8の何れかに記載の光治療装置。The phototherapy device according to any one of claims 1 to 8, wherein the surface light emitting member has a microcavity structure in which a light emitting functional layer is sandwiched between an electrode configured as a transflective film and a reflective electrode.
請求項1〜9の何れかに記載の光治療装置。The phototherapy according to claim 1, wherein the surface light emitting member includes a plurality of light emitting functional layers laminated on the flexible substrate, and light emission from each light emitting functional layer is independently controlled. apparatus.
導光板と、当該導光板の端縁から当該導光板に光を入射するための光源と、当該導光板と当該光源との間または当該導光板の光射出面に配置された量子ドット部とを備え、
前記量子ドット部は、当該光源からの光の波長を変調し、
前記導光板は、前記フレキシブル基板として構成された
請求項1または2に記載の光治療装置。The surface emitting member is
A light guide plate, a light source for allowing light to enter the light guide plate from an edge of the light guide plate, and a quantum dot portion disposed between the light guide plate and the light source or on a light exit surface of the light guide plate Prepared,
The quantum dot portion modulates the wavelength of light from the light source,
The phototherapy device according to claim 1, wherein the light guide plate is configured as the flexible substrate.
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