JPWO2005084679A1 - ベンズアミジン誘導体含有組成物及びベンズアミジン誘導体の安定化方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(1)下記一般式(I)にて表されるベンズアミジン誘導体又はその薬理学上許容される塩と、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属のハロゲン化物塩及び過塩素酸のアルカリ金属塩若しくはアルカリ土類金属塩からなる群から選択される少なくとも1種の電解質と、を含有する組成物、
[式(I)中、R1、R2は、それぞれ同一あるいは相異なって、水素原子、メトキシ基、エトキシ基を、Xは水素原子あるいはハロゲン原子を示し、Arは、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、t−ブチル基、モルホリニル基、又は下記の式(XX)で表される置換基から選ばれる1又は2以上の置換基で置換されていてもよいフェニル基を示し、
式(XX)中、WはCH又は窒素原子を示し、AはCH2又は単結合を示し、R3は水素原子又はOR5を示し、XはCH2、酸素原子、単結合又はカルボニル基を示し、Yは単結合又はC1−4アルキル基を示し、R4は水素原子、OR6、シアノ基又はCOOR7を示し、R5、R6及びR7は水素原子又はC1−4アルキル基を示す。]
(2)前記R1及びR2がエトキシ基であり、前記Xがフッ素原子である(1)の組成物、
(3)化学式(II)−(VIII)にて表されるベンズアミジン誘導体又はその薬理学上許容される塩と、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属のハロゲン化物及びアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の過塩素酸塩からなる群から選択される少なくとも1種の電解質と、を含有する組成物、
(4)前記ベンズアミジン誘導体又はその薬理学上許容される塩1重量部に対する電解質の量が、0.5重量部乃至30重量部である、(1)乃至(3)のいずれか一に記載の組成物、
(5)前記ベンズアミジン誘導体又はその薬理学上許容される塩が、化学式(II)にて表されるベンズアミジン誘導体の臭化水素酸塩である、(3)の組成物、
等に関する。
(6)前記化学式(I)で表されるベンズアミジン誘導体又はその薬理学上許容される塩に、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属のハロゲン化物塩及びアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の過塩素酸塩からなる群から選択される少なくとも1種の電解質を添加する工程を含む、ベンズアミジン誘導体の安定化方法、
(7)前記化学式(II)で表されるベンズアミジン誘導体又はその薬理学上許容される塩に、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属のハロゲン化物及びアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の過塩素酸塩からなる群から選択される少なくとも1種の電解質を添加する工程を含む、ベンズアミジン誘導体の安定化方法、
(8)前記ベンズアミジン誘導体1重量部に対する電解質の量が、0.5重量部乃至30重量部である、(6)又は(7)に記載の方法、
等に関する。
[式(I)中、R1、R2は、それぞれ同一あるいは相異なって、水素原子、メトキシ基、エトキシ基を、Xは水素原子あるいはハロゲン原子を示し、Arは、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、t−ブチル基、モルホリニル基、又は下記の式(XX)で表される置換基から選ばれる1又は2以上の置換基で置換されていてもよいフェニル基を示し、
式(XX)中、WはCH又は窒素原子を示し、AはCH2又は単結合を示し、R3は水素原子又はOR5を示し、XはCH2、酸素原子、単結合又はカルボニル基を示し、Yは単結合又はC1−4アルキル基を示し、R4は水素原子、OR6、シアノ基又はCOOR7を示し、R5、R6及びR7は水素原子又はC1−4アルキル基を示す。]
A:1−(3−第三ブチル−4−メトキシ−5−モルフォリノ−フェニル)−2−(5,6−ジエトキシ−7−フルオロ−1−イミノ−1,3−ジヒドロ−イソインドール−2−イル)−エタノン、
B:1−{3−第三ブチル−5−[4−(2−ヒドロキシアセチル)−ピペラジン−1−イル]4−メトキシ−フェニル}−2−(5,6−ジエトキシ−7−フルオロ−1−イミノ−1,3−ジヒドロ−イソインドール−2−イル)−エタノン、
C:(4−{3−第三ブチル−5−[2−(5,6−ジエトキシ−7−フルオロ−1−イミノ−1,3−ジヒドロ−イソインドール−2−イル)−アセチル]−2−メトキシ−フェニル}−ピペラジン−1−イル)−アセトニトリル、
D:1−{3−第三ブチル−5−[(3S、4S)−3−ヒドロキシ−4−メトキシ−ピロリジン−1−イル]−4−メトキシ−フェニル}−2−(5,6−ジエトキシ−7−フルオロ−1−イミノ−1,3−ジヒドロ−イソインドール−2−イル)−エタノン、
E:1−(3−第三ブチル−4−メトキシ−5−ピペラジン−1−イル−フェニル)−2−(5,6−ジエトキシ−7−フルオロ−1−イミノ−1,3−ジヒドロ−イソインドール−2−イル)−エタノン、
F:1−[3−第三ブチル−5−(4−ヒドロキシピペリジン−1−イル)−4−メトキシ−フェニル]−2−(5,6−ジエトキシ−7−フルオロ−1−イミノ−1,3−ジヒドロ−イソインドール−2−イル)−エタノン、
G:エチル (4−{3−第三ブチル−5−[2−(5,6−ジエトキシ−7−フルオロ−1−イミノ−1,3−ジヒドロ−イソインドール−2−イル)−アセチル]−2−メトキシ−フェニル}−ピペラジン−1−イル)−アセテート、
である。これらのうちでも1−(3−第三ブチル−4−メトキシ−5−モルフォリノ−フェニル)−2−(5,6−ジエトキシ−7−フルオロ−1−イミノ−1,3−ジヒドロ−イソインドール−2−イル)−エタノン(表1中の化合物A)を用いるのが特に好ましく、その場合にはその臭化水素酸塩を用いるのが好ましい。
本発明のベンズアミジン誘導体含有組成物の製剤安定性試験を行った。本錠剤安定性試験は、実施例1及び実施例2で得られた錠剤を60℃、相対湿度75%(60℃/75%R.H.)にて1週間保存した後における分解物(degradant)の量をHPLCで分析し、冷所保存した対照群と比較することによって行った。化合物Aを1mg含有する錠剤の試験結果を表2に、10mg含有する錠剤の試験結果を表3にそれぞれ示す。
次に、本発明のベンズアミジン誘導体含有組成物の顆粒剤安定性試験結果を示す。本試験では、実施例3−7で得られた顆粒剤を60℃、相対湿度75%にて42時間保存した後における分解物の量を対照群と比較した。結果を表4に示す。
以下には、本発明のベンズアミジン誘導体含有組成物の凍結乾燥粉体安定性試験結果を示す。本試験では、実施例8−23で得られた凍結乾燥粉体を60℃、相対湿度75%にて60時間保存した後における分解物の量を対照群と比較した。結果を表5に示す。
以下に、本発明に係るベンズアミジン誘導体含有組成物の実施例として、表1に列挙した化合物を用いたもの具体例を示すが、特許請求の範囲がこれらに限定されるものではない。
以下の手順に従い、化合物Aを含有する錠剤を作製した。
(1)化合物A1g、乳糖(DMV Japan社製)117g、低置換度ハイドロキシプロピルセルロース(単に、「L-HPC」と称する場合もある:信越化学製)7.5g、ハイドロキシプロピルメチルセルロース(単に「HPMC」と称する場合もある:信越化学製)4.5gを1lミキサーに入れ、撹拌混合した。
(2)続いて、撹拌しながら、NaCl(和光純薬製)4.5gを溶解させた精製水を適当量加え、造粒した。
(3)乾燥機にて造粒顆粒を60℃で5時間乾燥した。
(4)これに結晶セルロース(旭化成製)15g、ステアリン酸マグネシウム(Mallinckrodt社製)0.75gを加え、ビニル袋内で混合した。
(5)本粉体を単発式打錠機にて打錠し、1錠(150mg)中に化合物Aを1mg含有する錠剤径6.5mmの錠剤を得た。
化合物Aの添加量を変えて、実施例1とほぼ同様の手順により、1錠(150mg)中に化合物Aを10mg含有する錠剤を得た。
(1)化合物A0.25g、乳糖(DMV Japan社製)27g、低置換度ハイドロキシプロピルセルロース(信越化学製)1.5g、HPMC(信越化学製)0.9gをミキサー(錠剤粉砕機)に入れ、撹拌混合した。
(2)(1)で製した粉体を940mgとNaCl(和光純薬製)を64mg量り乳鉢を用いて混合し、さらに精製水を適当量加えて造粒した。
(3)乾燥機にて造粒顆粒を60℃で5時間乾燥し、化合物A及びNaClを含有する顆粒剤を得た。
電解質としてNaClに代えて各々KCl、KBr、KI、NaClO4を用い、実施例3と同様の手順により化合物Aを含有する顆粒剤を得た。
以下の手順に従い、化合物Bを含有する凍結乾燥粉体を作製した。
(1)フィルター付マイクロプレート上に、化合物Bを0.05mg含むメタノール水溶液(体積比はMeOH:H2O=3:7)を0.05ml、Placebo成分(成分比:乳糖/L-HPC/HPMC=92/5/3)を4mg含む水懸濁液0.05ml、及びNaClO4を0.252mg含む水溶液0.025mlを滴下した。
(2)プレートミキサーで攪拌した後、−40℃で、フリーザーにて3時間凍結させた。
(3)約24時間凍結乾燥を行い、マイクロプレート上に凍結乾燥粉体を得た。
電解質として、NaClO4に変えてKBrを用い、実施例8と同様の手順により、化合物Bを0.05mg、Placebo成分を4mg、及びKBrを0.21mg含有する凍結乾燥粉体を得た。
実施例8と同様の手順により、化合物C−Gを含有する凍結乾燥粉体を作製した。実施例8−23で得られた凍結乾燥粉体中の電解質の添加量を表6にまとめた。また、それぞれの化合物について、電解質を含有しない凍結乾燥粉体も実施例8と同様の手順により作製して対照として作製した。
Claims (8)
- 下記一般式(I)にて表されるベンズアミジン誘導体又はその薬理学上許容される塩と、
アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属のハロゲン化物塩及び過塩素酸のアルカリ金属塩若しくはアルカリ土類金属塩からなる群から選択される少なくとも1種の電解質と、
を含有する組成物。
[式(I)中、R1、R2は、それぞれ同一あるいは相異なって、水素原子、メトキシ基、エトキシ基を、Xは水素原子あるいはハロゲン原子を示し、Arは、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、t−ブチル基、モルホリニル基、又は下記の式(XX)で表される置換基から選ばれる1又は2以上の置換基で置換されていてもよいフェニル基を示し、
式(XX)中、WはCH又は窒素原子を示し、AはCH2又は単結合を示し、R3は水素原子又はOR5を示し、XはCH2、酸素原子、単結合又はカルボニル基を示し、Yは単結合又はC1−4アルキル基を示し、R4は水素原子、OR6、シアノ基又はCOOR7を示し、R5、R6及びR7は水素原子又はC1−4アルキル基を示す。] - 前記R1及びR2がエトキシ基であり、前記Xがフッ素原子である、請求項1に記載の組成物。
- (II)−(VIII)のいずれかの化学式にて表されるベンズアミジン誘導体又はその薬理学上許容される塩と、
アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属のハロゲン化物塩及び過塩素酸のアルカリ金属塩若しくはアルカリ土類金属塩からなる群から選択される少なくとも1種の電解質と、
を含有する組成物。
- 前記ベンズアミジン誘導体又はその薬理学上許容される塩1重量部に対する電解質の量が、0.5重量部乃至30重量部である、請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の組成物。
- 前記ベンズアミジン誘導体又はその薬理学上許容される塩が、下記化学式(II)にて表されるベンズアミジン誘導体の臭化水素酸塩である、請求項3に記載の組成物。
- 化学式(I)で表されるベンズアミジン誘導体又はその薬理学上許容される塩に、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属のハロゲン化物塩及び過塩素酸のアルカリ金属塩若しくはアルカリ土類金属塩からなる群から選択される少なくとも1種の電解質を添加する工程、
を含む、ベンズアミジン誘導体の安定化方法。
[式(I)中、R1、R2は、それぞれ同一あるいは相異なって、水素原子、メトキシ基、エトキシ基を、Xは水素原子あるいはハロゲン原子を示し、Arは、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、t−ブチル基、モルホリニル基、又は下記の式(XX)で表される置換基から選ばれる1又は2以上の置換基で置換されていてもよいフェニル基を示し、
式(XX)中、WはCH又は窒素原子を示し、AはCH2又は単結合を示し、R3は水素原子又はOR5を示し、XはCH2、酸素原子、単結合又はカルボニル基を示し、Yは単結合又はC1−4アルキル基を示し、R4は水素原子、OR6、シアノ基又はCOOR7を示し、R5、R6及びR7は水素原子又はC1−4アルキル基を示す。] - (II)−(VIII)のいずれかの化学式で表されるベンズアミジン誘導体又はその薬理学上許容される塩に、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属のハロゲン化物塩及び過塩素酸のアルカリ金属塩若しくはアルカリ土類金属塩からなる群から選択される少なくとも1種の電解質を添加する工程、
を含む、ベンズアミジン誘導体の安定化方法。
- 前記ベンズアミジン誘導体1重量部に対する電解質の量が、0.5重量部乃至30重量部である、請求項6又は請求項7に記載の方法。
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