JPS6391945A - Ion beam device - Google Patents
Ion beam deviceInfo
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Landscapes
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Abstract
Description
この発明は、半導体加工プロセスなどにおけるイオン注
入W Zとして用いられるものであって、導入された原
料ガスまたは金属蒸気をプラズマ化するプラズマ発生部
と、このプラズマ発生部中のプラズマから特定の4性を
持つイオンを引き出すイオン引出し部と、このイオン引
出し部により引き出されたイオンの中から特定のNR/
’fffit比を持つイオンのみを抽出するit分分析
表、この質量分析部により抽出されたイオンに所定の運
動エネルギを与える加速部と、この加速部から射出され
る前記特定イオンからなるイオンビームを試料の表面に
集束させるレンズ系とを備え、試料の表面にイオンビー
ムを照射してイオンを注入するイオンビーム装置に関す
る。This invention is used as an ion implantation WZ in a semiconductor processing process, etc., and includes a plasma generation part that turns introduced raw material gas or metal vapor into plasma, and a plasma in this plasma generation part that generates specific four properties. an ion extraction section that extracts ions with a specific NR/
an ion beam consisting of an acceleration section that gives a predetermined kinetic energy to the ions extracted by the mass spectrometry section, and the specific ions ejected from this acceleration section; The present invention relates to an ion beam device that includes a lens system that focuses the ion beam onto the surface of the sample and implants ions by irradiating the surface of the sample with an ion beam.
第5図に従来のイオン注入装置の構成例を示す。
図において、プラズマ発生部1は例えば熱陰掻から放出
される電子をTL磁界で加速し、導入されたガスの分子
あるいは金属ア気に衝突させてプラズマ化することによ
り所定のイオンを生成させるものである。イオン引出し
部を構成する引出し電極系2は前記プラズマ発生部1を
構成するプラズマ室に設けられたスリットに対向して配
置され、前記プラズマ室との間に高電圧を印加してプラ
ズマ中から特定の極性を持つイオンを引き出す。このよ
うにして得られたイオンビームは、質量分析部を構成す
る1Itfik分析マグネフト3により図中の破綻およ
び一点鎖線のように軌道を曲げられる。このとき、曲率
半径はイオンの電荷/質景比によって異なるため、スリ
ット4を通過するイオンは電r4/質日比が特定のもの
に限られる。加速部104を構成する加速v5は前述し
た方法で得られた特定のイオンを所定の運動エネルギま
で加速するものである。前記プラズマ発生部1と前記引
出し電極系2との間で得られたイオンの運動エネルギが
充分な大きさであればこの加速管5は省く場合もある。
レンズ系6は得られたイオンビームを打込み室11に保
持された基板10の表面で所定の照射面積となるように
収束させるものである。紙面に平行な上下方向をX方向
1紙面に垂直な方向をY方向とし、前記特定イオンをX
方向に偏向させるX偏向電極対7およびY方向に偏向さ
せるY(日向電極対8にはそれぞれ異なった周波数の高
電圧が印加されており、前述したイオンビームは?ff
極対7゜8によって偏向を受けながら、基板10の全面
に−(!に照射されることになる。リフレクタ電極対9
には直流高電圧が印加されており、基板IOへの照射直
前にビーム軌道を曲げてビーム中に存在する中性原子を
取り除いている。なお、イオンビームを基板lOの全面
に一様に照射する方法として、電極対7,8を用いる代
わりに、基板10を通常複数枚取り付けた円板を中心軸
まわりに回転させながら該円板を円板の面方向に往復動
させる機!成約走査方法もある。
このような装置においては、引出し部の電極系での静電
レンズ効果に限界があり、ビーム電流の増大や、ビーム
ラインが長くなるとビーム径が大きくなる。ビーム径が
大きくなると質量分析マグネットの磁極間距蒲をビーム
径より大きくする必要から、E531−5間の磁界が永
久磁石により与えられているマグネットではもちろんの
こと、磁界が励磁コイルによって与えられている場合に
も、所定の定格起磁力に設計され所定のスペースに収容
された励磁コイルでは磁界の強さが必ずしももとの大き
さに維持されず、このためビームの曲げ半径が大きくな
ってマグネットが大形化し、また&1間距離を大きくし
なければビームの利用効率が低下するなどの問題があっ
た。FIG. 5 shows an example of the configuration of a conventional ion implantation device. In the figure, a plasma generating unit 1 is one that generates predetermined ions by accelerating electrons emitted from a heat sink using a TL magnetic field, causing them to collide with introduced gas molecules or metal air, and turning them into plasma. It is. An extraction electrode system 2 constituting the ion extraction section is disposed opposite to a slit provided in a plasma chamber constituting the plasma generation section 1, and a high voltage is applied between the ion extraction electrode system 2 and the plasma chamber to identify the ion from the plasma. extracts ions with the polarity of The ion beam thus obtained is broken and its trajectory is bent as shown by the dashed line in the figure by the 1Itfik analysis magnetoft 3 constituting the mass spectrometer. At this time, since the radius of curvature differs depending on the charge/matter ratio of the ions, the ions passing through the slit 4 are limited to those having a specific charge/matter ratio. The acceleration v5 constituting the acceleration unit 104 accelerates the specific ions obtained by the method described above to a predetermined kinetic energy. If the kinetic energy of the ions obtained between the plasma generating section 1 and the extraction electrode system 2 is large enough, the accelerating tube 5 may be omitted. The lens system 6 focuses the obtained ion beam onto the surface of the substrate 10 held in the implantation chamber 11 to a predetermined irradiation area. The vertical direction parallel to the paper surface is the X direction, and the direction perpendicular to the paper surface is the Y direction, and the specific ion is
The ion beam is deflected in the
While being deflected by the pole pair 7°8, the entire surface of the substrate 10 is irradiated at −(!).The reflector electrode pair 9
A high DC voltage is applied to the beam, and the beam trajectory is bent to remove neutral atoms present in the beam just before irradiating the substrate IO. In addition, as a method of uniformly irradiating the entire surface of the substrate 10 with the ion beam, instead of using the electrode pair 7, 8, a disk to which a plurality of substrates 10 are usually attached is rotated around the central axis. A machine that reciprocates in the direction of the surface of the disc! There is also a deal scanning method. In such a device, there is a limit to the electrostatic lens effect in the electrode system of the extraction section, and as the beam current increases or the beam line becomes longer, the beam diameter increases. As the beam diameter increases, the distance between the magnetic poles of the mass spectrometer magnet needs to be larger than the beam diameter, so in addition to magnets in which the magnetic field between E531-5 is provided by a permanent magnet, the magnetic field is provided by an excitation coil. Even in cases where an excitation coil is designed to have a specified rated magnetomotive force and housed in a specified space, the strength of the magnetic field is not necessarily maintained at its original size, and as a result, the bending radius of the beam increases and the magnet There was a problem that the beam usage efficiency would decrease unless the size was increased and the distance between &1 was increased.
この発明は、後述する静電四重様レンズや磁気四ffl
極レンズが−イオンビームを任意の距だに集束させるこ
とができることに着目したもので、イオンビーム電流の
大きさ、従って引出し電圧の大きさに応じてレンズ効果
を変えうる前記静電四重様レンズや磁気四重様レンズな
どのイオンビーム集束手段をイオン引出し部と?1分析
部との間に介装してイオン引出し部から射出されるイオ
ンビームを集束し、この集束されたイオンビームをit
分析計に入射せしめるようにすることにより、前記の目
的を達成しようとするものである。This invention is applicable to an electrostatic quadruple-like lens and a magnetic quadruple-like lens, which will be described later.
This method focuses on the fact that the polar lens can focus the ion beam to an arbitrary distance, and the electrostatic quadruple lens effect can be changed depending on the magnitude of the ion beam current and, therefore, the magnitude of the extraction voltage. Is the ion beam focusing means such as a lens or magnetic quadruple lens an ion extractor? 1 to focus the ion beam ejected from the ion extractor, and transfer the focused ion beam to the IT
The purpose is to achieve the above object by making the light incident on the analyzer.
第1図に本発明の一実施例を示す。イオンが引き出され
るプラズマ発生部1のスリー/ )の前面にイオンの走
行方向に複数段配設された引出し電極を備えたイオン引
出し部2と、質量分析部3との間には、4個の柱状r1
F5rをそれぞれイオンの走行方向すなわちイオンビー
ムの方向と同方向にかつ第2図に示すように周方向に等
間隔にイオンビームを取り囲んで配するとともに電圧分
配部16から交互に異GM性に課電してなる複数の単位
電極対121゜122)123を、前段と同極性の電極
が90″づつ周方向にずれるようにイオンビームの方向
に配置してなる静電四重様レンズ12が介装されている
。イオン引出し部2から静電四重様レンズ12へ入射さ
れるイオンビームは、まず、第1の単位電極対121で
X方向が集束されつつ第2の単位電極対122に入り、
第2の単位1!極対でY方向が集束されつつ第3の単位
電極対123に入り、この第3の単位電極対123にて
X方向に集束されて質量分析部3の分析マグネットに導
かれる。このとき、静電四重様レンズ12のY方向ビー
ム幅に対する凸レンズ効果と前記分析マグネットの、同
じくY方向ビーム幅に対する凹レンズ効果とを含めて加
速部104のスリット4にY方向ビーム幅の焦点が合い
、静電四重様レンズ12のX方向ビーム幅に対する凸レ
ンズ効果と前記分析マグネットの、同じくX方向ビーム
幅に対する凸レンズ効果とを含めて加速部104のスリ
ット4にX方向ビーム幅の焦点が合うように静電四重様
レンズの各単位電極対電極に供給する電圧を制御する。
イオンビーム電流は引出し電極系を変更しないかぎり引
出し電圧により一義的に定まり、前記分析マグネットの
レンズ効果も引出し電圧により一義的に定まるから、a
11’ta四重極レンズのレンズ効果を制御する制御量
としての、各単位電極対電)jに供給する電圧も引出し
電圧のみから演算することができる0回中、13は引出
し電圧検出部、14は演算部、15は14の演算結果に
基づいて次段の出力電圧を制御するための電圧制御部、
16は前段の電圧制御部15により制御されて所望の電
圧を各単位電極対の電極へ出力するだめの電圧分配部で
ある。なお、閲の一点鎖線は静電四重様レンズ12が存
在していないとしたときのイオンビームの広がりを示す
とともにこの広がりに対して本発明がいかに質量分析部
の大形化阻止のために顕著な効果をもたらすかを示して
いる。
第3図は、第1図に示した静電四重様レンズ12の支持
構造の一例を示すもので、第5(2Iの1〜11を収容
する真空容器の外部から引出し電極へ電圧を導入するた
めにこの真空容器を構成する絶縁筒127と絶縁フラン
ジ126との間、および絶縁フランジ126と絶縁フラ
ンジ125との間ならびに絶縁フランジ125と絶縁筒
128との間にそれぞれ気密に介装された)板状のリン
グ127a、 126a、 125aと引出し電極27
,26.25との間にわたされた板状または筒状の接続
導体の1つ (ここでは最内側の導体)から合成樹脂ま
たはセラミックスからなる支持碍子124を介して静電
四重様レンズの各′C:、IFii対単位の電極が文単
位れている。このように引出し2h系の接)18体を利
用して電極を支持し、静電四重様レンズを引出しTX
lr5系内に収容することによりビームラインの長さが
もとの長さに維持されイオンビーム装置の大形化を避け
ることができる。
第4図は前記静電画電極レンズと同一効果をもたらす磁
気四重様レンズの(ff )k配置を示す、互いに等間
隔に周方向に誇り合って配置された4個の磁極の磁極面
は、X、Y方向を直角座標の2軸の方向として双曲線形
に形成されるとともに2軸方向の磁束密度がそれぞれB
y ”KX、BX −KYの分布となるように配置され
ている。このように形成された、4個の磁極からなる磁
極対単位を紙面に垂直な中心1ijILA上に複数個配
列することにより、前記静電四x+iレンズと同様のレ
ンズ効果を付与することができる。FIG. 1 shows an embodiment of the present invention. Between the mass spectrometry section 3 and the ion extraction section 2, which is equipped with extraction electrodes arranged in multiple stages in the ion traveling direction on the front surface of the plasma generation section 1, from which ions are extracted, there are four columnar r1
F5r are arranged surrounding the ion beam in the same direction as the traveling direction of the ions, that is, the direction of the ion beam, and at equal intervals in the circumferential direction as shown in FIG. An electrostatic quadruple-like lens 12 is arranged in which a plurality of unit electrode pairs 121°, 122) 123 formed by electric current are arranged in the direction of the ion beam such that electrodes of the same polarity as the previous stage are shifted by 90'' in the circumferential direction. The ion beam entering the electrostatic quadruple-like lens 12 from the ion extraction unit 2 is first focused in the X direction by the first unit electrode pair 121 and then enters the second unit electrode pair 122. ,
Second unit 1! The light enters the third unit electrode pair 123 while being focused in the Y direction by the pole pair, and is focused in the X direction by the third unit electrode pair 123 and guided to the analysis magnet of the mass spectrometer 3. At this time, the focus of the Y-direction beam width is focused on the slit 4 of the accelerating section 104, including the convex lens effect of the electrostatic quadruple-like lens 12 on the Y-direction beam width and the concave lens effect of the analysis magnet on the Y-direction beam width. Then, the X-direction beam width is focused on the slit 4 of the accelerating section 104, including the convex lens effect of the electrostatic quadruple-like lens 12 on the X-direction beam width and the convex lens effect of the analysis magnet on the X-direction beam width. The voltage supplied to each unit electrode-to-electrode of the electrostatic quadruple-like lens is controlled as follows. The ion beam current is uniquely determined by the extraction voltage unless the extraction electrode system is changed, and the lens effect of the analysis magnet is also uniquely determined by the extraction voltage.
11'ta The voltage supplied to each unit electrode counter current (J) as a control amount for controlling the lens effect of the quadrupole lens can also be calculated from only the extraction voltage. 13 is the extraction voltage detection section, 14 is a calculation unit; 15 is a voltage control unit for controlling the output voltage of the next stage based on the calculation result of 14;
Reference numeral 16 denotes a voltage distribution section which is controlled by the voltage control section 15 at the previous stage and outputs a desired voltage to the electrodes of each unit electrode pair. The dashed line in the diagram shows the spread of the ion beam when the electrostatic quadruple-like lens 12 does not exist, and how the present invention can prevent the mass spectrometer from increasing in size with respect to this spread. It shows whether it has a significant effect. FIG. 3 shows an example of a support structure for the electrostatic quadruple-like lens 12 shown in FIG. In order to do this, the vacuum container is airtightly interposed between the insulating tube 127 and the insulating flange 126, between the insulating flange 126 and the insulating flange 125, and between the insulating flange 125 and the insulating tube 128, respectively. ) Plate-shaped rings 127a, 126a, 125a and extraction electrodes 27
, 26. The electrostatic quadruple-like lens is connected to one of the plate-shaped or cylindrical connecting conductors (here, the innermost conductor) passed between the electrostatic quadruple-like lens and the supporting insulator 124 made of synthetic resin or ceramics. Each 'C:, IFii pair of electrodes is arranged in a sentence unit. In this way, the electrodes are supported using the 18 parts of the drawer 2h system, and the electrostatic quadruple-like lens is drawn out.
By accommodating the ion beam in the lr5 system, the length of the beam line can be maintained at the original length, and it is possible to avoid increasing the size of the ion beam device. FIG. 4 shows the (ff)k arrangement of a magnetic quadruple-like lens that produces the same effect as the electrostatic image electrode lens. The magnetic pole surfaces of four magnetic poles arranged circumferentially at equal intervals are , is formed into a hyperbolic shape with the X and Y directions as the directions of the two axes of rectangular coordinates, and the magnetic flux density in the two axes is B.
y''KX, BX -KY distribution. By arranging a plurality of magnetic pole pair units consisting of four magnetic poles formed in this way on the center 1ijILA perpendicular to the plane of the paper, A lens effect similar to that of the electrostatic 4x+i lens can be provided.
以上に述べたように、本発明によれば、イオン引出し部
と’Etft分析部との間にイオンビームを集束するイ
オンビーム集束手段を介装してイオン引出し部から射出
されるイオンビームを集束し、この集束されたイオンビ
ームを前記fft1分析部に入射せしめるようにしたの
で、ビーム1!流が増大しても、あるいはイオン引出し
部とffff1分析部との間のビームラインが長い場合
にも、ffff1分析部の分析マグネットの磁極間距離
を広げることなくビーム電流の全量を磁極間に導入する
ことができ、かつ磁奢】間の磁界も一定に保たれるから
、ビーム電流中の特定イオンの全量を次段の加速部へ導
入することができ、n量分折部を大形化することなく、
従、てイオンビーム炙″装置の大形化を招くことなく高
いビーム利用効率をもって大電流を処理しうるイオンビ
ーム装置を得ろことができろという効果が得られる。As described above, according to the present invention, the ion beam focusing means for focusing the ion beam is interposed between the ion extraction section and the 'Etft analysis section, and the ion beam ejected from the ion extraction section is focused. However, since this focused ion beam was made to enter the fft1 analysis section, beam 1! Even if the flow increases or the beam line between the ion extraction section and the ffff1 analysis section is long, the entire beam current can be introduced between the magnetic poles of the analysis magnet in the ffff1 analysis section without increasing the distance between the magnetic poles. Since the magnetic field between the two magnetic fields is kept constant, the entire amount of specific ions in the beam current can be introduced into the next stage acceleration section, making the n-quantity splitting section larger. without doing,
Therefore, it is possible to obtain an ion beam apparatus that can process a large current with high beam utilization efficiency without increasing the size of the ion beam roasting apparatus.
第1図は本発明の一実施例によるイオンビーム集束手段
の構成とその作用を説明する説明図、第2図は第1図の
A−A位置において矢印方向に見たイオンビーム東京手
段の平面図、第3図は第1図に示すイオンビーム集束手
段の支持方法の一例を示す縦断面図、第4図はイオンビ
ームが磁気四電極レンズである場合の磁極の配置と磁極
面の形状とを示す平面図、第5図は従来のイオンビーム
装置の構成を示す装置構成原理図である。
1:プラズマ発生部、2:イオン引出し部、3:fff
f1分析部、10:試料、12:静電四重極レンズ(イ
オンビーム摂束手段) 、104 :加速部、124
:支持碍子。
1115.・、10.は ′・
一ン′
第1図
第2図
第3図
第4図FIG. 1 is an explanatory diagram illustrating the configuration and operation of an ion beam focusing means according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plane view of the ion beam focusing means as seen in the direction of the arrow at the A-A position in FIG. Figure 3 is a vertical cross-sectional view showing an example of a method of supporting the ion beam focusing means shown in Figure 1, and Figure 4 shows the arrangement of magnetic poles and the shape of the magnetic pole surface when the ion beam is a magnetic four-electrode lens. FIG. 5 is a diagram showing the principle of the configuration of a conventional ion beam device. 1: plasma generation section, 2: ion extraction section, 3: fff
f1 analysis section, 10: sample, 12: electrostatic quadrupole lens (ion beam focusing means), 104: acceleration section, 124
: Support insulator. 1115.・,10. is ′・one′ Fig. 1 Fig. 2 Fig. 3 Fig. 4
Claims (1)
るプラズマ発生部と、このプラズマ発生部中のプラズマ
から特定の極性を持つイオンを引き出すイオン引出し部
と、このイオン引出し部により引き出されたイオンの中
から特定の電荷/質量比を持つイオンのみを抽出する質
量分析部と、この質量分析部により抽出されたイオンに
所定の運動エネルギを与える加速部と、この加速部から
射出される前記特定イオンからなるイオンビームを試料
の表面に集束させるレンズ系とを備え、試料の表面にイ
オンビームを照射してイオンを注入するイオンビーム装
置において、前記イオン引出し部と質量分析部との間に
イオンビームを集束する手段を介装してイオン引出し部
から射出されるイオンビームを集束し、この集束された
イオンビームを前記質量分析部に入射せしめることを特
徴とするイオンビーム装置。 2)特許請求の範囲第1項記載の装置において、イオン
引出し部と質量分析部との間に介装されるイオンビーム
の集束手段は、4個の柱状電極をそれぞれイオンビーム
と平行にかつ周方向に等間隔にイオンビームを取り囲ん
で配するとともに交互に異極性に課電してなる単位電極
対を複数段、前段と同極性の電極が90°づつ周方向に
ずれるようにイオンビームの方向に配置してなる静電四
重極レンズであることを特徴とするイオンビーム装置。 3)特許請求の範囲第1項記載の装置において、イオン
引出し部と質量分析部との間に介装されるイオンビーム
の集束手段は、4個の柱状磁極をそれぞれイオンビーム
と平行にかつ周方向に等間隔にイオンビームを取り囲ん
で配するとともにイオンビームと対向するそれぞれの磁
極面が交互に異極性となるように構成した単位磁極対を
複数段、前段と同極性の磁極が90°づつ周方向にずれ
るようにイオンビームの方向に配置してなる磁気四重極
レンズであることを特徴とするイオンビーム装置。 4)特許請求の範囲第1項記載の装置において、イオン
引出し部と質量分析部との間に介装されるイオンビーム
の集束手段は、前記イオン引出し部に引出し電圧を導入
するために該引出し部から引き出される導体により絶縁
材からなる支持部材を介して支持されていることを特徴
とするイオンビーム装置。[Scope of Claims] 1) A plasma generation section that turns introduced raw material gas or metal vapor into plasma, an ion extraction section that extracts ions with a specific polarity from the plasma in this plasma generation section, and this ion extraction section. a mass spectrometer that extracts only ions with a specific charge/mass ratio from among the ions extracted by the mass spectrometer; an acceleration section that imparts a predetermined kinetic energy to the ions extracted by the mass spectrometer; In an ion beam apparatus that implants ions by irradiating the surface of the sample with the ion beam, the ion beam apparatus includes a lens system that focuses an ion beam made of the specific ions to be ejected onto the surface of the sample, the ion extractor and the mass spectrometer. An ion beam device characterized in that an ion beam focusing means is interposed between the ion beam and the ion extraction section to focus the ion beam emitted from the ion extraction section, and the focused ion beam is made to enter the mass spectrometer. . 2) In the apparatus according to claim 1, the ion beam focusing means interposed between the ion extraction section and the mass spectrometry section includes four columnar electrodes arranged parallel to and around the ion beam. Multiple stages of unit electrode pairs are arranged surrounding the ion beam at equal intervals in the direction and are alternately charged with different polarities. An ion beam device characterized by being an electrostatic quadrupole lens arranged in. 3) In the apparatus according to claim 1, the ion beam focusing means interposed between the ion extraction section and the mass spectrometry section includes four columnar magnetic poles arranged parallel to and around the ion beam. Multiple stages of unit magnetic pole pairs are arranged surrounding the ion beam at equal intervals in the direction, and each magnetic pole face facing the ion beam is configured to have a different polarity alternately, with each magnetic pole having the same polarity as the previous stage at a 90° angle. An ion beam device characterized by a magnetic quadrupole lens arranged in the direction of the ion beam so as to be shifted in the circumferential direction. 4) In the apparatus according to claim 1, the ion beam focusing means interposed between the ion extraction section and the mass spectrometry section is configured to An ion beam device characterized in that the ion beam device is supported by a conductor drawn out from the section via a support member made of an insulating material.
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6391945A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0240189A (en) * | 1988-07-29 | 1990-02-08 | Alpine Electron Inc | Electronic equipment with control panel opening/closing function |
JP2006156247A (en) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Sumitomo Eaton Noba Kk | Increasing method of low energy beam, and beam irradiator |
JP2008027846A (en) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | Ion implanting device and its adjustment method |
JP2015032380A (en) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Focused ion beam device, focused ion/electron beam processing observation device, and sample processing method |
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1986
- 1986-10-03 JP JP61235523A patent/JPS6391945A/en active Pending
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