JPS6365419A - 光アイソレ−タ付半導体レ−ザ装置 - Google Patents
光アイソレ−タ付半導体レ−ザ装置Info
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- JPS6365419A JPS6365419A JP21093486A JP21093486A JPS6365419A JP S6365419 A JPS6365419 A JP S6365419A JP 21093486 A JP21093486 A JP 21093486A JP 21093486 A JP21093486 A JP 21093486A JP S6365419 A JPS6365419 A JP S6365419A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 29
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 39
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 16
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4207—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
- G02B6/4208—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback using non-reciprocal elements or birefringent plates, i.e. quasi-isolators
- G02B6/4209—Optical features
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光通信等の光信号伝送に用いられる光アイソ
レータ付半導体レーザ装置に関する。
レータ付半導体レーザ装置に関する。
従来の技術
半導体レーザを光通信等の光信号伝送系の光源として用
いる場合、半導体レーザからの出射光の一部が伝送路の
光ファイバあるいは伝送用光学部品の端面や接続部で反
射して半導体レーザへ帰還した場合、半導体レーザの発
振特性の不安定化や雑音増加をひき起す原因となる。こ
の反射戻り光が帰還するのを防止するために、光アイソ
レータを使用することが有効である。
いる場合、半導体レーザからの出射光の一部が伝送路の
光ファイバあるいは伝送用光学部品の端面や接続部で反
射して半導体レーザへ帰還した場合、半導体レーザの発
振特性の不安定化や雑音増加をひき起す原因となる。こ
の反射戻り光が帰還するのを防止するために、光アイソ
レータを使用することが有効である。
第3図に、光アイソレータ付半導体レーザ装置の従来例
を示す。半導体レーザ1.コリメート用レンズ2及び集
光用レンズ3.偏光分離素子(検光子)4.磁気回路材
料θにより光軸方向に磁界を受けた磁気光学素子6、半
導体レーザ1からの光を取り出す光出力用光ファイバ8
から構成される。
を示す。半導体レーザ1.コリメート用レンズ2及び集
光用レンズ3.偏光分離素子(検光子)4.磁気回路材
料θにより光軸方向に磁界を受けた磁気光学素子6、半
導体レーザ1からの光を取り出す光出力用光ファイバ8
から構成される。
ここで、一般的には半導体レーザ1と磁気光学素子6と
の間に偏光子を用いるが、半導体レーザ1の活性層の端
面は、偏光子の機能を有しているため、出射光はTE直
線偏光であり、また、反射戻り光に対してもこの機能は
有効であることがら偏光子を省略した構成である。
の間に偏光子を用いるが、半導体レーザ1の活性層の端
面は、偏光子の機能を有しているため、出射光はTE直
線偏光であり、また、反射戻り光に対してもこの機能は
有効であることがら偏光子を省略した構成である。
半導体レーザ1からの出射光7はコリメート用し/ズ2
で平行光となり、磁気光学素子6を透過し偏光方向が4
6°回転し、検光子4を通り集光用レンズ3で光ファイ
バ8の端面9に集光され伝搬する。ここで検光子4は、
磁気光学結晶5を透過後の光がほとんど損失なく透過す
るように軸が合せである。
で平行光となり、磁気光学素子6を透過し偏光方向が4
6°回転し、検光子4を通り集光用レンズ3で光ファイ
バ8の端面9に集光され伝搬する。ここで検光子4は、
磁気光学結晶5を透過後の光がほとんど損失なく透過す
るように軸が合せである。
一方、光ファイバ8の端面9あるいは10等で一部反射
した光は前述と同径路を逆にたどり、し/ズ3.検光子
4を通り磁気光学結晶5を透過後、偏光方向がさらに4
6°回転され、レンズ2で半導体レーザ1の端面に集光
されるが、この反射は半導体レーザ1からの出射光に対
して直交する直線偏光となっているため、半導体レーザ
1の動作には影響を及ぼさない。
した光は前述と同径路を逆にたどり、し/ズ3.検光子
4を通り磁気光学結晶5を透過後、偏光方向がさらに4
6°回転され、レンズ2で半導体レーザ1の端面に集光
されるが、この反射は半導体レーザ1からの出射光に対
して直交する直線偏光となっているため、半導体レーザ
1の動作には影響を及ぼさない。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、このような従来の方法では光ファイバ8
の端面9に入射する光ビームは、光フアイバ端面で最も
絞られた状態すなわち光ビームが結像される状態である
ため、ここでのフレネル反射光は、光フアイバ端面入射
光と同径路を逆にたどり、半導体レーザ端面に結像する
状態となる。
の端面9に入射する光ビームは、光フアイバ端面で最も
絞られた状態すなわち光ビームが結像される状態である
ため、ここでのフレネル反射光は、光フアイバ端面入射
光と同径路を逆にたどり、半導体レーザ端面に結像する
状態となる。
このフレネル反射光は、光フアイバ端面入射光の3〜4
%と非常に大きな値であり、光アイソレータの効果のみ
で半導体レーザへの影響を防ぐことは困難である。また
、偏光分離素子及び磁気光学素子は平行光中に配置され
ており、平行光のビーム径は通常11IIIfi程度で
あり、使用する偏光分離素子及び磁気光学素子の大きさ
は作製の容易さ等を考え直径が3〜51mと比較的大き
な値が必要となる。こ糺に伴ない磁気回路材料も比較的
大きなものとなるため、全体として価格的に不利となる
。
%と非常に大きな値であり、光アイソレータの効果のみ
で半導体レーザへの影響を防ぐことは困難である。また
、偏光分離素子及び磁気光学素子は平行光中に配置され
ており、平行光のビーム径は通常11IIIfi程度で
あり、使用する偏光分離素子及び磁気光学素子の大きさ
は作製の容易さ等を考え直径が3〜51mと比較的大き
な値が必要となる。こ糺に伴ない磁気回路材料も比較的
大きなものとなるため、全体として価格的に不利となる
。
間頂点を解決するための手段
本発明は上記のような問題を解決するために、偏光分離
素子を光出力用光ファイバの端面に接して配置し、磁気
光学素子と共に光出力用光ファイバと一体化するもので
ある。
素子を光出力用光ファイバの端面に接して配置し、磁気
光学素子と共に光出力用光ファイバと一体化するもので
ある。
作用
本発明は上記の方法により、光出力用光ファイバの屈折
率とほぼ等しい屈折率を有する偏光分離素子を光フアイ
バ端面に接して配置するため、光フアイバ端面でのフレ
ネル反射光を抑えることができ、また、光ビームが最も
絞られた位置に偏光分離素子及び磁気光学素子を配置す
るため、偏光分離素子及び磁気光学素子の大きさを直径
111!I程度と小さくすることが可能となり、合せて
磁気回路材料も小形化ができ、全体として価格的に有利
となるものである。
率とほぼ等しい屈折率を有する偏光分離素子を光フアイ
バ端面に接して配置するため、光フアイバ端面でのフレ
ネル反射光を抑えることができ、また、光ビームが最も
絞られた位置に偏光分離素子及び磁気光学素子を配置す
るため、偏光分離素子及び磁気光学素子の大きさを直径
111!I程度と小さくすることが可能となり、合せて
磁気回路材料も小形化ができ、全体として価格的に有利
となるものである。
実施例
第1図に、本発明の光アイソレータ付半導体レーザ装置
の一実施例を示す。半導体レーザ1.集光用レンズ2.
光出力用光ファイバ8.光ファイバ8の端面9に接して
配置した偏光分離素子4、この偏光分離素子4と共に光
ファイバ8の端面9と一体化した磁気光学素子6、磁気
光学素子6の光軸方向に磁界を与える磁気回路材料6か
ら構成される。
の一実施例を示す。半導体レーザ1.集光用レンズ2.
光出力用光ファイバ8.光ファイバ8の端面9に接して
配置した偏光分離素子4、この偏光分離素子4と共に光
ファイバ8の端面9と一体化した磁気光学素子6、磁気
光学素子6の光軸方向に磁界を与える磁気回路材料6か
ら構成される。
半導体レーザ1からの出射光7は集光用し/ズ2によシ
光ファイバ8の端面9に集光するようにビーム変換され
、集束しながら磁気光学素子5を透過し偏光方向が46
°回転し偏光分離素子4を通り、光ファイバ8の端面9
に集光し伝搬する。
光ファイバ8の端面9に集光するようにビーム変換され
、集束しながら磁気光学素子5を透過し偏光方向が46
°回転し偏光分離素子4を通り、光ファイバ8の端面9
に集光し伝搬する。
一方、光ファイバ8の端面9あるいは10等で一部反射
した光は前述と同径路を逆にたどり、偏光分離素子4を
通り、磁気光学素子6を透過時偏光方向がさらに46°
回転され、レンズ2で半導体レーザ1の端面に集光され
るが、この反射光は半導体レーザ1からの出射光に対し
て直交する直線偏光となっているため、半導体レーザ1
の動作には影響を及ぼさない。ここで、光ファイバ8と
ほぼ等しい屈折率を有する偏光分離素子を光ファイバ8
の端面9に接して配置するため、反射面を結像位置から
ずらすことになり、すなわち反射光の結像位置を半導体
レーザ1の端面からずらすことができ、半導体レーザ1
への反射戻り光を低減することが可能となる。また、光
ビームが最も絞られた位置に偏光分離素子4及び磁気光
学素子6を配置することになシ、偏光分離素子4及び磁
気光学素子6さらには磁気回路材料6を小形化すること
が可能となり、低価格化が可能となるものである。
した光は前述と同径路を逆にたどり、偏光分離素子4を
通り、磁気光学素子6を透過時偏光方向がさらに46°
回転され、レンズ2で半導体レーザ1の端面に集光され
るが、この反射光は半導体レーザ1からの出射光に対し
て直交する直線偏光となっているため、半導体レーザ1
の動作には影響を及ぼさない。ここで、光ファイバ8と
ほぼ等しい屈折率を有する偏光分離素子を光ファイバ8
の端面9に接して配置するため、反射面を結像位置から
ずらすことになり、すなわち反射光の結像位置を半導体
レーザ1の端面からずらすことができ、半導体レーザ1
への反射戻り光を低減することが可能となる。また、光
ビームが最も絞られた位置に偏光分離素子4及び磁気光
学素子6を配置することになシ、偏光分離素子4及び磁
気光学素子6さらには磁気回路材料6を小形化すること
が可能となり、低価格化が可能となるものである。
第2図に本発明の光アイソレータ付半導体レーザ装置の
他の実施例を示す。
他の実施例を示す。
第1図と同様の作用により、光アイソレータの効果を有
する構成であるが、さらに、光ファイバ8の端面9′を
光ファイバの軸に垂直な面に対して斜めにした構成であ
る。このような構成の場合、光アイソレータ付半導体レ
ーザ装置作製の際の誤差により、光ファイバ8の端面9
′でフレネル反射が発生しても、この反射光は半導体レ
ーザ1の端面に戻ることはなく、半導体レーザ1のより
安定な動作が可能となるものである。
する構成であるが、さらに、光ファイバ8の端面9′を
光ファイバの軸に垂直な面に対して斜めにした構成であ
る。このような構成の場合、光アイソレータ付半導体レ
ーザ装置作製の際の誤差により、光ファイバ8の端面9
′でフレネル反射が発生しても、この反射光は半導体レ
ーザ1の端面に戻ることはなく、半導体レーザ1のより
安定な動作が可能となるものである。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば光出力用光ファ
イバの屈折率とほぼ等しい屈折率を有する偏光分離素子
を光フアイバ端面に接して配置することにより、光フア
イバ端面でのフレネル反射光を抑えることができ、また
光ビームが最も絞られた位置に偏光分離素子及び磁気光
学素子を配置するため、偏光分離素子及び磁気光学素子
の直径を極力小さくすることができ、これに伴ない磁気
回路材料も小形化でき、全体として低価格化が実現でき
るものである。
イバの屈折率とほぼ等しい屈折率を有する偏光分離素子
を光フアイバ端面に接して配置することにより、光フア
イバ端面でのフレネル反射光を抑えることができ、また
光ビームが最も絞られた位置に偏光分離素子及び磁気光
学素子を配置するため、偏光分離素子及び磁気光学素子
の直径を極力小さくすることができ、これに伴ない磁気
回路材料も小形化でき、全体として低価格化が実現でき
るものである。
第1図は本発明の光アイソレータ付半導体レーザ装置に
基づき構成した一実施例を示す要部概略図、第2図は本
発明の他の実施例を示す要部概略図、第3図は従来の光
アイソレータ付半導体レーザ装置を示す要部概略図であ
る。 1・・・・・・半導体レーザ、2,3・・・・・・レン
ズ、4・・・・・・偏光分離素子、5・・・・・・磁気
光学素子、6・・・・・・磁気回路材料、7・・・・・
・半導体レーザからの出射光、8・・・・・・光出力用
光ファイバ、9,10・・・・・・光フアイバ端面。
基づき構成した一実施例を示す要部概略図、第2図は本
発明の他の実施例を示す要部概略図、第3図は従来の光
アイソレータ付半導体レーザ装置を示す要部概略図であ
る。 1・・・・・・半導体レーザ、2,3・・・・・・レン
ズ、4・・・・・・偏光分離素子、5・・・・・・磁気
光学素子、6・・・・・・磁気回路材料、7・・・・・
・半導体レーザからの出射光、8・・・・・・光出力用
光ファイバ、9,10・・・・・・光フアイバ端面。
Claims (2)
- (1)半導体レーザ、集光用レンズ、磁気光学素子、偏
光分離素子、磁気回路材料及び光出力用光ファイバを有
し、前記偏光分離素子を前記光出力用光ファイバの端面
に接して配置し、前記磁気光学素子と共に前記光出力用
光ファイバと一体化したことを特徴とする光アイソレー
タ付半導体レーザ装置。 - (2)光出力用光ファイバの端面を、前記光ファイバの
軸に垂直な面に対して斜めにしたことを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の光アイソレータ付半導体レーザ
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21093486A JPS6365419A (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 光アイソレ−タ付半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21093486A JPS6365419A (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 光アイソレ−タ付半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6365419A true JPS6365419A (ja) | 1988-03-24 |
Family
ID=16597504
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21093486A Pending JPS6365419A (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 光アイソレ−タ付半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6365419A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02123321A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-10 | Shojiro Kawakami | 光アイソレータの製造方法および同製造方法に用いられる偏光素子アレイ並びに同製造方法で得られた光アイソレータを一体化した光学モジュール |
US4926430A (en) * | 1988-11-18 | 1990-05-15 | Fujitsu Limited | Laser module with a built-in optical isolator, and method of adjusting the angular position of the optical isolator |
WO1995016216A1 (en) * | 1993-12-10 | 1995-06-15 | Jds Fitel Inc. | Optical non-reciprocal devices |
US5500915A (en) * | 1994-03-18 | 1996-03-19 | Tdk Corporation | Optical fiber terminal pitted with optical isolator |
WO2011009303A1 (zh) * | 2009-07-22 | 2011-01-27 | 武汉华工正源光子技术有限公司 | 防止半导体光放大器管芯激射的封装方法 |
-
1986
- 1986-09-08 JP JP21093486A patent/JPS6365419A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02123321A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-10 | Shojiro Kawakami | 光アイソレータの製造方法および同製造方法に用いられる偏光素子アレイ並びに同製造方法で得られた光アイソレータを一体化した光学モジュール |
US4926430A (en) * | 1988-11-18 | 1990-05-15 | Fujitsu Limited | Laser module with a built-in optical isolator, and method of adjusting the angular position of the optical isolator |
WO1995016216A1 (en) * | 1993-12-10 | 1995-06-15 | Jds Fitel Inc. | Optical non-reciprocal devices |
US5588078A (en) * | 1993-12-10 | 1996-12-24 | Jds Fitel Inc. | Non-reciprocal optical waveguide coupling device |
US5500915A (en) * | 1994-03-18 | 1996-03-19 | Tdk Corporation | Optical fiber terminal pitted with optical isolator |
WO2011009303A1 (zh) * | 2009-07-22 | 2011-01-27 | 武汉华工正源光子技术有限公司 | 防止半导体光放大器管芯激射的封装方法 |
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