JPS6354184U - - Google Patents

Description

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案に係るエレクトロルミネセンス
薄膜表示素子の断面図、第２図は本考案の要部の
拡大断面図、第３図Ａ乃至Ｃはそれぞれ薄膜状マ
イクロレンズを形成する方法を工程順に示す断面
図、第４図は本考案の他の実施例の断面図、第５
図Ａ，Ｂはそれぞれ第４図の実施例の薄膜状マイ
クロレンズを形成する方法を概略的に示す斜視図
及び断面図である。 １０……エレクトロルミネセンス薄膜表示素子
、１２……絶縁基板、１４，２２……第１及び第
２の電極、１６，２０……絶縁層、１８……発光
層、２４……薄膜表示素子本体、２６……薄膜状
マイクロレンズ、２８……低屈折率部、３０……
高屈折率部。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 絶縁基板と前記絶縁基板の上に設けられた
   第１の電極とこの第１の電極に絶縁層を介して設
   けられた発光層と前記発光層の上に絶縁層を介し
   て設けられた第２の電極とを含む薄膜表示素子本
   体から成るエレクトロルミネセンス薄膜表示素子
   において、前記薄膜表示素子の前面に設けられた
   薄膜状のマイクロレンズを更に有することを特徴
   とするエレクトロルミネセンス薄膜表示素子。 (2) 前記絶縁基板は不透明材料で前記第２の電
   極は透明材料から成り、前記マイクロレンズは前
   記第２の電極の上に前記薄膜表示素子本体の画素
   に対応して設けられた低屈折率部と前記低屈折率
   部を覆うように設けられた高屈折率部とから成つ
   ている実用新案登録請求の範囲第１項に記載のエ
   レクトロルミネセンス薄膜表示素子。 (3) 前記絶縁基板と第２の電極は透明材料で前
   記第１の電極は不透明材料から成り、前記マイク
   ロレンズは前記絶縁基板内に拡散して形成された
   低屈折率部から成つている実用新案登録請求の範
   囲第１項に記載のエレクトロルミネセンス薄膜表
   示素子。