JPS6353274A - ガス相からのプラズマ活性化学堆積による導電成型体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は第１導電材料の少なくとも出発化合物を、後に
、除去する第２導電材料の基板上に具え、ガス相からの
プラズマ活性化学堆積により少なくとも前記第１導電材
料より成る成型体を製造する方法に関するものである。

かかる方法は西ドイツ国公開公報第３１４８４４１号（
米国特許第４５３３８５２号明細書）から既知であり、
かようにして製造した成型体を熱陰揃とする。この方法
で使用する基板は所望の陰極の幾何学的形状に従って形
成する。この基板を例えば中空円筒とすると共に例えば
銅、ニッケル、鉄、モリブデン又はその合金で形成する
。この基板上には例えばタングステン、モリブデン、ク
ンタル、ニオブ、白金、オスミウム、ルテニウム、ロジ
ウム、レニウム、イリジウムまたはパラジウムのような
高融点金属、および任意のエミノクおよびドーピング材
料の層状構体を、例えばガス相からの化学的な堆積（Ｃ
ＶＤ法）によって設ける。これら材料の出発化合物とし
ては、例えばハロゲン化物、炭化物、トリフルオロフォ
スフエイン、メタロセン、βジケトネート、およびその
アルコラードを用いる。

ガス相からの化学的堆積は、例えばプラズマ（プラズマ
活性ＣＶＤ法＝ＰＣＶＤ法）により行う。基板の後期除
去は、例えばエツチング、即ち機械的加工および／また
は加熱蒸発によって行う。

プラズマ堆積装置は西ドイツ国公開公報第３１１７２５
２号（米国特許第４４０１０５４号明細書）から既知で
あり、この堆積装置はプラズマ発生スペースおよびこれ
から分離するように配列されたサンプルスペースを具え
、プラズマ発生スペースをこれがマイクロ波空胴共振器
の条件を満足するように構成配置する。被覆すべき基板
は、プラズマが少なくとも部分的に取出されるサンプル
スペース内で空胴共振器の外側に位置させる。

基板に堆積される層は、例えば窒化珪素および二酸化珪
素のような絶縁体または例えば珪素のような半導体より
成るが、例えば珪化モリブデンおよびモリブデンのよう
な電気的な導電材料も用いることができる。この場合サ
ンプルスペース内のプラズマは発数磁界により加速され
るにもかかわらず、極めて低い堆積速度で極めて薄い層
が形成されるだけである。

また、英国公開公報第２０３０１８０号明細書にはイオ
ン被膜法、即ち、高い直流電界によりイオンを発生し且
つ被覆すべき基板に向けて加速する方法が記載されてい
る。この場合反応スペースは導電管およびその両端部を
閉成する２個の絶縁プラグによって形成する。この導電
管の内壁によって被覆すべき基板を構成する。プラズマ
は、反応スペース内で直流電流および／または外部電極
として接続された導電管と反応スペース全体にプラグを
経て同心的に延在する細い管状の内部電極との間の高周
波放電によって発生させる。この場合、導電管と内部電
極との間の電気的な絶縁はプラグによって行う。ガス相
は熱分解または化学的還元によって分解するが、この分
解にマイクロ波または光分解を用いることもできる。ガ
ス相をマイクロ波により分解する場合にはマイクロ波を
反応スペース内に放射する必要があるかまたは導波管を
経て反応スペース内に導入する必要がある。

この既知の方法ではマイクロ波エネルギーの一部分のみ
を用いる。また、マイクロ波は短期間で終了させて厚さ
がほぼ１μｍの極めて薄い層のみを形成する。その理由
は、マイクロ波を誘電体を経てのみ、即ち絶縁プラグを
経てのみ気密封止した反応スペース内に結合するからで
ある。従って反応スペース内の誘電体の表面にも導電材
料が被覆されるようになり、その結果マイクロ波が更に
結合され得なくなる。

本発明の目的はマイクロ波エネルギーを最適に使用して
導電層を堆積すると共に厚さが全体に亘りほぼ１０μｍ
以上の長い連続被膜が得られるようにしたガス相からの
プラズマ活性化学堆積による導電成型体の製造方法を提
供せんとするにある。

本発明方法は、第１導電材料の少なくとも出発化合物を
、後に、除去する第２導電材料の基板上に具え、ガス相
からのプラズマ活性化学堆積により少なくとも前記第１
導電材料より成る成型体を製造するに当り、前記第１導
電材料を堆積する前記基板の少なくとも一部分により部
分的に内壁を形成するマイクロ波空胴共振器として構成
された反応スペース内にガス相を導入し、この反応スペ
ースの前記第１導電材料を成長しない個所にマイクロ波
を供給し、このマイクロ波によって反応スペース内に定
在マイクロ波電界を発生させることを特徴とする。

反応スペースを幾何学的に設定してその特定の寸法が、
周波数ν＝Ｃ／λのマイクロ波の所定のウェーブモード
に対する共振条件を４足するようにして定在マイクロ波
の電界を発生させるようにする。ここにＣは光の速度、
λは波長とする。これは、反応スペースをこれがマイク
ロ波空胴共振器として作動するように構成することを意
味する。

換言すれば、これは、空洞共振器、即ち反応スペースに
供給されるマイクロ波の周波数を空胴共振器の共振周波
数の１つに整合させることを意味する。この空洞共振器
の設計および作動の更に詳細な説明は、エッチ・フラン
クによる文献“レキシコン　デル　フィシツク”　（ス
タットガー）　１９６１年）第１４０５〜１４０６頁、
およびエッチ　ブッシュナー＋：ヨル文献’“ベルム　
デュルヒ　ミクロベーレン″”（アインドーフェン１９
６４年）第１７５〜２０１頁に記載されている。

従って、本発明は、被覆すべき基板を特別に構成された
マイクロ波共振器の内壁の一部分とするようなマイクロ
波プラズマ１こよってガスト目からの化学的堆積の活性
化を増大すると言う事実を基として成したものである。

これがため、西ドイツＩ公開特許第３１１７２５２号公
報による圧力よりも高い圧力で処理を行い得るようにす
ると共に堆積速度を１００倍も速くすることができる。

空胴共振器の幾何学的寸法は、基板の寸法、共振器の型
の選定および発振の所望のモードによって決めることが
でき、この際、成る用途に従って１菱先順位が存在する
ことは勿論である。

本発明の好適な例では、マイクロ波を案内する導波管か
ら適宜に選定された同調可能な結合装置を経て単一の極
めて特定の共振モードを励振し得るようにする。

また、基板の表面に対し直角を成して終端するマイクロ
波の電界ベクトルの１個または数個の彎曲部が基板に沿
って延在するＴＥ波モード（ＴＥ、、。

波モード）を励振し得るようにするのが有利である。こ
れがため基板の表面に最高のプラズマ密度を形成するこ
とができる。

反応スペースをマイクロ波空洞共振器として最適に作動
させるためには、反応スペースの幾何学的構成が０．１
ｍｍの公差を保持し得るようにするのが有利である。ま
た、反応スペースの内壁の形状、平滑さおよび導電性は
空胴共振器を最適に作動させるためには重要である。

導電材料の層は回転対称の空胴共振器の内壁に堆積する
のが好適である。斯かる共振器では堆積中に成長する導
電層のため共振器を空胴の直径の変化に不感性とすると
言う事実のため、モード構体が形成されるようになる。

しかし、矩形および球形の空胴共振器も極めて好適であ
る。

空洞共振器のＱは少なくとも１００　とするのが好適で
あるが本発明方法によれば技術的にＱを５００００にす
ることもできる。ここに言うＱとは周期当りの結合電力
と損失電力との商を意味するものとする。このＯについ
ての更に詳細な説明は上述した文献に記載されている。

導電層が例えば堆積中に成長し、処理中に幾何学的寸法
が変化するため、殆どの場合、機械的および／または電
気的微同調によって選定したウェーブモードに対するマ
イクロ波の周波数および共振器の周波数を堆積中共振さ
せるようにするのが有利である。これがため、例えば微
同調を最小の反射電力で行う制御トラックを経てマイク
ロ波送信機の周波数を適合させることにより上記共振を
行うかまたは例えば断続周波数ウオブリングで上記共振
を行うようにする。

本発明方法を長期間用いて例えば、任意の数個の構成素
子を形成する厚さが２０〜１００μｍの層を製造する場
合には、短絡が生じるようになる。その理由はマイクロ
波エネルギーを反応スペースに供給する結合個所に導電
層が成長するからである。

この理由で、結合個所に導電層が成長されないようにす
る手段を講する必要がある。これがため、例えば結合個
所に洗浄ガス、例えばアルゴンのようなヘリウム−群ガ
スを供給し得るようにする。

或いはまた、堆積の代わりにエツチング反応が起る反応
スペースの表面の結合個所に選択的に被覆を行わない絶
縁体を設けることもできる。

本発明方法の更に好適な例では、基板の長さを共振器の
長さよりも長くし、この基板を反応スペースのプラズマ
および残りの壁部に対して周期的または非周期的に移動
させるようにする。堆積中基板を移動させることによっ
て堆積した導電層を著しく均質化することができる。ま
た、堆積を行う基板の面積を広くする。本例の他の利点
は、共振器よりも長い基板を往復運動させて均質な層を
製造する際に電力を増大し、且つ外側傾斜部を長くして
もプラズマ延長部が一定に保持されること、即ち厚さを
変化させるプラズマ延長部分が発生しないことである。

また、ガス入口、ガス出口、マイクロ波結合および移動
用光学摺動接点接続用の空胴共振器の開口をできるだけ
小さくするのが有利である。従って、空胴共振器のマイ
クロ波電力を著しく増大する場合にもマイクロ波は殆ど
漏洩せず、傾斜堆積層は常時一定に、しかも空胴共振器
の反応スペースの実際の長手方向に延長されたものより
も短く保持されるようになる。

堆積層および成型体の夫々基板からの取外し、即ち剥離
は例えば西ドイツ公開公報第３１４８４４１号に記載さ
れているような既知の方法によって行うことができる。

また、前述した出発化合物の任意のもの並びにメタル−
ヘプタフルオロジメチルオクタンジオネートおよびメタ
ル−アセチルアセトネートを出発混合物として用い、こ
れにより例えば炭化タングステンおよび酸化トリウムの
ような炭化物および酸化物を有する前述した材料の構体
を製造することができる。

空胴共振器は鋼または銅で造るのが好適である。

本発明方法により特に高温に適用する任意の型の自己支
持成型体または層を製造することができる。本発明方法
により製造した成型体は、前述した熱陰極、フィラメン
ト陰極だけでなく、種々の用途、例えばプラズマチェン
バの壁部、高出力レーザの内管、および原子炉の内部被
覆に対する高融点チューブとしても用いることかできる
。

図面につき本発明の詳細な説明する。

例　　１ 第１図に線図的に示す円筒形マイクロ波空胴共振器を用
いて、達成すべき代表的な被膜厚さ、即ち成型体の壁厚
を５０μｍ〜２００μｍとする外径がＤ＝３０ｍｍ、長
さがＬ＝２３．３ｍｍの金属円筒を製造する。

円筒形空胴共振器の外側壁部を基板チューブ１により形
成し、この基板チューブ１を堆積用の基板として用いる
と共に個別の円筒より成る反応管２内に容易に嵌装し得
るようにする。２個の共振器端板３および４を２個のス
ペーサロッド５および６により連結するかまたはスペー
サロッドを用いることなく互いに一定の距離に両側から
往復動し得るようにし、且つその壁部間隔をほぼ０．２
〜０．５１１１［０とする。上側の共振器端板３には結
合ピン７の形態の結合個所を設ける。マイクロ波の結合
は同軸導体８を経て行い、その内部導体、即ち結合ピン
７を共振器内に軸線方向に僅かだけ延在させてＴＭｏ　
＋　＋モードの励振を行い得るようにする。

また、共振器端板３および４には孔をあけてガスの流入
および流出が容易となるようにする。更に結合ピン７を
用いて作動開始時に直流放電によりプラズマを点弧し得
るようにする。反応ガスは矢印９で示すガス供給部（人
口）から基板チューブ１および共振器端板４間の空隙を
経て矢印１０および１１で示すように共振器内に流入し
、且つ矢印１２および１３で示すようにガス出口（矢印
１４）に流出させる。同軸導体８は内部導体（７）およ
び外部導体（８）間の中間スペース内で矢印１５および
１６により示すように不活性洗浄ガスにより洗浄し、こ
の不活性洗浄ガスも共振器内に流入させると共に矢印１
２および１３で示すように流出させる。反応ガスを例え
ば訃。およびＨ２とする場合には形成されたＨＦによる
エツチング反応のため被覆されないマイクロ波結合個所
として硬質または軟質ガラス窓（図示せず）を用いるこ
とができる。同軸導体８並びに共振器端板３および４は
矢印１７および１８で示すように基板チューブ１内で軸
線方向に周期的に往復動させるようにする。基板チュー
ブを更に加熱する加熱巻線１９を反応管２の外壁に設け
る。

第２図は第１図のマイクロ波構体および上記実施例の回
路配置を示す。例えばタライストロンまたはカルジノト
ロンのような共振器２．１から絶縁体２．２を経て４方
向サーキュレータ２．３にマイクロ波電力を供給し、こ
の際支路すに到達したマイクロ波電力がトＨ同調器２．
４を経て同調されるため、フレキシブルな導波管部分２
．７および同軸ライン２．８を経て空胴共振器２．９内
でマイクロ波プラズマと結合されたマイクロ波電力は最
大となる。

これは、検出ダイオード２．５で検出されたマイクロ波
電力が最小となるようにε−Ｈ同調器２．４の同調が行
われることを意味する。支路Ｃから支路すに反射された
マイクロ波は導波管２．６で吸収され共振器２．１に最
早や同調されなくなる。この際絶縁体２．２は追加の戻
り損失として作用するため共振器の安定性は妨害されな
くなる。後に示す実施例２においても同様の構成を用い
るものとする。

第１図に示す装置を設計し、且つ励振周波数を選定する
に当り、以下に示す数値例では、例えば比Ｄ／Ｌ＝　ｌ
　：１．２９　　から出発し、バーデンーヒューラーの
″マイクロ波″第１０１頁のモードカードから明らかな
ように、ＴＭｏｚ　モードに対して条件（［、［））２
．９　・ｌＱ１８ｍ２）Ｉｚ２を適用する。Ｄ＝３０ｍ
ｍとするとｆ＝３　・１０８Ｈｚ　−ｍ１０．０３ｍ　
＝　１０”）ｌｚとなる。

従って代表的な電力１００〜３００　Ｗｃｗによりｌ０
Ｃ）Ｉｚの周波数の可同調Ｘバンド発振器により励振を
行う。

共振器の設計に対しても上述した所と同様の結果を夫々
得ることができる。また、Ｄ＝３０ｍｍとすると種々の
異なるウェーブモードＴＭ、に対し境界波長λＴＭ／Ｇ
を決めることができる。従って次式％式％ ここにＴ　ｎ＋ａはベッセル関数Ｉ７のｎ番目の零位置
を示す。ＴＭｏｚに対してγ。、＝２．４０５とすると
、λ。

＝２　π・１．５　ａｍ／２．４０５ｃｍ＝３．９１９
ｃｍとなる。これは、かかる導波管において真空長λく
λ、を有するこの型の波長のみを拡大し得ることを意味
する。この条件に従ってνを１０．０　ＧＨ，に設定す
ると、サーキュラ円筒形導波管のＴＭｏＩモードに対し
次に示す導波管の波長へを得ることができる。

Ａ＝λ／ｆπＴΣ口Ｔ戸　または ハ＝　４．６６３　ａｍ サーキュラ円筒形空胴共振器に対する共振０００はＬ＝
ｐＡ／２であり、これは上記円筒形空胴共振器の高さＬ
を△／２の整数とする必要があることを示す。

これは、ＴＭｏ＋＋発振に対しＬ＋□２．３３１ｃｍＳ
ＴＭｏ＋２発振に対しＬ２・４．６６３ｃｍとなること
を意味する。この共振器（ａ、ｔ、＋）は所定の自然周
波数を有すると共にモード励振に従って自然周波数の可
算無限級数の周波数を有することができる。例えば上述
した共振器ではＴＭｏ　＋　ｏモードに対する共振周波
数をしＴＭｏ＋ｏ　；７．６１　ＧＨｚとし、ＴＥ＋ｚ
　モードに対する共振周波数を８．４３６）ｌｚとする
（ゲー・クラ−ゲスによる“アインヒュールング　イン
　ディ　マイクロベーレン　フィシツク”　（ダルムス
タット１９６７年）参照）。

例　　２ 第３ａ図および第３ｂ図に示すように本例では同軸マイ
クロ波共振器を用いる。この場合、共振器端板３および
４を有する共振器外側壁部２０を固定し、基板チューブ
１を設けた内側円筒２は共振器を経て周期的に往復動じ
得るようにし、この場合のストロークを共振器の長さの
整数倍とする。従って反応ガス（矢印１０および１１）
は、端板３および４と、基板チューブ１との間の環状ス
ロットを経て共振器２１内に流入する。内側反応管２は
加熱電流供給導線２２を有する加熱巻線１９によって予
備加熱する。反応ガスは共振器の反対側に設けた関連の
環状スロットを経て矢印１２で示すように流出させる。

基板チューブ１と共振器端板３および４との間を電気的
に接触させるためにこれら共振器端板および基板チュー
ブ間にブラシ状摺動接点（図示せず）を設けるのが好適
であり、これによって微細な粒状堆積を行うこともでき
る。マイクロ波電力は、矩形導波路２３および同軸結合
部材８を経てプラズマを発生させる共振器２１に供給す
る。同軸共振器のＴＥＭ基本発振（レッヘル型）を行う
ためには同軸ラインの延長内部導体を半径方向における
結合ピン７として用いる。

しかし、その他の結合として、例えば結合孔を経る結合
、または軸線に対し直角を成す面で共振器外壁に同軸内
部導体を接続する結合を用いることもできる。この場合
には縦方向Ｈ電界しかがって縦方向マイクロ波電界を励
振し得るようにする。

この際最も低いＴＥモードが好適である。その理由は表
面に対するＥ電界成分が必要となり、Ｅリング電界を有
効に用いてＶｘＨおよびＥｘＨドリフト運動を経てのみ
イオンを所望の方向に向けることができるからである。

本発明方法はＴＭモードに対しても実施することができ
る。所望の方向に従って適切な高いモードでガススペー
ス内の拡散路を長（し、イオン衝撃数を増大させること
ができる。高いモードを用いることにより相対遅動のス
トロークを減少させることができる。

その理由は電界の交叉個所に数個の局部的に増大したプ
ラズマ濃度部分を存在させることができ、その結果−層
迅速にプロフィール（厚さおよび濃度）の補正を行うこ
とができる。設計に当たっては次に示す境界条件を適用
する。

共振器の内側円筒の半径をｒ□、外側円筒の半径をｒａ
、共振器の長さをＬとすると、７８Ｍモード、即ち純粋
な縦方向電界および純粋な縦方向磁界に対してのみ以下
に示す条件を適用することができる。

π（ｒｉ　十ｒａ）　＜λ。　および Ｌ＝ｎ　　・λ／２ （ゲー・ニムッによるパマイクロ波゛′（ミュンヘン１
９８０年、第３９頁参照）。

ｒｉ　＝　１．５　Ｃｍ、　　ｒａ＝　１．５　ｒｔ　
　とすると、λｏ　＞　１１．２ｃｍまたはＩ、’ｏ　
（２，７ＧＨｚとなり、ν。＝２．４５ＧＨｚとすると
し−１７２，λｏ＝６．１ｃ＋ｎとなる。

ν。をかように選定するのは単に技術的な理由である。

ｒａ　＝　ｔ、５ｒ＋　とする代わりにＱの最適値とし
てｒａ　”３．６　ｒｉを用いる場合には周波数条件と
してνｏ＜１．４ＧＨｚとなり従ってＬは２倍の長さと
なり、これは特定のプラズマ濃度に対し不所望である。

或いはまた、基本モードにおける局部プラズマ濃度を大
きくし、且つ例えば基板チューブの直径ｒ＝１．５ｃｍ
を一定にすると、ｒａ　’＝１．５　ａｍ。

ｒｉ　＝　０．５　ｃｍとなる。例えば一定とし得る基
板チューブを外部円筒導体として用いる場合には加熱を
行う必要はない。細い内部チューブは加熱しないままと
し、従って中心部で不活性ガスにより洗浄された結合を
行い、端板を内部チューブに剛固に連結した共振器にマ
イクロ波エネルギーを供給する同軸導波管として用いる
。本例では端板を有する内部チューブを周期的に往復動
させるようにする。従って反応ガスは端板および基板チ
ューブ間の環状スロットを経て流入し、且つ他側から吸
引により流出させる。上述した寸法とすることにより以
下に示す数値を得ることができる。

π・（ｒｒ＋ｒａ）　＝６．２８ｃｍ＜λ。またはνｏ
　＜　４．７７　ＧＨｚ νｏ　＝　４．７７　ＧＨｚ　　とする場合にはＴＥＭ
基本モードに対しＬ＝３．２ｃｍとなった。かように配
列することにより良好な局部プラズマ濃度を得ることが
できた。

第４図は第２図に示すマイクロ波構体の変更例を示す。

本例では往復運動を行う波長を個別に測定し、従って共
振器で消費される電力を決めるようにする。例えばマグ
ネトロンまたはクライストロンのような発振器４．１か
ら絶縁体４．２およびＥ−Ｈ同調器４，３を経て３方向
サーキニレータ４．４（入力端子ａ）にマイクロ波電力
を供給する。出力端子すで結合されたマイクロ波は、可
撓性導波管部材４．１２および同軸導波管４．１３を経
てプラズマチェンバの反応スペースに等しい空胴共振器
４．１’４に到達する。

共振器の前段には他のＥ−）１同調器４．１５およびピ
ン変換器またはピンチラインを設けるのが好適である。

プラズマ内での電力結合は前進方向（４，６）および後
進方向（４，８）の２個の２０ｄＢ方向性カプラ並びに
２個の検出器４，７および４．９を経て行う。

定在波計および電力測定袋ｆｆ１４．１０の各々では、
前進および反射マイクロ波を直接形成するか、または２
個の検出器間をスイッチを経て前進方向および後退方向
の切換えを行うようにする。トラック上で共振器に反射
される電力は端子すから端子Ｃに流れて導波管終端４．
５で吸収される。

例えばｌｌ＋７ｈｏ。堆積の代表的な堆積条件は、次の
通りである。

弓１１Ｆ６を、流速１０〜６０ｓｅｃｍ（＝常規条件（
０℃、１０１３ｈＰａ）に対する１分間当りのｃ＋ｎ３
）で流す。

・Ｈ２を、流速１００〜６００ｓｅｃｍで流し、Ａｒを
流速１００〜４００ｓｅｃｍで流し、飽和温度を１４０
℃とし、飽和器にＴｈテトラキス−（ヘプタフルオロジ
メチルオクタンジオネート）を充填させる。

・基板チューブ温度を２５０〜５００℃として、反応器
の全圧力を５〜３０ｈＰａとする。

かかる共振器構体とすることによって、数個の反応性充
填ガス組成物を充填した数個の共振器を直列に組合せ、
これら充填ガス組成物を共通の基板チューブ上に集めて
所望の層構体を得るようにする。

極めて高い、またはほぼ等量の生成物を得るに好適な条
件ではマイクロ波供給に対する洗浄ガスを省略し、排気
を結合個所を経て行うようにすることもできる。

本発明方法は、ＣＶＤ法により製造し得且つその製造を
マイクロ波活性化ＣＶＤ法により行う任意の導電層構体
に用いることができる。

要約するに本発明によれば導電層および成型体を、ガス
層からのマイクロ波プラズマ活性化学堆積によって定在
マイクロ波電界で堆積することができる。この堆積は、
表面の一部分をマイクロ波空胴共振器の内壁の一部分と
する導電基板で行う。

これがため、マイクロ波エネルギーを好適に用いること
ができる。また、マイクロ波の結合個所（窓）には導電
層が堆積されないようにする手段を講する。この基板は
プラズマおよび共振器の残存壁部に対し周期的または非
周期的に動かずのが好適である。

【図面の簡単な説明】

第１図は円筒形マイクロ波空胴共振器を有する堆積装置
の一例を示す断面図、 第２図は堆積装置の回路配置を示す接続図、第３ａは同
軸マイクロ波空胴共振器を有する堆積装置の他の例を示
す断面図、 第３ｂ図は同じくその斜視図、 第４図は第２図に示す回路配置の他の例を示す接続図で
ある。 １・・・基板チューブ　　　２・・・反応管３．４・・
・共振器端板５．６・・・スペーサロッド７・・・結合
ピン　　　　　訃・・同軸導体９　、１０．１１．１２
．１３．１４．１５．１６．１７．１８・・・矢印１９
・・・加熱巻線　　　　　２０・・・共振器外側壁部２
１・・・空胴共振器　　　　２２・・・加熱電流供給導
線２３・・・矩形導波管 ＦＩＧ、３ａ ＩＧ３ｂ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、第１導電材料の少なくとも出発化合物を、後に、除
   去する第２導電材料の基板上に具え、ガス相からのプラ
   ズマ活性化学堆積により少なくとも前記第１導電材料よ
   り成る成型体を製造するに当り、前記第１導電材料を堆
   積する前記基板の少なくとも一部分により部分的に内壁
   を形成するマイクロ波空胴共振器として構成された反応
   スペース内にガス相を導入し、この反応スペースの前記
   第１導電材料を成長しない個所にマイクロ波を供給し、
   このマイクロ波によって反応スペース内に定在マイクロ
   波電界を発生させることを特徴とするガス相からのプラ
   ズマ活性化学堆積による導電成型体の製造方法。 ２、反応スペースに供給するマイクロ波の周波数をマイ
   クロ波空胴共振器として形成された反応スペースの共振
   周波数の１つに整合させるようにしたことを特徴とする
   特許請求の範囲第１項に記載のガス相からのプラズマ活
   性化学堆積による導電成型体造方法。 ３、マイクロ波を案内する導波管から適宜に選定された
   同調可能な結合装置を経て単一の極めて特定の共振モー
   ドを励振するようにしたことを特徴とする特許請求の範
   囲第２項に記載のガス相からのプラズマ活性化学堆積に
   よる導電成型体造方法。 ４、基板の表面に対し直角を成して終端するマイクロ波
   の電界ベクトルの１個または数個の彎曲部が基板に沿っ
   て延在するＴＥ波モード（ＴＥ＿ｎ＿ｍ＿ｐ波モード）
   を励振することを特徴とする特許請求の範囲第３項に記
   載のガス相からのプラズマ活性化学堆積による導電成型
   体造方法。 ５、第１導電材料の層を、回転対称型空胴共振器の内壁
   に堆積することを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
   載のガス相からのプラズマ活性化学堆積による導電成型
   体造方法。６、第１導電材料の層を、矩形空胴共振器の
   内壁に堆積することを特徴とする特許請求の範囲第１項
   に記載のガス相からのプラズマ活性化学堆積による導電
   成型体造方法。 ７、第１導電材料の層を球形空胴共振器の内壁に堆積す
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のガス
   相からのプラズマ活性化学堆積による導電成型体造方法
   。 ８、空胴共振器のＱを少なくとも１００としたことを特
   徴とする特許請求の範囲第５項、第７６項、第７項に記
   載のガス相からのプラズマ活性化学堆積による導電成型
   体造方法。９、選択したウェーブモードに対しマイクロ
   波周波数および共振周波数を、堆積中機械的および／ま
   たは電気的微同調により共振状態に保持するようにした
   ことを特徴とする特許請求の範囲第２項又は第３項に記
   載のガス相からのプラズマ活性化学堆積による導電成型
   体造方法。 １０、洗浄ガスを導入するかまたは選択的に被覆し得な
   い絶縁体を組込むことによって反応スペースの、これに
   マイクロ波エネルギーを供給する個所に導電層が成長さ
   れないようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第１
   項に記載のガス相からのプラズマ活性化学堆積による導
   電成型体造方法。 １１、外方に延長させた基板を、反応スペースのプラズ
   マおよび残りの壁部に対して周期的に、または非周期的
   に移動させるようにしたことを特徴とする特許請求の範
   囲第１項に記載のガス相からのプラズマ活性化学堆積に
   よる導電成型体造方法。 １２、ガス入口、ガス出口、マイクロ波結合および移動
   用光学摺動接点接続用の開口をできるだけ小さくした空
   胴共振器を用いるようにしたことを特徴とする特許請求
   の範囲第１項または第１１項に記載のガス相からのプラ
   ズマ活性化学堆積による導電成型体造方法。