JPS6351633A - Ｘ線露光マスク - Google Patents
Ｘ線露光マスクInfo
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- JPS6351633A JPS6351633A JP61196093A JP19609386A JPS6351633A JP S6351633 A JPS6351633 A JP S6351633A JP 61196093 A JP61196093 A JP 61196093A JP 19609386 A JP19609386 A JP 19609386A JP S6351633 A JPS6351633 A JP S6351633A
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- Japan
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- ray
- supporting frame
- thin plate
- thin film
- mask
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は超高真空中においても磁力を用いて把持し得る
高平面度Ｘ線露光マスクに関する。
高平面度Ｘ線露光マスクに関する。
［従来の技術］
従来、Ｘ線露光マスクは、ＡＵ、Ｐｔ、Ｗ若くはＴａ等
の単金属で形成したＸ線の吸収体パターンをＳｉ、Ｓｉ
Ｎ、Ｘ、ＳｉＣ，ＢＮ又はポリイミド等の材料から成る
Ｘ線透過性薄膜で支持し、上記薄膜を３ｉ若くはパイレ
ックスガラス等の補強枠で支持する構造のものが用いら
れてきた。
の単金属で形成したＸ線の吸収体パターンをＳｉ、Ｓｉ
Ｎ、Ｘ、ＳｉＣ，ＢＮ又はポリイミド等の材料から成る
Ｘ線透過性薄膜で支持し、上記薄膜を３ｉ若くはパイレ
ックスガラス等の補強枠で支持する構造のものが用いら
れてきた。
［発明が解決しようとする問題点］
Ｘ線露光法においては、一般に点光源から放射状に発散
するＸ線束を転写媒体として用いているため、Ｘ線露光
マスクとウェハの間隔に比例した半影ボケと幾何学的位
置ずれが生ずる。半影ポケはパターンの解像性を劣化さ
せ、幾何学的位置ずれはマスクの位置合せ精度を劣化さ
せるため、サブミクロンレベルの微細パターンを高精度
で位置合せし、且つ転写するためには平面度に優れたマ
スクを用いてマスクとウェハの間隔を高々数十卯程度に
精密に制御しつつ露光する必要がある。このため、従来
は一般に大口径のウェハに対して比較的小口径のＸ線露
光マスクを用いて大気中で上記Ｘ線露光マスクの支持枠
部とウェハをそれぞれ高精度に加工したステージ上に真
空吸着して双方の反りを矯正し、およそ１０μｓないし
４０μｓの間隔に制御しつつステップ・アンド・リピー
ト露光していた。
するＸ線束を転写媒体として用いているため、Ｘ線露光
マスクとウェハの間隔に比例した半影ボケと幾何学的位
置ずれが生ずる。半影ポケはパターンの解像性を劣化さ
せ、幾何学的位置ずれはマスクの位置合せ精度を劣化さ
せるため、サブミクロンレベルの微細パターンを高精度
で位置合せし、且つ転写するためには平面度に優れたマ
スクを用いてマスクとウェハの間隔を高々数十卯程度に
精密に制御しつつ露光する必要がある。このため、従来
は一般に大口径のウェハに対して比較的小口径のＸ線露
光マスクを用いて大気中で上記Ｘ線露光マスクの支持枠
部とウェハをそれぞれ高精度に加工したステージ上に真
空吸着して双方の反りを矯正し、およそ１０μｓないし
４０μｓの間隔に制御しつつステップ・アンド・リピー
ト露光していた。
ところが、最近ノボラック樹脂系ポジ型レジストのＮＰ
Ｒ（ジャーナル・オブ・エレクトロケミカル−’／サイ
ニーｒ イ、Ｖｏ１．１２８． Ｎｏ、６． Ｐ、１３
０４゜１９８１ ＞や、塩素系ネガ型レジストのＣＰＭ
Ｓ（Ｃｈｌｏｒｉｎａｔｅｄ Ｐｏ１ｙ−）１ｅｔｈｙ
ｌ ５ｔｙｒｅｎｅ） （ジャーナル・オブ・バキュ
ウム・サイエンス・アンド・テクノロジー・１３． Ｖ
ｏｌ、１．Ｐ、１１５６．１９８３）等は大気中で露光
すると、真空中露光の場合に比へて感度か１７２ないし
１７３程度に劣化することが明らかになった（ジャパニ
ーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・ノイズイックス
、 Ｖｏｌ、２４． Ｎｏ、７． Ｐ、Ｌ５４５゜１９
８５＞。またＸ線露光に用いる軟Ｘ線は、空気によって
も吸収され易い為、大気中露光方式の場合には少なくと
もＸ線源とマスクの間の空間をＨｅ等の希ガスで置換す
る必要があり、この結果マスク位置合せ装置が複雑且つ
高価になるなどの欠点もあった。
Ｒ（ジャーナル・オブ・エレクトロケミカル−’／サイ
ニーｒ イ、Ｖｏ１．１２８． Ｎｏ、６． Ｐ、１３
０４゜１９８１ ＞や、塩素系ネガ型レジストのＣＰＭ
Ｓ（Ｃｈｌｏｒｉｎａｔｅｄ Ｐｏ１ｙ−）１ｅｔｈｙ
ｌ ５ｔｙｒｅｎｅ） （ジャーナル・オブ・バキュ
ウム・サイエンス・アンド・テクノロジー・１３． Ｖ
ｏｌ、１．Ｐ、１１５６．１９８３）等は大気中で露光
すると、真空中露光の場合に比へて感度か１７２ないし
１７３程度に劣化することが明らかになった（ジャパニ
ーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・ノイズイックス
、 Ｖｏｌ、２４． Ｎｏ、７． Ｐ、Ｌ５４５゜１９
８５＞。またＸ線露光に用いる軟Ｘ線は、空気によって
も吸収され易い為、大気中露光方式の場合には少なくと
もＸ線源とマスクの間の空間をＨｅ等の希ガスで置換す
る必要があり、この結果マスク位置合せ装置が複雑且つ
高価になるなどの欠点もあった。
本発明の目的は真空中においてもマスクホルダーに容易
に装着可能で、しかもウェハとの間隔を故卯ないし数十
期に狭め１仔るＸ線露光マスクを提供することにある。
に装着可能で、しかもウェハとの間隔を故卯ないし数十
期に狭め１仔るＸ線露光マスクを提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明はＸ線吸収体パターンと、該Ｘ線吸収体パターン
を支持するＸ線透過性薄膜と、該Ｘ線透過性薄膜の外周
を固着支持する支持枠と、該支持枠の一主平面上に固着
した強ｆａ性体薄板とを有することを特徴とするＸ線露
光マスクで必る。
を支持するＸ線透過性薄膜と、該Ｘ線透過性薄膜の外周
を固着支持する支持枠と、該支持枠の一主平面上に固着
した強ｆａ性体薄板とを有することを特徴とするＸ線露
光マスクで必る。
［作 用］
このような構造を有する本発明のＸ線露光マスクは電磁
石を用いたＸ線露光マスクホルダーによって把持するこ
とが可能であり、如何なる高真空雰囲気中に於いても一
定の保持力が１７られ、且つこのＸ線露光マスクを把持
する為に、該Ｘ線露光マスクの主平面（パターンを形成
した側）側に突出する如何なる治具も必要としないので
、真空中に於ける近接ＸＩ！露光が可能である。
石を用いたＸ線露光マスクホルダーによって把持するこ
とが可能であり、如何なる高真空雰囲気中に於いても一
定の保持力が１７られ、且つこのＸ線露光マスクを把持
する為に、該Ｘ線露光マスクの主平面（パターンを形成
した側）側に突出する如何なる治具も必要としないので
、真空中に於ける近接ＸＩ！露光が可能である。
［実施例］
以下、本発明の一実施例を図により説明−する。
第１図は本発明のＸ線露光マスクの模式断面図を示す。
所望のパターンを構成するＡＩＪ、Ｐ↑。
Ｗ又はＴａ等の単金属から成るＸ線吸収体パターン１１
は軟Ｘ線を良く透過するＳｉ、Ｈ，Ｃ，Ｎ。
は軟Ｘ線を良く透過するＳｉ、Ｈ，Ｃ，Ｎ。
Ｏ等の軽元素から成る材料で形成したＸ線透過性薄膜１
２の主平面上に形成され、このＸＩ！透過性薄膜１２は
Ｓｉ又は石英等の支持枠１３によって外周部を支持され
ている。上記支持枠１３の他方の表面上にはＦｅ、Ｃｏ
、Ｎ ｉ等の強磁性元素又はこれ等の強磁性元素を含む
合金からなる薄板１４が接着剤により固定されている。
２の主平面上に形成され、このＸＩ！透過性薄膜１２は
Ｓｉ又は石英等の支持枠１３によって外周部を支持され
ている。上記支持枠１３の他方の表面上にはＦｅ、Ｃｏ
、Ｎ ｉ等の強磁性元素又はこれ等の強磁性元素を含む
合金からなる薄板１４が接着剤により固定されている。
この薄板１４は電磁石からなるＸ線露光マスクボルダ−
による把持力を十分に高めるために少なくとも約１００
伽以上の厚みがおり、月つ前記支持枠１３の仝而を覆う
ように予めｈ０工されたものを用いる。
による把持力を十分に高めるために少なくとも約１００
伽以上の厚みがおり、月つ前記支持枠１３の仝而を覆う
ように予めｈ０工されたものを用いる。
［発明の効果１
本発明のＸ線露光マスクはＸ線吸収体パターンを形成し
たＸ線透過性薄膜の周囲を補強支持する支持枠の一表面
上に強磁性体からなる薄板を固着せしめて前記支持枠と
一体化させているため、高真空雰囲気中においても電磁
石を用いたＸ線マスクホルダーにより把持することがで
きる。一方、パターンを転写すべきウェハは現在一般に
直径６インチないし８インチのものが用いられてＪ３す
、Ｘ線露光マスクの直径の数イ）３の口径を何する。し
たがって、ウェハを真空中で把持する場合は外周端を押
えの爪を用いて１クエハステージに固定すれば良く、本
発明のＸ線露光マスクを用いてステップ・アンド・リピ
ート・プロキシミティ露光が高真空中においても可能で
ある。この結果、従来のように大気中で露光した場合の
レジストの茗しい感度低下が防止でき、生産性が大幅に
向上できる効果を有するものである。
たＸ線透過性薄膜の周囲を補強支持する支持枠の一表面
上に強磁性体からなる薄板を固着せしめて前記支持枠と
一体化させているため、高真空雰囲気中においても電磁
石を用いたＸ線マスクホルダーにより把持することがで
きる。一方、パターンを転写すべきウェハは現在一般に
直径６インチないし８インチのものが用いられてＪ３す
、Ｘ線露光マスクの直径の数イ）３の口径を何する。し
たがって、ウェハを真空中で把持する場合は外周端を押
えの爪を用いて１クエハステージに固定すれば良く、本
発明のＸ線露光マスクを用いてステップ・アンド・リピ
ート・プロキシミティ露光が高真空中においても可能で
ある。この結果、従来のように大気中で露光した場合の
レジストの茗しい感度低下が防止でき、生産性が大幅に
向上できる効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明のＸ線露光マスクを示ず模式断面図であ
る。
る。
Claims (1)
- （１）Ｘ線吸収パターンと、該Ｘ線吸収体パターンを支
持するＸ線透過性薄膜と、該Ｘ線透過性薄膜の外周を固
着支持する支持枠と、該支持枠の一主平面上に固着した
強磁性体薄板とを有することを特徴とするＸ線露光マス
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61196093A JPS6351633A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | Ｘ線露光マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61196093A JPS6351633A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | Ｘ線露光マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6351633A true JPS6351633A (ja) | 1988-03-04 |
Family
ID=16352095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61196093A Pending JPS6351633A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | Ｘ線露光マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6351633A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0294423A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Canon Inc | Ｘ線マスク構造体 |
| US5656398A (en) * | 1988-09-30 | 1997-08-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of making X-ray mask structure |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6068340A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-18 | Canon Inc | Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体の保持方法 |
| JPS60251621A (ja) * | 1984-05-29 | 1985-12-12 | Hitachi Ltd | Ｘ線マスク及びこれを用いたｘ線露光装置 |
-
1986
- 1986-08-20 JP JP61196093A patent/JPS6351633A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6068340A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-18 | Canon Inc | Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体の保持方法 |
| JPS60251621A (ja) * | 1984-05-29 | 1985-12-12 | Hitachi Ltd | Ｘ線マスク及びこれを用いたｘ線露光装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0294423A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Canon Inc | Ｘ線マスク構造体 |
| US5656398A (en) * | 1988-09-30 | 1997-08-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of making X-ray mask structure |
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