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JPS63500658A - グリセロ―3(2)―ホスホ―l―セリン誘導体又はその塩及びこれを含有する薬学的調製物 - Google Patents

グリセロ―3(2)―ホスホ―l―セリン誘導体又はその塩及びこれを含有する薬学的調製物

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JPS63500658A
JPS63500658A JP61503925A JP50392586A JPS63500658A JP S63500658 A JPS63500658 A JP S63500658A JP 61503925 A JP61503925 A JP 61503925A JP 50392586 A JP50392586 A JP 50392586A JP S63500658 A JPS63500658 A JP S63500658A
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phospho
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glycero
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JP61503925A
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ブラッハウイッツ・ハンス
ランゲン・ペーター
レーマン・クリスチィーネ
マテス・エッカルト
シイルト・ユルゲン
フィヒトネル・イドゥナ
ヘルメテル・アルビン
パルトアウフ・フリードリッヒ
Original Assignee
ハフスルント・ニコメド・フアルマ・アクチエンゲゼルシヤフト
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Priority claimed from DD27856185A external-priority patent/DD239209A1/de
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    • C07F9/00Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
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    • C07F9/06Phosphorus compounds without P—C bonds
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 グリセロ−3(2)−ホスホ−L−セリン誘導体及びその塩、その製造方法及び これを含有する薬学的調製物 本発明は一般式 Aは非置換又は置換(Cs−Cso’)−アルコキシ、非置換又は置換(c、− cSo)−アルケノキシであり、この際アルケノキシの二重結合ri酸素と結合 するC−原子から出発せず、ハロゲン又は一般式%式% (式中 n框0又は1.2又は3の整数を示す。)なる基を示し、 2つの残基B及びCの1っはAと同−又はこれと異なり、Aに記載した意味の1 つを有するか又は水素を示し、夫々もう一方の残基は式なるホスファチジル−L −セリン−基であり、但し、残基A、B又はCの少なくとも1個は(C。
−030)−アルコキシ又は(C!s−0so)−アルクツキシを示す。〕 なる新規グリセロ−3(2)−ホスホ−L−セリン誘導体及び塩基との一般式I なる化合物の薬学的に妥当な塩、その製造法、この化合物を含有する薬学的調製 物並びにこれを細胞性塞栓(Cytostatica ”)作用を有する医薬に 使用することに関する。
一般式!なるグリセロホスポーシーセリン誘導体はすべての場合分子のセリン一 部分に対掌性中心を有し、残基A、E及びCの意味によって第二〇対掌性中心を 分子のグリセリン一部分に有する。したがって本発明及び一般式Iの対象は本発 明による化合物のすべての可能な対掌性の及びシアステVオマー形を包含する。
本文中に使用される表現°アルコキシ″は直鎖状、1回又は数回分枝したアルキ ルエーテル基を表わし、これは好ましくは炭素原子数14−20を、更に好まし くは炭素原子数16−18を有する。好ましいアルコキシ基の例はテトラ−、ベ ンター、ヘキサ−。
ヘプタ−、オクタ−、ノナデシルオキシ−、エイコシルオキシ又はその分枝状同 族体である。“アルケニルオキシ1 なる表現は直鎖状、1回又は数回分枝した 、1回又は数回不飽和アルケニルエーテル基を示し、これは好ましくは14−2 0、更に好ましくは16−18の炭素原子数を有する。この際このアルケニルエ ーテル基はオレフィン性二重結合が酸素と結合する炭素原子から出発するエノー ルエーテルルケノキシ基A、B及びCは1−又は数回、好ましくは1回置換爆れ ていてよい。この場合この様な置換基として好ましくはハロゲン、ヒドロキシ、 アルコキシ又はシアンが挙げられる。“ハロゲン″なる表示は4つのハロゲン、 塩素、臭素、ヨウ素及びフッ素を示し、この際塩素及びフッ素が特に好ましい。
一般式!なる化合物の好ましいクラスの甲でCは弐■なるホスファチジル−L− セリン基、残基A及びBのうちの1つはアルコキシ又はアルケノキシ、夫々もう 一方の残基はハロゲンを示す。
その他の好ましいクラスは次の一般式■なる化合′物IC関する。すなわちCは 弐■なるホスファチジル−L−セリン基、残基A及びBのうちの1つはアルコキ シ又はアルケノキシ、夫々その他は末端がフッ素化された式■なるアルコキシ基 を示す。
Aはアルコキシ又はアルケノキシ、Bは水素原子又はアルコキシ、Cは式出なる ホスファチジル−L−セリン基を示す一般式!なる化@物も好ましい。
最終的にBは弐mなるホス7アチジルーL−セリン基、残基A及びCのうちの1 つはアルコキシ又はアルケンオキシ、夫々もう一方はハロゲンを示す−般式lな る化合物のすべてのクラスも好ましい。
本発明の特に好ましい単一化合物は次のものでらる: 1−〇−ヘキサデシルー2−クロルー2−ダンキシ−グリセロ−5−ホスホ−L −セリン、1−o−ヘキサデシル−2−フルオル−2−ダンキシ−グリセロ−5 −ホスホ−L−セリン、1−クロル−1−デツキシー5−へキサデクルーグリセ ロ−2−ホスホ−も−セリン、 1−りOA−1−デツキシー2−ヘキサデシル−グリセロ−3−ホスホ−L−セ リン、 1−〇−ヘキサデシルー2−デンキシーグリセロ−3−ホスホ−L−セリン、 i、 2− ’) −o−ヘキサデシル−グリセロ−5−ホスホ−L−セリン、 1−0−(2,2,2−)リフルオルエチル)−2−。
−ヘキサデシルーグリセロー3−ホスホ−L−セリン、 1−0−ヘキサデシル−2−0−(2,2,2−トリフルオルエチル)−グリセ ロ73−ホスホ−L−セリン。
1−クロA−−f−デンキシー2−o−オクタデシ、ルーグリセロ−3−ホスホ −L−セリン、1−0−オクタデシル−2−(2,2,2−)リフルオルエテル )−グリセロ−3−ホスホ−L−セリン、1−0−オクタデシル−2−クロル− 2−ダンキシ−グリセロ−3−ホルホーL−セリン、一般式!なるグリセロ−3 (2)−ホスホ−L−セリン誘導体及びその薬学的に相客な塩を本発明により公 知の方法に従って、好ましくは次の様に製造する:Aは式!に於けると同一の意 味?有し、2つの残基り及びEのうちの1つは式■に於てAに示した意味を有す るか又は水素であり。
夫々もう一方の残基は一般式 C式中X及びYは同一で、ヒドロキシ又はハロゲンを示す又はYは低級アルコキ シ又はアリールオキシを示す。) なる基を示し、但し残基A、D又figの少なくとも1 +mld (Cs−C so’)−ア)b3キク又14 (Os −C5o)−アルケノキシを示す。コ なるグリセロ−3(2)−リン酸誘導体又はその塩と一般式■ (式中21 はカルボキシル−及び 2! はアミノ保護基を示す。) なる保護されたL−セリン誘導体とを好ましくは縮合剤の存在下に反応させ、次 いで任意の頃序で又は同時に保護基2.及び2.金離脱し、場合により生じるグ リセロリン酸エステル又は−ハロゲニドをけん化するあるいは CE霊−M c式中人は式■に於けると同一の意味を有し、2つの残基り及びyのうちの1つ は式trc於てムに示した意味を有するか又は水素であり、夫々も5一方の残基 は一般式 %式% C式中Rt は場合によりヒドロキシ又はノ・ロゲンによって置換された( c t−0!s)アルキル、 R倉+ R,及びR4は同−又は異なり、相互に無関係に水素原子又はメチルを 、 nは1〜6の整数を示す。) なる基を示し、但し残基ム、L又はMの少なくとも1個は(Os−C5o)−ア ルコキシ又は(c、−C5゜)−アルケノキ7を示す。〕 なる〕グリセロー32)−リン酸エステルとL−セリンとをホスホリパーゼDの 存在下に反応させ、一般式■なる生じた化合物又はその塩を単離し、次いで C)所望の場合には処理法a)又はb)ICよって得られた一般式■なる化合物 又は薬学的に妥当でないその塩を薬学的に妥当な塩に変える。
したがって処理法a)によれば一般式1なる化合物を式■なるグリセロ−3(2 )−リン酸誘導体及び弐■なる対応して保護されたL−セリンから公知の、当業 者にとって熟知された方法に従って製造することができる。たとえば飽和及び不 飽和アシル基を有するホスファチジルセリンの製造はアミノ−及びホスファチド 酸とカルボキシル基が保護されたセリンとの縮合によって又はジアシルグリセロ ールヨードヒドリンと保護された0−ホスホセリンとの反応によって行われるこ とは公知である。この際中間生成物として生じる保護されたホス7アチジルセリ ンの保護基を同時に又は頃次に適当な方法によって離脱する。ホスファチド酸の 代りにホスファチド酸クロリドも反応に使用する。同様な方法でアルキル−及び アルキレン置換されたグリセロホスホセリンも合成することができる( A、  J、 S’lOtbOOm及びP、 P。
−398HM、Kates : E、D、Korn (出版者)メノーデス イ ン メンプラン バイオロジイMethodes in Membrane E ’iology % 第8巻、プレヌムプレス、ニューヨーク、1977、第1 19頁以下参照: H,Eibl 、Cbem、Phys、Lipids 26  (1980)405−429 : A、Hermetter 、 F、Pa1 tanf及びHo一般式■なる新規グリセロ−3(2)−ホスポーL−セリン誘 導体の製造のために、適当に置換された一般式■なるグリセロ−3(2)−リン 酸[式中残基り又はEは式Vなる基(X及びY#″iヒドロキシを示す。)であ る。〕を使用する。
しかし遊Il!酸の代りに対応するリン酸ハロゲニド(V中のX及びY:ハロゲ ン)、好ましくはリン酸ジクロリドを使用することができる。これは対応して置 換されたグリセロールとホスホルオキシハロゲニドとの反応によって得られる。
式■なるこのリン酸ハロゲニド(v中X及びY:ハロゲン)とタイ放物としてセ リン基が保護された、一般式!なる化合物のグリセロ−ホスホ−L−セリン−ク ロリドが生じる。これをその単離前又はその後及び保護基の除去後、一般式(1 )なる化合物又はその塩に変えることができる。
本発明による方法のその他の変法は式■なる保護されたセリンと式■なるグリセ ロリン酸エステルーハロゲニドとを反応させることVC6る。この際残基り又は EはXがハロゲン、好ましくは塩素、Yが低級アルコキシ又はアリールオキシを 示す式■なる基である。中間生成物として得らnる、セリン基が保護された一般 式■なる化合物のアルキル−又はアリールエステルを通常の化学法1c従って加 水分解及び保護基の離脱によって一般式!なる酸又はその塩に変えることができ る。
式■なるグリセロリン酸アルキル(−アリール)エステルーハロゲニドは対応し て置換されたグリセロールとリン酸アルキル(又は−了り−ル)エステルージハ ロゲニドとの反応によって容易に入手することができる。
保護されたL−セリン誘導体として本発明による反応に式■なる化合物4式中2 11’jペプチド化学に於て通常の、たとえば接触水素添加による分解、ヒドラ ジン分解、EC1,ナトリウムチオフェノラートによる処理によっであるいに加 水分解によって容易IC@脱しうるカルボキシル−保護基、たとえばベンジル、 t・ブチル、フタルイミド、メチルオキシ、イングロビル、ベンズヒドリル等々 であり、2! はペプチド化学に於て通常の、たとえば接触水素添加による分解 、ヒドラジン分解、HCl又はギ酸による処理によって除去可能なアミノ保護基 を示す。)が適する。この様なアミン保護基はたとえばアシル基、たとえばホル ミル、アセチル、トリフルオルアセチル:アルコキシカルボニル基、たとえばエ トキシカルボニル、t、・ブトキシカルボニル、β、β、β−トリクロルエトキ シカルボニル、β−ヨードエトキシカルボニル;アラルコキシカルボニル、たト エばベンジルオキシカルボニル、p−メトキシベンジルオキシカルボニル:アリ ールオキシカルボニル、たとえばフエノキシカルゲニル;シリル基、たとえばト リノチルシリル;及びその他の基、たとえばトリチル、テトラヒドロピラニル、 ビニルオキシカルボニル、0−ニトロフェニルスルフェニル、ジフェニルホスフ ィニル、p−ドルオールスルホニル、ベンジル等々である。
保護基z1及びz8は任意に選択されるが、一般にL−セリンの保護のために反 応工程中で離脱することができる保護基の組合せを選ぶのが有利である。
その際たとえば式■なる保護されたセリン誘導体としてml−t・ブチルオキシ −L−セリン−ベンズヒドリルエステル等々を使用する。
弐■なる化合物と弐■なる化合物とを反応させて処理段階a)により中間生成物 として形成された、セリン基がまだ保護された一般式1なる化合物の誘導体とな すことは一般に次の様に行われる。すなわち式■なるグリセロ−3(2)−リン 酸誘導体、好ましくは弐■なるグリセロ−3(2) −!Jン酸の十分に乾燥し た塩、たとえばピリジニウム塩と式■なる保護されたセリンとをモル割合1:1 〜1:5で強塩基、たとえばピリジン、トリエチルアミン、ヒューニング(Eu ning’) 塩基等々の存在下、場合により付加的に不活性無極性有機溶剤、 たとえばクロロホルム、酢酸エステル、ジエチルエーテル、ジインプロピルエー テル、ペンゾール、クロルベンゾール、テトラヒドロフラン等々と反応させる。
この反応を適する縮合剤、たとえば2.4.6− ) !フイソプロビルベンゾ ールスルホクロリドの存在下に、室温あるいはその少し上又はその少し下の温度 で実施するのが好ましい。
この反応で得られた保護された中間生成物からの保護基の離脱は選らばれた保護 基に応じてすべての当業者に通常の方法を用いて行われる。たとえば中間生成物 をアルコキシカルボニルによって保護すれたベンズヒドリルエステルの形でHO lで処理して、好ましくは有機溶剤甲の中間体生成物の溶液中にHClを導入し て、二つの保護基の離脱下に式Iなる化合物に変えることができる。場合により 存在するトリチル−保護基を水素添加による分解によって、もう一方を加水分解 、ヒドラジン分解等々によって除去する。
処理段1.vb)VCよれば、一般式Iなる化合物を一般式■なるグリセロ−3 (2)−リン酸エステルから公知の方法でホスホリパーゼDを用いて酵素勉媒反 応によって得ることができる。
2−3のホスホリパーゼはすでにホスホリパーゼDを用いて製造される(H,E ib’1等、Methods inエンツーモロシイ Enzymology、 7 2 、 1 9 8 1 、6 5 2 − 6  3 9)。
この際一部天然1C竜出しないグリセロリ、ン酸アルキルエステル及びその同族 体t−基iとして反応に使用する。天然ホスファチジルコリンからホス7アチジ ルセリンの酵素的合成に於て(P、0ozfurius等、Biochim、B iophys、Acta 488.1977.36−42)従来ホスファチジル セリ、ンの僅かな収量しか得られず、特に加水分解がホスファチド酸の形成下に 観察される。天然の基質としてのその他のものは従来ホスホリパーゼDを用いる 反応によるホスファチジルセリンの製造に使用されない。
大体に於て一般式lなる新規グリセロ−3(2)−ホスホ〜L−セリン誇導体の 製造は、一般式■なる化合物を水性溶液又は懸濁液の形で溶解媒体として有機溶 剤、たとえばエーテル及び(又は)クロロホルム及び緩衝剤、たとえば酢酸ナト リウム−又はトリス−緩衝液の添加下、4.8〜8のpH−値でカルシウム塩( モル濃度好ましくは[101〜α1モ/l// l )の存在下VcL−セリン とホスホリパーゼDの存在下VC10〜50℃の温度で反応させることによって 行われる。この方法の特別な利点は保護されていないセリン゛分反応に使用する ことができることVC6る。
たとえば薄層クロマトグラフィーによって追跡することができる変換を行った後 に、酵素を好IL<はα1Mエチレンジアミンテトラ酢嬢−溶液の添加によって 不活性化し、次いで生じた一般式lなるグリセロ−3C2)−ホスホ−L−七リ ン誘導体を常法で、たとえばクロマトグラフィーによる方法、たとえば薄・a− 、カラム−又は高圧液体クロマトグラフィーを用いて単離し、ff製”する。
最初に述べた様に、一般式lによって本発明による化合物のすべての5工能な対 掌・性及びシアステVオマー形分説含する。処理段階a)の後及び処理段階b) の後、弐■又は式■なる出発材料の立体割合に依存して対掌性又はジアステレオ マー性の最終生成物が得られる。2つの記載した処理法の1つで対掌性出発材料 又は対掌性中心を有しない材料を使用した場合、一般式■なる化合物の対掌形が 得られる。
これに対して式■又は式■なるラセミ体の出発材料を使用した場合、式■なる保 護されたL−セリン誘導体又はL−セリンそれ自体との本発明による反応で一般 式Iなる化合物のシアステVオマー混合物が得られる。
処理法a)又はb)Kよシ得られた一般式Iなる化合物又はその薬学的に妥当で ない塩を処理法C)によって常法で無機又は有機塩基を用いてその薬学的に妥当 な塩に変えることができる。塩形成をたとえば式Iなる前記化合物を適する有機 溶剤、たとえば低級脂肪族アルコール中に溶解し、所望の塩基の当量を加え、慎 重に十分に混合し、塩形成の終了後溶剤を減圧で留去する。
薬学的に妥当な塩はたとえば金属塩、特にアルカリ金属−及びアルカリ土類金属 塩、たとえばナトリウム−、カリウム−、マグネシウム−又はカルシウム塩であ る。その他の薬学的に妥当な塩はたとえばアンモニウム塩でもめる。これはアン モニア又は有機アミン、たとえばモノジー又はトリー低級−(アルキル、シクロ アルキル又はヒドロキシアルキル)−アミン、低級アルキノンジアミン又はヘテ ロ環状塩基、たとえばメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジン クロヘキクルアミン、トリエタノールアミン、エチVンジアミン、ピリジン、ピ ペリジン、ピペラジン、モルホリン等々から由来する。
一般式!なる化合物の薬学的に妥当でない塩を通常の壇交換によって薬学的に妥 当な塩に変えることができる。この場合薬学的に使用できないカチオンを薬学的 に使用できるカチオンに代える。これに代えて薬学的に使用できない塩を中和し 、その後得られた遊離酸を薬学的に妥当な塩を生じる塩基と反応させるこ七がで きる。
処理法a)IC対する出発材料として使用された式■なるグリセロ−3〔2)− リン酸誘導体は公知である又は公知の方法に従って(たとえばE、 Bracb vritz等々、C!hem、Phys、LipidB 31.1982.33 −52、A、 Eermetter等々、Chem、 Phys、 Lipid s 。
30.1982.3s−4s’)、特に実施列に於ける詳細な記載に従って製造 することができる。
処理法b)に対する出発材料として使用される一般式■なるグリセロ−3(2) −リン酸エステルは同様に公知である又は公知方法に従って(東ドイツ特許第2 22,594号及び第22ス595号明細曹)得ることができる。
酵素的反応に適するホスホリパーゼDはすでに公知の方法に関連して簡単な方法 で白キャベツから得ることができる。その際これを均一化し、均−物を濾過し、 水性層を45分間25000Fで遠心分離する。澄明な残渣にアセトン2容量を 加える。生じた沈殿物を浸漬フリット(Tauchfritte )の使用下に デカンテーションし、残渣を20分間13000を及び5℃で遠心分離する。ア セトン−湿性酵素含有調製物を五酸化リンを介して減圧乾燥する。
一般式Iなる化合物及びその塩は生物学的に高度に活性であり、特に優れた抗腫 瘍作用を有する。この価値ある薬理学的性質を試験管内及び生体内で標準法の使 用下に検出することができる。たとえば試験管内でエーリツヒー腹水陣瘍細胞の 増殖阻止を一般式!なるグリセロ−3(2)−ホスホ−L−セリン誘導体の作用 下に測定する。
このテスト(表1)中で本発明による化合物、たとえば1−Q−ヘキサデシル− 2−クロル−2−デツキシーグリセロ−3−ホスホ−も−セリン(化合物II& 11)、1−o−ヘキサデシル−2−フルオル−2−デツキシーグリセロ−3− ホスホ−L−セリン(化合物へ2)、1−クロル−1−デツキシー3−ヘキサデ シル−グリセロ−2−・ホスホ−L−セリン(化合動歯3)、1−o−(Z2. 2−トリフルオルエチル)−2−o−ヘキサデシル−グリセロ−3−ホスホーL −セリン(化合動画、4)は極めて僅かな濃度ですでにエーリツヒ腹水m瘍細胞 の細胞増殖の著しい阻止を生じる。
表! 次の濃度に基づく一般式lなる化合物による試験管内エーリツヒー腹水腫蕩細胞 の増殖C%)阻止率 化合物庵 衾 度 CμM) %阻止率 195 80 55 30 1o 16a 1[+0 7a 36 10 ■=比較物質=1−〇−オクタデシルー2−〇−メチル−グリセロ−3−ホスホ コリン 本発明による化合物の試験管内作用は癌治gに於てすでに臨床上使用されている 細胞性塞栓に有効な1−0−オクタデシル−2−〇−メチルーグリセロー3−ホ スホコリンと品質上回等のものである(P。
アーグメンテツク ニーツエンツイン キャンサーG、 Munder等、−A ugmentig Agents in Cancer噸ラビー ’rうerapy ”、 第441−458頁、ラーベングvス、ベルデル ニューヨーク、1981 : W、E、Eerdel等、Cancer 。
50.1982.2011〜2015)。比較物質に比して本発明による化合物 は著しい抗腫瘍作用が著しく低い濃度でさえも生じるという利点を有するので、 同一の1@胞性塞栓効果を生じるために、著しく少ない薬用量単位を投与しなけ ればならない。この性質によって本発明による化合物は医薬に於けるより有利な 使用を腫瘍疾病の処置及び予防に期待される。
全体として本発明によるグリセロ−3(2)−ホルホーL−セリン誘導体の優れ た抗腫瘍作用は驚異的である。というのは従来アルキルホスホリピツドー同族体 の抗腫瘍作用はホスホコリングループを有する化合物に限定されると考えられて いたからであるリナーチ コミュン イン ケき (D、 R,Hoffman等、Re5earch C!ommun in ( !hem 。
バソロジイ アンド コアルマコロジイPathology and Phar macology、 4 4 、 1 9 8 4 。
239−306参照)。
一般式Iなる化合物は薬剤として、たとえば薬学的調製物の形で使用することが できる。これは腸内又は陽管外用に適する、医薬用の無機又は有機担体、例えば 薬学的に危険性のない溶剤、ゼラチン、アラビアゴム、乳糖、澱粉、ステアリン 酸マグネシウム、タルク、植物油、ポリアルキノングリコール、ワセリン等々と の混合物の形で含有する。薬学的調製物は固形で、例えば錠剤、糖衣丸、廃剤、 カプセル又は液状形で、例えば溶液、懸濁液又はエマルジョンの形で存在するこ とができる。場合によりこれを滅菌し及び助剤、例えば保存剤、安定化剤又は乳 化剤、浸透圧を変化する塩等々′lic含有する。特に本発明による化合物の薬 学的調製物はその他の治療上価値ある物質との組み合わせで含有することもでき る。これによって本発明による化合物を上記助剤及び(又は)担体と一緒に組合 せた調製物となすことができる。
次の例によって本発明の詳細な説明する=1−〇−ヘキサデシルー2−クロルー 2−デツキシーグリセロー3−リン酸: 1−0−ヘキサデシル−2−クロル−2−デツキシーグリセロール335alv (1ミリモル)を乾燥テトラヒドロフラン1〇−中に浴4し、ピリジン(L6d を加え、得られた溶液を水不含テトラヒドロ7ラン五5−中にホスホルオキシク ロリドα35−(五755ミIJモル)を含有する溶液に0℃で攪拌下で滴下し 、更に3時間、0℃で攪拌する。次いで10%重炭酸ナトI)ラム懸濁液16m g7a−加え、15分間撹拌し、希塩酸でpH71c調整し、・数回エーテル/ クロロホルムを用いて抽出する。抽出物を減圧で蒸発し、粗生成物390岬(理 論値の92%)が得られる。これは次の反応に対して十分に純粋でろる。
Rで: α15(シリカゲル60.アルホリエメルク(Alufolie Me rch ) : 0HO1!/CEIOH/ 25%NH3=50:25:6、 V/V/V)el−0−ヘキサデシル−2−クロル−2−デツキシーグリセロ− 3−ホスホ−N−t・ブトキシカルボニル−L−セリンベンズヒドリルエステル :1−0−ヘキサデシル−2−クロル−2−デツキシーグリセロ−3−リン酸2 25xq(α54ミリモル)、n−t・ブトキシカルボニル−L−セリンベンズ ヒドリルエステルα39(181ミリモル)及U 2.4.6− ) +) イ ソプロピルペンゾールスルホクロリドα6579(2,35ミリモル)を水不含 ピリジン13−中に36時間室温で攪拌する。2−3滴の水に加え、減圧で蒸発 し、数回ドルオールと共に蒸留し、残留物をエーテル中1C取り、濾過し、蒸発 する。
得られた粗生成物をシリカゲル(352、KG60、メルク40−63μm ) で吸着し、引き続きクロロホルム及びクロロホルム/メタノール(9:1)50 −を用いて溶離する。分画を夫々15−ろたりで得られる。分画6−12を一緒 にし、蒸発する。
純粋な生成物161η(理論値の38係)が得られる。
只f: α72(シリカゲル60.アルホリエメルク:cHc4/ CE、OH / 25%NHs=65:35:5、V/V/V)。
1−0−ヘキサデシル−2−クロル−2−デツキシーグリセロ−5−ホスホノ− L−セリン:1−0−ヘキサデシル−2−クロル−2−デツキシーグリセロ−3 −ホスホノ−N−t・ブトキシカルボニル−L−セリン−ベンズヒドリルエステ ル161■(cL21ミリモル)を乾燥クロロホルム3〇−中に溶解し、攪拌下 1cO℃で15分間乾燥EC1−ガスを導入する。次いで1時間乾燥窒素を導入 する。この溶液を希釈された水性アンモニア及び水で洗滌し、蒸発する。
得られた粗生成物をシリカゲル(102、KG60、メルクaa−65μn+: @d剤: CEOIB/CEs ON22 : I V/Vメタノールの蒸発濃 縮と同時に)を介して精製する。薄層クロマトグラフィーで単一化された分画の 合併及び溶剤の蒸発後、純粋な生成物38岬(理論値の36%)が得られる。
Rf: α13(シリカゲル60、アルホリエメルク;CHC1z/ 0EiO H/HIO= 50 : 25 : 4. V/V/V)。
c!、H45czpNo、 (s o 2.o 2 )計算値 C52,65N 9.04 N2.79測定値 05t76 EI&82 N2.60例1に記載 された方法と同様に例2−9を行う。
例2: 1−0−ヘキサデシル−2−フルオル−2−デツキ1−0−ヘキサデシル−2− フルオル−2−デツキシーグリセロ−3−リン酸: 1−0−ヘキサデシル−2−フルオル−2−デツキシーグリセロール334II q(t05ミリモル)から。
収ll:320〜(理論値の76%) Rf: 115(シリカゲル60、アルホリエメルク;0EO4/ 0H30E / 2S% NH3= 50 : 25 : 6、V/V/V)。
1−0−ヘキサデシル−2−フルオル−2−デツキシーグリセロ−5−ホスホ− N−t・ブトキシカルボニル−L−セリンベンズヒドリルエステル:1−0−ヘ キサデシル−2−フルオル−2−デツキシーグリセロ−3−リン酸184岬(( L46ミリモル)から。
収il:純粋生成物190岬(理論値の54%)Rf: 075(シリカゲル6 0、アルホリエメルク;cHat、 / aH,on / 25%NE、=65 :35:5V/V/V)。
1−0−ヘキサデシル−2−フルオル−2−テンキシーグリセロ−3−ホスホ− L−セリン:1−0−ヘキサデシル−2−フルオル−2−デツキシーグリセロ− 3−ホスホ−N−t・ブトキシカルボニル−L−セリン−ベンズヒドリルエステ ル190〜(125ミリモル)から。
収量:純粋生成物88■(理論値の72%)。
Rf= l112(シリカゲル60、アルホリエメルク;CEC4tz / C H3011/ N20 =50 : 25 : 4、Vl−クロル−1−テンキ シー4−〇−ヘキサデシルークリセロール350■(to、sミリモル)。
収量:522tq(理論値の74%) Rf:018(シリカゲル60、アルホリエメルク;CHCt3/CH30H/ 25%1[5=50:25:6゜V/V/V )。
1−クロル−1−デツキシー3−0−ヘキサデシル−グリセロ−2−ホスホ−N −t・ブトキシカルボニル−L−セリン−ベンズヒドリルエステル:1−クロル −1−デツキシー3−o−ヘキサデシル−グリセロ−2−リン酸322M1(( L77ミリモル)から。
収量:純粋生成物318a9(理論値の53%)。
Ff:180(シリカゲル60、アルホリエメルク;CEC4I / 0EsO H/ 2 S%NH,=65:35:5、v/v/v )。
1−之oルー1−デツキシー3−o−ヘキサテシルーグリセロ−2−ホスホ−L −セリン:1−クロル−1−テンキシー3−0−ヘキサデシル−グリセロ−2− ホルホーN−t・ブトキシカルボニル−L−セリンベンズヒドリルエステル30 8sy(l140ミリモル)から。
収2:純酔な生成物87ダ(理論値の43%)。
Rf: α13(シリカゲル60、アルホリエメルク;cHats/ (1!E !OH/H,O= 50 : 25 : 4、Vl−クロル−1−テンキシー3 −0−オクタデシル−グリセロ−2−リン酸: 1−クロル−1−デツキシー3−オクタデシル−グリセロールa 17 wq  (1,15ミリモル)カラ。
収量:a50q(理論値の89%)。
Rf: α18(シリカゲル60、アルホリエメルク;cacts/ cH,o H/ 25%NB、=:50:25:6、v/v/v)。
1−クロル−1−テンキシー3−オクタデシル−グリセロ−2−ホスホ−N−t ・ブトキシカルボニル−L−セリン−ベンズヒドリルエステル:1−クロル−1 −デツキシー3−o−オクタデクルーグリセロ−2−リン酸32or(072ミ リモル)から。
収量:゛純粋生放物258岬(理論値の45%)c。
Pf: α80(シリカゲル60.アルホリエメルク:cHct、 / c日3 0H/25%IIH,=65:35:5、V/V/V)、。
1−クロル−1−デツキシー3−0−オクタデシル−グリセロ−2−ホスホ−L −セリン:1−クロル−1−デツキシー5−〇−オクタデシルーグリセロー2− ホスホ−N−t・ブトキ7カルポ:−に一’L−セリンベンズヒドリルエステル 25Bxq(α32ミリモル)から。
収量:純粋生成物61JIF(理論1亘の36%)。
Rf: l113(シリカゲル60、アルホリエメルク:CEC1s/ aH, oH/ E!O= 50 : 25 : 4、Vl−0−オクタデシル−2−7 A−オル−2−テンキシーグリセロ−3−リン酸: 1−0−オクタデシル−2−フルオル−2−デツキシーグリセロール346q( 1ミリモル)から。
収量:52aq(理論値の76%)。
Rf: CL15(シリカゲル60、アルホリエメルク;cEct、/ aH, on/2 s%NB、=50:25:6、V/V/V)。
1−0−オクタデシル−2−フルオル−2−テンキシーグリセロ−3−ホスホ− 11−t・ブチルオキシカルボニル−L−セリン−ベンズヒドリルエステル=1 −〇−オクタデシル−2−フルオル−2−テンキシーグリセロ−3−リン酸30 7グ(rJ、72ミリモル)から。
収量:純粋生成物281〜(理論値の50%)’Bf: CL75(シリカゲル 60、アルホリエメルク;CBC63/ CEIOH/2 S%NH,=65  : 35 : 5、V / V / V ’)。
1−0−オクタデシル−2−フルオル−2−デツキシーグリセロ−5−ホスホ− L−セリン:1−0−オクタデシル−2−フルオル−2−デツキシーグリセロ− 3−ホスホ−N−t・ブトキシカルボニル−L−セリンベンズヒドリルエステル 281■(α36ミリモル)から。
収量:純粋生成物5 a tq (理論値の29%)、。
Rf: α13(シリカゲル60、アルホリエメルク;c、acz、、cn、o n/ B20 = s o : 25 : 4、V/V/V ’)。
例6 1−0−オクタデシル・−2−クロル−2−デツキシーグリセロ−3−リン酸: 1−0−オクタデシル−2−クロル−2−デツキシーグリセロールs a a  HI(t 5ミリモル)から。
収@:597岬(理論値の90%)。
Rf: α16(シリカゲル60、アルホリエメルク:CHO1,/ CEII OE / 25%NB、=50:25:6゜v/v/v )。
1−0−オクタデシル−2−クロル−2−デツキシーグリセロ−3−ホスホ−1 1−t・ブトキシカルボニル−L−セリン−ベンズヒドリルエステル:1−Q− オクタデシル−2−クロル−2−デツキシーグリセロ−3−リン酸443■(1 ミリモル)から。
収量:純粋生成@382〜(理論値の48%)。
Rf:(L80(シリカゲル60、アルホリエメルク;0T3C1@ / CI ’!son / 25%NB3=65:35:5、V/V/V”)。
1−0−オクタデシル−2−クロル−2−テンキシーグリセロ−3−ホスホ−N −t・ブトキシカルボニル−L−セリンベンズヒドリルエステル−3821I? (148ミリモル)から。
収jt:純粋生成物102 xng (理論値の40%)。
Rf: cL13(シリカゲル60、アルホリエメルク;cHct、/cHsa H/s、o = s o : 25 : a、V/v/v )。
1−0−テトラデシル−2−クロル−2−デツキシーグリセロ−3−リン酸: 1−0−テトラデシル−2−クロル−2−デツキシーグリセロール36 sq( t2ミリモル)から。
収f: 445〜(理論値の96%)。
Rf:(L14(シリカゲル60、アルホリエメルク;cact、 / CH, OH/ 25%IJH,=50:25:6、V/V/V)。
1−0−テトラデシル−2−クロル−2−デツキシーグリセコ−6−ホスホ−N −t・ブトキシカルボニル−L−セリン−ベンズヒドリルエステル=1−〇−テ トラデシル−2−クロル−2−デツキシーグリセロ−3−リン酸425岬(1, 1ミリモル)から。
収被:純粋生成物423■(理論値の52係)。
Rで: α72(シリカゲル602.アルホリエメルク;C!HC6s10H, 011/25% NB、= 6 S : 35 : 5、v/v/v)。
1−0−テトラデシル−2−クロル−2−デツキシーグリセロ−3−ホスホ−L −セリン:1−0−テトラデシル−2−クロル−2−デツキシーグリセロ−3− ホスホ−N−t・ブトキシカルボニル−L−セリンベンズヒドリルエステル19 2キ(rl、26ミリモル)から。
収t:純粋生成物39.5 aq (理論値の52%)Rf:113(シリカゲ ル60、アルホリエメルク:caa4/an、oH/Tl、o = s o :  25 : a、Vl−o−(1−メチル−へブタデシル)−2−クロル−2− デツキシーグリセロ−3−リン酸=t−c)−(t−メチル−へブタデシル)− 2−クロル−2−デツキシーグリセロール365M1(1ミリモル)から。
収量:372■(理論値の84%)。
Rf:CL15(シリカゲル60、アルホリエメルク:cHctj/ CB、0 11 / 25%N−=50:25:6、v/v/v)。
1−o−(1−メチル−ヘプタデシル)−2−クロル−2−デツキシーグリセロ −3−ホスホ−N−t・ブトキシカルボニル−L−セリンベンズヒドリルエステ ル: 1−o−(1−メチル−ヘプタデシル)−2−クロル−2−デツキシーグリセロ −3−リン酸371り(α79ミリモル)から。
収量:純粋生成物571岬(理論値の59%)。
Rf:a8Ω(シリカゲ)L−60,アルホリエメルク:0HO4/ C!E3 0H/ 25%NB、=65:35:5、v/v/vl。
l−0−(1−メチル−ヘプタデシル)−2−クロル−2−デツキシーグリセロ −3−ホスホ−L−セリン: 1−Q−(1−メチル−ヘプタデシル)−2−クロル−2−デツキシーグリセロ −3−ホスホ−N−t・ブトキシカルボニル−L−セリンベンズヒドリルエステ ル57oq(CLsqミリモル)から。
収量:純粋生成物122jlF(理論値の39%)。
Rf:[L14(シリカゲル60、アルホリエメルク;cEct、/cH,ay a/E!o = s o : 25 : 4、Vl−0−ペンチルー2−クロル −2−デツキシーグリセロ−3−リン酸: 1−0−ペンチル−L−クロル−2−デツキシーグリセロール271■(t5ミ リモル)カラ。
収量;250〜(理論値の64%)。
Rf二r1.10(シリカゲル60、アルホリエメルク;CHCl5 / Cヨ 1OTl/25%NH,=50:25:6、V/V/V)。
1−O−ペンチルー2−クロル−2−デソarシーグリセロー3−ホスホ−IJ −t・ブトキシカルボニル−L−セリンベンズヒドリルエステル:1−Q−ペン チル−2−クロル−2−デツキシーグリセロ−3−リン酸208Mq(α8ミリ モル)から。
収量:純粋生成物407■(理論値の83%)。
Ff: 170(シリカゲル60、アルホリエメルク:CHCl3/ OH,O H/ 25%NB、=65:35:5、v / v / v )。
1−Q−ペンチル−2−クロル−2−デツキシーグリセロ−3−ホスホ−L−セ リン: 1−0−ペンチルー2−クロル−2−テンキシーグリセロ−3−ホスホ−N−t ・ブトキシ−L−セリンベンズヒドリルエステル406〜(I166ミリモル) から。
収it:純粋生成物64岬(理論値の28%)。
Rf: 111(シリカゲル60、アルホリエメルク;CFJC1,/ aH, on/F、o = 50 : 25 : 4、VL−セリン12、αI M C aC11を有する11M酢酸塩緩衝液(pH5,6)1.9++J、1−0−ヘ キサデシ/I/−2−デツキクーグリセロ−リン酸エチルエステル40■、エー テル/クロロホルム(9:1、V/v)2@/及び白キャベツ500vから得ら れたホスホリパーゼ−D−調製物100岬を含有する混合物を40時間、40℃ で強く攪拌する。
室温に冷却後、11Mエチレンジアミンテトラ酢酸4,55−を加える。有機溶 剤を窒素の導入によって除去する。混合物を4.3倍容盪のクロロホルム/)り /−ル(5: 8、v/v)と共に、50分間攪拌し、この際沈殿する未反応セ リンを吸引戸取して除去する。F液を水1容量及びクロロホルム五7容盪で10 分間撹拌し、有機1を分離し、蒸発する。得られた残留物をカルボキシメチルセ ルロース(セルパセル0M52)20Fでカラムクロマトグラフィーにより分離 する。この際塔@を頓次にクロロホルム75−(分画1)、夫々500−クロロ ホルム/メタノール(?:1.8;2.7;5.1:1、V/V)(分画2−5 )で行う。最終生成物を分画5から純粋な形で得られる。
牧童:純粋生成*1Sat(理論値の33%)Rf: α13(メルク、シリカ ゲル60、既製プレート ; 0HO1S/ CH3QH/ 痴0 = S O : 2 5 :4、¥ / V / V )。
この処理と同様に例11−21を行う。
1−Q−ヘキサデシル−2−0−(2,2,2−トリフルオルエチル)−グリセ ロ−3−ホスホ−コリン40岬から。
収量:純粋生成物12〜(理論値の30係)。
Rf二 016(メルクシリカゲル6Q、既製プレート : cacz3/an 、oH/ Hxo =s a : 2 s : a 、1−0−ヘキサデシル− 2−,0−(2,2,2−トリフルオルエチル)−グリセロ−3−リンg −2 −y−ロムエチルエステル’)aoqから。
収量:純粋生成物1五5■(理論値の35%)。
Rf: α13(メルクシリカゲル60、既製プレー) : CHCl310H 30H/ 馬0 =50:25:4 、−グリセロ−3−ホスホ−L−セリン 1−クロル−1−デツキシー2−〇−ヘキサデシルークリセロー3−ホスホコリ ン40岬から。
収il:純粋生成物15Iq(理論値の37%)。
Rで; α14(メルクシリカゲル60、既製プレート : c Eat、 /  C馬OH/ HIO= 5 0 : 2 5 : 4 .1−o−(2,2, 2−トリフルオルエチ/l/)−2−ヘキサデシル−グリセロ−3−ホスホコリ ン40岬からO 収量:5純粋生成物18IIq(理論値の44%)Rf: cL13(メルクシ リカゲル60、既製グV−1−: C,HCl5/C,H,OH/Tl、O=  5 0 : 2 5 : 4 .1−0−エイブザニル−2−クロル−2−デツ キ7−グリセロ−3−リンfll −n−ブチルエステル40■から。
収量:純粋生成物145av(理論値の34%)。
Rf: α15(メルクシリカゲル60.既製プレート : C;HOlz /  CHIOI(/ Ego == 5 口 :25:4 .1−0−トリアコン チル−2−クロル−2−デツキシーグリセロ−3−リン酸エチルエステル6oa yからO 収量;純粋生成物14■(理論値の33%)。
pf: CL2o(メルクシリカゲル60、既製プレー) : CEC43/  (lH30H/ H鵞0=50:25:4 、ルオルエテル)−グリセロ−3− ホスホ−L−セリ1−0−オクタデシル−2−0−(2,2,2−トリフルオル エチル)−グリセロ−3−リン、l−2−7’ロムエチルエステル40Hiから 。
収量:純粋生成物1i5F(理論値の32%)。
Rf:CL14(メルクシリカゲル60、既製プレー) : 0HCts/ ( !EIOH/ )I!O= 5 0 : 2 5 : 4 、v/v/v)。
例18: t2−ジーo−ヘキサデシル−グリセロ−3−ホスt 2− シー o−ヘキサ デシル−グリセロ−3−ホスホコリン40岬から。
収量;純粋生成物13 ay (理論値の32%)。
Rf: l122(メルクシリカゲル60.既製プV−) : C,EC1,1 0H,OH/H,O= 5 0 : 2 5 : 4 .1−0〜エイコサニル −2−0−(Zλ2−トリフルオルエチル)−グリセロ−3−ホスホコリン40 〜から。
収t:純粋生成物16〜(理論値の40%)。
Rf: α14(メルクシリカゲル60.既製プV −) : CECI@/C H30H/ 110 =5 0 : 2 5 : 4 、V / V / V  )。
同20: 1−クロル−1−デツキシー3−o−(シス−9−オクタデセニル)−グリ七ロ ー2−リン酸エチルエステル40〜から。
収量:純粋生成物15.5岬(理論値の34%)l。
Rf: α13(メルクシリカゲル60、既製プレー) : OHC! tl/  C1(30H/H,O= 5 0 : 2 5 : 4 .1−Q−(2−メ トキシ−オクタデシル)−2−クロル−2−デツキシーグリセロ−3−ホスホ− L−1−o−(2−メトキシ−オクタデシル)−2−クロル−2−テンキシーグ リセロ−3−リン酸エチルエステル50ηから。
収吐:純粋生成物16■(理論値の28%)。
Rf:C15(メルクシリカゲル60.既製プV−) : C!EC!t3/( H3OH/B!O== 5 0 : 2 5 : 4 、v / v / v  )。
ANNEX To THE INTERN八TrONへL 5EARCHRIJ ORT ON

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼I 〔式中 Aは非置換又は置換(C5−C30)−アルコキシ、非置換又は置換(C5−C 30)−アルケノキシであり、この際アルケノキシの二重結合は酸素と結合する C−原子から出発せず、ハロゲン又は一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼II(式中 nは0又は1、2又は3の整数を示す。)なる基を示し、 2つの残基B及びCの1つはAと同一又はこれと異なり、Aに記載した意味の1 つを有するか又は水素を示し、夫々もう一方の残基は式▲数式、化学式、表等が あります▼IIIなるホスフアチジルーL−セリン−基であり、但し、残基A、 B又はCの少なくとも1個は(C5−C30)−アルコキシ又は(C5−C30 )−アルケノキシを示す。〕 なるグリセロ−3(2)−ホスホ−L−セリン誘導体。 2.残基A,B又はCの少なくとも1個は(C16−C■)−アルコキシ又は( C■−C■)−アルケノキシを示す請求の範囲第1項記載の化合物。 3.残基A,B又はCは塩素又はフツ素を示す請求の範囲第1項記載の化合物。 4.Cは式IIIなるホスフチジル−L−セリン−基、残基A及びBの1つはア ルコキシ又はアルケノキシ、夫々もう一方はハロゲンを示す請求の範囲第1項な いし第3項のいずれかに記載した化合物。 5.Bは式IIIなるホスフアチジル−L−セリン−基、残基A及びCの1つは アルコキシ又はアルケノキシ、夫々もう一方はハロゲンを示す請求の範囲第1項 ないし第3項のいずれかに記載した化合物。 6.Aはアルコキシ又はアルケノキシ、Bは水素又はアルコキシ、Cは式III なるホスフアチジル−L−セリン−基を示す請求の範囲第1項又は第2項記載の 化合物。 7.cは式IIIなるホスフアチジル−L−セリン−基、残基A及びBはアルコ キシ又はアルケノキシ、夫々もう一方は式IIなる末端がフツ素化されたアルコ キシ基である請求の範囲第1項又は第2項記載の化合物。 8.1−o−ヘキサデシル−2−クロル−2−デソキシ−クリセロ−3−ホスホ −L−セリン、1−o−ヘキサテシル−2−フルオル−2−デソキシ−グリセロ −3−ホスホ−L−セリン、1−クロル−1−デソキシ−3−ヘキサデシル−グ リセロ−2−ホスホ−L−セリン、 1−クロル−1−デソキシ−2−ヘキサデシル−グリセロ−3−ホスホ−L−セ リン、 1−o−ヘキサデシル−2−デソキッ−グリセロ−3−ホスホ−L−セリン、 1.2−ジ−o−ヘキサテシルーグリセロ−3−ホスホ−L−セリン、 1−o−(2,2,2−トリフルオルエチル)−2−o−ヘキサデシル−グリセ ロ−3−ホスホ−L−セリン、 1−o−ヘキサデシル−2−o−(2,2,2−トリフルオルエチル)−グリセ ロ−3−ホスホ−L−セリン、 1−クロル−1−デソキシ−2−o−オクタデシル−グリセロ−3−ホスホ−L −セリン、1−o−オクタデシル−2−(2,2,2−トリフルオルエチル)− クリセロ−3−ホスホ−L−セリン、1−o−オクタデシル−2−クロル−2− デソキシ−グリセロ−3−ホスホ−L−セリン。 9.対掌形である請求の範囲第1項ないし第8項のいずれかに記載した化合物。 10.ジアステレオマーとして存在する請求の範囲第1項ないし第8項のいずれ かに記載した化合物。 11、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼IV〔式中 Aは式Iに於けると同一の意味を有し、2つの残基D及びEのうちの1つは式I に於てAに示した意味を有するか又は水素であり、夫々もう一方の残基は一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼V (式中X及びYは同一で、ヒドロキシ又はハロゲンを示す又はYは低級アルコキ シ又はアリールオキシを示す。) なる基を示し、但し残基A,D又はEの少なくとも1個は(C5−C30)−ア ルコキシ又は(C5−C30)−アルケノキシを示す。〕 なるグリセロ−3(2)−リン酸誘導体又はその塩と一般式VI ▲数式、化学式、表等があります▼VI(式中Z1はカルボキシル−及び Z2はアミノ保護基を示す。) なる保護されたL−セリン誘導体とを好ましくは縮合剤の存在下に反応させ、次 いで任意の順序で又は同時に保護基Z1及びZ2を離脱し、場合により生じるグ リセロリン酸エステル又は−ハロゲニドをけん化するあるいは b)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼VII〔式中Aは式Iに於けると同一の意味 を有し、2つの残基L及びMのうちの1つは式1に於てAに示した意味を有する か又は水素であり、夫々もう一方の残基は一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼VIIIa又は▲数式、化学式、表等があり ます▼VIIIb(式中R1は場合によりヒドロキシ又はハロゲンによつて置換 された(C1−C6)アルキル、 R2,R3及びR4は同一又は異なり、相互に無関係に水素又はメチルを、 nは1〜6の整数を示す。) なる基を示し、但し残基A,L又はMの少なくとも1個は(C5−C30)−ア ルコキシ又は(C−C)−アルケノキシを示す。〕 なるグリセロ−3(2)−リン酸エステルとL−セリンとをホスホリパーゼDの 存在下に反応させ、一般式Iなる生じた化合物又はその塩を単離し、次いで c)所望の場合には処理法a)又はb)によつて得られた一般式Iなる化合物又 は薬学的に妥当でないその塩を薬学的に妥当な塩に変えることを特徴とする、請 求の範囲第1項に定義されたグリセロ3(2)−ホスホ−L−セリン−誘導体の 製造方法。 12.処理法a)によれば一般式IVなる対掌性出発化合物を又は処理法b)に よれば一般式VIIなる対掌性出発化合物を使用する、請求の範囲第1項に定義 された一般式Iなる対掌性グリセロ−3(2)−ホスホ−L−セリン誘媒体を製 造するための、請求の範囲第11項記載の方法。 13.処理法a)によれば一般式IVなるラセミ性出発化合物を又は処理法b) によれば一般式VIIなるラセミ性出発化合物を使用する、請求の範囲第1項に 定義された一般式Iなるジアステレオマーのグリセロ−3(2)−ホスホ−L− セリン誘導体を製造するための、請求の範囲第11項記載の方法。 14.請求の範囲第1項による一般式1なる化合物又はその塩と通常のガレヌス 製剤の助剤及び(又は)担体物質とを含有する薬学的調製物。 15.請求の範囲第1項による一般式1なる化合物又はその塩とその他の治療上 価値ある有効物質並びに通常のガレヌス製剤の助剤及び(又は)担体物質とを含 有する薬学的調製物。 16.細胞性塞栓(Cytostatica)として請求の範囲第1項による化 合物。 17.腫瘍疾病の処置及び予防のための薬剤に対する有効物質としての請求の範 囲第1項の化合物。
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