JPS6344716A - 半導体薄膜の製造装置 - Google Patents
半導体薄膜の製造装置Info
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- JPS6344716A JPS6344716A JP18892586A JP18892586A JPS6344716A JP S6344716 A JPS6344716 A JP S6344716A JP 18892586 A JP18892586 A JP 18892586A JP 18892586 A JP18892586 A JP 18892586A JP S6344716 A JPS6344716 A JP S6344716A
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- crystal substrate
- susceptor
- thin film
- flow
- raw gas
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体薄膜の製造装置に関し、特に気相成長
法での原料ガスの流れが層流になるようにする製造装置
に関するものである。
法での原料ガスの流れが層流になるようにする製造装置
に関するものである。
従来１例えばジャーナル、オプ、クリスタル。
グロース第３１巻％１７２項、１９７５年に記載された
が、これを第２図で説明する。
が、これを第２図で説明する。
第２図に示すようにサセプタの上流側に乱流を防ぐため
のライナーが挿入されており、原料ガスの流れが、層流
になっているがサセプタ前方が平担となっている。
のライナーが挿入されており、原料ガスの流れが、層流
になっているがサセプタ前方が平担となっている。
しかし、従来技術では、エピタキシャル成長させた半導
体＊嘆０％性は、均一ではなかった１例えば、膜厚、電
気的特性、光学的特性は、原料ガスの上流側から下流側
にかけて、少なからず１分布をもっていた。
体＊嘆０％性は、均一ではなかった１例えば、膜厚、電
気的特性、光学的特性は、原料ガスの上流側から下流側
にかけて、少なからず１分布をもっていた。
そこで本発明は、このような問題点を解決するもので、
その目的は、単結晶基板上にエピタキシャル成長させた
薄膜の膜厚及び、電気的、光学的特性を均一にするとと
Ｋある。
その目的は、単結晶基板上にエピタキシャル成長させた
薄膜の膜厚及び、電気的、光学的特性を均一にするとと
Ｋある。
ｃ問題点を解決するための手段〕
上記問題点？解決するなめに１本発明の半導体簿膜の製
造装置は、単結晶基板上に半導体結晶をエピタキシャル
成長させる気相成長法において。
造装置は、単結晶基板上に半導体結晶をエピタキシャル
成長させる気相成長法において。
前記単結晶基板を設置するサセプタの形状を流線形にす
ることを特徴とする。
ることを特徴とする。
以下に本発明の実施列２図面にもとづいて説明する。第
１図において、横型反応管内に石英シャーレ２がかぶさ
りたグラファイトサセプタ１前部は、流線形をしている
。６，７は、原料ガスの給入口であシ、９はガス排気口
である。高周波コイル４により％グラファイトサセプタ
ｌｆ−誘導加熱し、単結晶基板３の温度を制御すること
により、単１結晶基板３上部に流れてきた原料ガス？熱
分解し、エピタキシャル成長を行う１反応管を冷却する
ために、冷却水を冷却水口８から流す、単結晶基板３の
温度は熱電対５によフ測定する１石英シャーレ２は、グ
ラファイトサセプタ１からの単結晶基板３へのオートド
ーピングを防ぐために置かれている。
１図において、横型反応管内に石英シャーレ２がかぶさ
りたグラファイトサセプタ１前部は、流線形をしている
。６，７は、原料ガスの給入口であシ、９はガス排気口
である。高周波コイル４により％グラファイトサセプタ
ｌｆ−誘導加熱し、単結晶基板３の温度を制御すること
により、単１結晶基板３上部に流れてきた原料ガス？熱
分解し、エピタキシャル成長を行う１反応管を冷却する
ために、冷却水を冷却水口８から流す、単結晶基板３の
温度は熱電対５によフ測定する１石英シャーレ２は、グ
ラファイトサセプタ１からの単結晶基板３へのオートド
ーピングを防ぐために置かれている。
第３図は１本発明の別の実施列である。第１図のように
グラファイトサセプタ１の前部を流線形にする変わシに
、第２図のライナー１ｏを流線形に加工することによシ
、第１図と同°じ効果？上げている。
グラファイトサセプタ１の前部を流線形にする変わシに
、第２図のライナー１ｏを流線形に加工することによシ
、第１図と同°じ効果？上げている。
第４図に７５００ 、１００ Ｔ ｏ ｒ ｒ １”
ＩＪ３ＧａＡｓ＃模を成長し九時の、＠厚の分布分示す
、原料ガスは、ＴＭＡ（）リメチルアルミニウム）、Ｔ
ＭＧ（トリメチルガリウム） ｔ ＡｓＦｌｓ（フルシ
ン）である、横軸が原料ガスの上流側から測った単結晶
基板上での距離、縦軸が薄膜の成長速度であり。
ＩＪ３ＧａＡｓ＃模を成長し九時の、＠厚の分布分示す
、原料ガスは、ＴＭＡ（）リメチルアルミニウム）、Ｔ
ＭＧ（トリメチルガリウム） ｔ ＡｓＦｌｓ（フルシ
ン）である、横軸が原料ガスの上流側から測った単結晶
基板上での距離、縦軸が薄膜の成長速度であり。
白丸で示すグラフが、従来の平担なサセプタ使用による
もの、黒丸で示すグラフが、本発明による流線形サセプ
タを使用し、成長した結果である。
もの、黒丸で示すグラフが、本発明による流線形サセプ
タを使用し、成長した結果である。
第５図は７５０℃、 ｌ’ ＯＯＴ ｏ ｒ ｒでＡ７
（Ｇ（ｚＡ＄薄［［全成長した時の、ＡＪの組成Ｘの分
布を示す。
（Ｇ（ｚＡ＄薄［［全成長した時の、ＡＪの組成Ｘの分
布を示す。
横軸が原料ガスの上流側から測った単結晶基板上での距
離、縦軸がＡ）×Ｇα１−ＺＡ＆のＡ！の組成Ｘを示す
、白丸で示すグラフが、従来の平担なサセプタ使用によ
るもの、黒丸で示すグラフが、本発明による流線形サセ
プタを使用し、成長した結果である。
離、縦軸がＡ）×Ｇα１−ＺＡ＆のＡ！の組成Ｘを示す
、白丸で示すグラフが、従来の平担なサセプタ使用によ
るもの、黒丸で示すグラフが、本発明による流線形サセ
プタを使用し、成長した結果である。
第６図は６７０℃、 １ＯＯＴｏｒｒでＧａＡ３ に８
６をドーピングした時のキャリヤ密度分布を示す、原料
カスは、ＴＭＡ 、ＴＭＧ 、Ａ８Ｈ３，Ｈ３ｆ３ｇ
（セレン化水素〕である。横軸が原料ガスの上流側から
測った単結晶基板上での距離、縦軸がホール効果測定に
よシ求めたキャリヤ密度であり、白丸で示すグラフが、
従来の平担なサセプタ使用によるもの、黒丸で示すグラ
フが１本発明による流線形サセプタを使用し、成長した
結果である。
６をドーピングした時のキャリヤ密度分布を示す、原料
カスは、ＴＭＡ 、ＴＭＧ 、Ａ８Ｈ３，Ｈ３ｆ３ｇ
（セレン化水素〕である。横軸が原料ガスの上流側から
測った単結晶基板上での距離、縦軸がホール効果測定に
よシ求めたキャリヤ密度であり、白丸で示すグラフが、
従来の平担なサセプタ使用によるもの、黒丸で示すグラ
フが１本発明による流線形サセプタを使用し、成長した
結果である。
本発明は、以と説明したように、単結晶基板を設置する
サセプタの形状を流線形にすることによって、原料ガス
を層流にし、エピタキシャルｉＪ膜の膜厚及び電気的・
光学的特性を均一にするという効果がある。更拡、原料
ガスが完全に層流になることによシ、ペテロ接合を形成
した場合、境界層が急峻となシ、多層膜、特に超格子溝
造ｆｔ成長する場合には、従来列に比べ、特注の再現性
及び均一性が非常によく、自好なデバイスが得られると
いう効果がある１更に、原料ガスが完全に層流になるこ
とによシ、サセプタの上部の高温部分でだけ起こる熱分
解反応によって分解したガスは、ガス上流側に回シ込ま
ないため、分解ガスによるメモリー効果は起こらないと
いう効果がある。
サセプタの形状を流線形にすることによって、原料ガス
を層流にし、エピタキシャルｉＪ膜の膜厚及び電気的・
光学的特性を均一にするという効果がある。更拡、原料
ガスが完全に層流になることによシ、ペテロ接合を形成
した場合、境界層が急峻となシ、多層膜、特に超格子溝
造ｆｔ成長する場合には、従来列に比べ、特注の再現性
及び均一性が非常によく、自好なデバイスが得られると
いう効果がある１更に、原料ガスが完全に層流になるこ
とによシ、サセプタの上部の高温部分でだけ起こる熱分
解反応によって分解したガスは、ガス上流側に回シ込ま
ないため、分解ガスによるメモリー効果は起こらないと
いう効果がある。
第１図は本発明による半導体薄膜の製造装置の断面図で
あり、第２図は従来列による半導体薄膜の製造装置の断
面図であシ、第３図は本発明による半導体ＷＩ膜の製造
装置の断面図であり、第４図、第５図、第６図は、それ
ぞれ膜厚分布、組成分布、キャリヤ密度分布の本発明と
従来列による結果を比較するグラ７である。 １０１グラフアイトサセプタ ２ＩＩ・・石英′シャーレ ３・・・単結晶基板 以 と １ｔｌａ人 セイコーエプソン株式会社代理人 弁理
出段 上 務他１名 ′］ −一′ 竿１圏 １ ２ ３ 牛 ５ ＜ｃｍ）」二５翫ＪＪ
ｌ＝１ 、＝らｆＩ距継 第＋１ １２ ラ ４ ５ ＜ｃＫ） よ シミ徂警１ｖ−１；ｓ ｕ“ｋ １ｊ５日 １２３４−５（乙− 上う１刻１・らの距六区 、 第 Ｌ 所
あり、第２図は従来列による半導体薄膜の製造装置の断
面図であシ、第３図は本発明による半導体ＷＩ膜の製造
装置の断面図であり、第４図、第５図、第６図は、それ
ぞれ膜厚分布、組成分布、キャリヤ密度分布の本発明と
従来列による結果を比較するグラ７である。 １０１グラフアイトサセプタ ２ＩＩ・・石英′シャーレ ３・・・単結晶基板 以 と １ｔｌａ人 セイコーエプソン株式会社代理人 弁理
出段 上 務他１名 ′］ −一′ 竿１圏 １ ２ ３ 牛 ５ ＜ｃｍ）」二５翫ＪＪ
ｌ＝１ 、＝らｆＩ距継 第＋１ １２ ラ ４ ５ ＜ｃＫ） よ シミ徂警１ｖ−１；ｓ ｕ“ｋ １ｊ５日 １２３４−５（乙− 上う１刻１・らの距六区 、 第 Ｌ 所
Claims (1)
- 単結晶基板上に半導体結晶をエピタキシャル成長させる
半導体薄膜の製造装置において、前記単結晶基板を設置
するサセプタ前方の形状を流線形にすることを特徴とす
る半導体薄膜の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18892586A JPS6344716A (ja) | 1986-08-12 | 1986-08-12 | 半導体薄膜の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18892586A JPS6344716A (ja) | 1986-08-12 | 1986-08-12 | 半導体薄膜の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6344716A true JPS6344716A (ja) | 1988-02-25 |
Family
ID=16232283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18892586A Pending JPS6344716A (ja) | 1986-08-12 | 1986-08-12 | 半導体薄膜の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6344716A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104896530A (zh) * | 2015-05-11 | 2015-09-09 | 奥可利电子(昆山)有限公司 | 一种单线圈零秒型热电熄火保护装置 |
-
1986
- 1986-08-12 JP JP18892586A patent/JPS6344716A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104896530A (zh) * | 2015-05-11 | 2015-09-09 | 奥可利电子(昆山)有限公司 | 一种单线圈零秒型热电熄火保护装置 |
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