JPS63307114A - 超伝導体の製造方法 - Google Patents
超伝導体の製造方法Info
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- JPS63307114A JPS63307114A JP62142905A JP14290587A JPS63307114A JP S63307114 A JPS63307114 A JP S63307114A JP 62142905 A JP62142905 A JP 62142905A JP 14290587 A JP14290587 A JP 14290587A JP S63307114 A JPS63307114 A JP S63307114A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、超伝導体の製造方法に関するものである。
(従来の技術)
従来、銅酸化物系を中心とした超伝導体の製造法には、
(i)対応する金属酸化物あるいは金属炭酸塩を乳鉢で
微細に砕き、あるいは得られた微粉末をふるいにかけ、
あるいは適当なバインダーとともに混練りし、800−
1200°Cの高温で焼結する方法(Wu、 M、に、
ら。
(i)対応する金属酸化物あるいは金属炭酸塩を乳鉢で
微細に砕き、あるいは得られた微粉末をふるいにかけ、
あるいは適当なバインダーとともに混練りし、800−
1200°Cの高温で焼結する方法(Wu、 M、に、
ら。
Phys、Rev、Lett、58,908(1987
))、(ii)対応する金属硝酸塩の均一水溶液に炭酸
ナトリウムを加え、生成した難溶性金属炭酸塩を800
°Cで脱炭酸し、最終的に1100°Cで焼結する方法
あるいは蓚酸塩の形で同様に脱炭酸させる方法(Cap
one。
))、(ii)対応する金属硝酸塩の均一水溶液に炭酸
ナトリウムを加え、生成した難溶性金属炭酸塩を800
°Cで脱炭酸し、最終的に1100°Cで焼結する方法
あるいは蓚酸塩の形で同様に脱炭酸させる方法(Cap
one。
D、W、らAppl、Phys、Lett。
50.543 (1987))等が知られている。
しかしながら、 (i)の方法は、固相反応により対応
する種々の金属酸化物の固溶体を形成する過程を含み、
化学反応の常識からすると。
する種々の金属酸化物の固溶体を形成する過程を含み、
化学反応の常識からすると。
均一な組成を持つ材料を合成するには高温と長3一
時間を要する。例えば、銅酸化物について言えば、2価
の銅は1050°C以上の温度では1価の銅に転化する
ことが知られ、これは超伝導性を失うことに通じる。一
方、均一な組成の超伝導体を得るには、1100°C以
上の高温を必要とする。(ii)の方法は水溶性金属硝
酸塩を出発原料にするため、金属塩の均一混合は室温で
行われる。しかしながら、800°Cで脱炭酸を起こさ
せ1200°Cの高温で脱泡、焼結させる必要がある。
の銅は1050°C以上の温度では1価の銅に転化する
ことが知られ、これは超伝導性を失うことに通じる。一
方、均一な組成の超伝導体を得るには、1100°C以
上の高温を必要とする。(ii)の方法は水溶性金属硝
酸塩を出発原料にするため、金属塩の均一混合は室温で
行われる。しかしながら、800°Cで脱炭酸を起こさ
せ1200°Cの高温で脱泡、焼結させる必要がある。
これは超伝導体内部に気泡やクラックを生じやすい。
(発明の解決しようとする問題点)
本発明はこの様な点を改良するために、低温でかつ均一
混合焼結を可能とする超伝導体の製造方法を与えるもの
である。
混合焼結を可能とする超伝導体の製造方法を与えるもの
である。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、所望の各種金属イオンに対応する各種金属が
均一に混合された超伝導体を得るために、Ml、M2.
M3の陽イオンと、酸化性陰イオン剤とからなる塩を混
合して金属塩の混−4= 合物を生じさせ、これを酸素雰囲気下あるいは無酸素雰
囲気下で加熱処理して金属酸化物とする工程を含むこと
を特徴とする。このとき、混合塩の溶融混合効果を上げ
るため、または反応を十分に進行させることを目的に、
適宜加温することが出来る。
均一に混合された超伝導体を得るために、Ml、M2.
M3の陽イオンと、酸化性陰イオン剤とからなる塩を混
合して金属塩の混−4= 合物を生じさせ、これを酸素雰囲気下あるいは無酸素雰
囲気下で加熱処理して金属酸化物とする工程を含むこと
を特徴とする。このとき、混合塩の溶融混合効果を上げ
るため、または反応を十分に進行させることを目的に、
適宜加温することが出来る。
酸化性陰イオンとして、加熱により、自ら酸素を発生す
る能力あるいは空気中の酸素と結合する作用を高める強
い酸化能力を有するものを用いることを特徴とし、この
ような酸化性陰イオンを用いることで、比較的低温で金
属酸化物の形成を完結させ、かつ超伝導転移温度の高い
超伝導体が得られる。
る能力あるいは空気中の酸素と結合する作用を高める強
い酸化能力を有するものを用いることを特徴とし、この
ような酸化性陰イオンを用いることで、比較的低温で金
属酸化物の形成を完結させ、かつ超伝導転移温度の高い
超伝導体が得られる。
酸化性陰イオンとしては、加熱により、自ら酸素を発生
する能力あるいは空気中の酸素と結合する作用を高める
強い酸化能力を有するもののうち、特に、ハロゲンと酸
素を含むイオン(過塩素酸イオン、塩素酸イオン、次亜
塩素酸イオン、過臭素酸イオン、臭素酸イオン、次亜臭
素酸イオン、過沃素酸イオン、沃素酸イオン。
する能力あるいは空気中の酸素と結合する作用を高める
強い酸化能力を有するもののうち、特に、ハロゲンと酸
素を含むイオン(過塩素酸イオン、塩素酸イオン、次亜
塩素酸イオン、過臭素酸イオン、臭素酸イオン、次亜臭
素酸イオン、過沃素酸イオン、沃素酸イオン。
次亜沃素酸イオン)を、混合金属塩に対し2重量比にし
て、少なくとも、5%以上用いることで、特に効果的に
、比較的低温で金属酸化物の形成を完結させ、かつ超伝
導転移温度の高い超伝導体が得られる。
て、少なくとも、5%以上用いることで、特に効果的に
、比較的低温で金属酸化物の形成を完結させ、かつ超伝
導転移温度の高い超伝導体が得られる。
(実施例1)
Y (NOs) 3. B a (NO3) 2. C
u(NO3)2を室温にて1:2:3の割合で混ぜた。
u(NO3)2を室温にて1:2:3の割合で混ぜた。
これを450〜500°Cで仮焼結した。
さらに、酸素雰囲気下、徐々に昇温し最終的に900°
Cで焼結した。徐冷した試料を4端子交流法により導電
率の温度変化を求めた。絶対温度90にで完全に超伝導
に至り、試料の良否の目安である転移幅はわずか1.6
にであった。
Cで焼結した。徐冷した試料を4端子交流法により導電
率の温度変化を求めた。絶対温度90にで完全に超伝導
に至り、試料の良否の目安である転移幅はわずか1.6
にであった。
(実施例2)
Y (NO3) s、 Ba (C104) 2.
Cu(No3)、2を室温にて1:2:3の割合で混ぜ
た。これを450〜500°Cで仮焼結した。
Cu(No3)、2を室温にて1:2:3の割合で混ぜ
た。これを450〜500°Cで仮焼結した。
さらに、酸素雰囲気下、徐々に昇温し最終的に=6−
900°Cで焼結した。徐冷した試料は絶対温度92に
で超伝導に至り、転移幅は0.6にであった。
で超伝導に至り、転移幅は0.6にであった。
(実施例3)
Y (NO3) 3. B a (CI O,) t、
Cu(NO3)2を室温にて1:2:3の割合で混
ぜた。これを350〜400°Cで仮焼結した。
Cu(NO3)2を室温にて1:2:3の割合で混
ぜた。これを350〜400°Cで仮焼結した。
さらに、酸素雰囲気下、徐々に昇温し最終的に850℃
で焼結した。徐冷した試料は絶対温度91にで超伝導に
至り、転移幅は1.OKであった。
で焼結した。徐冷した試料は絶対温度91にで超伝導に
至り、転移幅は1.OKであった。
(実施例4)
EuCIs、Ba (CIO:l)2.Cu (N03
)2を室温にて1:2:3の割合で混ぜた。
)2を室温にて1:2:3の割合で混ぜた。
これを450〜500 ’Cで仮焼結した。さらに。
酸素雰囲気下、徐々に昇温し最終的に900°Cで焼結
した。徐冷した試料は絶対温度90にで完全に超伝導に
至り、転移幅は1.3にであった。
した。徐冷した試料は絶対温度90にで完全に超伝導に
至り、転移幅は1.3にであった。
(実施例5)
L a (NO3) s、 B a (B r
03) Z、 Cu(C104)zを室温にて1:2
:3の割合で混ぜた。これを450〜500°Cで仮焼
結した。さらに、酸素雰囲気下、徐々に昇温し最終的に
900°Cで焼結した。徐冷した試料は絶対温度90に
で超伝導を示し、転移幅は9.3にであった。
03) Z、 Cu(C104)zを室温にて1:2
:3の割合で混ぜた。これを450〜500°Cで仮焼
結した。さらに、酸素雰囲気下、徐々に昇温し最終的に
900°Cで焼結した。徐冷した試料は絶対温度90に
で超伝導を示し、転移幅は9.3にであった。
(実施例6)
Y (NOs) s、 B a (I Oa) z、
Cu(C104) zを室温にて1:2:3の割合で混
ぜた。これを450〜500℃で仮焼結した。
Cu(C104) zを室温にて1:2:3の割合で混
ぜた。これを450〜500℃で仮焼結した。
さらに、酸素雰囲気下、徐々に昇温し最終的に900℃
で焼結した。徐冷した試料は絶対温度90にで完全に超
伝導に至り、転移幅は1.3にであった。
で焼結した。徐冷した試料は絶対温度90にで完全に超
伝導に至り、転移幅は1.3にであった。
以下同様にして、所定の組成に仕込んだY。
Scおよびランクニド系元素あるいはAI、In、Ga
、TIの■族元素、Baを初めとするアルカリ土類系元
素、そして銅の塩を原料にして、超伝導体を得た。結果
を表1にまとめる。
、TIの■族元素、Baを初めとするアルカリ土類系元
素、そして銅の塩を原料にして、超伝導体を得た。結果
を表1にまとめる。
(発明の効果)
以上説明したように9本発明の方法によれば。
9一
対応する金属酸化物超伝導体を従来法に比べ。
はるかに低温で合成することができ、これが2価銅の還
元が起こらない温度で焼結でき、転移幅のシャープな特
性の良い高温超伝導体を再現良く作製することができる
という利点を有する。
元が起こらない温度で焼結でき、転移幅のシャープな特
性の良い高温超伝導体を再現良く作製することができる
という利点を有する。
高温超伝導体、特に絶対温度77にの液体窒素温度以上
で超伝導に至る材料は、ジョセフソン素子、電力輸送、
高磁場発生磁石等の幅広い工業的応用が期待され、その
素材加工上9本発明は低温プロセスで作製できるという
点で極めて大きなインパクトを与える。
で超伝導に至る材料は、ジョセフソン素子、電力輸送、
高磁場発生磁石等の幅広い工業的応用が期待され、その
素材加工上9本発明は低温プロセスで作製できるという
点で極めて大きなインパクトを与える。
Claims (3)
- (1)一般組成式(M1)x(M2)y(M3)zOw
(ここで、M1は(B、Al、Ga、In、Ti、Sc
、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、G
d、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)から
なる群から選ばれた一または二以上の元素、M2は(B
e、Mg、Ca、Sr、Ba、Ra、Sn、Pb)から
なる群から選ばれた一または二以上の元素、M3は(C
u)、x、y、z、wは任意の原子モル分率)で表され
る超伝導体の製造方法に於て、M1、M2、M3の陽イ
オンと、酸化性陰イオン剤とからなる塩を混合した後、
焼成することを特徴とする超伝導体の製造方法。 - (2)酸化性陰イオンが、ハロゲン(弗素、塩素、臭素
、沃素)あるいは硝酸イオンあるいはハロゲンと酸素を
含むイオン(過塩素酸イオン、塩素酸イオン、次亜塩素
酸イオン、過臭素酸イオン、臭素酸イオン、次亜臭素酸
イオン、過沃素酸イオン、沃素酸イオン、次亜沃素酸イ
オン)であることことを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の超伝導体の製造方法。 - (3)酸化性陰イオンが、混合金属塩に対し、重量比に
して、少なくとも、5%以上のハロゲンと酸素を含むイ
オン(過塩素酸イオン、塩素酸イオン、次亜塩素酸イオ
ン、過臭素酸イオン、臭素酸イオン、次亜臭素酸イオン
、過沃素酸イオン、沃素酸イオン、次亜沃素酸イオン)
を含有することを特徴とする特許請求の範囲第1項また
は第2項記載の超伝導体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62142905A JPS63307114A (ja) | 1987-06-08 | 1987-06-08 | 超伝導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62142905A JPS63307114A (ja) | 1987-06-08 | 1987-06-08 | 超伝導体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63307114A true JPS63307114A (ja) | 1988-12-14 |
Family
ID=15326338
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62142905A Pending JPS63307114A (ja) | 1987-06-08 | 1987-06-08 | 超伝導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63307114A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5252544A (en) * | 1990-06-14 | 1993-10-12 | International Superconductivity Technology Center | Oxide superconductor having the formula Pba (M1-x-y Cex Sry)4 Cu3-a Oz where M is at least one rare earth element |
-
1987
- 1987-06-08 JP JP62142905A patent/JPS63307114A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5252544A (en) * | 1990-06-14 | 1993-10-12 | International Superconductivity Technology Center | Oxide superconductor having the formula Pba (M1-x-y Cex Sry)4 Cu3-a Oz where M is at least one rare earth element |
US5407908A (en) * | 1990-06-14 | 1995-04-18 | International Superconductivity Technology Center | Method of manufacturing an oxide superconductor |
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