JPS63276822A - 超電導薄膜のパタ−ニング方法 - Google Patents
超電導薄膜のパタ−ニング方法Info
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- JPS63276822A JPS63276822A JP62110369A JP11036987A JPS63276822A JP S63276822 A JPS63276822 A JP S63276822A JP 62110369 A JP62110369 A JP 62110369A JP 11036987 A JP11036987 A JP 11036987A JP S63276822 A JPS63276822 A JP S63276822A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、基板上に超電導膜の配線パターンを形成する
方法に関し、このようにして形成された配線パターンは
、エレクトロニクス、電子計算機、電力などの各分野で
使用される。
方法に関し、このようにして形成された配線パターンは
、エレクトロニクス、電子計算機、電力などの各分野で
使用される。
（従来の技術）
従来、電気配線パターンを超電導体で構成しようとする
場合は、予め形成された超電導体を所望パターンに従っ
て基板上に張りつけて構成することや、基板上にマスク
を用いることによってスパッタ法、ＥＢ黒着、ＣＶＤ法
などを用いて超電導膜を形成し、基板上に超電導パター
ンを形成することが考えられていた。
場合は、予め形成された超電導体を所望パターンに従っ
て基板上に張りつけて構成することや、基板上にマスク
を用いることによってスパッタ法、ＥＢ黒着、ＣＶＤ法
などを用いて超電導膜を形成し、基板上に超電導パター
ンを形成することが考えられていた。
（本発明が解決しようとする問題点）
しかしながら前記前者による配線パターンの形成方法は
手作業により回路パターンを構成するので微細パターン
を形成するのが難しく、また後者による方法は基板上に
パターンを形成する工程が必要になり作業性が悪く、し
かもこの方法はマスクパターンを予め作成して置かなけ
ればならなく、種々の回路パターンを即座に形成するこ
とが出来ないという欠点があった。
手作業により回路パターンを構成するので微細パターン
を形成するのが難しく、また後者による方法は基板上に
パターンを形成する工程が必要になり作業性が悪く、し
かもこの方法はマスクパターンを予め作成して置かなけ
ればならなく、種々の回路パターンを即座に形成するこ
とが出来ないという欠点があった。
（問題点を解決するための手段）
本発明はかかる点に鑑みなされたもので、基板上に超電
導になろうる薄膜を形成し、次に形成しようとするパタ
ーンに従ってレーザビームを前記薄膜に照射して前記薄
膜を超電導化させ、基板上に超電導パターンを形成する
ことを特徴とする超電導薄膜のバターニング方法である
。
導になろうる薄膜を形成し、次に形成しようとするパタ
ーンに従ってレーザビームを前記薄膜に照射して前記薄
膜を超電導化させ、基板上に超電導パターンを形成する
ことを特徴とする超電導薄膜のバターニング方法である
。
（作用）
加熱手段により超電導体に変化する薄膜にレーザビーム
を照射すると、レーザビームが照射された部分の薄膜の
みが超電導体に変化する。従ってレーザビームの照射を
パターン化しようとするパターンに従って行えば、レー
ザアニーリングの急冷効果によって、所望の超電導体か
らなる回路パターンを構成することができる。
を照射すると、レーザビームが照射された部分の薄膜の
みが超電導体に変化する。従ってレーザビームの照射を
パターン化しようとするパターンに従って行えば、レー
ザアニーリングの急冷効果によって、所望の超電導体か
らなる回路パターンを構成することができる。
（実施例）
以下、第１図および第２図に図示した実施例により説明
する０図において（１）はＭｇＯ単結晶＜１００＞材の
基板、（２）はアニーリングすることにより超電導に変
化するＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の薄膜、（３）はＣＯ，ガ
スレーザによるレーザビームである。始めに基板（１）
を両面研磨する０次に基板ｆｉ＋の片面に薄膜（２）を
形成するが、この形成は次のようにして行う。
する０図において（１）はＭｇＯ単結晶＜１００＞材の
基板、（２）はアニーリングすることにより超電導に変
化するＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の薄膜、（３）はＣＯ，ガ
スレーザによるレーザビームである。始めに基板（１）
を両面研磨する０次に基板ｆｉ＋の片面に薄膜（２）を
形成するが、この形成は次のようにして行う。
金属及び各種希土類の酸化物（ＹｔＯａ＋ １−ａｚＯ
ｓ＋ ５ｃｔＯｚ）もしくは炭酸塩（ＢａＣＯｓ＋ ５
ｒＣＯ３）とＣｕＯないしはＣｕｚＯを秤量後、乳鉢中
で良く混合する。その後必要により予備焼結する。その
後、必要によりその予備焼結した物を再び粉砕混合して
圧着し又は８００℃で焼成して、厚み２鶴、直径４イン
チのインゴットを作成する０次に前記酸化物またはイン
ゴットをターゲットとして、基板（１）の温度を４５０
℃、Ａｒ対島の比が１対ｌの雰囲気、ガス圧１０ミリｔ
ｏｒｒｓＲｆ電力３００−の高周波マグネトロンスパッ
タ法により、基板（１）上に薄膜（２）を０．５ｎ形成
した。これにより作成されたＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の薄
膜（２）は、超電導特性を示さなかった。
ｓ＋ ５ｃｔＯｚ）もしくは炭酸塩（ＢａＣＯｓ＋ ５
ｒＣＯ３）とＣｕＯないしはＣｕｚＯを秤量後、乳鉢中
で良く混合する。その後必要により予備焼結する。その
後、必要によりその予備焼結した物を再び粉砕混合して
圧着し又は８００℃で焼成して、厚み２鶴、直径４イン
チのインゴットを作成する０次に前記酸化物またはイン
ゴットをターゲットとして、基板（１）の温度を４５０
℃、Ａｒ対島の比が１対ｌの雰囲気、ガス圧１０ミリｔ
ｏｒｒｓＲｆ電力３００−の高周波マグネトロンスパッ
タ法により、基板（１）上に薄膜（２）を０．５ｎ形成
した。これにより作成されたＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の薄
膜（２）は、超電導特性を示さなかった。
次に発振波長１０．６＃Ｉｌ、ビーム径２日ΦのＣｏｇ
ガスレーザ光を、焦点路ｊｌｌ １００鶴のＺｎ５ｅ製
集光レンズによって集束させて、集束スポット径が１１
００Ｐのレーザビーム（３）を作成し、このレーザビー
ム（３）を形成しようとするパターンに基づき薄膜（２
）上に照射して、この部分を超電導化する。第２図にお
いて（４）はレーザビーム（３）を薄膜（２）上に照射
することによって構成された超電導パターンを示す、こ
のように本発明はレーザビーム（３）を薄膜（２）上に
照射することによって所望の回路パターンを容易に構成
することができる。レーザビーム（３）を薄膜（２）に
照射するには、レーザビーム（３）を固定し、薄膜（２
）が形成された基板ｉｌ＋をステップモータによってｘ
−ｙ方向に自由に駆動できる微動台に載置し、基板（１
）を移動することにより行った。これにより形成された
回路パターンは、９０″にで超電導特性を示すことが確
認された。
ガスレーザ光を、焦点路ｊｌｌ １００鶴のＺｎ５ｅ製
集光レンズによって集束させて、集束スポット径が１１
００Ｐのレーザビーム（３）を作成し、このレーザビー
ム（３）を形成しようとするパターンに基づき薄膜（２
）上に照射して、この部分を超電導化する。第２図にお
いて（４）はレーザビーム（３）を薄膜（２）上に照射
することによって構成された超電導パターンを示す、こ
のように本発明はレーザビーム（３）を薄膜（２）上に
照射することによって所望の回路パターンを容易に構成
することができる。レーザビーム（３）を薄膜（２）に
照射するには、レーザビーム（３）を固定し、薄膜（２
）が形成された基板ｉｌ＋をステップモータによってｘ
−ｙ方向に自由に駆動できる微動台に載置し、基板（１
）を移動することにより行った。これにより形成された
回路パターンは、９０″にで超電導特性を示すことが確
認された。
なお、本発明の上記実施例は、基板（１）がＭｇＯ・薄
膜（２）がＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系薄膜、レーザビーム（
３）がＣｏｔガスレーザ、薄膜の形成がスパッタ法の場
合のみを説明しているが、本発明はそれぞれＴｉｏｚｔ
Ｓｒ丁！Ｏｓ＋Ａｌｌ０ｆｆｌＹＳＺのいずれかの単結
晶、Ｌａ−５ｒ−Ｃｕ−０系薄膜、ＹＡＧ レーザやＡ
ｒガスレーザ、電子ビーム蒸着方法やＣＶＤ法や焼結な
どの方法によっても同様に効果がある。
膜（２）がＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系薄膜、レーザビーム（
３）がＣｏｔガスレーザ、薄膜の形成がスパッタ法の場
合のみを説明しているが、本発明はそれぞれＴｉｏｚｔ
Ｓｒ丁！Ｏｓ＋Ａｌｌ０ｆｆｌＹＳＺのいずれかの単結
晶、Ｌａ−５ｒ−Ｃｕ−０系薄膜、ＹＡＧ レーザやＡ
ｒガスレーザ、電子ビーム蒸着方法やＣＶＤ法や焼結な
どの方法によっても同様に効果がある。
（発明の効果）
本発明は以上詳述したように、基板上に加熱することに
より超電導になろうる薄膜を形成し、次に形成しようと
するパーターンに従ってレーザビームを前記薄膜に照射
して前記薄膜を超電導化させ、基板上に超電導パターン
を形成することを特徴とする超電導薄膜のバターニング
方法であり、極めて容易に超電導体による回路パターン
を作成することが出来る優れた効果がある。
より超電導になろうる薄膜を形成し、次に形成しようと
するパーターンに従ってレーザビームを前記薄膜に照射
して前記薄膜を超電導化させ、基板上に超電導パターン
を形成することを特徴とする超電導薄膜のバターニング
方法であり、極めて容易に超電導体による回路パターン
を作成することが出来る優れた効果がある。
第１図は本発明一実施例を説明するための要部側面図、
第２図は本発明一実施例によって作成された回路パター
ンの平面図を示す。 （１）は基板、（２）は薄膜、（３）はレーザビーム。 特許出願人 古河電気工業株式会社 第１図 第２図
第２図は本発明一実施例によって作成された回路パター
ンの平面図を示す。 （１）は基板、（２）は薄膜、（３）はレーザビーム。 特許出願人 古河電気工業株式会社 第１図 第２図
Claims (5)
- （１）基板上に超電導になりうる薄膜を形成し、次に形
成しようとするパターンに従ってレーザビームを前記薄
膜に照射して前記薄膜を超電導化させ、基板上に超電導
パターンを形成することを特徴とする超電導薄膜のパタ
ーニング方法。 - （２）レーザビームは、ＣＯ＿２ガスレーザ、ＹＡＧレ
ーザ、Ａｒガスレーザのいずれかであることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の超電導薄膜のパターニン
グ方法。 - （３）薄膜は、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系あるいはＬａ−Ｓ
ｒ（ｏｒＢａｏｒＳｅ）−Ｃｕ−Ｏ系からなることを特
徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の超電
導薄膜のパターニング方法。 - （４）基板は、ＭｇＯ、ＴｉＯ＿２、ＳｒＴｉＯ＿３、
Ａｌ＿２Ｏ＿３、ＹＳＺの単結晶のいずれかからなるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項のいず
れか１つの項に記載の超電導薄膜のパターニング方法。 - （５）薄膜の形成は、スパッタ法、電子ビーム蒸着方法
、ＣＶＤ法、焼結のいずれかである特許請求の範囲第１
項乃至第４項のいずれか１つの項に記載の超電導薄膜の
パターニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62110369A JPS63276822A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 超電導薄膜のパタ−ニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62110369A JPS63276822A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 超電導薄膜のパタ−ニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63276822A true JPS63276822A (ja) | 1988-11-15 |
Family
ID=14534046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62110369A Pending JPS63276822A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 超電導薄膜のパタ−ニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63276822A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63292531A (ja) * | 1987-05-26 | 1988-11-29 | Toshiba Corp | 化合物超電導線の製造方法 |
| JPS63292530A (ja) * | 1987-05-26 | 1988-11-29 | Toshiba Corp | 化合物超電導線の製造方法 |
| JPS6420638A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-24 | Sharp Kk | Wiring of semiconductor device |
| JPH02252680A (ja) * | 1989-03-24 | 1990-10-11 | Nippon Cement Co Ltd | 酸化物超伝導膜から成るブリッジ型粒界ジョセフソン素子のパターニング方法 |
-
1987
- 1987-05-06 JP JP62110369A patent/JPS63276822A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63292531A (ja) * | 1987-05-26 | 1988-11-29 | Toshiba Corp | 化合物超電導線の製造方法 |
| JPS63292530A (ja) * | 1987-05-26 | 1988-11-29 | Toshiba Corp | 化合物超電導線の製造方法 |
| JPS6420638A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-24 | Sharp Kk | Wiring of semiconductor device |
| JPH02252680A (ja) * | 1989-03-24 | 1990-10-11 | Nippon Cement Co Ltd | 酸化物超伝導膜から成るブリッジ型粒界ジョセフソン素子のパターニング方法 |
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