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JPS6327580A - Adhesive tape - Google Patents

Adhesive tape

Info

Publication number
JPS6327580A
JPS6327580A JP61167938A JP16793886A JPS6327580A JP S6327580 A JPS6327580 A JP S6327580A JP 61167938 A JP61167938 A JP 61167938A JP 16793886 A JP16793886 A JP 16793886A JP S6327580 A JPS6327580 A JP S6327580A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive
irradiation
tape
ultraviolet
adhesive tape
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61167938A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshiyuki Abe
由之 阿部
Akira Kabashima
樺島 章
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP61167938A priority Critical patent/JPS6327580A/en
Publication of JPS6327580A publication Critical patent/JPS6327580A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract

PURPOSE:To obtain an adhesive tape for use in the production of semiconductor devices, etc., effective for division of wafers, by applying on the base surface an adhesive material prepared by mixing adhesive substances giving variable adhesivity by the irradiation of specified rays. CONSTITUTION:The objective light-transmittable adhesive tape can be obtained by applying, through the irradiation of specified rays (e.g. ultraviolet rays), on either or both of surfaces of a base material, an adhesive material prepared by mixing two or more kinds of adhesive substances with the adhesivity variable depending on, for example, wavelength or irradiation time.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置等の製造に用いられるウェハの分
割に利用して有効な技術に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a technique that is effective for use in dividing wafers used in manufacturing semiconductor devices and the like.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

半導体ウェハの分割技術については、たとえば株式会社
工業調査会、1980年1月15日発行「IC化実装技
術」 (日本マイクロエレクトロニクス協会編)、Pl
oo−Plotに記載されている。ここには、プラスチ
ック性の粘着テープ上でウェハを分割(ダイシング)し
た後に、突き上げ治具により該テープの裏面側からペレ
ット部分を突き上げてペレットのピックアップを行う技
術が紹介されている。
Regarding semiconductor wafer division technology, see, for example, "IC Mounting Technology" (edited by the Japan Microelectronics Association), published by Kogyo Kenkyukai Co., Ltd., January 15, 1980, Pl.
It is described in oo-Plot. This article introduces a technique in which a wafer is divided (diced) on a plastic adhesive tape and then the pellet portion is picked up from the back side of the tape using a push-up jig.

本発明者は、上記ウェハの分割技術について検討した。The present inventor studied the above-mentioned wafer dividing technique.

以下は、本発明者によって検討された技術であり、その
概要は次の通りである。
The following are the techniques studied by the present inventor, and the outline thereof is as follows.

すなわち、ウェハの分割に際しては、ウェハをアルミニ
ウム合金等からなるフレーム部材に所定のテンションを
もって貼り付けられた粘着テープに被着した状態で、ダ
イシングおよびピンクアンプを行うことが知られている
That is, when dividing a wafer, it is known that dicing and pink amplification are performed while the wafer is attached to an adhesive tape that is attached with a predetermined tension to a frame member made of an aluminum alloy or the like.

ところで、ピックアンプを行う際には、粘着テープの粘
着力か弱すぎるとダイシング時にペレットの位置ずれあ
るいはペレットの飛散を生じることになってしまう、一
方、粘着力が強すぎる場合には、ピンクアップの際に粘
着テープからペレットが容易に離脱しな(なり、コレッ
トによる吸着が困難になる場合もある。
By the way, when performing pick amplification, if the adhesive strength of the adhesive tape is too weak, the pellets may be misaligned or scatter during dicing.On the other hand, if the adhesive strength is too strong, pink-up may occur. During this process, the pellets may not easily separate from the adhesive tape, making it difficult for the collet to adsorb them.

このため、粘着テープとしてUVテープ(Ult−ra
 Violet Tape)と呼ばれる、紫外線の照射
により粘着力を低下させることの可能な透明のプラスチ
ックテープにウェハを被着させて作業を行うことが考え
られる。
For this reason, UV tape (Ult-ra) is used as an adhesive tape.
One possibility is to cover the wafer with a transparent plastic tape called Violet Tape, whose adhesive strength can be reduced by irradiation with ultraviolet light.

すなわち、ダイシング時には強い粘着力を維持しておき
、ピックアップの直前に、当該UVテープの裏面側に紫
外線を照射して粘着力を低下させ、ペレットのピンクア
ンプを容易にするものである。
That is, a strong adhesive force is maintained during dicing, and just before pick-up, the back side of the UV tape is irradiated with ultraviolet rays to reduce the adhesive force and facilitate pink amplification of the pellets.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

ところが、上記技術では、紫外線の照射により低下する
粘着力の度合が予め決められているため、ペレットの規
格毎に適切な粘着力を得られないことが本発明者によっ
て明らかにされた。すなわち、UVテープの粘着力と紫
外線の照射時間の関係は、紫外線の照射開始後、所定時
間たとえば10秒程度の時間の経過後には所定の低粘着
力に安定する特性を有している。この照射後の粘着力は
、予め粘着テープ毎に設定されているものである。しか
し前記のように、紫外線照射後に得られる粘着力の度合
に関しては、ペレットサイズ毎に異なり、適切な粘着力
となることが望ましい、すなわち、トランジスタ等の比
較的ペレットサイズの小さな製品に関しては、照射後の
粘着力がある程度強く維持されていてもビックアンプの
支障とはならずに、かえってペレットの飛散等を防止で
きる。これに対して、メモリ素子等のベレットサイズの
比較的大きな製品では、照射後にまで強い粘着力が残存
しているとピンクアンプが困難になるおそれが多分にあ
る。
However, in the above technique, the degree of adhesive strength that decreases due to ultraviolet irradiation is predetermined, and the inventors have revealed that it is not possible to obtain an appropriate adhesive strength for each pellet specification. That is, the relationship between the adhesive strength of the UV tape and the ultraviolet irradiation time has a characteristic that the adhesive strength stabilizes at a predetermined low level after a predetermined period of time, for example, about 10 seconds, has elapsed after the start of ultraviolet irradiation. The adhesive strength after irradiation is set in advance for each adhesive tape. However, as mentioned above, the degree of adhesion obtained after UV irradiation differs depending on the pellet size, and it is desirable to obtain an appropriate adhesion force.In other words, for products with relatively small pellet sizes such as transistors, Even if the adhesive strength is maintained to a certain extent afterward, it does not interfere with the big amplifier, and on the contrary, it can prevent the pellets from scattering. On the other hand, in products with a relatively large pellet size, such as memory devices, if strong adhesive strength remains even after irradiation, pink amplification may become difficult.

したがって、ピックアップ時に最適な粘着力を得るため
には、ベレットサイズによって異なる反応粘着力を有す
る複数の規格のUVテープを予め用意しておく必要性が
あり、少量多品種の製品では作業が煩雑になるおそれの
あることが本発明者によって明らかにされた。
Therefore, in order to obtain the optimal adhesive strength when picking up, it is necessary to prepare in advance UV tapes of multiple standards with different reaction adhesive strengths depending on the pellet size, which makes the work complicated when producing a wide variety of products in small quantities. The present inventor has clarified that this may occur.

本発明は、上記問題点に着目してなされたものであり、
その目的は信頬性の高いウェハ分割を実現できる技術を
提供することにある。
The present invention has been made focusing on the above problems,
The purpose is to provide a technology that can realize highly reliable wafer division.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、所定光の照射によって異なる粘着性を示す2
以上の粘着物質を混合した粘着材料被着した粘着テープ
とするものである。
In other words, 2 exhibits different adhesion depending on irradiation with a predetermined light.
The adhesive tape is coated with an adhesive material mixed with the above-mentioned adhesive substances.

〔作用〕[Effect]

上記した手段によれば、所定光の照射の仕方を変更する
ことによって粘着力を変更することができるため、単一
の粘着テープで複数のベレットサイズに対応した粘着力
を得ることができる。
According to the above-mentioned means, the adhesive force can be changed by changing the method of irradiating the predetermined light, so that adhesive forces corresponding to a plurality of pellet sizes can be obtained with a single adhesive tape.

〔実施例1〕 第1図は本発明の一実施例であるUVテープを半導体ウ
ェハのウェハ分割に用いられるフレームに適用した状態
を示す平面図、第2図はこのフレームを示す第1図■〜
■線における断面図、第3図はテープベース上に塗布さ
れた粘着材を示す概念図、第4図は紫外線照射状態を示
す説明図、第5図は粘着力と照射時間の特性を示す説明
図である。
[Example 1] Fig. 1 is a plan view showing a state in which a UV tape according to an embodiment of the present invention is applied to a frame used for dividing semiconductor wafers, and Fig. 2 is a plan view showing this frame. ~
■A cross-sectional view along the line, Figure 3 is a conceptual diagram showing the adhesive material applied on the tape base, Figure 4 is an explanatory diagram showing the state of ultraviolet irradiation, and Figure 5 is an explanation showing the characteristics of adhesive strength and irradiation time. It is a diagram.

本実施例1のUvテープlが被着されるフレーム2は半
導体装置の製造工程におけるウェハ分割に際して用いら
れるものであり、ウェハ3は該UVテープ1に被着され
てこのフレーム2の状態でダイシングされるようになっ
ている。
The frame 2 to which the UV tape 1 of Example 1 is adhered is used for dividing wafers in the manufacturing process of semiconductor devices, and the wafer 3 is adhered to the UV tape 1 and diced in this frame 2. It is now possible to do so.

フレーム2はリング状の、ステンレス合金からなるフレ
ーム部材2aにUVテープlが所定のテンジョンをもっ
た状態で貼り付けられ、さらに該UVテープ1の粘着面
に素子の形成面を上面にした状態でウェハ3が貼着され
ているものである。
The frame 2 has a ring-shaped frame member 2a made of stainless steel, on which a UV tape 1 is attached with a predetermined tension, and the adhesive side of the UV tape 1 is placed with the surface on which the element is formed facing upward. A wafer 3 is attached thereto.

ウェハ3は、たとえば1メガバイトのメモリ容量を有す
るペレット3aを1単位として、このペレット3aが縦
横方向に多数連設されたものである。
The wafer 3 is made up of a large number of pellets 3a arranged vertically and horizontally, each unit being a pellet 3a having a memory capacity of, for example, 1 megabyte.

また、UVテープ1の断面構造は、第3図に示すように
、透明のプラスチックからなるテープベース4の一面側
に粘着材5が塗布された構造を有している。ここで、本
実施例1ではテープベース4に塗布される粘着材5はた
とえばA+ 、B+およびC7の3つの粘着粒子成分か
らなるものであり、これらの各粘着粒子成分At 、B
+ 、CI は、各々が異なる値の紫外線波長に反応し
て粘着力が低下する性質を有している。
Further, the cross-sectional structure of the UV tape 1, as shown in FIG. 3, has a structure in which an adhesive material 5 is applied to one side of a tape base 4 made of transparent plastic. In Example 1, the adhesive material 5 applied to the tape base 4 is composed of three adhesive particle components A+, B+, and C7, and each of these adhesive particle components At, B
+ and CI have the property that their adhesive strength decreases in response to different values of ultraviolet wavelength.

すなわち、A1という粘着粒子は紫外線波長aに反応し
て粘着力が低下し、B、という粘着粒子は紫外線波長す
に、C3という粘着粒子は紫外線波長Cに各々反応して
粘着力が低下する性質を有している。
In other words, the adhesive particles A1 have the property that their adhesive strength decreases in response to ultraviolet wavelength a, the adhesive particles B and C3 have the property that their adhesive strength decreases in response to ultraviolet wavelength C, respectively. have.

次に、上記のUVテープ1を適用したウェハ分vl工程
について説明する。
Next, a wafer vl process to which the above UV tape 1 is applied will be explained.

フレーム部材2aに被着された前記UVテープ1の粘着
面にウェハ3が被着された状態で、まずウェハ3のダイ
シングが行われる。ここで本実施例1のダイシングは、
たとえばウェハ3の表面から裏面までを完全に分離する
いわゆるフルダイシングではなく、ウェハ3の裏面近傍
でたとえば20μm程度の厚さを残して各ペレット3a
を各々ブロック状に連結された状態に加工する、いわゆ
るセミダイシングである。
With the wafer 3 attached to the adhesive surface of the UV tape 1 attached to the frame member 2a, dicing of the wafer 3 is first performed. Here, the dicing in Example 1 is as follows:
For example, instead of so-called full dicing, in which the wafer 3 is completely separated from the front surface to the back surface, each pellet 3a is separated by leaving a thickness of, for example, about 20 μm near the back surface of the wafer 3.
This is so-called semi-dicing, in which the wafers are processed into connected blocks.

また、上記ダイシングは各ペレット3aの境界に沿って
行われるが、T E G (Testing Elem
entGroup )部等の余領域が形成されたウェハ
(図示せず)では、このTBG部に沿ってダイシングが
行われる。
Moreover, although the above-mentioned dicing is performed along the boundaries of each pellet 3a, T E G (Testing Elem
In a wafer (not shown) on which a surplus region such as an entGroup section is formed, dicing is performed along the TBG section.

前記ダイシングの完了後、前記フレーム2のUVテープ
1に対して紫外線照射が行われる。この紫外線照射は、
第4図に示すようにフレーム2に対して、UVテープ1
の粘着面の裏面側から行われるが、本実施例1では紫外
線の照射波長の異なる3種類の紫外線照射ランプ6a、
6bおよび6Cを用いて所定時間照射することにより行
われる。
After the dicing is completed, the UV tape 1 of the frame 2 is irradiated with ultraviolet rays. This ultraviolet irradiation
As shown in Figure 4, for frame 2, UV tape 1
However, in the first embodiment, three types of ultraviolet irradiation lamps 6a with different ultraviolet irradiation wavelengths are used.
This is done by irradiating for a predetermined time using 6b and 6C.

すなわち、紫外線照射ランプ6aは紫外線波長aを照射
し、紫外線照射ランプ6bは紫外線波長すを、紫外線照
射ランプ6cは紫外線波長Cを各々照射するようになっ
ている。
That is, the ultraviolet irradiation lamp 6a emits ultraviolet wavelength a, the ultraviolet irradiation lamp 6b irradiates ultraviolet wavelength C, and the ultraviolet irradiation lamp 6c irradiates ultraviolet wavelength C.

ここで、本実施例1では以下のように3種類の紫外線照
射ランプ6a、6bおよび6cを制御することによって
照射後の反応粘着力を変化させることが可能である。
Here, in the present Example 1, it is possible to change the reaction adhesive force after irradiation by controlling the three types of ultraviolet irradiation lamps 6a, 6b, and 6c as described below.

すなわち、紫外線照射ランプ6aのみを点灯して照射を
行った場合には、この紫外線波長aに対しては粘着粒子
成分A1が反応して、このA、の粘着力のみが低下する
。しかし、このとき粘着粒子成分B1およびC8は紫外
線波長aの照射によっては反応せず、このB1およびC
3の粘着力は照射後もそのまま維持され、したがって紫
外線照射ランプ6aの照射のみではUVテープ1は照射
後も比較的強い粘着力を有する状態となる。
That is, when irradiation is performed by lighting only the ultraviolet irradiation lamp 6a, the adhesive particle component A1 reacts to the ultraviolet wavelength a, and only the adhesive force of this A decreases. However, at this time, adhesive particle components B1 and C8 do not react with the irradiation with ultraviolet wavelength a, and these B1 and C8
The adhesive force of No. 3 is maintained as it is even after irradiation, and therefore, by only irradiation with the ultraviolet irradiation lamp 6a, the UV tape 1 will have a relatively strong adhesive force even after irradiation.

また、紫外線照射ランプ6aおよび6bの2種類を点灯
して照射を行った場合には、紫外線波長aおよびbに対
して反応する粘着粒子成分AIおよびB1の粘着力が低
下する。しがたって、UVテープ1の粘着力は、前記紫
外線照射ランプ6aのみの照射の場合に比較してその反
応粘着力が全体として低下した状態となる。
Moreover, when irradiation is performed by lighting two types of ultraviolet irradiation lamps 6a and 6b, the adhesive force of adhesive particle components AI and B1 that react to ultraviolet wavelengths a and b decreases. Therefore, the adhesive force of the UV tape 1 is in a state where the reaction adhesive force as a whole is lower than that in the case of irradiation with only the ultraviolet irradiation lamp 6a.

さらに、紫外線照射ランプ5a、5bおよび6Cの3種
類をすべて点灯して紫外線の照射を行った場合には、粘
着粒子成分A、、B、およびCIのいずれも反応するた
め、紫外線照射後のUVテープ1の反応粘着力は最も低
い値となる。
Furthermore, if all three types of ultraviolet irradiation lamps 5a, 5b, and 6C are turned on and ultraviolet rays are irradiated, all of the adhesive particle components A, B, and CI will react, so the UV irradiation after ultraviolet irradiation will The reactive adhesive force of Tape 1 is the lowest value.

ここで、各紫外線照射ランプ6a、6bおよび6Cの照
射による本実施例1のUVテープ1の粘着力の変化の度
合をさらに具体的に説明すると、たとえば以下の通りで
ある。
Here, a more specific explanation of the degree of change in the adhesive force of the UV tape 1 of Example 1 due to irradiation with each of the ultraviolet irradiation lamps 6a, 6b, and 6C is as follows, for example.

なお、ここでは図示しないステンレス合金等の仮に幅2
0nの粘着テープを貼付してテンションゲージで懸吊し
ながら該粘着テープの垂直17.11 Mを行う、いわ
ゆるピーリング法によって測定した場合の数値である。
Note that the width of stainless steel alloy (not shown) is assumed to be 2.
These are the numerical values when measured by the so-called peeling method, in which a 0 nm adhesive tape is attached and the adhesive tape is vertically moved 17.11 M while being suspended from a tension gauge.

ここで当2亥UVテープ1が、たとえば紫外線の照射前
は約500g/20m■程度の粘着力を有していた場合
、紫外線照射ランプ6aの紫外線aのみの照射により所
定の時間経過後は、100g/200程度にまでその粘
着力が低下する(第5図においてaで示す線)。
Here, if the UV tape 1 has an adhesive strength of about 500 g/20 m2 before irradiation with ultraviolet rays, for example, after a predetermined period of time has elapsed by irradiation with only ultraviolet ray a from the ultraviolet irradiation lamp 6a, The adhesive force decreases to about 100 g/200 (line indicated by a in FIG. 5).

次に、紫外vAaおよびbの照射を行った場合、70g
/20wm程度の粘着力となる(第5図においてa+b
で示す線)。
Next, when irradiating with ultraviolet vAa and b, 70 g
/20wm (in Figure 5, a + b)
line shown).

さらに、紫外線a、bおよびCの照射を行った場合には
、3” g / 20 as程度にまで粘着力を低下さ
せることが可能となる(第5図においてa+b+cで示
す線)。
Furthermore, when irradiating with ultraviolet rays a, b, and c, it is possible to reduce the adhesive strength to about 3'' g/20 as (line indicated by a+b+c in FIG. 5).

このように反応波長の異なる粘着成分粒子A。Adhesive component particles A having different reaction wavelengths as described above.

、B1およびC5を混合した粘着材5を用いて異なる波
長の紫外線を選択的に照射することにより、1辺が11
1程度のペレットサイズから1辺が15鰭程度のペレッ
トサイズにまで対応でき、それぞれのペレットサイズに
応じた最適な粘着力を得ることが可能となる。
By selectively irradiating ultraviolet rays of different wavelengths using the adhesive material 5 which is a mixture of , B1 and C5, one side is 11
It can accommodate pellet sizes ranging from about 1 to about 15 fins on a side, and it is possible to obtain the optimal adhesive strength according to each pellet size.

たとえばトランジスタ等のようにペレットサイズの1辺
が1u程度と比較的小さな製品については、紫外線aの
みの照射により粘着力の強い状態を維持するようにし、
一方、メモリ素子等のように、ペレットサイズの1辺が
15u程度にまでなる比較的大きなものについては、紫
外ia、b。
For example, for relatively small products such as transistors with a pellet size of about 1U, a strong adhesive state is maintained by irradiation with ultraviolet A only.
On the other hand, for relatively large pellets of up to about 15u on one side, such as memory devices, ultraviolet ia, b is used.

Cの照射により粘着力をできるだけ低くした状態とする
ことができるわけである。
By irradiating C, the adhesive force can be kept as low as possible.

このように、ペレットサイズに対応して紫外線照射後の
粘着力を制御することにより、ピックアップ時における
最適な粘着力を確保することができ、信幀性の高いピン
クアップを実現することができる。
In this way, by controlling the adhesive force after ultraviolet irradiation in accordance with the pellet size, it is possible to ensure optimal adhesive force at the time of pickup, and it is possible to achieve highly reliable pink-up.

以上のようにして、紫外線照射ランプ6による紫外線照
射が行われた後は、図示しないピンクアップ手段等によ
り各ペレッ)3aが次工程に移送される。
After the ultraviolet rays have been irradiated by the ultraviolet ray irradiation lamp 6 as described above, each pellet 3a is transferred to the next step by means of a pink-up means (not shown) or the like.

このように、本実施例によれば以下の効果を得ることか
できる。
As described above, according to this embodiment, the following effects can be obtained.

(1)、テープベース4に反応特性の異なる複数種類の
粘着粒子成分を被着することにより、紫外線の照射の仕
方により、各粘着粒子成分の反応を変化させることが可
能となるため、紫外線照射後における反応粘着力を変更
することが可能となり、ペレットサイズに対応した最適
な粘着力を確保することができる。
(1) By coating multiple types of adhesive particle components with different reaction characteristics on the tape base 4, it is possible to change the reaction of each adhesive particle component depending on the method of UV irradiation. It becomes possible to change the reaction adhesive force afterward, and it is possible to ensure the optimum adhesive force corresponding to the pellet size.

(2)0反応紫外線波長の異なる3種類の粘着粒子成分
At 、B+ 、C+を混合してテープベース4上に塗
布することにより、異なる紫外線波長a、b。
(2) By mixing three types of adhesive particle components At, B+, and C+ with different zero-reaction ultraviolet wavelengths and applying the mixture onto the tape base 4, different ultraviolet wavelengths a and b can be obtained.

Cの選択的照射に対応して反応粘着力の度合を調節する
ことが可能となるため、ペレットサイズに応じてピック
アンプ時における最適な粘着力を得ることができる。
Since it is possible to adjust the degree of reactive adhesive force in accordance with the selective irradiation of C, it is possible to obtain the optimum adhesive force during pick amplification according to the pellet size.

(3)、前記(2)により、ピンクアップ時にペレット
3aの飛散等を防止でき、信較性の高いウェハ分割を実
現することができる。
(3) According to (2) above, scattering of the pellets 3a during pink-up can be prevented, and highly reliable wafer division can be realized.

〔実施例2〕 第6図は本発明の他の実施例であるLIVテープのテー
プベース上に塗布された粘着材を示す概念図、第7図は
本実施例2のUVテープを用いた場合の粘着力と照射時
間の特性を示す説明図である。
[Example 2] Figure 6 is a conceptual diagram showing the adhesive material coated on the tape base of LIV tape which is another example of the present invention, and Figure 7 is a diagram showing the case where the UV tape of Example 2 is used. FIG. 2 is an explanatory diagram showing the characteristics of adhesive strength and irradiation time.

本実施例2のUVテープ21は、実施例1のUVテープ
1と同様に、透明なプラスチックからなるテープベース
4上に粘着材25を塗布したものであるが、混合されて
いる粘着粒子成分の性質が異なる。
Similar to the UV tape 1 of Example 1, the UV tape 21 of Example 2 has an adhesive material 25 coated on a tape base 4 made of transparent plastic. different in nature.

すなわち、本実施例2では粘着粒子成分はA□、Bzお
よびC2からなるが、これらの粘着粒子成分は同一の紫
外線波長に反応して粘着力が低下する性質を有している
一方、各々反応時間の異なる特性を有している。
That is, in this Example 2, the adhesive particle components are composed of A Time has different characteristics.

すなわち、例えばA2という粘着粒子は紫外線の照射開
始後ただちに反応してその粘着力が低下する性質を有し
ている。またB2という粘着粒子は紫外線の照射後10
秒程度で反応して粘着力が低下する性質を有している。
That is, for example, adhesive particles A2 have a property that they react immediately after the start of irradiation with ultraviolet rays and their adhesive strength decreases. In addition, adhesive particles called B2 have 10
It has the property of reacting in about seconds and reducing its adhesive strength.

さらにC2という粘着粒子は紫外線の照射後20秒程度
で反応して粘着力が低下する性質を有している。
Furthermore, the adhesive particles called C2 have the property of reacting and decreasing their adhesive force in about 20 seconds after being irradiated with ultraviolet rays.

したがって、本実施例2のUVテープ21によれば、紫
外線の照射時間と粘着力との特性は第7図に示すように
なる。これをさらに具体的に説明すると以下の通りであ
る。まず紫外線の照射により、ただちに粘着粒子A2が
反応して所定の粘着力状Gs+に安定する。さらに紫外
線の照射を継続して行うと、照射開始後10秒程度経過
後に粘着粒子B1が反応を開始する。Btの粘着力が低
下した状態状態で所定時間の間安定した粘着力状Mst
 となる。したがって、このB2の状態ではA、および
B、の粘着力は低下しており、一方C2の粘着力は強い
状態で維持されていることになる。この後、さらに紫外
線の照射をmaすると、照射開始後20秒程度経過後に
、今度は粘着粒子C2の反応が開始される。このC!の
反応により粘着力状Bssとなり、粘着力の鏝も低下し
た状態のUVテープ21が得られる。
Therefore, according to the UV tape 21 of Example 2, the characteristics of the ultraviolet irradiation time and adhesive force are as shown in FIG. This will be explained more specifically as follows. First, upon irradiation with ultraviolet rays, the adhesive particles A2 immediately react and stabilize at a predetermined adhesive strength Gs+. Further, when irradiation with ultraviolet rays is continued, the adhesive particles B1 start reacting about 10 seconds after the start of irradiation. Adhesion state Mst that is stable for a predetermined period of time in a state where the adhesive force of Bt is reduced
becomes. Therefore, in this state of B2, the adhesive strength of A and B has decreased, while the adhesive strength of C2 is maintained in a strong state. After this, when the ultraviolet rays are further irradiated, the reaction of the adhesive particles C2 starts about 20 seconds after the start of the irradiation. This C! As a result of this reaction, the adhesive strength becomes Bss, and a UV tape 21 with reduced adhesive strength is obtained.

このように、本実施例2によれば、紫外線の照射時間を
調節することによりペレットサイズに対応した反応粘着
状態St、S!またはS、を選択的に得ることができる
As described above, according to the second embodiment, by adjusting the ultraviolet irradiation time, the reaction adhesion states St, S can be adjusted according to the pellet size. or S, can be selectively obtained.

したがって、単一波長の紫外線照射ランプにより異なる
反応粘着力を得ることが可能となるため、紫外線照射設
備を変更することを要しない。
Therefore, it is possible to obtain different reaction adhesive forces using a single wavelength UV irradiation lamp, so there is no need to change the UV irradiation equipment.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない、たとえば、実施例ではい
ずれも反応特性の異なる3種類の粘着粒子成分を混合し
た場合についてのみ説明したが、2種類あるいは4種類
以上の粘着粒子成分を混合したものであってもよい。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. For example, in the examples, only the case where three types of adhesive particle components having different reaction characteristics were mixed was explained, but it is also possible to mix two or four or more types of adhesive particle components.

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその利用分野である、いわゆる半導体装置のウェハ被
着用の粘着テープに適用した場合について説明したが、
これに限定されるものではなく、たとえばトランジスタ
、あるいはダイオード等、他の電子部品の製造に用いら
れるウェハの被着用の粘着テープにも適用できる。
In the above explanation, the invention made by the present inventor was mainly applied to its field of application, which is a so-called adhesive tape for attaching a wafer to a semiconductor device.
The present invention is not limited thereto, and can also be applied to adhesive tapes for attaching wafers used in the manufacture of other electronic components such as transistors or diodes.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、少なくとも一面に所定光の照射により粘着力
の低下する粘着材料が被着された透光性を有する粘着テ
ープであって、粘着材料が所定光の照射によって異なる
反応粘着性を示す2以上の粘着物質を混合した粘着テー
プ構造とすることにより、所定光の照射の仕方を変更し
て粘着力を変更することができるため、単一の粘着テー
プで複数のベレー/ )サイズに対応した粘着力を選択
的に得ることができる。
That is, it is a translucent adhesive tape having at least one surface coated with an adhesive material whose adhesive strength decreases when irradiated with a predetermined light, and the adhesive material has two or more adhesive tapes that exhibit different reactive tackiness depending on the irradiation with a predetermined light. By creating an adhesive tape structure with a mixture of adhesive substances, the adhesive force can be changed by changing the method of irradiation with a certain light, so a single adhesive tape can have adhesive strength that corresponds to multiple beret/ ) sizes. can be obtained selectively.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例である粘着テープを半導体ウ
ェハのフレームに適用した状態を示す平面図、 第2図はフレームを示す第1図■−■線における断面図
、 第3図はUVテープ上に塗布された粘着材を示す概念図
、 第4図は紫外線照射状態を示す説明図、第5図は粘着力
と照射時間の特性を示す説明図、第6図は本発明の他の
実施例2であるUVテープのテープベース上に塗布され
た粘着材を示す概念図、 第7図は実施例2のUVテープを用いた場合の粘着力と
照射時間の特性を示す説明図である。 1・・・UVテープ、2・・・フレーム、2a・・・フ
レーム部材、3・・・ウェハ、4・・・テープベース、
5・・・粘着材、6.6a、6b。 6c・・・紫外線照射ランプ、21・・・UVテープ、
25・・・粘着材、A+、  B1.CI+  Az、
Bt、Cz  ・・・粘着粒子8、a、b、c−・・紫
外線。 代理人 弁理士 小 川 勝 男 。
Fig. 1 is a plan view showing an adhesive tape according to an embodiment of the present invention applied to a frame of a semiconductor wafer; Fig. 2 is a cross-sectional view taken along the line ■-■ in Fig. 1 showing the frame; A conceptual diagram showing the adhesive material coated on the UV tape, Figure 4 is an explanatory diagram showing the state of ultraviolet irradiation, Figure 5 is an explanatory diagram showing the characteristics of adhesive strength and irradiation time, and Figure 6 is an explanatory diagram showing the characteristics of adhesive strength and irradiation time. Figure 7 is a conceptual diagram showing the adhesive material applied on the tape base of the UV tape of Example 2. Figure 7 is an explanatory diagram showing the characteristics of adhesive strength and irradiation time when the UV tape of Example 2 is used. be. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... UV tape, 2... Frame, 2a... Frame member, 3... Wafer, 4... Tape base,
5... Adhesive material, 6.6a, 6b. 6c...UV irradiation lamp, 21...UV tape,
25... Adhesive material, A+, B1. CI+Az,
Bt, Cz...adhesive particles 8, a, b, c-...ultraviolet light. Agent: Patent attorney Katsuo Ogawa.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、少なくとも一面に所定光の照射により粘着力の低下
する粘着材料が被着された透光性を有する粘着テープで
あって、粘着材料が所定光の照射によって異なる反応粘
着性を示す2以上の粘着物質を混合したものであること
を特徴とする粘着テープ。 2、2以上の粘着物質が所定光の異なる波長に対応して
それぞれ粘着力が低下するものであることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の粘着テープ。 3、2以上の粘着物質が所定光の異なる照射時間に対応
してそれぞれ粘着力が低下するものであることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の粘着テープ。 4、所定光が紫外線であることを特徴とする特許請求の
範囲第1項、第2項または第3項記載の粘着テープ。
[Scope of Claims] 1. A translucent adhesive tape having at least one surface coated with an adhesive material whose adhesive strength decreases when irradiated with a predetermined light, the adhesive material having a reactive adhesive that changes depending on the irradiation with a predetermined light. 1. An adhesive tape characterized by being a mixture of two or more adhesive substances exhibiting properties. 2. The adhesive tape according to claim 1, wherein the adhesive strength of two or more adhesive substances decreases in response to different wavelengths of the predetermined light. 3. The adhesive tape according to claim 1, wherein the adhesive strength of each of the two or more adhesive substances decreases in response to different irradiation times of the predetermined light. 4. The adhesive tape according to claim 1, 2 or 3, wherein the predetermined light is ultraviolet light.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JP2010182815A (en) * 2009-02-04 2010-08-19 Furukawa Electric Co Ltd:The Film for processing wafer, and method of manufacturing semiconductor device using the same

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