JPS63261664A

JPS63261664A - 光電子増倍管

Info

Publication number: JPS63261664A
Application number: JP62095874A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Kushima; 浩之久嶋; Koji Nakamura; 公嗣中村; Takahito Kato; 加藤　隆仁
Original assignee: Hamamatsu Photonics KK; Research Development Corp of Japan
Current assignee: Hamamatsu Photonics KK; Japan Science and Technology Agency
Priority date: 1987-04-18
Filing date: 1987-04-18
Publication date: 1988-10-28
Anticipated expiration: 2010-10-11
Also published as: GB2205438B; GB2205438A; GB8809074D0; JPH0795437B2; US4881008A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、ガンマ線などの放射線粒子を検出するための
シンチレーション検出器に用いられる光電子増倍管に関
し、特に放射線の入射位置を検出するための光電子増倍
管に関する。

〔従来の技術〕

従来、シンチレーション検出器に用いられ、ガンマ線な
どの放射線の入射位置を検出する光電子増倍管が知られ
ている。

第５図（ａ）　、　（ｂ）はそれぞれ、シンチレーショ
ン検出器の正面図、側面図である。第５図（ａ）。

（、ｂ）においてシンチレーション検出器１００は、ガ
ンマ線などの、放射線粒子の入射する２つのシンチレー
タｌｏｔ、１０２と、シンチレータ１０１゜１０２の下
方に位置決めされている光電子増倍管１０３とを備えて
いる。

シンチレータ１０１．１０２は、ビスマス、ゲルマニウ
ム、オキサイド（ａ　ｔ　４ｃ　ｅ　３０１２＞からな
る発光物質で形成されている。シンチレータ１０１．１
０２にガンマ線などの放射線粒子が入射すると、シンチ
レータ１０１，１０２は４２０ナノｍの波長の光を発生
し、この光がシンチレータ１０１，１０２の下方に位置
決めされている光電子増倍管１０３によって電気信号に
変換され増倍されてパルス電流として出力されるように
なっている。また放射線粒子の入射位置検出は、シンチ
レータ１０１．１０２のいずれに放射線粒子が入射した
かを検出することによってなされるようなっている。

光電子増倍管１０３は、放射線粒子がシンチレータ１０
１に入射したのかあるいはシンチレータ１０２に入射し
たのかを検出するため、２つのシンチレータ１０１，１
０２のそれぞれに対応した２つの分割された光電面１０
４．１０５を備えている。光電面１０４．１０５は、角
形の気密管球１０６の上端に設けられている透明な入光
窓１０７の内面１０８，１０９にそれぞれ形成されてい
る。

光電子増倍管１０３にはまた、２つの光電面１０４．１
０５に対応させて、２つの集束電極１１０．１１１と、
２組のダイノード列１１２乃至１１８，１２０乃至１２
６と、２つの網状のアノード電極１２７，１２８とが設
けられている。

すなわち、光電面１０４に入射した光によって光電面１
０４から放出される光電子は、集束電極１１０、ダイノ
ード列１１２乃至１１８．アノード電極１２７により増
倍されて出力される一方、光電面１０５に入射した光に
よって光電面１０５から放出される光電子は、集束電極
１１１．ダイノード列１２０乃至１２６．アノード電極
１２８により増倍されて出力されるようになっている。

集束電極１１０，１１１はＪ光電面１０４゜１０５から
の光電子をそれぞれに対応するダイノード列１１２乃至
１１８，１２０乃至１２６に確実に案内するためのもの
であり、集束電極１１０゜１１１の互いに隣接する部分
１２９．１３０は、２つの光電面１０４，１０５のいず
れか一方から放出された光電子を他方のダイノード列に
入射させないための隔壁として機能するようになってい
る。

またダイノード列１１２乃至１１８．．１２０乃至１２
６は、支持部材１３１，１３２に所定の形状に弯曲され
て取付け′られている。第５図（ａ）に示すように、ダ
イノード列１１２乃至１１８゜１２０乃至１２６の長手
方向に垂直な入光窓１０７の内面１０８，１０９の断面
形状、光電面１０４．１０５の断面形状は、所定の曲率
（曲率半径Ｒ１）を有しており、その曲率の中心がそれ
ぞれ集束電極ｔｔｏ、ｉｉｉの中心軸線Ａ−Ａ上、中心
軸線Ｂ−Ｂ上となるような設計されている。

また第５図（ｂ）に示すように、ダイノード列１１２乃
至１１８，１２０乃至１２６の長手方向と平行な入光窓
１０７の内面１０８，１０９の断面形状、光電面１０４
，１０５の断面形状も、所定の曲率（曲率半径Ｒ２）を
有しており、その曲率中心が、集束電極１１０，１１１
の中心軸１１Ａ−Ａ、Ｂ−Ｂ上となるように設計されて
いる。

このような構成の光電子増倍管１０３を備えたシンチレ
ータ検出器１００では、例えばシンチレータ１０１の方
にガンマ線γ１が入射すると、ガンマ線γ１はシンチレ
ータ１０１と衝突し、シンチレータ１０１は光ｊ１１２
、ｊ１□を発生する。光’　１１は光電子増倍管１０３
の光電面１０４に直接入射し、これにより光電面１０４
からは光電子Ｐ　が放出される。また光’　１２はシン
チレータ１０１の側壁で反射されて光電子増倍管１０３
の光電面１０４に入射し、これにより光電面１０４から
は光電子Ｐ１２が放出される。

光電面１０４から放出された光電子Ｐ１１．Ｐ１２は、
光電面１０４の断面形状（曲率半径Ｒ１，Ｒ２）と集束
電［１１１０とによってダイノード列１１２乃至１１８
め最初のダイノード１１２に向かって集束され、ダイノ
ード１１２に入射する。

これにより、ダイノード１−１２からは二次電子が放出
され、この二次電子はダイノード列１１２乃至１１８に
よって増倍されてアノード電極１２７の出力端子ＯＴＩ
からパルス電流として取出される。

同様にして、シンチレータ１０２の方にガンマ線γ２が
入射すると、ガンマ線γ２はシンチレータ１０２と衝突
し、シンチレータ１０２は光ｊ２１゜１　を発生する。

光１□１は光電子増倍管１０３の光電面１０５に直接入
射し、これにより光電面１０５からは光電子Ｐ２１が放
出される。また光重２□はシンチレータ１０１の側壁で
反射されて光電子増倍管１０３の光電面１０５に入射し
、これにより光電面１０５からは光電子Ｐ２□が放出さ
れる。

光電面１０５から放出された光電子Ｐ２１．Ｐ２□は、
光電面１０４と同様な光電面１０５の断面形状（曲率半
径Ｒ１，Ｒ２）と集束電極１１１とによってダイノード
列１２０乃至１２６の最初のダイノード１２０に向かっ
て集束され、ダイノード１２０に入射する。これにより
ダイノード１２０からは二次電子が放出され、この二次
電子はダイノード列１２０乃至１２６によって増倍され
てアノード電極１２８の出力端子ＯＴ２がらパルス電流
として取出される。

このようにして、アノード電極１２７，１２８の出力端
子ＯＴＩ、ＯＴ２から取出されたパルス電流は、図示し
ないが電流計あるいはパルス計数器に送られ、シンチレ
ータ１０１（または１ｏ２）に入射したガンマ線γ１　
（またはγ２）に対応する電流あるいはパルス数を検出
することができる。

すなわち、パルス電流が出力信号ＯＴＩ、ＯＴ２のいず
れから何個取出されたがを検出することによって、ガン
マ線がシンチレータ１０１，１０２のいずれにどのくら
いの個数、入射したかを判別することができる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

第５図（ａ）　、　（ｂ）に示す従来の光電子増倍管１
０３では、集束電極１１０，１１１の隔壁１２９．１３
０によって、光電面１．０４から放出される光電子が他
方のダイノード列１２０乃至１２６に入射したり、ある
いはこれと反対に光電面１０５から放出される光電子が
他方のダイノード列１１２乃至１１８に入射したりする
のを阻止するようになっている。しかしながら、従来の
光電子増倍管１０３では、入光窓１０７の２つの内面１
０４，１０５がそれぞれ所定の曲率をもち互いに隣接し
て配置されているので、入光窓１０７の厚さは２つの光
電面１０４，１０５の境界で大きくなる。このために、
従来の光電子増倍管１０３では、一方のシンチレータ（
例えばシンチレータ１０１）から発生する光が、入光窓
１０７の内面１０４，１０５の境界付近を通過するとき
に、一方の光電面（例えば光電面１０４）ではなく、他
方の光電面（例えば光電面１０５）に向かう所謂光の混
入が生じて、入射位置の検出誤りを生じされる恐れがあ
った。

また、当業者間には、ガンマ線などの放射線粒子の入射
位置検出精度をさらに向上させたいという強い要請があ
る。入射位置検出精度をさらに高めるために、入光窓、
光電面の小さな小型の光電子増倍管を多数密集させて配
列したシンチレーション検出器や、第５図（ａ）　、　
（ｂ）に示す構造の光電子増倍管１０３を改良し、光電
面をさらに複数に分割した光電子増倍管を備えるシンチ
レーション検出器が提案された。

しかしながら、小型の光電子増倍管を多数密集させて配
列した型式のシンチレーション検出器では、光電子増倍
管の所定の性能を維持しつつ光電子増倍管を小型化する
には限界があり、また光電面に対する光電子増倍管の外
形比が大きくなるので、シンチレータからの光を光電面
で受光する確率が減少し、入射位置検出精度を著しく高
めることは望めない、また第５図（ａ）　、　（ｂ）に
示す構造を改良した型式の光電子増倍管を備えたシンチ
レ−ジョン検出器では、前述のように光の混入が生ずる
ことによって位置検出を確実に行なうには限界゛があり
、さらに光電面の分割数に応じた個数のダイノード列お
よびアノード電極を設ける必要があるので、構造が複雑
となり小型化するには適しないという問題があった。

本発明は、ガンマ線などの放射線粒子、の入射位置検出
精度をさらに向上させることが可能な小型でかつ構造の
簡単な光電子増倍管を提供することを目的としている。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は長方形の入光窓と、該入射窓の長手方向に沿っ
て所定の間隔をへだてて形成されている複数の光電面と
、該複数の光電面のそれぞれに対応して設けられている
複数の集束電極と、前記複数の光電面に共通しており、
前記入射窓の長手方向に沿って長手方向部分が位置決め
されている複数のダイノード部材と、前記複数の光電面
のそれぞれに対応して設けられている複数のアノード電
極とを備え、前記長方形の入射窓はその長手方向に沿っ
て厚さが一様である一方、長手方向と垂直な方向に所定
の曲率をもって弯曲しており、前記複数のダイノード部
材の各々は、前記複数の光電面のそれぞれに対応させて
、分離手段により互いに分離されている複数の放出面を
備えていることを特徴とする光電子増倍管によって、上
記従来技術の問題点を改善しようとするものである。

〔作用〕

本発明では、長方形の入光窓の所定位置に入射した光は
、この入光窓を透過して、入光窓の長手方向に沿って形
成されている複数の光電面のうちの１つに入射する。な
お、長方形の入光窓の長手方向に沿った厚さは一様にな
っているので、光が対応する光電面以外の光電面に入射
するようなことはない、１つの光電面に入射した光によ
り光電面からは光電子が放出され、光電・子は、所定の
集束電極によって集束されて、複数の光電面に共通した
複数のダイノード部材に入射する。光電面は入光窓の長
手方向と垂直な方向に所定の曲率をもって弯曲している
ので、光電子を一層集束させてダイノード部材に入射さ
せることができる。光電面からの光電子はこの光電面に
対応した最初のダイノード部材の放出面に入射し、放出
面からは二次電子が放出される。ところで複数のダイノ
ード部材の各々の複数の放出面は、複数の光電面のそれ
ぞれに対応させて、分離手段により互いに分離されてい
るので、光電子および二次電子は、１つの光電面に対応
した複数のダイノード部材の放出面によって増倍され、
所定のアノード電極に到達する。すなわち複数のダイノ
ード部材の放出面間での光電子、二次電子の混入を生じ
させずに、入光窓の所定位置に入射した光を所定のアノ
ード電極から電流として取出すことができる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第１図（ａ）　、　、（１＋）はそれぞれ、本発明の第
１の実施例の光電子増倍管の正面図、側面図である。

第１図（ａ）　、　（ｂ）において光電子増倍管１は、
４つに分割された光電Ｎ２乃至５を備えている。

光電面２乃至５は、角形の気密管球６の上端に設けられ
ている長方形の透明な入光窓７の内面８に所定の間隔を
へだてて形成されている。入光窓７は、従来の光電子増
倍管１０３の入光窓１０７と異なり、光電面２乃至５が
並置されている方向すなわち長手方向に沿っては凹凸を
有しておらず、長手方向とは垂直な方向に所定の曲率（
曲率半径Ｒ３）で弯曲している。なお、入光窓７のこの
曲率の中心は、光電子増倍管の中心軸線Ｄ−Ｄよりも第
１ダイノード部材２０側にずれた位置にある。

光電子増倍管１はまた、４つの光電面２乃至５のそれぞ
れに対応した４つの集束電極１０乃至１３と、光電面２
乃至５に対して共通の第１ダイノード部材２０乃至第１
０ダイノード部材２９と、光電面２乃至５のそれぞれに
対応した４つのアノード電ｌ１ｉ３０乃至３３とを備え
ている。

また各光電面２乃至５、各集束電極１０乃至１３の間に
は、光電面２乃至５のいずれかから放出された光電子が
それに対応した集束電極以外の集束電極に混入するのを
阻止するための隔壁１４乃至１６が設けられている。各
隔壁１４乃至１６の上端部は、入光窓７の内面８に密接
し、下端部は集束電極１０乃至１３を載置している基板
１７には接触せずスペーサ５０乃至５５を介して集束電
極１０乃至１３に固定されている。各集束電極１０乃至
１３は、各隔壁１４乃至１６にスペーサ５０乃至５５を
介して連結されており、これによ゛り各集束電極１０乃
至１３を各光電面２乃至５間の間隔とほぼ同じ間隔に保
持している。

基板１７には、一対の支持部材１８．１９が連結されて
おり、支持部材１８．１９には、第１ダイノード部材２
０乃至第１０ダイノード部材２９が取付けられている。

第１ダイノード部材２０乃至第１０ダイノード部材２９
の各々を４つの光電面２乃至５に対して共通のものとす
るために、第１ダイノード部材２０乃至第１０ダイノー
ド部材２９はこれらの長手方向部分が長方形の入光窓７
の長手方向と平行になるよう位置決めされて・いる。

この第１の実施例では、第２図に示すような構造の第１
ダイノード部材２０が用いられている。

第１の実施例の第１ダイノード部材２０の内面３４には
、所定の二次電子放出比をもつ放出面３５乃至３８が光
電面２乃至５のそれぞれに対応した位置に形成され、ま
た二次電子放出比の小さな（仕事関数の大きな）材料か
らなる帯状部分３９乃至４１が隔壁１４乃至１６に対応
した位置に形成されている。第２ダイノード部材２１乃
至第１０ダイノード部材２９にも第１ダイノード部材２
０と同様の放出面、帯状部分がそれぞれ形成されている
。このような帯状部分３９乃至４１を各放出面３５乃至
３８間に形成することで、各光電面２乃至５からの光電
子およびこれにより第１ダイノード部材２０から放出さ
れる二次電子を各光電面２乃至５Ｇ：対応したアノード
電極３ｏ乃至３３まで混入させずに確実に案内すること
ができるようになっている。

このような構成の第１の実施例の光電子増倍管１では、
入光窓７の上方に４つのシンチレータ（図示せず）を光
電面２乃至５のそれぞれに対応させて配置し、光電子増
倍管１の光電面２乃至５、集束電極１０乃至１３．第１
ダイノード部材２０乃至第１０ダイノード部材２９．ア
ノード電極３０乃至３３にそれぞれ、外部回路（図示せ
ず）から所定の接続用ピン、リード線（図示せず）を介
して所定の電圧を印加する。

４つのシンチレータのいずれかにガンマ線などの放射線
粒子が入射すると、放射線粒子はシンチレータに衝突し
、シンチレータは光を発生する。

この光は光電子増倍管１の入光窓７に直接にあるいはシ
ンチレータの側壁で反射されて入射する。

その際、本実施例の入射窓７は、長手方向に沿っては凹
凸を有しておらず、従来の光電子増倍管１０３と異なり
、長手方向に沿っては厚さが変化せず、厚さを一様に薄
くすることができるので、所定のシンチレータで発生し
た光をそのシンチレータに対応した光電面に確実に案内
することができる。これによって対応した光電面以外の
光電面に光が入射する所謂光の混入を有効に防止するこ
とができる。

一つのシンチレータに入射した光がこれに対応した光電
面、例えば光電面２に入射すると、この光電面２からは
光電子が放出される。この光電子は集束電極１０により
集束されて第１ダイノード部材２０に入射する。ところ
で、本実施例では、入光窓７は、その長手方向と垂直な
方向に、所定の曲率で弯曲しており、その曲率中心が光
電子増倍管１の中心軸線Ｄ−Ｄよりも第１ダイノード部
材２０側にずれた位置にあるので、光電子を第１ダイノ
ード部材２０の放出面３５に確実に入射させることがで
きる。なお、光電面２と光電面３との間、集束電極１０
と集束電極１１との間には隔壁１４が設けられているの
で、光電面２がら放出された光電子が隣の集束を極１１
の方に混入することはない、入光窓７の曲率すなわち光
電面２の曲率と集束電極１１とによって集束された光電
子は、そのほとんどが第１ダイノード部材２０の放出面
３５に入射するが、一部のものは放出面３５と放出面３
６との境界にも入射し、この境界がら放出される二次電
子が第２ダイノード部材２１の対応しない放出面に入射
して混入を生じさせる恐れがある、ところで、第１の実
施例では、放出面３５と放出面３６との間には二次電子
放出比の小さ・な帯状部分３９が形成されているので、
この帯状部分３９に入射した光電子によっては二次電子
が放出されない、これにより、隣接する放出面間を分離
し、第１ダイノード部材２０から放出される二次電子を
第２ダイノード部材２１の対応した放出面に確実に向か
わせ、混入を有効に阻止することができる。第２ダイノ
ード部材２１乃至第１０ダイノード部材２９にも、同様
の帯状部分が形成されているので、第１ダイノード部材
２０の放出面３５に入射した光電子によって放出面３５
から放出される二茨電子は、混入を生ずることなく対応
したアノード電極３０まで増倍されて到達する。

このようにして、例えば光電［２に対応したシンチレー
タ（図示せず）に入射した放射線粒子をこれに対応した
アノード電極３０からパルス電流として確実に取出すこ
とができて、光電面２に対応したシンチレータに入射し
た放射線粒子が他のアノード電極３０，３２．３３から
取出されることのないようにすることができる。

また、光電面３，４．５から放出される光電子は、これ
らに対応した第１ダイノード部材２０の放出面３６，３
７．３８に入射するが、放出面３６．３７．３８間には
二次電子放出比の小さな帯状部分４０．４１が形成され
、放出面３６゜３７．３８間は互いに分離されているの
で、上述したと同様にして、混入を阻止することができ
て、光電面３．４．５から放出される光電子および放出
面３６．３７．３８から放出される二次電子を、これら
に対応したアノード電極３１，３２．３３まで確実に到
達させることができる。

本発明の第２の実施例の光電子増倍管では、第１の実施
例の第１ダイノード部材２０のかわりに、第３図に示す
構造の第１ダイノード部材２０’が用いられ、第１の実
施例の第２ダイノード部材２１乃至第１０ダイノード部
材２９のかわりに第４図に示す構造の第２ダイノード部
材２１′乃至第１０ダイノード部材２９′が用いられる
。なお、第２の実施例の光電子増倍管は、第１ダイノー
ド部材２０′乃至第１０ダイノード部材２９′を除゛　
いて、第１の実施例の光電子増倍管１と全く同じ構成を
しているので、その全体の構成は図示せず、また詳細な
説明は省略する。

第２の実施例の第１ダイノード部材２０’の内面３４′
には、所定の二次電子放出比をもつ放出面３５′乃至３
８′が光電面２乃至５のそれぞれに対応した位置に形成
され、また隔壁１４乃至１６に対応した位置に金属の隔
壁４３乃至４５が設けられている。これらの金属の障壁
４３乃至４５は、プレス加工などにより第１ダイノード
部材２０’の内面３４′にしっかりと取付けられている
。

また第２の実施例の第２ダイノード部材２１′乃至第１
０ダイノード部材２９′の内面にも隔壁１４乃至１６に
対応した位置に第４図に示すような金属の隔壁４６乃至
４８が取付けられている。

このような構成の第２の実施例の光電子増倍管では、所
定の光電面から放出された光電子は、そのほとんどがそ
れに対応する第１ダイノード部材２０’の放出面、例え
ば放出面３５′に入射するが、一部のものは放出面３５
′と放出面３６′との境界にも入射し、この境界から放
出される二次電子が第２ダイノード部材２１′の対応し
ない放出面に入射して混入を生じさせる恐れがある。と
ころで第２の実施例では、放出面３５′と放出面３６′
との間に、障壁４３を設けているので、放出面３５′と
放出面３６′との境界に入射した光電子は障壁４３によ
って対応する放出面３５′に確実に入射する。また放出
面３５′から放出される二次電子は障壁４３によって第
２ダイノード部材２１′の対応した放出面に確実に向か
うので、これにより隣接する放出面間を分離し、混入を
有効に阻止することができる。第２ダイノード部材２１
′乃至第１０ダイノード部材２９′にも第４図に示すよ
うな障壁４６が設けられているので、第１ダイノード部
材２０′の放出面３５′に入射した光電子によって放出
面３５′から放出される二次電子は、障壁に遮られ混入
を生ずることなく対応したアノード電極まで増倍されて
到達する。

同様にして、第１ダイノード部材２０′の放出面３６’
　、３７’または３８′に入射する光電子は、障！！４
４．４５によって対応する放出面３６’　、３７’また
は３８′に確実に到達する。

さらに第１ダイノード部材２０′の放出面３６′。

３７′または３８′から放出される二次電子は、第１ダ
イノード部材２０′の障壁４４．４５と、第２ダイノー
ド部材２１′乃至第１０ダイノード部材２９′のそれぞ
れに設けられている第４図に示すような障壁４７．４８
とによって混入を生ずることなく、対応したアノード電
極まで増倍されて到達する。

このようにして所定のシンチレータ（図示せず）に入射
した放射線粒子を対応したアノード電極からパルス電流
として確実に取出すことができて、対応したアノード電
極以外のアノード電極から取出されることのないように
している。

以上のように、第１および第２の実施例によれば、複数
の光電面の形成される入光窓７の長手方向に沿った厚さ
を一様に薄くすることができるので、シンチレータから
の光を、混入を生じさせることなく対応する光電面に確
実に入射させることができる。また長手方向と垂直な方
向の曲率中心位置が、光電子増倍管１の中心軸ａＤ−Ｄ
よりも第１ダイノード部材側にずれた位置にあるので、
所定の光電面から放出される光電子を所定の集束電極を
介して第１ダイノード部材２０．２０’の対応する放出
面に集束させて確実に入射させることができる。

さらに、複数の光電面に共通したダイノード部材に二次
電子放出比の小さな帯状部分、あるいは障壁の分離手段
を設けることによって、所定の光電面から放出された光
電子およびその光電面に対応したダイノード部材の放出
面からの二次電子を各放電面間で分離して所定のアノー
ド電極まで、確実に増倍させることができる。なお、ダ
イノード部材を複数の光電面に共通のものとしても、各
放出面間での二次電子の混入を阻止することができるの
で、従来の光電子増倍管１０３の構造に比べて、ダイノ
ードの個数、リード線の本数などを著しく減少させるこ
とが可能となる。このように、隣接する光電面間、放出
面間を分離することができるので、所定のシンチレータ
に入射した放射線粒子を対応したアノード電極から確実
に取出すことができて、入射位置検出精度を著しく向上
させることができる。

なお、第２図乃至第４図には、ライン形ダイノードが示
されているが、ライン形ダイノードのかわりにボックス
アンドグリッド形ダイノード、サーキュラゲージ形ダイ
ノードを用いても良い。

〔発明の効果〕

以上に説明したように、本発明によれば、長方形の入光
窓は長手方向に沿って厚さが一様で、また長手方向と垂
直な方向に所定の曲率で弯曲しており、複数のダイノー
ド部材には、複数の光電面のそれぞれに対応させて、分
離手段によって互いに分離された複数の放出面が形成さ
れているので、ガンマ線などの放射線粒子に基づいて入
光窓の所定位置に入射した光を所定のアノード電極から
確実に取出し、入射位置検出精度を著しく向上させるこ
とができるとともに、ダイノード部材は複数の光電面に
共通なものとなっているので、光電子増倍管の構造を簡
単にかつ小型にすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）　、　（ｂ）はそれぞれ本発明の第１の実
施例の光電子増倍管の正面図、側面図、第２図は第１の
実施例の光電子増倍管の第１ダイノード部材の斜視図、
第３図は第２の実施例の光電子増倍管の第１ダイノード
部材の斜視図、第４図は第２の実施例の光電子増倍管の
第２ダイノード部材乃至第１０ダイノード部材の構造を
示す斜視図、第５図（ａ’）　、　（ｂ）はそれぞれ従
来の光電子増倍管の正面図、側面図である。１・・・光電子増倍管、２乃至５・・・光電面、７・・
・入光窓、１０乃至１３・・・集束電極、２０乃至２９
．２０’乃至２９′・・・ダイノード部材、３０乃至３
３・・・アノード電極、３４．３４’・・・内面、３５乃至３８．３５’乃至３８′・・・放出面、３９乃
至４１・・・帯状部分、４３乃至４５．４６乃至４８・・・障壁特許出願人　　
　浜松ホトニクス株式会社特許出願人　　新技術開発事
業団代理人　　弁理士　　植　　本　　雅　治（ａ）二８，２９３０．３１，３２．３３・・・・・・・・・アノード電
極１１１図（ｂ）・・・・・・ダイノード部材第５（ａ）（ｂ）

Claims

【特許請求の範囲】１）長方形の入光窓と、該入光窓の長手方向に沿い、所
定の間隔をへだてて形成されている複数の光電面と、該
複数の光電面のそれぞれに対応して設けられている複数
の集束電極と、前記複数の光電面に共通しており、前記
入光窓の長手方向に沿って長手方向部分が位置決めされ
ている複数のダイノード部材と、前記複数の光電面のそ
れぞれに対応して設けられている複数のアノード電極と
を備え、前記長方形の入光窓は長手方向に沿って厚さが
一様である一方、長手方向と垂直な方向に所定の曲率を
もって弯曲しており、前記複数のダイノード部材の各々
は、前記複数の光電面のそれぞれに対応させて、分離手
段により互いに分離されている複数の放出面を備えてい
ることを特徴とする光電子増倍管。２）前記分離手段は、前記複数のダイノード部材の各々
の内面に形成される二次電子放出比の小さな帯状部分で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の光
電子増倍管。３）前記分離手段は、前記複数のダイノード部材の各々
の内面に取付けられる金属の障壁であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載の光電子増倍管。