JPS63264628A - サ−モトロピツク液晶性コポリエステルの製造法 - Google Patents
サ−モトロピツク液晶性コポリエステルの製造法Info
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- JPS63264628A JPS63264628A JP62098235A JP9823587A JPS63264628A JP S63264628 A JPS63264628 A JP S63264628A JP 62098235 A JP62098235 A JP 62098235A JP 9823587 A JP9823587 A JP 9823587A JP S63264628 A JPS63264628 A JP S63264628A
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- Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、主として含リン芳香族ジオール成分。
芳香族ジカルボン酸成分及び芳香族ヒドロキシカルボン
酸成分とからポリエステルを製造するに際し、これらの
成分にビス−ω−ヒドロキシアルキルテレフタレート又
はその重合体(AT酸成分いう)を添加して反応させる
ことによりサーモトロピック液晶性コポリエステルを製
造する方法に関するものである。
酸成分とからポリエステルを製造するに際し、これらの
成分にビス−ω−ヒドロキシアルキルテレフタレート又
はその重合体(AT酸成分いう)を添加して反応させる
ことによりサーモトロピック液晶性コポリエステルを製
造する方法に関するものである。
(従来の技術)
従来、耐熱性高分子として芳香族ポリエステルがよく知
られている。しかしながら、芳香族ポリエステルの大部
分は成形困難な物質であり、用途が限られている。
られている。しかしながら、芳香族ポリエステルの大部
分は成形困難な物質であり、用途が限られている。
一般に、耐熱性の芳香族ポリエステルは難燃性に優れて
いるとされているが、後述する限界酸素指数では高々4
0程度であって、十分な難燃性とは言い難く、また、非
常に融点が高く、同時に溶融粘度が高いため1高温高圧
で成形しなければならないという極めて不都合なもので
ある。その上。
いるとされているが、後述する限界酸素指数では高々4
0程度であって、十分な難燃性とは言い難く、また、非
常に融点が高く、同時に溶融粘度が高いため1高温高圧
で成形しなければならないという極めて不都合なもので
ある。その上。
高温に長時間暴露することは、ポリエステルの分解の面
から見ても得策ではなく、経済的にも不利である。した
がって、難燃性と溶融成形性に優れた液晶ポリエステル
の開発に関心が注がれ、多くの提案がなされて来たので
ある。
から見ても得策ではなく、経済的にも不利である。した
がって、難燃性と溶融成形性に優れた液晶ポリエステル
の開発に関心が注がれ、多くの提案がなされて来たので
ある。
本発明者らは、特定の含すン芳香族ジオール成分、芳香
族ジカルボン酸成分及び芳香族ヒドロキシカルボン酸成
分とから得られる芳香族ポリエステルが、優れた耐熱性
を有するとともに、良好な溶融成形性を有することを見
出し、先に提案した(特願昭61−51691号)。
族ジカルボン酸成分及び芳香族ヒドロキシカルボン酸成
分とから得られる芳香族ポリエステルが、優れた耐熱性
を有するとともに、良好な溶融成形性を有することを見
出し、先に提案した(特願昭61−51691号)。
このポリエステルにおいて、含リン芳香族ジオール成分
の割合が少ない方が製造コスト面で有利であるが、この
成分が少ない場合、芳香族ヒドロキシカルボン酸成分だ
けがブロック状に重縮合して、生成ポリエステルが高融
点化し、サーモドロピンク液晶性を示さなくなって、溶
融成形性が悪くなるという問題があった。
の割合が少ない方が製造コスト面で有利であるが、この
成分が少ない場合、芳香族ヒドロキシカルボン酸成分だ
けがブロック状に重縮合して、生成ポリエステルが高融
点化し、サーモドロピンク液晶性を示さなくなって、溶
融成形性が悪くなるという問題があった。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明は、このような含すン芳香族ジオール成分、芳香
族ジカルボン酸成分及び芳香族ヒドロキシカルボン酸成
分とから得られる。含リン芳香族ジオール成分の割合が
少ない芳香族ポリエステルにおける問題点を解消し、サ
ーモトロピック液晶性を示して溶融成形性が良く、難燃
性に優れ、耐熱性が良好で高温で使用する成形品に特に
適するコポリエステルを製造する方法を提供しようとす
るものである。
族ジカルボン酸成分及び芳香族ヒドロキシカルボン酸成
分とから得られる。含リン芳香族ジオール成分の割合が
少ない芳香族ポリエステルにおける問題点を解消し、サ
ーモトロピック液晶性を示して溶融成形性が良く、難燃
性に優れ、耐熱性が良好で高温で使用する成形品に特に
適するコポリエステルを製造する方法を提供しようとす
るものである。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、上記の目的を達成するもので、その要旨は1
次のとおりである。
次のとおりである。
下記構造式で示される構成単位[1]〜[3]から主と
してなり、各構成単位が、[1]と[2]とが実質的に
等モルで、[1]と[3]とが5/95〜25/75の
モル比であるポリエステルを製造するに際し、このポリ
エステルを形成する原料に、生成ポリエステルに対して
アルキレンテレフタレート単位として1〜20モル%と
なる量のAT酸成分添加し2反応させることを特徴とす
るサーモトロピック液晶性コポリエステルの製造法。
してなり、各構成単位が、[1]と[2]とが実質的に
等モルで、[1]と[3]とが5/95〜25/75の
モル比であるポリエステルを製造するに際し、このポリ
エステルを形成する原料に、生成ポリエステルに対して
アルキレンテレフタレート単位として1〜20モル%と
なる量のAT酸成分添加し2反応させることを特徴とす
るサーモトロピック液晶性コポリエステルの製造法。
−0−Ar’−0−
−O−Ar”−Co−■
(式において+ Ar’は3価の芳香族基、Ar”は2
価の芳香族基を示す。ただし、芳香環は置換基を有して
いてもよい。) 本発明の方法で得られるコポリエステルは、流動開始温
度が1通常、300℃以下、好ましくは270℃以下で
溶融成形性が良く、かつ耐熱性、難燃性及び機械的特性
の良好なサーモトロピック液晶性コポリエステルである
。
価の芳香族基を示す。ただし、芳香環は置換基を有して
いてもよい。) 本発明の方法で得られるコポリエステルは、流動開始温
度が1通常、300℃以下、好ましくは270℃以下で
溶融成形性が良く、かつ耐熱性、難燃性及び機械的特性
の良好なサーモトロピック液晶性コポリエステルである
。
サーモトロピック液晶性とは、溶融相においてポリエス
テルの分子が規則的に一方向に配列してネマティック相
といわれる液晶を生成する性質のことをいい、直交偏光
子を用いた常用の偏光技術により確認できる。
テルの分子が規則的に一方向に配列してネマティック相
といわれる液晶を生成する性質のことをいい、直交偏光
子を用いた常用の偏光技術により確認できる。
本発明におけるコポリエステルの第一の必須構成単位は
前記式ので示される含リン芳香族ジオール残基である。
前記式ので示される含リン芳香族ジオール残基である。
式■におけるAr’としては、ベンゼン環及びナフタリ
ン環が好ましい。また、弐〇における芳香環の水素原子
は、炭素原子数1〜2゜のアルキル基、アルコキシ基、
炭素原子数6〜2゜のアリール基、アリロキシ基もしく
はハロゲン原子で置換されていてもよい。
ン環が好ましい。また、弐〇における芳香環の水素原子
は、炭素原子数1〜2゜のアルキル基、アルコキシ基、
炭素原子数6〜2゜のアリール基、アリロキシ基もしく
はハロゲン原子で置換されていてもよい。
式■の構成単位を形成する含リン芳香族ジオールの具体
例としては1次の式(a)〜(d)で表されるものが挙
げられる。
例としては1次の式(a)〜(d)で表されるものが挙
げられる。
(C) (dl第二の
必須構成単位は前記式■で示される芳香族ジカルボン酸
残基である。
必須構成単位は前記式■で示される芳香族ジカルボン酸
残基である。
芳香族ジカルボン酸としては、テレフタル酸(fPA)
及びイソフタル酸(IPA)が好適であり、 TPAと
IPAとをモル比で100/ 0〜0 /100.
好ましくは10010〜50150.最適には100/
0〜80/20の割合で用いるのが適当である。
及びイソフタル酸(IPA)が好適であり、 TPAと
IPAとをモル比で100/ 0〜0 /100.
好ましくは10010〜50150.最適には100/
0〜80/20の割合で用いるのが適当である。
また、第三の必須構成単位は前記式〇で示される芳香族
ヒドロキシカルボン酸残基であり、具体的には、4−ヒ
ドロキシ安息香酸、3−ヒドロキシ安息香酸、3−フェ
ニル−4−ヒドロキシ安息香酸、2−ヒドロキシ−6−
ナフトエ酸等の残基が挙げられるが、特に4−ヒドロキ
シ安息香酸の残基だ好ましい。
ヒドロキシカルボン酸残基であり、具体的には、4−ヒ
ドロキシ安息香酸、3−ヒドロキシ安息香酸、3−フェ
ニル−4−ヒドロキシ安息香酸、2−ヒドロキシ−6−
ナフトエ酸等の残基が挙げられるが、特に4−ヒドロキ
シ安息香酸の残基だ好ましい。
構成単位■と■とは、実質的に等モルであることが必要
で、この要件が満足されないと高重合度のコポリエステ
ルが得られない。
で、この要件が満足されないと高重合度のコポリエステ
ルが得られない。
そして1本発明の方法で対象とするポリエステルは、構
成単位[1]と[3]とが5/95〜25/75のモル
比のものであり、構成単位[1]〜[3]からなるポリ
エステルでは、サーモトロピック液晶性を示し難い組成
のものである。このモル比がこの範囲より大きい組成で
は、容易に安定してサーモトロピック液晶性ポリエステ
ルが得られるので、AT酸成分導入する必要がない。
成単位[1]と[3]とが5/95〜25/75のモル
比のものであり、構成単位[1]〜[3]からなるポリ
エステルでは、サーモトロピック液晶性を示し難い組成
のものである。このモル比がこの範囲より大きい組成で
は、容易に安定してサーモトロピック液晶性ポリエステ
ルが得られるので、AT酸成分導入する必要がない。
また、構成単位[1]〜[3]からなるコポリエステル
に導入するAT酸成分量は、アルキレンテレフタレート
単位として、生成ポリエステルの1〜20モル%、好ま
しくは1〜15モル%、最適には2〜10モル%である
。AT酸成分量があまり少なければこの成分を導入する
効果が不十分であり、多すぎると安定してサーモトロピ
ック液晶性コポリエステルを得ることができず、溶融成
形性、耐熱性。
に導入するAT酸成分量は、アルキレンテレフタレート
単位として、生成ポリエステルの1〜20モル%、好ま
しくは1〜15モル%、最適には2〜10モル%である
。AT酸成分量があまり少なければこの成分を導入する
効果が不十分であり、多すぎると安定してサーモトロピ
ック液晶性コポリエステルを得ることができず、溶融成
形性、耐熱性。
成形物の耐衝撃性等が低下したりして、好ましくない。
AT酸成分しては、ビス−β−ヒドロキシエチルテレフ
タレート又はその重合体が好ましく用いられ、特にテレ
フタル酸とエチレングリコールとのエステル化反応で得
られる低重合体が好適である。
タレート又はその重合体が好ましく用いられ、特にテレ
フタル酸とエチレングリコールとのエステル化反応で得
られる低重合体が好適である。
また、上記コポリエステルの効果を損なわない範囲で上
記以外の成分を共重合してもよく、そのような共重合成
分としては1例えば、レゾルシン。
記以外の成分を共重合してもよく、そのような共重合成
分としては1例えば、レゾルシン。
ハイドロキノン、4.4’−ジヒドロキシジフェニル。
エチレングリコール、シクロヘキサンジメタツール、ペ
ンタエリスリトール、2,6−ナフタレンジカルボン酸
、ナフタル酸、4.4’−ジカルボキシジフェニル、2
.2−ビス(4′−カルボキシフェニル)プロパン、ビ
ス(4−カルボキシフェニル)メタン。
ンタエリスリトール、2,6−ナフタレンジカルボン酸
、ナフタル酸、4.4’−ジカルボキシジフェニル、2
.2−ビス(4′−カルボキシフェニル)プロパン、ビ
ス(4−カルボキシフェニル)メタン。
ビス(4−カルボキシフェニル)エーテル等カ好適であ
る。
る。
本発明の方法においては、構成単位[1]〜[3]から
なるポリエステルを形成する原料にAT酸成分添加して
反応(共重合)させる。
なるポリエステルを形成する原料にAT酸成分添加して
反応(共重合)させる。
構成単位■を形成する含リン芳香族ジオール成分及び構
成単位■を形成する芳香族ヒドロキシカルボン酸成分は
、低級脂肪酸の酸無水物と反応させて、ヒドロキシル基
を低級脂肪酸のエステル基に変換した形で用いるか、ヒ
ドロキシル基と当量以上の低級脂肪酸の酸無水物と併用
して用いられる。
成単位■を形成する芳香族ヒドロキシカルボン酸成分は
、低級脂肪酸の酸無水物と反応させて、ヒドロキシル基
を低級脂肪酸のエステル基に変換した形で用いるか、ヒ
ドロキシル基と当量以上の低級脂肪酸の酸無水物と併用
して用いられる。
低級脂肪酸の酸無水物としては、無水酢酸、無水プロピ
オン酸、無水吉草酸、無水ピバル酸、無水トリクロル酢
酸等が用いられるが、沸点と価格の点で、無水酢酸が最
も好ましい。
オン酸、無水吉草酸、無水ピバル酸、無水トリクロル酢
酸等が用いられるが、沸点と価格の点で、無水酢酸が最
も好ましい。
本発明の方法の好ましい一例と−して、含リン芳香族ジ
オール成分が前記一般式(a)で表される化合物である
9、10−ジヒドロ−9−オキサ−10−(2’。
オール成分が前記一般式(a)で表される化合物である
9、10−ジヒドロ−9−オキサ−10−(2’。
5゛−ジヒドロキシフェニル)ホスファフェナントレン
−10−オキシド(PHG) 、芳香族ジカルボン酸成
分がTPA/IPA、芳香族ヒドロキシカルボン酸成分
が4−ヒドロキシ安息香酸(4HBA)であるコポリエ
ステルの製造法について、具体的に説明する。
−10−オキシド(PHG) 、芳香族ジカルボン酸成
分がTPA/IPA、芳香族ヒドロキシカルボン酸成分
が4−ヒドロキシ安息香酸(4HBA)であるコポリエ
ステルの製造法について、具体的に説明する。
■pHロ、TPA/IPA、4HBAをヒドロキシル基
とカルボキシル基とが当量となる量、さらにヒドロキシ
ル基の量と当量以上(好ましくは1.05〜1.25倍
当量)の無水酢酸(AczO)及びAT酸成分もしくは
◎PHQのジアセテート(PIIQ−A) 、 TP八
へIPA、4HBへのアセテート(48BA−A)をヒ
ドロキシル残基とカルボキシル基とが当量となる量(好
ましくは、ヒドロキシル残基の量に対して0.05〜0
.25倍当量のAc20とともに)及びAT酸成分反応
機に仕込み、常圧下。
とカルボキシル基とが当量となる量、さらにヒドロキシ
ル基の量と当量以上(好ましくは1.05〜1.25倍
当量)の無水酢酸(AczO)及びAT酸成分もしくは
◎PHQのジアセテート(PIIQ−A) 、 TP八
へIPA、4HBへのアセテート(48BA−A)をヒ
ドロキシル残基とカルボキシル基とが当量となる量(好
ましくは、ヒドロキシル残基の量に対して0.05〜0
.25倍当量のAc20とともに)及びAT酸成分反応
機に仕込み、常圧下。
150℃程度の温度で、約2時間程度酸交換反応もしく
はエステル化反応させる。その後順次昇温し。
はエステル化反応させる。その後順次昇温し。
必要なら減圧しながら酢酸を溜出させ、酸交換反応させ
た後、280℃程度に昇温する。
た後、280℃程度に昇温する。
その後、最終的に通常、280〜350℃の温度で、1
トル未満の高減圧下に数十分〜数時間、溶融相で重縮合
反応させる。
トル未満の高減圧下に数十分〜数時間、溶融相で重縮合
反応させる。
本発明において重縮合反応は、コポリエステルの極限粘
度〔η〕が0.5以上、好ましくは0.6〜10゜0.
最適には0.7〜3.0となるように行われる。
度〔η〕が0.5以上、好ましくは0.6〜10゜0.
最適には0.7〜3.0となるように行われる。
〔η〕が0.5より小さいと耐熱性を始めとする各種の
機械的特性が劣り、 〔η〕が10.0より大きいと溶
融粘度が高くなり過ぎて成形性、流動性などが損なわれ
たりして好ましくないときがある。
機械的特性が劣り、 〔η〕が10.0より大きいと溶
融粘度が高くなり過ぎて成形性、流動性などが損なわれ
たりして好ましくないときがある。
なお1通常重縮合反応には触媒が用いられるが1本発明
においては1例えば、各種金属化合物及び有機スルホン
酸化合物の中から選ばれた1種以上の化合物が用いられ
る。
においては1例えば、各種金属化合物及び有機スルホン
酸化合物の中から選ばれた1種以上の化合物が用いられ
る。
金属化合物としては、アンチモン、チタン、ゲルマニウ
ム、スズ、亜鉛、アルミニウム、マグネシウム、カルシ
ウム、マンガン、コバルト、カリウム、ナトリウムなど
の化合物が用いられ、一方。
ム、スズ、亜鉛、アルミニウム、マグネシウム、カルシ
ウム、マンガン、コバルト、カリウム、ナトリウムなど
の化合物が用いられ、一方。
有機スルホン酸化合物としては、スルホサリチル酸、0
−スルホ安息香酸無水物などの化合物が用いられるが、
ジメチルスズマレエートや0−スルホ安息香酸無水物が
特に好適に用いられる。
−スルホ安息香酸無水物などの化合物が用いられるが、
ジメチルスズマレエートや0−スルホ安息香酸無水物が
特に好適に用いられる。
触媒の添加量としては、ポリエステルの繰り返し単位1
モルに対し1通常、0.1X10−’〜100 X 1
0−’モル、好ましくは0.5 Xl0−’〜50X1
0−’モル、最適にはlXl0−’〜l0XIO−’モ
ル用いられる。
モルに対し1通常、0.1X10−’〜100 X 1
0−’モル、好ましくは0.5 Xl0−’〜50X1
0−’モル、最適にはlXl0−’〜l0XIO−’モ
ル用いられる。
(実施例)
次に、実施例を挙げて本発明をさらに詳しく説明する。
ポリマーの極限粘度〔η〕は、フェノールと四塩化エタ
ンとの等重量混合溶媒中、20℃で測定した溶液粘度か
ら求めた。
ンとの等重量混合溶媒中、20℃で測定した溶液粘度か
ら求めた。
ガラス転移点Tgは、パーキンエルマー社製示差走査熱
量計DSC−2型を用い、昇温速度20℃/分で測定し
た。
量計DSC−2型を用い、昇温速度20℃/分で測定し
た。
流動開始温度Tfは、高滓製作所製フローテスターCF
T −500型を用い、荷重100kg/cj、ノズル
径0 、5 n+の条件で、200℃から10℃/分の
割合で昇温して行き、ポリマーが流出し始める温度とし
て求めた。
T −500型を用い、荷重100kg/cj、ノズル
径0 、5 n+の条件で、200℃から10℃/分の
割合で昇温して行き、ポリマーが流出し始める温度とし
て求めた。
アイゾツト衝撃強度IZは、ASTM D256規格に
準拠して、1/8Sンの厚みで、ノツチ付で測定した。
準拠して、1/8Sンの厚みで、ノツチ付で測定した。
難燃性は、 JIS K7201規格による限界酸素指
数LOIを1/16!ンの厚みの試料について求めて判
定した。
数LOIを1/16!ンの厚みの試料について求めて判
定した。
また1本発明のコポリエステルのサーモトロピック液晶
性はホットステージ付Leitz偏光顕微鏡で確認した
。
性はホットステージ付Leitz偏光顕微鏡で確認した
。
実施例1
ビス−β−ヒドロキシエチルテレフタレート及びその低
重合体(BHET)の存在するエステル化反応装置にモ
ル比1 /1.6のTPAとEGとのスラリーを連続的
に供給し、温度260℃、圧力0.05kg / Cl
1lG 。
重合体(BHET)の存在するエステル化反応装置にモ
ル比1 /1.6のTPAとEGとのスラリーを連続的
に供給し、温度260℃、圧力0.05kg / Cl
1lG 。
滞留時間6時間の条件で反応させ、〔η〕0.1のBH
ETを得た。
ETを得た。
反応装置に、PIIQ−A、TPA、41)BA−八及
びAc20をモル比で20 : 20 : 80 :
10となる量及び上記B 1) E Tをエチレンテレ
フタレート単位として生成ポリエステルの5モル%とな
る量で仕込み、触媒としてジメチルスズマレエートをポ
リエステルの繰り返し単位1モルに対し4X10−’モ
ル加え、窒素雰囲気下。
びAc20をモル比で20 : 20 : 80 :
10となる量及び上記B 1) E Tをエチレンテレ
フタレート単位として生成ポリエステルの5モル%とな
る量で仕込み、触媒としてジメチルスズマレエートをポ
リエステルの繰り返し単位1モルに対し4X10−’モ
ル加え、窒素雰囲気下。
常圧150℃で2時間混合しながら反応させた。この反
応物をさらに常圧下、200℃で2時間、さらに280
℃で2時間反応させた。その後、徐々に減圧。
応物をさらに常圧下、200℃で2時間、さらに280
℃で2時間反応させた。その後、徐々に減圧。
昇温して反応を行い、最終的に320℃、1トル以下の
減圧下で2時間反応させた。
減圧下で2時間反応させた。
得られたポリエステルは、 〔η) 2.71. Tg
179”C,Tf 268℃、IZ 31.4kgf
−cm/cm、 LOI 54で1色調の優れたサーモ
トロピック液晶性コポリエステルであった。
179”C,Tf 268℃、IZ 31.4kgf
−cm/cm、 LOI 54で1色調の優れたサーモ
トロピック液晶性コポリエステルであった。
比較例1
実施例1において、 BHETを用いなかった以外は実
施例1と同様にしてポリエステルを製造した。
施例1と同様にしてポリエステルを製造した。
得られたポリエステルは、溶媒に不溶、Tg 186”
c、 Tf 305℃、IZ6.2 kgf1cm/c
m、 LOI 52で、サーモトロピック液晶性を示さ
ないコポリエステルであった。
c、 Tf 305℃、IZ6.2 kgf1cm/c
m、 LOI 52で、サーモトロピック液晶性を示さ
ないコポリエステルであった。
実施例2〜4
pHローAの代わりに第1表に示した含リン芳香族ジオ
ールのジアセテートを用い、実施例1とほぼ同様にして
得たコポリエステルの特性値を第1表に示す。
ールのジアセテートを用い、実施例1とほぼ同様にして
得たコポリエステルの特性値を第1表に示す。
なお、第1表における(b)、 (C)及び(d)は、
それぞれ前述の構造式(b)、 (C1及び(d)を有
する含リン芳香族ジオールのジアセテートを示す。
それぞれ前述の構造式(b)、 (C1及び(d)を有
する含リン芳香族ジオールのジアセテートを示す。
第1表
実施例5〜1)及び比較例2〜6
第2表に示したモル部のPHQ、 TPA、 IP八、
41)BAとAC20144モル部及び第2表に示し
た量(生成ポリエステルに対するエチレンテレフタレー
ト単位としてのモル%)の実施例1のBHETを使用し
、実施例1とほぼ同様にしてポリエステルを製造した。
41)BAとAC20144モル部及び第2表に示し
た量(生成ポリエステルに対するエチレンテレフタレー
ト単位としてのモル%)の実施例1のBHETを使用し
、実施例1とほぼ同様にしてポリエステルを製造した。
得られたコポリエステルの特性値を第2表に示す。
第2表
実施例12
実施例1のBHETをバッチ式重縮合反応装置に仕込み
、触媒としてジメチルスズマレエートをポリエステルの
繰り返し単位1モルに対し2X10−’モル加え、1ト
ル以下の減圧下、280℃で2時間10分反応させ、
〔η〕0.7のポリエチレンテレフタレートを得た。
、触媒としてジメチルスズマレエートをポリエステルの
繰り返し単位1モルに対し2X10−’モル加え、1ト
ル以下の減圧下、280℃で2時間10分反応させ、
〔η〕0.7のポリエチレンテレフタレートを得た。
実施例8において、 BHETの代わりに上記ポリエチ
レンテレフタレートを生成ポリエステルに対してエチレ
ンテレフタレート単位として8モル%となる量で用いた
以外は実施例8とほぼ同様にしてポリエステルを製造し
た。
レンテレフタレートを生成ポリエステルに対してエチレ
ンテレフタレート単位として8モル%となる量で用いた
以外は実施例8とほぼ同様にしてポリエステルを製造し
た。
得られたポリエステルは、 〔η) 1.99. Tg
160”C,Tf 256℃、IZ 2B、7kgf
−cm/cm、 LOI 52で1色調の優れたサーモ
トロピック液晶性コポリエステルであった。
160”C,Tf 256℃、IZ 2B、7kgf
−cm/cm、 LOI 52で1色調の優れたサーモ
トロピック液晶性コポリエステルであった。
(発明の効果)
本発明によれば、含リン芳香族ジオール成分。
芳香族ジカルボン酸成分及び芳香族ヒドロキシカルボン
酸成分とから得られる。含リン芳香族ジオ−ル成分の割
合が少ない芳香族ポリエステルにおいて、AT酸成分導
入により、生成ポリエステルの高融点化が防止され、サ
ーモトロピック液晶性コポリエステルを安定して製造す
ることが可能になり、溶融成形性が良く、難燃性に優れ
、耐熱性が良好で高温で使用する成形品に特に適するコ
ポリエステルを容易に製造することが可能となる。
酸成分とから得られる。含リン芳香族ジオ−ル成分の割
合が少ない芳香族ポリエステルにおいて、AT酸成分導
入により、生成ポリエステルの高融点化が防止され、サ
ーモトロピック液晶性コポリエステルを安定して製造す
ることが可能になり、溶融成形性が良く、難燃性に優れ
、耐熱性が良好で高温で使用する成形品に特に適するコ
ポリエステルを容易に製造することが可能となる。
Claims (1)
- (1)下記構造式で示される構成単位[1]〜[3]か
ら主としてなり、各構成単位が、[1]と[2]とが実
質的に等モルで、[1]と[3]とが5/95〜25/
75のモル比であるポリエステルを製造するに際し、こ
のポリエステルを形成する原料に、生成ポリエステルに
対してアルキレンテレフタレート単位として1〜20モ
ル%となる量のビス−ω−ヒドロキシアルキルテレフタ
レート又はその重合体を添加し、反応させることを特徴
とするサーモトロピック液晶性コポリエステルの製造法
。 ▲数式、化学式、表等があります▼[1] ▲数式、化学式、表等があります▼[2] ▲数式、化学式、表等があります▼[3] (式において、Ar^1は3価の芳香族基、Ar^2は
2価の芳香族基を示す。ただし、芳香環は置換基を有し
ていてもよい。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62098235A JP2507735B2 (ja) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | サ−モトロピツク液晶性コポリエステルの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62098235A JP2507735B2 (ja) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | サ−モトロピツク液晶性コポリエステルの製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63264628A true JPS63264628A (ja) | 1988-11-01 |
JP2507735B2 JP2507735B2 (ja) | 1996-06-19 |
Family
ID=14214297
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62098235A Expired - Lifetime JP2507735B2 (ja) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | サ−モトロピツク液晶性コポリエステルの製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2507735B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5015723A (en) * | 1988-09-02 | 1991-05-14 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Process for producing aromatic polyesters |
US5055546A (en) * | 1988-11-04 | 1991-10-08 | Sumitomo Chemical Company, Ltd. | Process for producing aromatic polyesters |
US8440914B2 (en) | 2010-03-26 | 2013-05-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystalline thermoset oligomer or polymer and thermosetting composition and substrate including the same |
-
1987
- 1987-04-21 JP JP62098235A patent/JP2507735B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5015723A (en) * | 1988-09-02 | 1991-05-14 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Process for producing aromatic polyesters |
US5055546A (en) * | 1988-11-04 | 1991-10-08 | Sumitomo Chemical Company, Ltd. | Process for producing aromatic polyesters |
US8440914B2 (en) | 2010-03-26 | 2013-05-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystalline thermoset oligomer or polymer and thermosetting composition and substrate including the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2507735B2 (ja) | 1996-06-19 |
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