JPS6324706A - 極超短波の周波数で作動する周波数倍増発振器 - Google Patents
極超短波の周波数で作動する周波数倍増発振器Info
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- JPS6324706A JPS6324706A JP62146822A JP14682287A JPS6324706A JP S6324706 A JPS6324706 A JP S6324706A JP 62146822 A JP62146822 A JP 62146822A JP 14682287 A JP14682287 A JP 14682287A JP S6324706 A JPS6324706 A JP S6324706A
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１本発明の前頭］
（発明の利用分野）
本発明は搬送周波数付近で低ノイズを有する極一
超短波発振器に関するもである。この発振器９よ倍増タ
イプで、すなわち、負荷にかかる周波数は、所謂ブツシ
ュブツシュモードアセンブリーにより、トランジスター
の発振周波数の２倍となる。中央周波数に近いノイズは
二つのトランジスターのゲート間に設置した最適低周波
インピーダンスにより減少し、この回路は、直列に相互
に無関係なノイズソースを配置するか、トランジスター
の低周波ノイズソースが接地するのを避けるかのいずれ
かである。
イプで、すなわち、負荷にかかる周波数は、所謂ブツシ
ュブツシュモードアセンブリーにより、トランジスター
の発振周波数の２倍となる。中央周波数に近いノイズは
二つのトランジスターのゲート間に設置した最適低周波
インピーダンスにより減少し、この回路は、直列に相互
に無関係なノイズソースを配置するか、トランジスター
の低周波ノイズソースが接地するのを避けるかのいずれ
かである。
今日そして今後の数十ギガヘルツで作動する極超短波発
振器においては負荷にかける周波数が可能な限りノイズ
のない、すなわちＷｉ送同周波数して知られる中央周波
数の近辺の周波数帯例えば２０Ｇ ＨＺの前後１０Ｋ
ＨＺの周波数帯では不要電波の発（辰がないことが重要
である： （従来技術） この結果を得るような従来の方法はいろいろなものがあ
る。それらの方法は、考慮された発振器のパターンによ
り変化する。例えば、フィードバック発振器では、振幅
制限機能と増幅機能が分割してこの種の発振器は搬送波
が１００Ｇ ＨＺであるならＩＯＧ ＨＺで発振するト
ランジスターを必要とする。この種のトランジスターは
とてもサイズが小さくパワーに欠ける。
振器においては負荷にかける周波数が可能な限りノイズ
のない、すなわちＷｉ送同周波数して知られる中央周波
数の近辺の周波数帯例えば２０Ｇ ＨＺの前後１０Ｋ
ＨＺの周波数帯では不要電波の発（辰がないことが重要
である： （従来技術） この結果を得るような従来の方法はいろいろなものがあ
る。それらの方法は、考慮された発振器のパターンによ
り変化する。例えば、フィードバック発振器では、振幅
制限機能と増幅機能が分割してこの種の発振器は搬送波
が１００Ｇ ＨＺであるならＩＯＧ ＨＺで発振するト
ランジスターを必要とする。この種のトランジスターは
とてもサイズが小さくパワーに欠ける。
（発明の概≠）
本発明に使用した所謂ブッシュプッシュアセンブリーは
、１００Ｇ ＨＺの搬送波を求めるなら、５０Ｇ ＨＺ
で発振するトランジスター２個のみが必↓ 要であるとい長所を持つ。このアセンブリーでは、２個
のトランジスターを並列装備し、それらのゲートを相互
に平行な２個のマイクロストリップに連結する。マイク
ロストリップの間に【ま、セラミックの誘電共振器を配
置する。マイクロストリップは通常は５０オーム程の抵
抗器を通じて接地する。
、１００Ｇ ＨＺの搬送波を求めるなら、５０Ｇ ＨＺ
で発振するトランジスター２個のみが必↓ 要であるとい長所を持つ。このアセンブリーでは、２個
のトランジスターを並列装備し、それらのゲートを相互
に平行な２個のマイクロストリップに連結する。マイク
ロストリップの間に【ま、セラミックの誘電共振器を配
置する。マイクロストリップは通常は５０オーム程の抵
抗器を通じて接地する。
各トランジスターを個別に考えれば、マイクロストリッ
プと誘電共振器から成る共振回路＆ま公知であるが、２
個の共振回路のそれぞれはトランジスタール特有の低周
波ノイズを消さなｌ、Ｎ。
プと誘電共振器から成る共振回路＆ま公知であるが、２
個の共振回路のそれぞれはトランジスタール特有の低周
波ノイズを消さなｌ、Ｎ。
本発明によれば、電界効果トランジスターの相互に無関
係な低周波ノイズソースは、 −ゲートマイクロストリップの一端と接地抵抗器の間に
配置した高容示キャパシタンスによって無限インピーダ
ンスを負荷する。このキャパシタンスは低周波ノイズソ
ースの接地を防ぎ、それ故調波２において中間周波数ノ
イズを削減する。かまたは −二つのトランジスターゲートマイクロストリップを相
互に連ＦＳ Ｖるチョークコイルによって直列に配置す
る。このチョークコイルは誘電共振器と抵抗器に連結さ
れたマイクロストリップの一端どの間に位ゴづる箇所に
係合し、負荷の調波２付近の低周波ノイズは削減され、
搬送波から離れたところに偏移する。トランジスターの
低周波ノイズソースは直列に配置する。なぜならば、各
マイクロストリップに対して、キャパシタンスをマイク
ロストリップの一端と接地した抵抗器の間に配置しであ
るからである二このキャパシタンスの容Ｍは極超短波に
おけるｎｊ絡と低周波数におけるオーブン回路に等価で
あるよう充分高くなければならない。そして、低周波数
に関していえば二つのゲートを連結する先のチョークコ
イルに対してである。
係な低周波ノイズソースは、 −ゲートマイクロストリップの一端と接地抵抗器の間に
配置した高容示キャパシタンスによって無限インピーダ
ンスを負荷する。このキャパシタンスは低周波ノイズソ
ースの接地を防ぎ、それ故調波２において中間周波数ノ
イズを削減する。かまたは −二つのトランジスターゲートマイクロストリップを相
互に連ＦＳ Ｖるチョークコイルによって直列に配置す
る。このチョークコイルは誘電共振器と抵抗器に連結さ
れたマイクロストリップの一端どの間に位ゴづる箇所に
係合し、負荷の調波２付近の低周波ノイズは削減され、
搬送波から離れたところに偏移する。トランジスターの
低周波ノイズソースは直列に配置する。なぜならば、各
マイクロストリップに対して、キャパシタンスをマイク
ロストリップの一端と接地した抵抗器の間に配置しであ
るからである二このキャパシタンスの容Ｍは極超短波に
おけるｎｊ絡と低周波数におけるオーブン回路に等価で
あるよう充分高くなければならない。そして、低周波数
に関していえば二つのゲートを連結する先のチョークコ
イルに対してである。
さらに的確にすれば、本発明は極超短波で作動し、所謂
ブッシュプッシュアセンブリーでは、インピーダンスに
接続されたソース及びトレイン電極を有し並列に作動す
る二つの電界効果トランジスター、両トランジスターの
出力ＷｆＩのインピーダンスの共有点に接続された作動
負荷、一端が抵抗器により接地されたマイクロストリッ
プラインの他端にインピーダンスを介して接続された各
トランジスターのゲート、二つのマイクロストリップラ
インの間の振動が得られるような箇所に４配置された誘
電共振器からなる周波数倍増発振器であって、搬送波と
して知られる主要周波数付近で負荷の低周波ノイズを削
減するた駄トランジスター特有のノイズ発生器が直流電
流では接地面から絶縁されかつ二つの高容量キャパシタ
ンスからなる無限低周波インピーダンスを負荷されてお
り、この二つのキャパシタンスの夫々がマイクロストリ
ップラインの一端と接地抵抗器との間にぽ配置されてい
る周波数倍増発振器である。
ブッシュプッシュアセンブリーでは、インピーダンスに
接続されたソース及びトレイン電極を有し並列に作動す
る二つの電界効果トランジスター、両トランジスターの
出力ＷｆＩのインピーダンスの共有点に接続された作動
負荷、一端が抵抗器により接地されたマイクロストリッ
プラインの他端にインピーダンスを介して接続された各
トランジスターのゲート、二つのマイクロストリップラ
インの間の振動が得られるような箇所に４配置された誘
電共振器からなる周波数倍増発振器であって、搬送波と
して知られる主要周波数付近で負荷の低周波ノイズを削
減するた駄トランジスター特有のノイズ発生器が直流電
流では接地面から絶縁されかつ二つの高容量キャパシタ
ンスからなる無限低周波インピーダンスを負荷されてお
り、この二つのキャパシタンスの夫々がマイクロストリ
ップラインの一端と接地抵抗器との間にぽ配置されてい
る周波数倍増発振器である。
く好ましい具体例）
第１図は、ブッシコプッシュモードアッセンブリの倍増
発振器をかなり簡略化した図である。それは並列装備し
た二つの電界効果トランジスター路に接続している一第
１のトランジスターのゲート、ソース及びドレイン電極
はインピーダンス回路３．４．５にそして第２のトラン
ジスターのゲート。
発振器をかなり簡略化した図である。それは並列装備し
た二つの電界効果トランジスター路に接続している一第
１のトランジスターのゲート、ソース及びドレイン電極
はインピーダンス回路３．４．５にそして第２のトラン
ジスターのゲート。
ソース及びドレイン電極はインピーダンス回路ら。
７．８に１別続されている。ゲートとソースのインピー
ダンスは接地されていて、回路にループ特性を持たす。
ダンスは接地されていて、回路にループ特性を持たす。
負荷９を出力インピーダンス５と８の中間点に連結する
ニドランシスター１と２が、例えば１５Ｇｌ−ＩＺで発
振するならば、負荷の発振周波数は２倍すなわち３０Ｇ
Ｈｚになり、それは調波２である。
ニドランシスター１と２が、例えば１５Ｇｌ−ＩＺで発
振するならば、負荷の発振周波数は２倍すなわち３０Ｇ
Ｈｚになり、それは調波２である。
ゲートインピーダンス３と６は、マイクロストリップと
望ましい周波数に設定した誘電共振器とで構成される。
望ましい周波数に設定した誘電共振器とで構成される。
誘電共振器は両ゲートマイクロストリップに共通でもあ
る。しかし、各ノイズ発生器が転換ノイズを出すために
、このトポロジーは低周波ノイズを搬送周波数に近い中
間周波数ノイズに変換する。
る。しかし、各ノイズ発生器が転換ノイズを出すために
、このトポロジーは低周波ノイズを搬送周波数に近い中
間周波数ノイズに変換する。
このパターンは従来技術で知られている。本発明は搬送
波周辺のノイズを除き従来技術に向上をもたらす。
波周辺のノイズを除き従来技術に向上をもたらす。
二つのトランジスター１と２に対して、グー１−ｇ１超
短波電圧（バイアス電圧と混同しないこと）を７ｇ１と
Ｖｇ２とし、ドレイン極超短波電流をｉｄｌとｉｄ２と
する。電流ｉｄｌとｉｄ２が基本周波数と逆位相で、調
波２と同位相ならば、負荷には調波２のみが存在する。
短波電圧（バイアス電圧と混同しないこと）を７ｇ１と
Ｖｇ２とし、ドレイン極超短波電流をｉｄｌとｉｄ２と
する。電流ｉｄｌとｉｄ２が基本周波数と逆位相で、調
波２と同位相ならば、負荷には調波２のみが存在する。
その理由は二
２つのトランジスターが通常の如く同一で基本モードで
逆位相ならば、 ■ｇ２−−Ｖｇ１ 故に、 負荷における総和は、 ダ ｉ ｄ＝２ｂＶ、１＋２ｄＶｇ１ 更には、 Ｖ ｇ１＝ Ｖ 、 ＋ Ｖ ｂ１＋ Ｖ ｂｚこの中
で： ＩＶａは基本モードでのトランジスターの極超短波電圧 ｔＶｂｌはトランジスター１に起因する低周波ノイズ電
圧 ｆ Ｖｂ２はトランジスター２に起因する低周波ノイズ
電圧 低周波回路のゲートが直列接続であれば、トランジスタ
ー２の低周波ノイズソースもトランジスター１．の低周
波ノイズソースと直列である。しかしトランジスターの
ノイズソースが相互に無関係ならば（本発明の場合のよ
うに）、次式を得る：３．４ ＢＶｇｓｉｎ ｗｔ （Ｗは角周波数）負荷電流は次のようになる：２Ｗ と
２Ｗ ±２ｗｂ Ｗｏは基本モード角周波数 ｗｂは低周波ノイズ角周波数 振器２ ｗ ｏ ｆ ｗ ｂよりましである。
逆位相ならば、 ■ｇ２−−Ｖｇ１ 故に、 負荷における総和は、 ダ ｉ ｄ＝２ｂＶ、１＋２ｄＶｇ１ 更には、 Ｖ ｇ１＝ Ｖ 、 ＋ Ｖ ｂ１＋ Ｖ ｂｚこの中
で： ＩＶａは基本モードでのトランジスターの極超短波電圧 ｔＶｂｌはトランジスター１に起因する低周波ノイズ電
圧 ｆ Ｖｂ２はトランジスター２に起因する低周波ノイズ
電圧 低周波回路のゲートが直列接続であれば、トランジスタ
ー２の低周波ノイズソースもトランジスター１．の低周
波ノイズソースと直列である。しかしトランジスターの
ノイズソースが相互に無関係ならば（本発明の場合のよ
うに）、次式を得る：３．４ ＢＶｇｓｉｎ ｗｔ （Ｗは角周波数）負荷電流は次のようになる：２Ｗ と
２Ｗ ±２ｗｂ Ｗｏは基本モード角周波数 ｗｂは低周波ノイズ角周波数 振器２ ｗ ｏ ｆ ｗ ｂよりましである。
第２図が示す一般的な発振器によれば、相互に無関係な
低周波ノイズソースはチョークコイルと二つのキャパシ
タンスを用いて直列に配置する。
低周波ノイズソースはチョークコイルと二つのキャパシ
タンスを用いて直列に配置する。
この低周波数チョークコイルは低周波数ノイズ発振器が
逆位相になる状態を提供する。
逆位相になる状態を提供する。
この図では、電界効果トランジスター１と２は、インピ
ーダンスＺ２と７３に連結するソースとドレインを保有
する。インピーダンスの詳細は第３図と第４図で後述す
る。負荷９はマイクロストリップ１０を用いて出力イン
ピーダンスＺ２の其通点に連結する。
ーダンスＺ２と７３に連結するソースとドレインを保有
する。インピーダンスの詳細は第３図と第４図で後述す
る。負荷９はマイクロストリップ１０を用いて出力イン
ピーダンスＺ２の其通点に連結する。
第１のトランジスター１のゲートは金属線（インピーダ
ンスＺ１を形成するもの）でマイクロストリップ１１の
他端に連結する。マイクロストリップ１１の一端は高容
１ｃ。を持つキャパシタンス１２を介在して接地抵抗器
１３に連結する。同様に第２のトランジスター２のゲー
トは金属線でマイクロストリップ１４、キャパシタンス
１５と抵抗器１６に連結する。二つのマイクロストリッ
プ１１と１４は相互に並行で誘電共振器をその間に設置
し、回路が望ましい周波数で発振して電流が基本周波数
では逆位相になる状態を作り出す。銅巻線からなる値Ｌ
ｏを持つチョークコイルは二つのマイクロストリップ１
１と１４の間に架橋し、後述するような点で継合する。
ンスＺ１を形成するもの）でマイクロストリップ１１の
他端に連結する。マイクロストリップ１１の一端は高容
１ｃ。を持つキャパシタンス１２を介在して接地抵抗器
１３に連結する。同様に第２のトランジスター２のゲー
トは金属線でマイクロストリップ１４、キャパシタンス
１５と抵抗器１６に連結する。二つのマイクロストリッ
プ１１と１４は相互に並行で誘電共振器をその間に設置
し、回路が望ましい周波数で発振して電流が基本周波数
では逆位相になる状態を作り出す。銅巻線からなる値Ｌ
ｏを持つチョークコイルは二つのマイクロストリップ１
１と１４の間に架橋し、後述するような点で継合する。
２つのマイクロストリップ１１と１４に連結された誘電
共振器１７は、基本周波数で■ｇ１と■、２に対して逆
移送を提供する。しかし、史には、誘電共振器１７は、
マイクロストリップ１１と１４との結合面（１９）上で
は、共振周波数に詮珪オーブン回路と、他の周波数にお
いて短絡回路に相当する。従って低周波数ではほとんど
影響がなく、チョークコイル１８で直列に設置した低周
波ノイズソースは相互に遮断する。高値し。を持つチョ
ークコイル１８は誘電共振器１７の共振周波数では無限
値を持つインピーダンスに相当する。結果としてＫＡ超
短波においては効果がない。
共振器１７は、基本周波数で■ｇ１と■、２に対して逆
移送を提供する。しかし、史には、誘電共振器１７は、
マイクロストリップ１１と１４との結合面（１９）上で
は、共振周波数に詮珪オーブン回路と、他の周波数にお
いて短絡回路に相当する。従って低周波数ではほとんど
影響がなく、チョークコイル１８で直列に設置した低周
波ノイズソースは相互に遮断する。高値し。を持つチョ
ークコイル１８は誘電共振器１７の共振周波数では無限
値を持つインピーダンスに相当する。結果としてＫＡ超
短波においては効果がない。
高容ｆｆ１ｃ。（例えば２０ＤＦ）を持つ二つのキャパ
シタンス１２と１５は、二つのノイズソースを直列に設
置するのに必要である。ノイズソースの効果はゲートの
直流バイアス電圧が地面に関して最早供給されないこと
であるが、ゲートは自己バイアスなのでこのことは重要
ではない。しかしながら、これら二つのキャパシタンス
１２と１５は回路をノイズソースから孤立させることが
できる。
シタンス１２と１５は、二つのノイズソースを直列に設
置するのに必要である。ノイズソースの効果はゲートの
直流バイアス電圧が地面に関して最早供給されないこと
であるが、ゲートは自己バイアスなのでこのことは重要
ではない。しかしながら、これら二つのキャパシタンス
１２と１５は回路をノイズソースから孤立させることが
できる。
本発明による発振器を調整するために、初めはチョーク
コイル１８を用いず操作を行なう。誘電共振器１７は二
つのマイクロストリップに沿い負荷９が任意の周波数を
得るまでシフトされる。（必要なら逆方向に）最終位置
が結合部１９を決定する。
コイル１８を用いず操作を行なう。誘電共振器１７は二
つのマイクロストリップに沿い負荷９が任意の周波数を
得るまでシフトされる。（必要なら逆方向に）最終位置
が結合部１９を決定する。
チョークコイル１８をマイクロストリップ１１または１
４と連結すべき点２０は結合部１９から一定距離の箇所
となる。この距離はλ／４（λはトランジスタ−の作動
周波数におい導かれる波長）か、周波数が高過ぎて連結
できない場合は、共振器１７の間隔的要因も関係し、λ
／４の倍数となる。
４と連結すべき点２０は結合部１９から一定距離の箇所
となる。この距離はλ／４（λはトランジスタ−の作動
周波数におい導かれる波長）か、周波数が高過ぎて連結
できない場合は、共振器１７の間隔的要因も関係し、λ
／４の倍数となる。
例えば、負荷の周波数が２０Ｑ）−１ｚ、トランジスタ
ーはｌ０ＧＨ７で作動し、λ／４＝ ２．９ｍｍ、そし
て共振器１７の直径は４ｍｍの場合：λ／４の距離の点
２０で連結可能である。もし、負荷の周波数が３０ＧＨ
７，トランジスターは１５ＧＨ２でλ／４＝ １．９
ｍｍそして共振器の直径が３．４１！１ｍの場合＝ ３
λ／４の距離の点２０で連結すればよい。
ーはｌ０ＧＨ７で作動し、λ／４＝ ２．９ｍｍ、そし
て共振器１７の直径は４ｍｍの場合：λ／４の距離の点
２０で連結可能である。もし、負荷の周波数が３０ＧＨ
７，トランジスターは１５ＧＨ２でλ／４＝ １．９
ｍｍそして共振器の直径が３．４１！１ｍの場合＝ ３
λ／４の距離の点２０で連結すればよい。
発振器の中間周波数ノイズを削減んする他の方法は、無
限インピーダンスを負荷した低周波ノイズ発生器を保有
することである。これは、高周波発振器を作成する際は
解決策として価値がある。
限インピーダンスを負荷した低周波ノイズ発生器を保有
することである。これは、高周波発振器を作成する際は
解決策として価値がある。
この場合、二つのノイズソースを直列に配置するチョー
クコイルＬＯ１８は設置しない。ゲートマイクロストリ
ップ１１と１４と、接地抵抗器１３と１６の間に置いた
キャパシタンス１２と１５は、低周波数にオーブンな回
路に相当するノイズソースに無限インピーダンスを負荷
するとノイズ削減できる。
クコイルＬＯ１８は設置しない。ゲートマイクロストリ
ップ１１と１４と、接地抵抗器１３と１６の間に置いた
キャパシタンス１２と１５は、低周波数にオーブンな回
路に相当するノイズソースに無限インピーダンスを負荷
するとノイズ削減できる。
上記の代替案における発振器の図は第２，３゜４図で表
わしたものと同様であるが、たたしノイズソースを置く
チョークコイルＬｏ１８はないものとする。
わしたものと同様であるが、たたしノイズソースを置く
チョークコイルＬｏ１８はないものとする。
３０Ｇ Ｈｚでは、本発明による２つのキャパシタンス
１２と１５を装備した発振器はブッシュプッシュアセン
ブリーにおいて、従来の手法のこれらのキキ・パシタン
スを装備しない発振器に比較して５ｄｂ向上したことが
わかる。
１２と１５を装備した発振器はブッシュプッシュアセン
ブリーにおいて、従来の手法のこれらのキキ・パシタン
スを装備しない発振器に比較して５ｄｂ向上したことが
わかる。
第２図は本発明による倍増発Ｓ器の一般列に示ずニドラ
ンシスター１と２の接触金属部は負荷９がトランジスタ
ーがソースに連結しているか（第３図）、あるいはドレ
インに連結しているか（第４図）によってインピーダン
スｚ２か７３に接続する。
ンシスター１と２の接触金属部は負荷９がトランジスタ
ーがソースに連結しているか（第３図）、あるいはドレ
インに連結しているか（第４図）によってインピーダン
スｚ２か７３に接続する。
いずれの場合も、トランジスターゲート１と２のインピ
ーダンスＺ１は電線か金属バンドで形成し、マイクロス
トリップ１１と１４に連結する。
ーダンスＺ１は電線か金属バンドで形成し、マイクロス
トリップ１１と１４に連結する。
負荷９がソースに連結する場合（第３図）、ソースイン
ピーダンスＺ２は各トランジスターに対して、チョーク
コイル２３から成りニ ー接地チョークコイル２４に並列 一チヨークコイル２５とキャパシタンス２６から成る１
０回路と直列で、この回路は負荷つと連結するマイクロ
ストリップに連結する。
ピーダンスＺ２は各トランジスターに対して、チョーク
コイル２３から成りニ ー接地チョークコイル２４に並列 一チヨークコイル２５とキャパシタンス２６から成る１
０回路と直列で、この回路は負荷つと連結するマイクロ
ストリップに連結する。
同様に、ドレインインピーダンスは各トランジスターに
対してチョークコイル２７ｈ目ろ成り、接地キャパシタ
ンス２８に直列である。バイアス電圧ＶＤｓはチョーク
コイル２７とキャパシタンス２８の共有点でトランジス
ターに供給される。
対してチョークコイル２７ｈ目ろ成り、接地キャパシタ
ンス２８に直列である。バイアス電圧ＶＤｓはチョーク
コイル２７とキャパシタンス２８の共有点でトランジス
ターに供給される。
マイクロストリップ１０と負荷９の間に設置した高容量
キャパシタンス２９は負荷を直接バイアス電圧から解Ｖ
する。
キャパシタンス２９は負荷を直接バイアス電圧から解Ｖ
する。
負荷９がドレインに直結する場合（第４図）、図は前述
のものに類似する。
のものに類似する。
ソースインピーダンスＺ２は同じチョークコイル２３と
２５とキャパシタンス２６から成るが、チョークコイル
２４はない。１０回路２５＋２６は接地する。
２５とキャパシタンス２６から成るが、チョークコイル
２４はない。１０回路２５＋２６は接地する。
ドレインインピーダンスＺ３は同じチョークコイル２７
とキャパシタンス２８から成り、チョークコイル２７と
キャパシタンス２８の共有点に供給した電圧ＶＤｓより
バイアスを持つ。しかし、チョークコイル３０はチョー
クコイル２７に並列に装備する。チョークコイルの他方
の端はマイクロストリップ１０に連結する。
とキャパシタンス２８から成り、チョークコイル２７と
キャパシタンス２８の共有点に供給した電圧ＶＤｓより
バイアスを持つ。しかし、チョークコイル３０はチョー
クコイル２７に並列に装備する。チョークコイルの他方
の端はマイクロストリップ１０に連結する。
もちろん、高官１（２０ｐＦ）キャパシタンス２９は負
荷９を直流電圧から解離する。
荷９を直流電圧から解離する。
本発明による倍増発振器を用いて、２０Ｇ Ｈ７搬送波
の前後１０Ｋ ＨＺではチョークコイル１８の恩恵を被
り中間周波数ノイズ゛Ｉについて５ｄＢｃ／Ｈｚ向上す
る。
の前後１０Ｋ ＨＺではチョークコイル１８の恩恵を被
り中間周波数ノイズ゛Ｉについて５ｄＢｃ／Ｈｚ向上す
る。
搬送波のＩＯＫ ＨＺで測定したノイズはチョークコイ
ル１８を用いないと（すなわち従来の手法の組成では）
−８３ｄ Ｂｃ ／Ｈｚとなるが、本手法による発振
器でゲートのマイクロストリップ１１と１４の間に直列
にチョークコイル１８を設置すると、−８８ｄ８ｃ ／
Ｈｚである。
ル１８を用いないと（すなわち従来の手法の組成では）
−８３ｄ Ｂｃ ／Ｈｚとなるが、本手法による発振
器でゲートのマイクロストリップ１１と１４の間に直列
にチョークコイル１８を設置すると、−８８ｄ８ｃ ／
Ｈｚである。
共振器の虚部が険しい勾配で撮動周波数が共振器の基本
モード周波数に等しいならば、中間周波ノイズの削減に
関しては最高結果となる。
モード周波数に等しいならば、中間周波ノイズの削減に
関しては最高結果となる。
本発明のは倍増発振器は、電気通信用の掩超短波システ
ム、専門データ処理用の電５度探知、電子工業に使用さ
れる。
ム、専門データ処理用の電５度探知、電子工業に使用さ
れる。
第１図は、従来技術によるブツシュブツシュ発振器の簡
略図、第２図は、本発明による発振器の電気配線図、第
３図は、負荷をソースに装備した本発明による発振器の
具体例及び第４図は、負荷をドレインに装備した本発明
による発振器の具体例である。 １．２・・・・・・トランジスター、３．４．５．６．
７．８・・・・・・インピーダンス回路、９・・・・・
・負荷、１０，１１．１４・・・・・・マイクロストリ
ップ、１７・・・・・・誘電共振器、１８，２１，２２
゜２３、２４．２５，１２７・・・・・・チョークコイ
ル。
略図、第２図は、本発明による発振器の電気配線図、第
３図は、負荷をソースに装備した本発明による発振器の
具体例及び第４図は、負荷をドレインに装備した本発明
による発振器の具体例である。 １．２・・・・・・トランジスター、３．４．５．６．
７．８・・・・・・インピーダンス回路、９・・・・・
・負荷、１０，１１．１４・・・・・・マイクロストリ
ップ、１７・・・・・・誘電共振器、１８，２１，２２
゜２３、２４．２５，１２７・・・・・・チョークコイ
ル。
Claims (6)
- （１）極超短波の周波数で作動し、所謂ブッシュプッシ
ュアセンブリーでは、インピーダンスに接続されたソー
ス及びドレイン電極を有し並列に作動する二つの電界効
果トランジスター、両トランジスターの出力電極のイン
ピーダンスの共有点に接続された作動負荷、一端が抵抗
器により接地されたマイクロストリップラインの他端に
インピーダンスを介して接続された各トランジスターの
ゲート、二つのマイクロストリップライン間の振動が得
られるような箇所に配置された誘電共振器から成る発振
器であつて、搬送波として知られる主要周波数付近で負
荷の低周波ノイズを削減するために、トランジスター特
有のノイズソースが直流電流では接地面から絶縁されか
つ二つの高容量キャパシタンスからなる無限低周波イン
ピーダンスを負荷されており、この二つのキャパシタン
スの夫々がマイクロストリップラインの一端と接地抵抗
器との間に配置されていることを特徴とする周波数倍増
発振器。 - （２）相互に無関係なノイズソースを直列に配置するた
めに、低周波インピーダンスがさらに二つのマイクロス
トリップラインの一端と一端とに連結されたチョークコ
イルから成る特許請求の範囲第１項に記載の倍増発振器
。 - （３）トランジスターのゲート電流が基本モードに対し
て逆位相、調波２に対して同位相なので、負荷の低周波
ノイズが搬送周波数から離れたｗ＿ｏを基本モード角周
波数、ｗ＿ｂを低周波ノイズの角周波数とする２ｗｏ±
２ｗｂで定義される周波数であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項に記載の倍増発振器。 - （４）誘電共振器が二つのマイクロストリップライトと
の結合面を決定するので、ノイズソースを直列に配置す
るチョークコイルの両端がλを基本モードから導かれる
波長とすると、結合面からλ／４の倍数の距離にあるマ
イクロストリップライン上の点に連結していることを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載の倍増発振器。 - （５）負荷がトランジスターソース回路に連結されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項から第４項ま
でのいずれかに記載の倍増発振器。 - （６）負荷がトランジスタードレイン回路に連結されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項から第４項
までのいずれかに記載の倍増発振器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8608584A FR2600215B1 (fr) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | Oscillateur doubleur de frequence, fonctionnant en hyperfrequences |
| FR8608584 | 1986-06-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6324706A true JPS6324706A (ja) | 1988-02-02 |
| JP2625431B2 JP2625431B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=9336312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62146822A Expired - Lifetime JP2625431B2 (ja) | 1986-06-13 | 1987-06-12 | 極超短波の周波数で作動する周波数倍増発振器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4783638A (ja) |
| EP (1) | EP0250301B1 (ja) |
| JP (1) | JP2625431B2 (ja) |
| DE (1) | DE3768151D1 (ja) |
| FR (1) | FR2600215B1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03222104A (ja) * | 1990-01-25 | 1991-10-01 | Mitsubishi Electric Corp | 画像再生装置 |
| JPH05102727A (ja) * | 1991-08-12 | 1993-04-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発振器 |
| JPH05218745A (ja) * | 1992-02-07 | 1993-08-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 注入同期形プッシュプッシュ逓倍発振器 |
| JPH0653743A (ja) * | 1992-07-29 | 1994-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 注入同期形逓倍発振器 |
| JPH0697736A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 注入同期形逓倍発振器 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0247749A3 (en) * | 1986-05-27 | 1989-03-29 | Texas Instruments Incorporated | Push-push dielectric resonator oscillator |
| FR2640829B1 (fr) | 1988-12-20 | 1991-02-08 | Thomson Hybrides Microondes | Dispositif pour la modulation ou la demodulation directe en hyperfrequences |
| JP2507181B2 (ja) * | 1990-06-29 | 1996-06-12 | 松下電器産業株式会社 | プッシュプッシュ発振器 |
| US5250910A (en) * | 1991-08-12 | 1993-10-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Push-push oscillator having in-phase and anti-phase output combining circuits |
| US5402087A (en) * | 1994-04-08 | 1995-03-28 | B.E.L.-Tronics Limited | Voltage controlled push-push oscillator |
| FR2727570B1 (fr) * | 1994-11-25 | 1997-01-24 | Thomson Csf | Amplificateur hyperfrequence monolithique haute integration, a topologie distribuee arborescente |
| FR2795887B1 (fr) * | 1999-07-01 | 2001-10-05 | Cit Alcatel | Oscillateur hyperfrequence a resonateur dielectrique |
| US9406181B2 (en) | 2012-10-23 | 2016-08-02 | Kwikset Corporation | Electronic lock having software based automatic multi-wireless profile detection and setting |
| AU2013334157B2 (en) | 2012-10-26 | 2017-07-20 | Assa Abloy Americas Residential Inc. | Electronic lock having a mobile device user interface |
| US10240365B2 (en) | 2012-12-12 | 2019-03-26 | Spectrum Brands, Inc. | Electronic lock system having proximity mobile device |
| US9929123B2 (en) * | 2015-06-08 | 2018-03-27 | Analog Devices, Inc. | Resonant circuit including bump pads |
| US10783731B2 (en) | 2018-04-27 | 2020-09-22 | Spectrum Brands, Inc. | Wireless tag-based lock actuation systems and methods |
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|---|---|---|---|---|
| JPS51870A (ja) * | 1974-06-21 | 1976-01-07 | Hitachi Ltd | Chokoshuhahatsushinki |
| JPS5478060A (en) * | 1977-12-05 | 1979-06-21 | Fujitsu Ltd | Microwave oscillator |
| JPS58134514A (ja) * | 1982-02-02 | 1983-08-10 | テキサス・インスツルメンツ・インコ−ポレイテツド | マイクロ波発振器 |
-
1986
- 1986-06-13 FR FR8608584A patent/FR2600215B1/fr not_active Expired
-
1987
- 1987-06-10 US US07/060,162 patent/US4783638A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-06-12 EP EP87401323A patent/EP0250301B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1987-06-12 JP JP62146822A patent/JP2625431B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1987-06-12 DE DE8787401323T patent/DE3768151D1/de not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3768151D1 (de) | 1991-04-04 |
| EP0250301A1 (fr) | 1987-12-23 |
| US4783638A (en) | 1988-11-08 |
| FR2600215B1 (fr) | 1988-08-19 |
| EP0250301B1 (fr) | 1991-02-27 |
| JP2625431B2 (ja) | 1997-07-02 |
| FR2600215A1 (fr) | 1987-12-18 |
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