JPS63232430A - レジストの現像方法 - Google Patents
レジストの現像方法Info
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- JPS63232430A JPS63232430A JP6606387A JP6606387A JPS63232430A JP S63232430 A JPS63232430 A JP S63232430A JP 6606387 A JP6606387 A JP 6606387A JP 6606387 A JP6606387 A JP 6606387A JP S63232430 A JPS63232430 A JP S63232430A
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- resist
- photoresist
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Links
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明のレジストの現像方法は、レジスト現像液を従来
濃度より希釈することにより、レジストのパターンニン
グ特性の向上を図ったものである。
濃度より希釈することにより、レジストのパターンニン
グ特性の向上を図ったものである。
本発明はレジストの現像方法に関するものである。更に
詳しく言えばレジスト現像液の希釈濃度に関するもので
ある。
詳しく言えばレジスト現像液の希釈濃度に関するもので
ある。
レジスト現像液の濃度は、感度、残膜率プロファイル、
パターニング形成時間等の点より決定されていた。
パターニング形成時間等の点より決定されていた。
しかし従来のレジスト現像液の濃度では、ネガ型に比べ
微細なパターニングが可能なポジ型を用いた場合にも、
１．０ ｐｍ程度の加工精度しかなかった。
微細なパターニングが可能なポジ型を用いた場合にも、
１．０ ｐｍ程度の加工精度しかなかった。
ところで、半導体装置は、更に高′！Ｅ度化が要求され
ており、かかる１、０ ＪＬｍ程度の加工精度では２５
６キロビツトダイナミツクＲＡＭ級程度の装造にしか適
用できない。
ており、かかる１、０ ＪＬｍ程度の加工精度では２５
６キロビツトダイナミツクＲＡＭ級程度の装造にしか適
用できない。
４メガビツトが要請されている最近では、加工精度を０
．８４ｍ以上に向上させる必要がある。
．８４ｍ以上に向上させる必要がある。
本発明はかかる従来の問題点に鑑みて創作されたもので
あり、露光装置の解像性能を有効に引き出し、パターニ
ング特性を向上させることのできるレジストの現像方法
を提供することを目的とする。
あり、露光装置の解像性能を有効に引き出し、パターニ
ング特性を向上させることのできるレジストの現像方法
を提供することを目的とする。
本発明のレジストの現像方法は、７オトレジストのパタ
ーニングに用いられるレジスト現像液を従来濃度より希
釈することを特徴とする。
ーニングに用いられるレジスト現像液を従来濃度より希
釈することを特徴とする。
そしてフォトレジストがポジ型であり、レジスト現像液
がポジ型アルカリ現像液である場合において、該現像液
を（１１１５Ｎより濃く，０，１５Ｎより薄くなるよう
に希釈することが好ましい。
がポジ型アルカリ現像液である場合において、該現像液
を（１１１５Ｎより濃く，０，１５Ｎより薄くなるよう
に希釈することが好ましい。
更に、前記フォトレジストが７ポラツク樹脂であること
が好ましい。
が好ましい。
本発明は、フォトレジストのパターニングに用いられる
レジスト現像液を従来濃度より希釈することにより加工
精度の向上を図ることができる。
レジスト現像液を従来濃度より希釈することにより加工
精度の向上を図ることができる。
次に本発明を具体的に説明するために、以下に実施例を
挙げる。
挙げる。
ウェハー上にレジストとしてノボラックＭ４Ｗ１゜ＮＭ
Ｒ８２０を０．８ ＪＬｍ厚に塗布した後、０．Ｂ。
Ｒ８２０を０．８ ＪＬｍ厚に塗布した後、０．Ｂ。
０．７ 、０．９ 、１．０７ｔｍの線幅を有するマス
クのパターンに従い露光する。露光後、ポジ型フォトレ
ジスト・アルカリ現像液（ＴＭＡＨＯ水溶液（テトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイド、すなわち（ＣＨ
３）Ｊ”０Ｈ−） ）を０．１１５ Ｎ 、 ０．１２
５ Ｎ 。
クのパターンに従い露光する。露光後、ポジ型フォトレ
ジスト・アルカリ現像液（ＴＭＡＨＯ水溶液（テトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイド、すなわち（ＣＨ
３）Ｊ”０Ｈ−） ）を０．１１５ Ｎ 、 ０．１２
５ Ｎ 。
０．１４Ｎ 、 ０．１８Ｎに希釈したものを用いて現
像を行なった。なおこの現像液は、従来０．１５Ｎ〜０
．１８Ｎの濃度で用いられたものである。
像を行なった。なおこの現像液は、従来０．１５Ｎ〜０
．１８Ｎの濃度で用いられたものである。
第１図（ａ）はディフォーカス０．０ ｐｍにおける現
像液０．１２５ Ｎ現像液を用いた場合の基準エネルギ
ーと線幅との関係を示す図〒あり、各基準エネルギー奄
横輌に、ウェハー上に描かれたパターンの線幅を縦軸に
示している。
像液０．１２５ Ｎ現像液を用いた場合の基準エネルギ
ーと線幅との関係を示す図〒あり、各基準エネルギー奄
横輌に、ウェハー上に描かれたパターンの線幅を縦軸に
示している。
同様に、第１図（ｂ）はディフォーカスＯ，Ｑ ４ｍに
おける現像液０．１４０ Ｎ現像液を用いた場合の基準
エネルギーと線幅との関係を示す図である。
おける現像液０．１４０ Ｎ現像液を用いた場合の基準
エネルギーと線幅との関係を示す図である。
第２図は、現像液の各濃度と解像度Ｒ８およびＫｅ と
の関係を示す図である。この場合には、０．１２５ Ｎ
、 ０．１４０ Ｎの他、０．１１５ Ｎ 、 ０．
１８０ Ｎについても示している。
の関係を示す図である。この場合には、０．１２５ Ｎ
、 ０．１４０ Ｎの他、０．１１５ Ｎ 、 ０．
１８０ Ｎについても示している。
ここでＲｅは主１゜０４ｍのディフォーカス、±５％露
光量変化に対して、そのレジスト幅の変動が主０゜０５
ｐｍを越えない最小ラインおよびスペースパターンを示
すものであり、以下の式によって表わされる。
光量変化に対して、そのレジスト幅の変動が主０゜０５
ｐｍを越えない最小ラインおよびスペースパターンを示
すものであり、以下の式によって表わされる。
弐〇において、Ｋｅは定数、λは露光に用いる波長、Ｈ
Ａは開口数である。
Ａは開口数である。
また第２図には、比咬のためにポジ型フォトレジスト・
アルカリ現像液を従来通りＬｉ３Ｎに希釈した場合の測
定結果についても示している（なお希釈率以外について
は実施例と同様の条件で現像を行なっている。）。
アルカリ現像液を従来通りＬｉ３Ｎに希釈した場合の測
定結果についても示している（なお希釈率以外について
は実施例と同様の条件で現像を行なっている。）。
第２図から明らかなように、 ０．８４ｍ以上の加工精
度が得られるのは、ＮＡが０．３５の場合、レジスト現
像液濃度が大体０．１３Ｎ以下のときである。
度が得られるのは、ＮＡが０．３５の場合、レジスト現
像液濃度が大体０．１３Ｎ以下のときである。
このように現像液を従来の濃度０．１５Ｎ〜０．１８Ｎ
より希釈することによって４メガビット級のＬＳＩの提
供が可能である。
より希釈することによって４メガビット級のＬＳＩの提
供が可能である。
しかし、現像液を希釈しすぎれば現像が安定せず、実施
例に示した系では、０．１１５ Ｎ以下でその不安定性
が表われた。
例に示した系では、０．１１５ Ｎ以下でその不安定性
が表われた。
同様の効果の得られる希釈率は、レジストおよびレジス
ト現像液の種類によって異なり、それぞれの組み合わせ
に応じて決定しなければならない、しかし、従来用いら
れていた濃度より更に希釈すれば、いずれの系において
も加工精度を向上させることができる。
ト現像液の種類によって異なり、それぞれの組み合わせ
に応じて決定しなければならない、しかし、従来用いら
れていた濃度より更に希釈すれば、いずれの系において
も加工精度を向上させることができる。
なお現像液濃度を低くすると、一般的に感度が低下する
ので、レジスト膜厚は薄い方が望ましい、また露光装置
の焦点深度を考慮すると、レジス）ＩＩ５Ｉ厚は薄い方
が望ましい、従ってレジスト膜を薄くできる場合、例え
ば三層レジスト法における上層レジストや薄膜レジスト
などに適用すれば特に有効である。
ので、レジスト膜厚は薄い方が望ましい、また露光装置
の焦点深度を考慮すると、レジス）ＩＩ５Ｉ厚は薄い方
が望ましい、従ってレジスト膜を薄くできる場合、例え
ば三層レジスト法における上層レジストや薄膜レジスト
などに適用すれば特に有効である。
以上説明したように、本発明によれば加工精度を０．８
ｐ、ｍ以上にすることが可渣であり、半導体装置の高
密度化が可能となる。
ｐ、ｍ以上にすることが可渣であり、半導体装置の高
密度化が可能となる。
第１図（ａ）はディフォーカス０．０７ｉｍにおける現
像液０．１２５ Ｎ現像液を用いた場合の基準エネルギ
ーと線幅との関係を示す図、 第１図（ｂ）はディフォーカス０．ＯｊＬｍにおける現
像液０．１４０ Ｎ現像液を用いた場合の基準エネルギ
ーと線幅との関係を示す図。 第２図は、現像液の各濃度と解像度ＲｅおよびＫｅ と
の関係を示す図である。 （とＬン １（遡Ｌｆ−タルべ−ｄ’＆ｎ乙め関イ刀日第１図
像液０．１２５ Ｎ現像液を用いた場合の基準エネルギ
ーと線幅との関係を示す図、 第１図（ｂ）はディフォーカス０．ＯｊＬｍにおける現
像液０．１４０ Ｎ現像液を用いた場合の基準エネルギ
ーと線幅との関係を示す図。 第２図は、現像液の各濃度と解像度ＲｅおよびＫｅ と
の関係を示す図である。 （とＬン １（遡Ｌｆ−タルべ−ｄ’＆ｎ乙め関イ刀日第１図
Claims (2)
- （１）０．１１５Ｎより濃く０．１５Ｎより薄くなるよ
うに希釈したアルカリ現像液を用いてポジ型フォトレジ
ストをパターニングすることを特徴とするレジストの現
像方法。 - （２）前記フォトレジストがノボラック樹脂であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のレジストの
現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6606387A JPS63232430A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | レジストの現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6606387A JPS63232430A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | レジストの現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63232430A true JPS63232430A (ja) | 1988-09-28 |
Family
ID=13305022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6606387A Pending JPS63232430A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | レジストの現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63232430A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013044809A (ja) * | 2011-08-22 | 2013-03-04 | Fujifilm Corp | レジストパターン形成方法、レジストパターン、ポジ型レジスト組成物、ナノインプリント用モールド、及びフォトマスク |
| US8968988B2 (en) | 2011-08-22 | 2015-03-03 | Fujifilm Corporation | Resist pattern forming method, resist pattern, crosslinkable negative resist composition, nanoimprint mold and photomask |
-
1987
- 1987-03-20 JP JP6606387A patent/JPS63232430A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013044809A (ja) * | 2011-08-22 | 2013-03-04 | Fujifilm Corp | レジストパターン形成方法、レジストパターン、ポジ型レジスト組成物、ナノインプリント用モールド、及びフォトマスク |
| US8906600B2 (en) | 2011-08-22 | 2014-12-09 | Fujifilm Corporation | Resist pattern forming method, resist pattern, positive resist composition, nanoimprint mold and photomask |
| US8968988B2 (en) | 2011-08-22 | 2015-03-03 | Fujifilm Corporation | Resist pattern forming method, resist pattern, crosslinkable negative resist composition, nanoimprint mold and photomask |
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