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JPS63237410A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents

Manufacture of semiconductor device

Info

Publication number
JPS63237410A
JPS63237410A JP7222687A JP7222687A JPS63237410A JP S63237410 A JPS63237410 A JP S63237410A JP 7222687 A JP7222687 A JP 7222687A JP 7222687 A JP7222687 A JP 7222687A JP S63237410 A JPS63237410 A JP S63237410A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon substrate
boron
impurity layer
lamp annealing
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7222687A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshikazu Ono
大野 吉和
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP7222687A priority Critical patent/JPS63237410A/en
Publication of JPS63237410A publication Critical patent/JPS63237410A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To increase a concentration of boron and to prevent an excessive spread of an impurity layer by a method wherein a diffusion process is executed by using a lamp annealing system in a process to manufacture a semiconductor device where a boron impurity layer is formed inside a silicon substrate. CONSTITUTION:A diffusion process of a boron compound 13 formed on a silicon substrate 11 is executed by using a lamp annealing system. The lamp annealing system heats only the surface of the silicon substrate 11 intensively while the surface of the silicon substrate 11 is irradiated with the light. Accordingly, the boron compound 13 is diffused effectively into the silicon substrate 11, and an impurity layer 14 is formed inside the silicon substrate 11. Because only the surface of the silicon substrate 11 is heated intensively, a concentration of boron on the surface of the silicon substrate 11 is high. Because the whole of the silicon substrate 11 is not heated at a high temperature, the impurity layer 14 is never spread excessively inside the silicon substrate 11.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、半導体装置の製造方法に関するものであり
、特に、シリコン基板内にボロン不純物層を形成する工
程に改良を加えようとするものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and in particular, is intended to improve the process of forming a boron impurity layer in a silicon substrate. be.

[従来の技術] 第2A図、第2B図および第2C図は、従来から採用さ
れている不純物形成のための工程を順次的に示す図であ
る。
[Prior Art] FIGS. 2A, 2B, and 2C are diagrams sequentially showing steps for forming impurities that have been conventionally adopted.

まず、第2A図を参照して、シリコン基板1の表面に、
厚い酸化膜2を形成する。この酸化膜2は、後に行なわ
れるボロン拡散処理に対してマスクとして作用する。表
面に酸化膜2の形成されているシリコン基板1を、拡散
炉内でボロンナイトライドのディスクと対向させるよう
に配置し、拡散炉内を高温にすることによって、シリコ
ン基板1上にボロン化合物3を付着させる。
First, with reference to FIG. 2A, on the surface of the silicon substrate 1,
A thick oxide film 2 is formed. This oxide film 2 acts as a mask for the boron diffusion treatment to be performed later. A silicon substrate 1 having an oxide film 2 formed on its surface is placed in a diffusion furnace so as to face a disk of boron nitride, and by heating the inside of the diffusion furnace to a high temperature, a boron compound 3 is formed on the silicon substrate 1. Attach.

次に、第2B図を参照して、シリコン基板1を拡散炉内
で高温にして保持することによって、ボロン化合物3か
らシリコン基板1内にボロンを拡散させ、それによって
ボロン不純物層4を形成する。
Next, referring to FIG. 2B, silicon substrate 1 is held at a high temperature in a diffusion furnace to diffuse boron from boron compound 3 into silicon substrate 1, thereby forming boron impurity layer 4. .

その後、希フッ酸によってシリコン基板1上のボロン化
合物3を除去する。こうして、第2C図に示す状態が得
られる。
Thereafter, the boron compound 3 on the silicon substrate 1 is removed using dilute hydrofluoric acid. In this way, the state shown in FIG. 2C is obtained.

[発明が解決しようとする問題点1 従来、シリコン基板上に形成されたボロン化合物の拡散
処理は、電気炉によって行なわれている。
[Problem to be Solved by the Invention 1] Conventionally, the diffusion treatment of a boron compound formed on a silicon substrate has been performed using an electric furnace.

この電気炉は、炉内温度を高めることによってボロン化
合物の拡散を促進するものである。そのため、シリコン
基板1の表面に導入されるボロンの濃度を大きくしよう
とする場合には、炉温を高くする必要がある。しかし、
炉温を高くすると、不純物層の領域が過剰に拡がってし
まう。不純物層の領域を過剰に拡げないようにするため
には、低い炉温で拡散処理を行なわなければならないが
、そのようにすればシリコン基板1の表面において高い
ボロン濃度を得ることができない。
This electric furnace promotes the diffusion of boron compounds by increasing the temperature inside the furnace. Therefore, in order to increase the concentration of boron introduced into the surface of the silicon substrate 1, it is necessary to increase the furnace temperature. but,
If the furnace temperature is increased, the region of the impurity layer will expand excessively. In order to prevent the region of the impurity layer from expanding excessively, the diffusion process must be performed at a low furnace temperature, but if this is done, a high boron concentration cannot be obtained on the surface of the silicon substrate 1.

この発明は、上述したような問題点を解消するためにな
されたものであり、その目的は、シリコン基板表面にお
けるボロン濃度を大きくすることができ、しかも不純物
層の過剰の拡がりを防止することのできる半導体装置の
製造方法を提供することである。
This invention was made to solve the above-mentioned problems, and its purpose is to increase the boron concentration on the surface of a silicon substrate and to prevent excessive spread of the impurity layer. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor device that can be manufactured by a semiconductor device.

[問題点を解決するための手段] この発明は、シリコン基板上に形成されたボロン化合物
を拡散処理することによって、シリコン基板内にボロン
不純物層を形成する半導体装置の製造方法であって、拡
散処理を、ランプアニール装置を用いて行なうことを特
徴とする。
[Means for Solving the Problems] The present invention is a method for manufacturing a semiconductor device in which a boron impurity layer is formed in a silicon substrate by diffusing a boron compound formed on the silicon substrate. The method is characterized in that the treatment is performed using a lamp annealing device.

[作用] ランプアニール装置は、シリコン基板表面に光を照射す
ることによって、シリコン基板表面だけを集中的に加熱
するものである。したがって、シリコン基板上に形成さ
れたボロン化合物は効果的にシリコン基板内に拡散し、
シリコン基板表面におけるボロン濃度を高める。また、
シリコン基板全体が高温に加熱されるものではないので
、シリコン基板内に形成される不純物層は過剰に拡がら
ない。
[Function] The lamp annealing device intensively heats only the silicon substrate surface by irradiating the silicon substrate surface with light. Therefore, the boron compound formed on the silicon substrate effectively diffuses into the silicon substrate,
Increase the boron concentration on the silicon substrate surface. Also,
Since the entire silicon substrate is not heated to a high temperature, the impurity layer formed within the silicon substrate does not spread excessively.

[実施例コ 第1A図第1B図および第1C図は、この発明にしたが
ってなされる方法を順次的に示す図である。
[Embodiment 1A] Figures 1B and 1C are sequential diagrams illustrating a method performed in accordance with the present invention.

まず、第1A図を参照して、シリコン基板11の表面に
、後に行なわれるボロン拡散処理に対してマスクの作用
をする厚いシリコン酸化膜12を形成する。次に、酸化
膜12を表面に有しているシリコン基板11を、拡散炉
内でボロンナイトライドのディスクと対向させるように
配置し、炉内を高温にすることによって、シリコン基板
11および酸化膜12の表面にボロン化合物13を付着
させる。ボロン化合物としては、たとえばB20、やH
BO2などが用いられる。
First, referring to FIG. 1A, a thick silicon oxide film 12 is formed on the surface of a silicon substrate 11, which acts as a mask for the boron diffusion treatment to be performed later. Next, the silicon substrate 11 having the oxide film 12 on its surface is placed in a diffusion furnace so as to face a disk of boron nitride, and by raising the temperature in the furnace, the silicon substrate 11 and the oxide film are A boron compound 13 is attached to the surface of 12. Examples of boron compounds include B20, H
BO2 etc. are used.

第1B図を参照して、その後、ランプアニール装置を用
いて、シリコン基板11に形成されたボロン化合物13
の拡散処理を行なう。ランプアニール装置は、シリコン
基板11の表面に光を照射することによって、シリコン
基板11の表面のみを集中的に加熱するものである。し
たがって、ボロン化合物13はシリコン基板11内に効
果的に拡散し、シリコン基板11内に不純物層14を形
成する。シリコン基板11の表面のみが集中的に加熱さ
れているので、シリコン基板11の表面におけるボロン
の濃度は高い。また、図示するように、シリコン基板1
1の全体が高温に加熱されるものではないので、不純物
層14がシリコン基板11内を過剰に拡がるということ
はない。
Referring to FIG. 1B, a boron compound 13 is then formed on the silicon substrate 11 using a lamp annealing device.
Perform the diffusion process. The lamp annealing device intensively heats only the surface of the silicon substrate 11 by irradiating the surface of the silicon substrate 11 with light. Therefore, the boron compound 13 effectively diffuses into the silicon substrate 11 and forms an impurity layer 14 within the silicon substrate 11. Since only the surface of the silicon substrate 11 is intensively heated, the concentration of boron on the surface of the silicon substrate 11 is high. In addition, as shown in the figure, a silicon substrate 1
Since the entire silicon substrate 1 is not heated to a high temperature, the impurity layer 14 will not spread excessively within the silicon substrate 11.

その後、希フッ酸を用いることによってシリコン基板1
1の表面上のボロン化合物13を除去する。こうして、
第1C図に示す状態が得られる。
Thereafter, by using dilute hydrofluoric acid, the silicon substrate 1
The boron compound 13 on the surface of 1 is removed. thus,
The situation shown in FIG. 1C is obtained.

なお、」二連した実施例では、シリコン基板11の表面
にボロン化合物13を付着させるために、シリコン基板
11を拡散炉内でボロンナイトライドのディスクと対向
させるように配置し、その後炉内温度を高温にした。し
かし、変形例として、シリコン基板11をランプアニー
ル炉内でボロンナイトライドのディスクと対向させるよ
うにして配置し、それを高温にすることによってシリコ
ン基板表面にボロン化合物を形成するようにしてもよい
In the two consecutive examples, in order to attach the boron compound 13 to the surface of the silicon substrate 11, the silicon substrate 11 is placed in a diffusion furnace so as to face a disk of boron nitride, and then the temperature inside the furnace is lowered. was heated to a high temperature. However, as a modification, the silicon substrate 11 may be placed in a lamp annealing furnace so as to face a disk of boron nitride, and the boron compound may be formed on the surface of the silicon substrate by heating the disk to a high temperature. .

[発明の効果] 以上のように、この発明では、ランプアニール装置を用
いてシリコン基板表面のみを集中的に加熱して加熱処理
を行なっているので、ボロンはシリコン基板内に効果的
に拡散する。したがって、シリコン基板表面におけるボ
ロンの濃度は高くなる。また、シリコン基板全体が高温
に加熱されるものではないので、ボロン不純物層の過剰
な拡がりを防+hすることができる。
[Effects of the Invention] As described above, in this invention, since heat treatment is performed by intensively heating only the surface of the silicon substrate using a lamp annealing device, boron is effectively diffused into the silicon substrate. . Therefore, the concentration of boron on the silicon substrate surface becomes high. Furthermore, since the entire silicon substrate is not heated to a high temperature, excessive spread of the boron impurity layer can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1A図、第1B図および第1C図は、この発明に従っ
た方法を順次的に示す図であり、具体的には、シリコン
基板11表面にボロン不純物層を形成するための工程を
順次的に示している。 第2A図、第2B図および第2C図は、シリコン基板内
にボロン不純物層を形成するための従来の方法を順次的
に示す図である。 図において、llはシリコン基板、12はシリコン酸化
膜、13はボロン化合物、14はボロン不純物層を示す
。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
FIGS. 1A, 1B, and 1C are diagrams sequentially showing the method according to the present invention, and specifically, the steps for forming a boron impurity layer on the surface of a silicon substrate 11 are sequentially shown. It is shown in 2A, 2B and 2C sequentially illustrate a conventional method for forming a boron impurity layer in a silicon substrate. In the figure, 11 is a silicon substrate, 12 is a silicon oxide film, 13 is a boron compound, and 14 is a boron impurity layer. In addition, in the figures, the same reference numerals indicate the same or equivalent parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 シリコン基板上に形成されたボロン化合物を拡散処理す
ることによって、シリコン基板内にボロン不純物層を形
成する半導体装置の製造方法において、 前記拡散処理を、ランプアニール装置を用いて行なうこ
とを特徴とする、半導体装置の製造方法。
[Claims] A method for manufacturing a semiconductor device in which a boron impurity layer is formed in a silicon substrate by diffusing a boron compound formed on the silicon substrate, wherein the diffusion treatment is performed using a lamp annealing device. 1. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
JP7222687A 1987-03-25 1987-03-25 Manufacture of semiconductor device Pending JPS63237410A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7222687A JPS63237410A (en) 1987-03-25 1987-03-25 Manufacture of semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7222687A JPS63237410A (en) 1987-03-25 1987-03-25 Manufacture of semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63237410A true JPS63237410A (en) 1988-10-03

Family

ID=13483135

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7222687A Pending JPS63237410A (en) 1987-03-25 1987-03-25 Manufacture of semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63237410A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5753530A (en) * 1992-04-21 1998-05-19 Seiko Instruments, Inc. Impurity doping method with diffusion source of boron-silicide film

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5753530A (en) * 1992-04-21 1998-05-19 Seiko Instruments, Inc. Impurity doping method with diffusion source of boron-silicide film

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