JPS63192865A - 多層／多元薄膜形成スパッタリング装置およびその運転方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、基板に対して、複数のスパッタ室を有するス
パッタリング装置に関する。

［従来の技術］ 近年、多元化合物薄膜、多層薄膜等をスパッタリングに
より形成することが注目されている。

多元化合物薄膜の場合、■目的の多元化合物をターゲッ
トとしてスパッタリングを行なう方法、■多元化合物を
構成する各元素毎にターゲットを設け、これらのターゲ
ットを同時にスパッタリングする方法、■多元化合物を
構成する各元素を適当な面積比で１枚のターゲットに配
置してスパッタリングを行なう方法が提案されている。

一方、多層薄膜の場合、■各層の成分元素毎にターゲッ
トを設け、これらのターゲットを同一円周上に配置して
、基板を該円周上を順次移動させてスパッタリングする
方法、■各層の成分元素毎にターゲットを設け、これら
のターゲットを直線的に配置し、基板を該直線上を順次
移動させてスパッタリングする方法が提案されている。

［発明が解決しようとする問題点］ しかし、上記従来の方法は、多元化合物薄膜および多層
薄膜のいずれについても、次のような問題点があった。

即ち、多元化合物薄膜の場合、多元化合物をターゲット
としてスパッタリングを行なう■の方法は、一般に、ス
パッタされた原子が、ターゲット。

の多元化合物と同じ組成比で基板に付着することが期待
できず、多元化合物の一部の蒸気、または、多元化合物
の構成元素の一部を含む気体を補充する必要がある。そ
のため、この方法を適用できる化合物の範囲が限られて
いるという問題があった。

構成元素毎のターゲットを同時スパッタリングする■の
方法は、ターゲツト面と平行な面に基板が配置され、こ
の基板を、ターゲツト面と垂直な軸を中心として回転さ
せて、各元素が均等若しくは所望の割合で付着するよう
にすると共に、各ターゲットに供給する電力を変化させ
て、各成分元素の付着量を制御し、所望の組成比の膜を
得るようにしている。しかし、各ターゲットに供給する
電力は、放電の維持の必要から、変化し得る範囲が狭く
、必然的に各成分元素の付着量の制御も狭い範囲となら
ざるを得ない、そのため、この方法では、広い範囲にわ
たって任意の組成比で薄膜を形成することが困難である
という欠点があった。

しかも、この方法では、複数個の各ターゲツト面と平行
な回転円盤上に基板を配置することになるので、同一組
成比となる領域が狭く、量産用には適していないという
欠点もあった。

さらに、スパッタリングする元素によっては、他のター
ゲットの元素と化合して、当該ターゲット表面を汚染し
やすいという問題があった。ターゲットが汚染されると
、組成制御に悪影響を与えるだけでなく、汚染されたタ
ーゲット表面の比抵抗が変化した場合、放電が不安定と
なる問題もあった。

多元化合物を構成する各元素を適当な面積比で１枚のタ
ーゲットに配置してスパッタリングを行なう■の方法で
は、ターゲットの構成を変更しなければ、組成比を変え
ることができず、また、スパッタリングする元素によっ
ては、ターゲットを汚染し、上記同様の問題を発生する
という欠点があった。

一方、多層薄膜の場合、基板を、各層の成分元素ターゲ
ットの下を順次移動させてスパッタリングする■および
■の方法は、いずれも供給電力を変化させて付着量を変
え、各層の膜厚を制御するため、上記したように付着量
の変化できる範囲が限られ、制御できる膜厚の範囲が狭
いという欠点があった。また、上記■の方法にあっては
、スパッタリングする元素によっては、ターゲットを汚
染し、上記同様の問題を発生するという欠点があった。

なお、上記■の方法では、各ターゲット毎にスパッタ室
を構成することにより、ターゲットの汚染を防止するこ
とができる利点がある。ただし。

上記■の方法は、多層膜を構成する各元素の層を多重に
被着する場合、ｒ＆膜に時間がかかる欠点がある。

本発明は、上記問題点を解決すべくなされたもので、そ
の第１の目的は、複数のターゲットを各ターゲット毎に
各々独立してスパッタリングすることができて、各ター
ゲットの汚染を防止できると共に、各元素の付着量を広
範囲にかつ精密に制御できるスパッタリング装置を提供
することにある。

また、本発明の第２の目的は、組成比、膜厚、添加量等
を精密に設定することができ多元化合物薄膜、多層薄膜
、超格子薄膜等の形成に好適なスパッタリング装置を提
供することにある。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は、上記問題点を解決する手段として、中央真空
槽と、その外側に各々独立に連結して設けられる複数の
スパッタ室とを備え、上記中央真空槽に１回転可能に設
けられると共に、外周側面部に基板を保持する基板保持
機構を配置し。

上記中央真空槽と各スパッタ室との連結部に、上記基板
保持機構に保持される基板にスパッタリング膜形成可能
に連通ずる窓を設け。

かつ、上記スパッタ室の基板前方位置に可変絞りを配置
して構成することを特徴とする。

上記各スパッタ室は、各々排気系に接続されて、それぞ
れが排気される構成とすることが好ましい、もっとも、
排気系自体は、共通で合ってもよい。

上記中央真空槽と、その内部に配置される基板保持機構
とは１円筒形状に形成することが好ましく、両者は同心
的に配置される。また、中央真空槽と基板保持機構とは
、配置時に、前者の内周面と後者の外周面との間隙が、
できるだけ狭くなるように近接して配置できる構成であ
ることが望ましい。

上記連結部の基板前方位置に配置される可変絞りは、ス
パッタ室側から連通窓を通して基板に付着する元素の量
を制御てきるものであれば、どのような形態であっても
よく、例えば、礼状のものであっても、スリット状のも
のであってもよい。

また、この可変絞りは、スパッタ室外部からＮＩ日度の
謂π操作ができる構造であることが好ましく、しかも、
望ましくは、シャッタとして使用できるよう、全開・全
閉ができる構造とする。もちろん、可変絞りとは別にシ
ャッタを設けてもよい。

［作用〕 上記のように構成される本発明は１次のように作用する
。

基板保持機構を中央真空槽に配置し、該中央真空槽の外
側に、複数のスパッタ室を各々独立して設けであるので
、各スパッタ室では、独立してスパッタリングすること
ができる０例えば、印加する電力を各スパッタ室毎に変
えたり、各スパッタ室毎に異なる！！類のターゲットを
配置することができる。もちろん、同種のターゲットを
複数個配置することもでき、また、一部のスパッタ室を
予備としておくこともでき、さらに、この予備のスパッ
タ室を基板の観察用として、あるいは、蒸着室として使
用することもできる。

各スパッタ室では、各々のターゲットからスパッタリン
グされて飛び出した物質が、当該スパッタ室から窓を通
して中央真空槽に進入し、各層の位置にある基板に付着
することとなる。この際。

上記基板保持機構を高速回転させると共に、各ターゲッ
トを同時にスパッタリングすると、保持される各基板に
、各スパッタ室のターゲットからの元素が混在して付着
し、基板温度等の条件を適当に設定することにより、付
着した元素が化合して、目的の多元化合物薄膜が形成さ
れる。

また、本発明は、上記スパッタ室の基板前方位置に可変
絞りを配置しであるので、絞りの開口度を調整すること
により、スパッタリング物質の単位時間当りの該絞り通
過量、即ち、各元素の基板付着量が制御できる。従つて
、基板に付着する元素の存在比が設定でき、所望の組成
比で多元化合物薄膜を形成できる。同時に、膜厚も精密
に設定できる。

一方、上記基板保持機構を回転させつつ、最下層から積
層順に、対応する元素を各スパッタ室から飛び出させる
ことにより、多層膜を形成することができる。この際、
上記同様に、絞りを適当な開口度に設定することにより
、各層の膜厚を制御することができる。また、各層毎に
、基板保持機構の回転数を変化させて、膜厚を制御する
ことも可能である。この基板保持機構の回転速度をＩＪ
ｆｆｉすることにより、基板が各スパッタ室の絞りの開
口部分の前を通過する時間が定まり、その結果、スパッ
タリング物質の基板に付着する総量が精密に設定できる
。

また、本発明は、各スパッタ室が独立しているので、あ
るスパッタ室の前にある基板に他のスパッタ室のターゲ
ットからのスパッタリング物質が付着することが殆どな
く、また、各スパッタ室のターゲットが各々他のスパッ
タ室のターゲットから飛び出した元素に汚染されること
も防止される。

なお、上記作用は、基板保持機構の外周側面と中央真空
槽の内周側面とを近接させるほど、より効果的に働く、
即ち、両者が近接するほど、両者の間隙が十分狭くなる
ので、スパッタリングされた物質が隣接のスパッタ室の
前にある基板の位置まで回り込むことが阻止される。

本発明のスパッタリング装置によれば、多元化合物薄膜
にあっては、組成比を広範囲にわたって所望の値とする
ことが可能となると共に、膜厚も正確に所望値とするこ
とができる。また、多層薄膜にあっては、各層の膜厚お
よび全体の膜厚を精密に制御することができる。

さらに、本発明によれば、基板保持機構の外周側面全体
に、均一に元素を付着させることができるので、同一組
成比の化合物、または、同一膜厚の層を形成できる領域
の面積が広く、従って、多数の基板に、多元化合物薄膜
または多層膜を形成てき、量産が容易となる。しかも、
各スパッタ室では、最適放電状態を維持できるので、安
定かつ高能率のスパッタリングが可能となり、高速成膜
を実現できる。

〔実施例］ 本発明の実施例について１図面を参照して説明する。

〈実施例の構成〉 第１図に本発明スパッタリング装置の一実施例の構造を
示す。

同図に示す実施例のスパッタリング装置は、中央真空槽
２と、その外側に各々独立に連結して設けられる複数の
スパッタ室４８〜４ｄと、観察室６とを備え、かつ、上
記中央真空槽２に、回転可能に設けられると共に、外周
側面部に基板を保持する基板保持機構８を配置して構成
される。

中央真空槽２は、金属、本実施例ではステンレススチー
ルにより製作され、下端側をベースプレートｌＯにより
閉塞し、上端側を開放した円筒形に形成されている。上
端には、゛上蓋１２が図示しないガスケットを介して載
置され、真空封止できるようになっている。また、中央
真空槽２の側面の、スパッタ室４８〜４ｄと観察室６と
が連結されている部分には、連通窓１４が各々設けであ
る。この連通窓１４は、本実施例では、断面矩形状に開
口しである。

上記中央真空槽２の内部には、後述する基板保持機構８
を支持すると共に、基板加熱用のヒータ２０を装着した
回転支持部１６が設けである。この回転支持部１６は、
第３図に示すように、その下端側が、ベースプレートｌ
Ｏに載置固着されている。また、回転支持部１６の上面
中心部には、軸受１８が設けである。

上記ヒータ２０は１例えば、赤外線ヒータを使用し、回
転支持部１６内周面に沿って、複数本が配置されている
。配置位置は、本実施例では、各スパッタ室４８〜４ｄ
および観察室６の各連通窓１４に対応するよう設定しで
ある。これらのヒータ２０は、第３図に示すように、ベ
ースプレート１０に設けである電流導入端子２２を介し
て、外部の電源に接続される。なお１回転支持部１６の
該ヒータ２０に隣接する部分には、赤外線を透過できる
ように窓１７が設けである。

各スパッタ室４８〜４ｄおよび観察室６は、基本的には
、同一の外形で形成しである。即ち、各々はぼ円筒形状
に形成してあり、一端側を中央真空槽の側周面に連結固
着し、他端側な、スパッタ室４８〜４ｄについてはター
ゲット保持部２４により真空封止し、観察室６について
は、観察窓保持部２６により真空封止する構造となって
いる。

これらのスパッタ室４ａ〜４ｄおよび観察室６は、各々
独立に中央真空槽２に連結され、本実施例では、正五角
形の頂点に対応する位置を各々中心として取り付けであ
る。また、これらのスパッタ室４８〜４ｄおよび観察室
６は、各々真空配管８０を介して図示しない排気系に接
続してあり、それでれ個別に排気される。もっとも、排
気系は共通であってもよい、なお１本実施例では、中央
真空槽２自体は個別に排気されず、上記連通窓１４を介
してスパッタ室４８〜４ｄおよび観察室６から排気され
る。

上記上蓋１２は、ステンレスチール板にて形成され、そ
の中央部には、回転導入器２８が設けてあり、周縁部に
は、ガス導入口３０と、基板温度モニタ用熱電対３２が
設けである。これらは、いずれも真空シールが施されて
いる。

回転導入器２８は、上記上蓋１２を貫くと共に軸状に形
成してあり、下部側に、後述する基板保持機構８と連結
して、これを回動させる駆動側継手部３４を備え、上部
側に、モータおよびギヤボックスからなる回転駆動機構
３８を連結しである。駆動側継手部３４には、後述する
受動側継手部４４と係合して回転を伝達する突起３６が
設けである。

また、本実施例では、第１図に示すように、上蓋１２上
に、エアロツク式基板導入機構４０を備えている。

上記中央真空槽２内挿入される基板保持機構８は、円筒
状に形成され、上部側が平板４２により閉じられ、この
平板４２の中央部に、上記突起３６と係合する穴４５を
有する受動側継手部４４が設けである。また、基板保持
機構８の外周側面には、溝部４６が円周状を等間隔で５
箇所、即ち、上記スパッタ室４８〜４ｄおよび観察室６
に対応して設けである。この溝部４６には、基板ホルダ
４８が各々装着しである。

この基板ホルダ４８は、断面台形状に形成され、上記溝
部４６にあり差し状に嵌合する構造となっている。基板
ホルダ４８の前面側に基板５０が装着保持されている。

また、該ホルダ４８の上端部には、螺子穴５２が設けあ
る。この螺子穴５２に、上記した基板導入機構４０内に
あるホルダ着脱機構（図示せず）の螺子が螺合して、該
着脱機構によりホルダ４８を基板保持機構８に着脱する
。

スパッタ室４８〜４ｄに設けられているターゲット保持
部２４は、第２図および第３図に示すように、シリンダ
状のスパッタ室４３〜４ｄの各々に、０−リング５４を
介して挿入され、スパッタ室４ａ〜４ｄのフランジ５６
にボルト５８で固定しである。この保持部２４は、ボル
ト５８の締め方により、挿入深さを調節することができ
る。

ターゲット保持部２４は、ターゲット６０と水冷電極６
２とを保持する。この場合、水冷電極６２には高電圧が
印加されるので、絶縁部材７８により保持される。水冷
電極６２には給排水部が設けてあり、内部に冷却水が注
入され、ターゲット６０を冷却する。

また、スパッタ室４８〜４ｄには、可変絞り６４が設け
である。この絞り６４は、連通窓１４の前方に近接して
設けられる０本実施例では、２枚の遮蔽板６６ａ、６６
ｂと、この遮蔽板６６ａ１６６ｂを開閉駆動する絞り開
閉機構６８とを有して構成される。

遮蔽板６６ａ、６６ｂは、ステンレススチールからなり
、下部側が敷居溝７０に摺動自在に嵌め込まれている。

また、絞り開閉機構６８は、送り螺旋を構成する回転軸
７２と、該回転軸７２に設けられる螺条（図示せず）に
螺合するナツト部７４ａ、７４ｂとからなる０回転軸７
２に設けられる螺条は、遮蔽板６６ａ、６６ｂに対応し
て設けられ、その旋回方向が左右逆になっている。従っ
て、該回転軸７２を回転させると、ナツト部７４ａ、７
４ｂが相互に逆方向に移動することとなる。また、ナツ
ト部７４ａ、７４ｂは、それぞれ対応する遮蔽板６６ａ
、６６ｂに連結固定され、回転軸７２の回転により、遮
蔽板６６ａ、６６ｂを回転軸７２のの軸方向に沿って移
動させる。

回転軸７２は、その一端が真空シールを介してスパッタ
室４８〜４ｄの外側に突出している。従って、各スパッ
タ室４８〜４ｄのおいて、真空を破ることなく絞り６４
の開口度を調節することができる。この場合、絞り６４
の開口度は、回転軸７２の回転数により設定できる。

また、スパッタ室４８〜４ｄの外周側面には、観察窓７
６が設けてあり、放電状態の観察を行なうことができる
。

〈実施例の作用〉 上記のように構成された本実施例のスパッタリング装置
により薄膜を形成する場合の作用について説明する。

準備作業として、先ず、スパッタ室４８〜４ｄの内から
使用するスパッタ室を選ぶ０例えば、４８〜４ｃの３室
を選び、それらの水冷電極６２に、スパッタリングすべ
き物質のターゲット６０を装着し、該水冷電極６２をタ
ーゲット保持部２４に装着し、該保持部２４を対応する
スパッタ室４ａ〜４ｃに装着する。この際、ボルト５８
の締め方により、挿入深さを調節して電極間隔な所望値
に設定しておく。

一方、基板５０を装着した基板ホルダ４８を基板保持機
構８に装着して、この保持機構８を中央真空槽２に挿入
し、さらに、上蓋１２により該中央真空槽２の開口部を
封止して、排気を開始する。この際、駆動側継手部３４
と受動側継手部４４とを１回転を伝達するように係合す
る。

真空槽２内を高真空（例えばｔｘ　１０−’Ｔｏｒｒ）
に排気して、残留不純物ガスの除去を行なった後、放電
を行なうためのガス、例えば、高純度Ａ「ガスをガス導
入口３０から中央真空槽２内に導入する。ガスは、中央
真空槽２から連通窓１４を通って各スパッタ室４８〜４
ｄおよび観察室６から排気される。このガスの導入量を
、最適平衡分圧。

例えばｓｘ　１０−”Ｔｏｒｒ程度となるように調整保
持する。なお１本実施例では１図示していないが、ター
ゲット６０の後方にマグネットを配置して、低ガス圧で
放電できるようにしである。

この間、基板５０をヒータ２０によりベーキングすると
共に、基板温度モニタ用熱電対３２により測定して、所
定温度、例えば２００　”Ｃに保持する。この場合、フ
ィーバツク制御により自動的に所定温度に保持するよう
にしてもよい。

また、回転導入器２８を介して回転駆動機構３８により
基板保持機構８を回転させる０回転速度は、例えば、０
．１ｒｐ−〜５００ｒｐ■とする０通常、多元化合物薄
膜を形成するときは高速とし、多層膜を形成するときは
低速とする。もちろん、基板保持機構８を回転させずに
スパッタリングすることもでき、また、連続回転でなく
、一定角度ずつステップ回動させてもよい。

各スパッタ室、本実施例では４８〜４ｃにおいて、絞り
６４を完全に閉め、プレスバッタリングを行なう０本実
施例では、可変絞りをシャッタとしても使用しているが
、シャッタを別に備えている装置であればシャッタを閉
める。この後、回転軸７２を回転して該絞り６４を所定
の開口度で開く、開口度は、回転軸７２の回転数と、必
要付着量とを考慮して設定する。

スパッタリングに際しては、ターゲット物質の電気抵抗
に合わせて、直流電力または高周波電力を選定する０例
えば、Ｓｅ等のように高抵抗のものには高周波電力を使
用し、ＣｕおよびＩｎのように低９抵抗のものには直流
電力を使用する。

このような準備のもとで、多元化合物薄膜を形成すると
きは、各ターゲット６０を同時にスパッタリングする。

一方、多層薄膜を形成するときは、各ターゲット６０を
積層順にスパッタリングする。この場合、スパッタリン
グは各ターゲット６０について同時に行ない、可変絞り
６４をシャッタとして、必要時のみ順次開放して、ター
ゲット物質を選択的に基板に到達させ、多層膜を形成す
ることが好ましい。

なお、各ターゲット６０は、水冷電極６２に冷却水を循
環して冷却する。

また、薄膜の形成状態は、観察室６の観察窓により観察
することができる。

〈実験例〉 次に、上記装置による薄膜の製作実験例について説明す
る。

（ａ）実験例１　、　　ｒ　Ｃｕ１ｎＳｅｔ多元化合物
薄膜」スパッタ室４ａ〜４ｄの内から４ａ〜４ｃの３室
を選んで、それらにＣｕ、Ｉｎ、　Ｓｅの各物質のター
ゲットを装着し、また、ガラス基板を基板保持機構８に
装着して、これらを本実施例装置に装着し、真空槽２内
を　ｌｘ　１０−’Ｔｏｒｒ程度に排気して。

残留不純物ガスの除去を行なった後、高純度Ａｒガス導
入した。このＡｒガス圧は、スパッタリング中、　ｓｘ
　１０−”Ｔｏｒｒ程度に保持した。また、上記基板保
持機構８に装着保持されているガラス基板の基板温度を
２００℃に保持した。

上記雰囲気中で、基板保持機構８を１００ｒｐ■の回転
速度で回転させつつ、Ｓｅターゲットについては高周波
電力（１００１）　、　ＣｕおよびＩｎターゲットにつ
いては直流電力（０，３ＫＶ、１００ｍＡ）を各々供給
して、スパッタリングを行なった。この時、各可変絞り
６４の開口度は、各ターゲットについて次のように設定
した。

Ｃｕ＝　（７Ｘ　５０）■■禦 Ｉｎ・−（６ｘ５０）■■黛 ５ｅ−−−（０，７６Ｘ　　５０）ａｓ”上記のように
して、スパッタリングを行なったところ、毎時６００人
の堆積速度で、黒色で光沢の。

ある薄膜が形成された。得られた膜について、Ｘ線回折
で調べたところ、この膜がカルコパイライト型構造のＣ
ｕ１ｎＳｅ２多結晶膜であることを確認できた。

また、Ｘ線マイクロアナライザによる組成分析の結果、
得られた膜の組成比は。

Ｃｕ−２３ａｔ＄　　、　　Ｉｎ−２７ａｔｌ　　、　
　５ｅ＝５０ａｔ＄であった。

なお、ＣｕおよびＩｎの各ターゲットについて、Ｓｅの
付着による汚染は、観察されなかった。

（ｂ）実験例２　、　　ｒ　Ｃｕ−Ｉｎ−８ｅ多層薄膜
」基板保持機構８を０．１ｒｐｍの回転速度で回転させ
ると共に、基板温度を室温とし、各ターゲットに対応す
る可変絞り６４をシャッタとして用い、膜の積層順に従
って順次１分間ずつ全開する条件で、その他は上記実験
例１と同様にしてスパッタリングを行なったところ、ガ
ラス基板上に下層から順に、Ｃｕ（１００人）ｉｎ（３
００人）・Ｓｅ（８０人）の各層およびＣｕ（１００人
）ｉｎ（３００人）・５ｅ（８０人）の各層を積層した
多層膜が得られた。

また、　ＣｕおよびＩｎの各ターゲットについて、Ｓｅ
の付着による汚染は、観察されなかった。

〈他の実施例〉 上記実施例では、中央真空槽の外側に４個のスパッタ室
と観察室を設けていたが、全てをスパッタ室としてもよ
い、また、スパッタ室の一部を予備室として、観察室と
して使用することもできる。さらに、一部を蒸着室とす
ることもできる。

上記実施例では、観察室を含めて５室設けであるが、こ
れに限らず、スパッタ室の数を少なく、または、多くす
ることができる。

この他、上記実施例では、多元化合物薄膜、多層薄膜の
形成に使用する例を示したが、半導体や誘電体中に、他
の物質を微量添加することにも使用できる０例えば、半
導体に不純物を導入する場合は、当該半導体を基板とし
、不純物をターゲットとして、絞りの開口度を非常に小
さくすると共に、基板保持機構を高速回転させて、スパ
ッタリングすることにより添加することができる。もっ
とも、半導体が薄膜の場合、それ自身もスパッタリング
で形成しつつ、不純物の添加を行なうこともできる。

［発明の効果］ 以上説明したように本発明は、複数のターゲットを各タ
ーゲット毎に各々独立してスパッタリングすることがで
きて、各ターゲットの汚染を防止できると共に、各元素
の付着量を広範囲にかつ精密に制御できる効果がある。

従って、本発明によれば１組成比の正確な多元化合物薄
膜や、各層の膜厚が正確に設定された多層薄膜、さらに
は超格子薄膜等を容易に製作することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明スパッタリング装置の一実施例の構造を
示す要部分解斜視図、第２図は上記実施例において中央
真空槽とスパッタ室の構造を示す要部截断平面図、第３
図は中央真空槽とスパッタ室の構造を示す断面図である
。 ２・・・中央真空槽　　　４８〜４ｄ・・・スパッタ室
６・・・観察室　　　　　８・・・基板保持機構１０・
・・ベースプレート

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 中央真空槽と、その外側に各々独立に連結して設けられ
   る複数のスパッタ室とを備え、 上記中央真空槽に、回転可能に設けられると共に、外周
   側面部に基板を保持する基板保持機構を配置し、 上記中央真空槽と各スパッタ室との連結部に、上記基板
   保持機構に保持される基板にスパッタリング膜形成可能
   に連通する窓を設け、 かつ、上記スパッタ室の基板前方位置に可変絞りを配置
   して構成することを特徴とするスパッタリング装置。