JPS63185991A - ビス(ジフエニルホスフイノ)アミンの製造法 - Google Patents
ビス(ジフエニルホスフイノ)アミンの製造法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、各種の有機化合物の合成に使用され且つ反応
触媒調製の中間体として有用であると知られるビス(ジ
フェニルホスフィノ)アミンの改良製造法に関する。
触媒調製の中間体として有用であると知られるビス(ジ
フェニルホスフィノ)アミンの改良製造法に関する。
(従来の技術)
下記の式(m)のビス(ジフェニルホスフィノ)アミン
の従来知られている合成法としては、二つの方法がある
。その第1の方法は下記の式(りのクロロジフェニルホ
スフィンと下記の式(II)のヘキサメチルジシラザン
とを反応させることから成る方法である。この方法は[
ツァイトシュリフト・フヒア・アンオルガニツシェ・ラ
ント・アルゲマイネOヘミ−(Zeitschrift
fir Anorganischaunt Allg
emeine Chsmie)J 349巻225〜2
40頁(1967年)に記載される。この方法は下記の
反応式(a)で示される。
の従来知られている合成法としては、二つの方法がある
。その第1の方法は下記の式(りのクロロジフェニルホ
スフィンと下記の式(II)のヘキサメチルジシラザン
とを反応させることから成る方法である。この方法は[
ツァイトシュリフト・フヒア・アンオルガニツシェ・ラ
ント・アルゲマイネOヘミ−(Zeitschrift
fir Anorganischaunt Allg
emeine Chsmie)J 349巻225〜2
40頁(1967年)に記載される。この方法は下記の
反応式(a)で示される。
(a)
(1) (II) (m)(V)
(IV) 但し、上記の反応式(、)においてMeはメチル基を示
す。この第1の方法では2反応が複雑であり。
(IV) 但し、上記の反応式(、)においてMeはメチル基を示
す。この第1の方法では2反応が複雑であり。
反応生成物は種々の化合物を含んでいる6通常は、目的
生成物としての式(m)のビス(ジフェニルホスフィノ
)アミンは、副成する式(V)のトリス(ジフェニルホ
スフィノ)アンモニウム・クロライドと式(IV)のト
リメチルクロロシランとその他の未確認の生成物との混
合物の中に含まれた形で得られる。
生成物としての式(m)のビス(ジフェニルホスフィノ
)アミンは、副成する式(V)のトリス(ジフェニルホ
スフィノ)アンモニウム・クロライドと式(IV)のト
リメチルクロロシランとその他の未確認の生成物との混
合物の中に含まれた形で得られる。
この方法では、目的生成物(■)゛の収率は51〜54
%程度であって不十分である。
%程度であって不十分である。
第2の方法は1式(I)のクロロジフェニルホスフィン
をカリウム・アミド(にNH,)と反応させて下記の式
(VI)のジフェニルホスフィノアミドを生成し、次い
でこれを熱分解することから成る方法である。この方法
は「アンゲバンテ・ヘミ−・インタナショナル・エディ
ジョン・イン・イングリッシュ(Angew、 Che
m、 Int、 Edt、 Engl、)6巻10号8
75〜876頁(1967年)に記載される。この方法
は下記の反応式(b)で示される。
をカリウム・アミド(にNH,)と反応させて下記の式
(VI)のジフェニルホスフィノアミドを生成し、次い
でこれを熱分解することから成る方法である。この方法
は「アンゲバンテ・ヘミ−・インタナショナル・エディ
ジョン・イン・イングリッシュ(Angew、 Che
m、 Int、 Edt、 Engl、)6巻10号8
75〜876頁(1967年)に記載される。この方法
は下記の反応式(b)で示される。
(b)
(4刈−Q十鵠→(O→−NH。
(ン
(1) (VI)(III)
この第2の方法では、使用されるカリウム・アミド(K
NIl、)が高価であること、中間体の式(VI)のジ
フェニルホスフィノアミドの熱分解が150℃で24時
間又はそれ以上の長い反応時間を要すること等の点で実
際上の支障が多い。
NIl、)が高価であること、中間体の式(VI)のジ
フェニルホスフィノアミドの熱分解が150℃で24時
間又はそれ以上の長い反応時間を要すること等の点で実
際上の支障が多い。
従って、上記の両方の従来法は、ともに、多くの支障乃
至欠点がある。
至欠点がある。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明の目的は、上に述べた従来のビス(ジフェニルホ
スフィノ)アミンの製造方法の問題点を解決し、実用的
に筒中、でかつ高収率でビス(ジフェニルホスフィノ)
アミンを製造する方法を提供することにある。
スフィノ)アミンの製造方法の問題点を解決し、実用的
に筒中、でかつ高収率でビス(ジフェニルホスフィノ)
アミンを製造する方法を提供することにある。
(問題点を解決するための手段)
本発明者らは、かかる問題点を解決すべく鋭意検討を重
ねた結果、極めて高収率でかつ容易に製造する方法を見
出すにいたった。
ねた結果、極めて高収率でかつ容易に製造する方法を見
出すにいたった。
すなわち、種々研究を行ったが、その結果、有機溶剤に
とかした式(1)のクロロジフェニルホスフィンに直ち
にアンモニア(NOx )を反応させても1式(m)の
ビス(ジフェニルホスフィン)アミンは生成できないこ
とを知見した。また、上記の式(1)のクロロジフェニ
ルホスフィンと式(n)のへキサメチルジシラザンとを
有機溶剤中で反応させ、得られた反応混合物にアンモニ
ア・ガスを吹込んでアンモニアを作用させると、所望の
式(III)の化合物の生成反応が容易に完結して高収
率で式(m)のビス(ジフェニルホスフィノ)アミンが
得られることを知見した。このように高収率で式(m)
の目的生成物の得られることの理由としては次のような
ことが考えられる。すなりち、式(1)のクロロジフェ
ニルホスフィンと式(II)のへキサメチルジシラザン
とを反応させると、反応は下記の反応式に従って進行す
ると考えられる。
とかした式(1)のクロロジフェニルホスフィンに直ち
にアンモニア(NOx )を反応させても1式(m)の
ビス(ジフェニルホスフィン)アミンは生成できないこ
とを知見した。また、上記の式(1)のクロロジフェニ
ルホスフィンと式(n)のへキサメチルジシラザンとを
有機溶剤中で反応させ、得られた反応混合物にアンモニ
ア・ガスを吹込んでアンモニアを作用させると、所望の
式(III)の化合物の生成反応が容易に完結して高収
率で式(m)のビス(ジフェニルホスフィノ)アミンが
得られることを知見した。このように高収率で式(m)
の目的生成物の得られることの理由としては次のような
ことが考えられる。すなりち、式(1)のクロロジフェ
ニルホスフィンと式(II)のへキサメチルジシラザン
とを反応させると、反応は下記の反応式に従って進行す
ると考えられる。
2(hn + (M63Sl)2NH→(1)
(u) (III) (IV)但しMa=ミニ
メチルある。
(u) (III) (IV)但しMa=ミニ
メチルある。
この反応に際して、クロロジフェニルホスフィン(1)
とベキサメチルジシラザン(■)とが反応して両者は先
づ錯体的な中間体を形成し、この中間体がさらに目的と
するビス(ジフェニルホスフィノ)アミン(TIE)八
と移行するがアンモニアを作用させると、平衡の移行が
促進されて、高収率で目的化合物(II)を与えると考
えられることができる。
とベキサメチルジシラザン(■)とが反応して両者は先
づ錯体的な中間体を形成し、この中間体がさらに目的と
するビス(ジフェニルホスフィノ)アミン(TIE)八
と移行するがアンモニアを作用させると、平衡の移行が
促進されて、高収率で目的化合物(II)を与えると考
えられることができる。
上記の反応で副成したトリメチルクロルシラン(IV)
は、下記の反応式 2Me、5iCQ + 3NH2→(Meai)rNH
+ 2NH−Cmに従ってアンモニアと反応してヘキサ
メチルジシラザン(n)を生成、再生するため、見か上
は、゛本発明の方法では、ヘキサメチルジシラザンの消
費はないようにみえ、化学量論的にみると、クロロジフ
ェニルホスフィン(1)とアンモニアとの反応とみなす
こともできる。
は、下記の反応式 2Me、5iCQ + 3NH2→(Meai)rNH
+ 2NH−Cmに従ってアンモニアと反応してヘキサ
メチルジシラザン(n)を生成、再生するため、見か上
は、゛本発明の方法では、ヘキサメチルジシラザンの消
費はないようにみえ、化学量論的にみると、クロロジフ
ェニルホスフィン(1)とアンモニアとの反応とみなす
こともできる。
従って1本発明によると1次式
%式%(1)
で示されるクロロジフェニルホスフィンと次式[(CH
,)3Si−)−NH(II)で示されるヘキサメチル
ジシラザンとを有機溶媒中で反応させた後、その反応混
合物にアンモニアを作用させることを特徴とする、次式 で示されるビス(ジフェニルホスフィノ)アミンの製造
法が提供される。
,)3Si−)−NH(II)で示されるヘキサメチル
ジシラザンとを有機溶媒中で反応させた後、その反応混
合物にアンモニアを作用させることを特徴とする、次式 で示されるビス(ジフェニルホスフィノ)アミンの製造
法が提供される。
本発明の方法においては、有機溶媒中で式(I)のクロ
ロジフェニルホスフィンと式(n)のヘキサメチルジシ
ラザンとが反応して錯体中間体を形成し、この錯体中間
体を含有している反応混合物中にアンモニア・ガスを吹
込むようにして行うことができる0反応混合物中ではア
ンモニアの反応によりヘキサメチルジシラザン(II)
が再生され且つ式(1)の目的化合物が高収率で生成さ
れる。
ロジフェニルホスフィンと式(n)のヘキサメチルジシ
ラザンとが反応して錯体中間体を形成し、この錯体中間
体を含有している反応混合物中にアンモニア・ガスを吹
込むようにして行うことができる0反応混合物中ではア
ンモニアの反応によりヘキサメチルジシラザン(II)
が再生され且つ式(1)の目的化合物が高収率で生成さ
れる。
具体的には1本発明の方法は、式(I)のクロロジフェ
ニルホスフィンと式(II)のヘキサメチルジシラザン
との反応は、当初は前者の2モル当りに後者の1モルの
比で用いて、使用溶媒の還流温度で1〜2時間の反応時
間で行い、その後に。
ニルホスフィンと式(II)のヘキサメチルジシラザン
との反応は、当初は前者の2モル当りに後者の1モルの
比で用いて、使用溶媒の還流温度で1〜2時間の反応時
間で行い、その後に。
10〜60℃、好ましくは10〜40℃の温度で反応混
合物中にアンモニア・ガスをヘキサメチルジシラザンの
当初使用量の1モル当りにアンモニアの1.6〜2.5
モル比の量で吹込んで反応させるようにして実施される
のが好ましい。
合物中にアンモニア・ガスをヘキサメチルジシラザンの
当初使用量の1モル当りにアンモニアの1.6〜2.5
モル比の量で吹込んで反応させるようにして実施される
のが好ましい。
本発明の方法でクロロジフェニルホスフィン(I)とへ
キサメチルジシラザン(n)との反応を行うに用いる反
応媒質の有機溶媒としては目的生成物のビス(ジフェニ
ルホスフィノ)アミン(m)を溶解し得るような不活性
の有機溶媒が収率及び操作性において有利に用いられる
。すなわち、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族
炭化水素系の溶媒が溶解性の点で適当であるが、これら
の溶媒とテトラヒドロフラン、アセトニトリル等との混
合溶媒系も用い得る。この反応では、クロロジフェニル
ホスフィンCI)とへキサメチルジシラザン([1)の
いずれを先に有機溶媒中に仕込んでもよいが1両者の反
応は発熱反応であるので、いずれか一方を他方の溶液へ
滴下する方がよい。
キサメチルジシラザン(n)との反応を行うに用いる反
応媒質の有機溶媒としては目的生成物のビス(ジフェニ
ルホスフィノ)アミン(m)を溶解し得るような不活性
の有機溶媒が収率及び操作性において有利に用いられる
。すなわち、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族
炭化水素系の溶媒が溶解性の点で適当であるが、これら
の溶媒とテトラヒドロフラン、アセトニトリル等との混
合溶媒系も用い得る。この反応では、クロロジフェニル
ホスフィンCI)とへキサメチルジシラザン([1)の
いずれを先に有機溶媒中に仕込んでもよいが1両者の反
応は発熱反応であるので、いずれか一方を他方の溶液へ
滴下する方がよい。
滴下後、30分〜2時間程度加温して、還流温度で反応
を進め、さらに冷却下に10〜60℃、望ましくは30
〜40℃の温度でアンモニア・ガスを反応系中に吹込む
と1式(m)の目的化合物の生成が進むと共に、ヘキサ
メチルジシラザン(II)が再生されて反応が完結する
から、両者を回収する。
を進め、さらに冷却下に10〜60℃、望ましくは30
〜40℃の温度でアンモニア・ガスを反応系中に吹込む
と1式(m)の目的化合物の生成が進むと共に、ヘキサ
メチルジシラザン(II)が再生されて反応が完結する
から、両者を回収する。
本発明の方法で生成した式(m)の目的化合物を単離、
精製するには、先づ1反応の完結後に、式(DI)の目
的化合物を含む反応混合物を中性又はアルカリ性に保ち
ながら(必要に応じてアルカリを添加できる)、水を添
加して、生じた無機塩、塩化アンモニウムを水に溶解し
て除くと、有機層には、目的生成物(m)の他にヘキサ
メチルジシラザン(n)が溶解している。無機塩の溶解
の目的では−に水を添加してもよいが、残留するヘキサ
メチルジシラザン(II)の加水分解反応を防止する目
的で水酸化ナトリウム水溶液で用いる方が適切である。
精製するには、先づ1反応の完結後に、式(DI)の目
的化合物を含む反応混合物を中性又はアルカリ性に保ち
ながら(必要に応じてアルカリを添加できる)、水を添
加して、生じた無機塩、塩化アンモニウムを水に溶解し
て除くと、有機層には、目的生成物(m)の他にヘキサ
メチルジシラザン(n)が溶解している。無機塩の溶解
の目的では−に水を添加してもよいが、残留するヘキサ
メチルジシラザン(II)の加水分解反応を防止する目
的で水酸化ナトリウム水溶液で用いる方が適切である。
ここで反応液に水酸化ナトリウム水溶液を加えると、目
的生成物のビス(ジフェニルホスフィノ)アミン(II
I)は有機相に溶解しており、有機相を分液後、水洗し
、芒硝で脱水し、ヘキサメチルジシラザンおよび溶媒を
留去すると。
的生成物のビス(ジフェニルホスフィノ)アミン(II
I)は有機相に溶解しており、有機相を分液後、水洗し
、芒硝で脱水し、ヘキサメチルジシラザンおよび溶媒を
留去すると。
白色結晶として目的化合物(n[)が析出する。そして
これを濾別すると粗生成物が得られる。メタノールやエ
タノールで洗浄することによって、容易に高純度の製品
として目的化合物(m)を得ることができる。
これを濾別すると粗生成物が得られる。メタノールやエ
タノールで洗浄することによって、容易に高純度の製品
として目的化合物(m)を得ることができる。
(発明の効果)
本発明によれば1次のような利点がもたらされる。まず
第1に1本発明の方法によれば従来の方法に比べて高収
率(90%以上)かつ高純度(99%以上)で目的のビ
ス(ジフェニルホスフィノ)アミンが得られる。第2に
1本発明方法は、使用するアンモニアが安価でありかつ
使用したヘキサメチルジシラザンが約90%の高率で回
収され1次回の反応に使用できるので、目的物を安価且
つ効率的に収得できる。第3に、公知の反応のような副
生物がなく、製造方法の操作も極めてMQ’、である。
第1に1本発明の方法によれば従来の方法に比べて高収
率(90%以上)かつ高純度(99%以上)で目的のビ
ス(ジフェニルホスフィノ)アミンが得られる。第2に
1本発明方法は、使用するアンモニアが安価でありかつ
使用したヘキサメチルジシラザンが約90%の高率で回
収され1次回の反応に使用できるので、目的物を安価且
つ効率的に収得できる。第3に、公知の反応のような副
生物がなく、製造方法の操作も極めてMQ’、である。
以上により、本発明のビス(ジフェニルホスフィノ)ア
ミンの合成法は工業的規模の製造方法として極めて有用
である。
ミンの合成法は工業的規模の製造方法として極めて有用
である。
次に本発明の実施例を示すが1本発明の製造方法は以下
の実施例のみに限定されるものではない。
の実施例のみに限定されるものではない。
大皇舊上
窒素ガスで置換した500朧g容量の4頚フラスコに、
ヘキサメチルジシラザンの16.1g(0,1モル)。
ヘキサメチルジシラザンの16.1g(0,1モル)。
及び反応媒質としてテトラヒドロフラン−トルエンの混
合溶媒(容量比1/1)の200a+Ωを入れ、水浴で
冷却下に攪拌しながら、これにクロルジフェニルホスフ
ィンの44.1g(0,2モル)を30℃以下の温度で
滴下した。続いて加熱還流温度で1時間攪拌を続けて反
応を行った。
合溶媒(容量比1/1)の200a+Ωを入れ、水浴で
冷却下に攪拌しながら、これにクロルジフェニルホスフ
ィンの44.1g(0,2モル)を30℃以下の温度で
滴下した。続いて加熱還流温度で1時間攪拌を続けて反
応を行った。
次いで、40℃以下の温度に冷却してアンモニア・ガス
の5.6 g (0,33モル)を吹込んで反応を完結
させる。
の5.6 g (0,33モル)を吹込んで反応を完結
させる。
反応終了後、20%水酸化ナトリウム水溶液80a+u
を反応混合物に加えて、生成した塩化アンモニウムを溶
解し、混合物全体を分液ロートに移して水性層と有機層
を分離した。分離した有機層を芒硝で脱水し、減圧条件
で溶媒及びヘキサメチルジシラザンを留去すると、白色
結晶が析出してくる。
を反応混合物に加えて、生成した塩化アンモニウムを溶
解し、混合物全体を分液ロートに移して水性層と有機層
を分離した。分離した有機層を芒硝で脱水し、減圧条件
で溶媒及びヘキサメチルジシラザンを留去すると、白色
結晶が析出してくる。
白色結晶を分取する。これにメタノール200m12を
加えて加熱還流を1時間行い、溶解性の低い不純物を除
去した。その後、冷却して結晶を濾別し。
加えて加熱還流を1時間行い、溶解性の低い不純物を除
去した。その後、冷却して結晶を濾別し。
60℃で乾燥すると、目的のビス(ジフェニルホスフィ
ノ)アミンの白色結晶が得られた。
ノ)アミンの白色結晶が得られた。
この方法で得られた白色結晶の目的生成物は文献法で得
られた標品と融点及びIRスペクトルが完全に一致した
。収量、収率なとは次のとおりである。
られた標品と融点及びIRスペクトルが完全に一致した
。収量、収率なとは次のとおりである。
収量 35.39g
融点 144〜146℃
なお9本実施例では、使用したベキサメチルジシラザン
のうちの回収できたヘキサメチルジシラザンの回収率は
90%に近かった。
のうちの回収できたヘキサメチルジシラザンの回収率は
90%に近かった。
手続ネ巾正書(自発)
昭和63年 2月1 日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、次式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) で示されるクロロジフェニルホスフィンと次式▲数式、
化学式、表等があります▼(II) で示されるヘキサメチルジシラザンとを有機溶媒中で反
応させた後、その反応混合物にアンモニアを作用させる
ことを特徴とする、次式 ▲数式、化学式、表等があります▼(III) で示されるビス(ジフェニルホスフィノ)アミン製造法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1412687A JPS63185991A (ja) | 1987-01-26 | 1987-01-26 | ビス(ジフエニルホスフイノ)アミンの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1412687A JPS63185991A (ja) | 1987-01-26 | 1987-01-26 | ビス(ジフエニルホスフイノ)アミンの製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63185991A true JPS63185991A (ja) | 1988-08-01 |
JPH0529359B2 JPH0529359B2 (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=11852430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1412687A Granted JPS63185991A (ja) | 1987-01-26 | 1987-01-26 | ビス(ジフエニルホスフイノ)アミンの製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63185991A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112013001105T5 (de) | 2012-02-22 | 2014-11-06 | Tipton Corp. | Zentrifugaltrommelpoliermaschine und Zentrifugaltrommelpolierverfahren |
-
1987
- 1987-01-26 JP JP1412687A patent/JPS63185991A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0529359B2 (ja) | 1993-04-30 |
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