JPS63117225A - 放射温度計等の校正装置 - Google Patents
放射温度計等の校正装置Info
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- JPS63117225A JPS63117225A JP61262121A JP26212186A JPS63117225A JP S63117225 A JPS63117225 A JP S63117225A JP 61262121 A JP61262121 A JP 61262121A JP 26212186 A JP26212186 A JP 26212186A JP S63117225 A JPS63117225 A JP S63117225A
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 20
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
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- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
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Classifications
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野1
本発明は、温度校正用ランプを用いて放射温度計の校正
を行う放射温度計等の校正装置に関するものである。
を行う放射温度計等の校正装置に関するものである。
[従来の技術]
従来、放射温度計の校正装置の照射源の形式としては、
黒体炉を用いる方法の他に、これと同等の放射輝度が得
られる電球を用いることが知られている。
黒体炉を用いる方法の他に、これと同等の放射輝度が得
られる電球を用いることが知られている。
簡単な校正を行う際には使い易さから電球が多く用いら
れ、電球を放射温度計の校正用輝度発生源として用いた
場合に、ランプのフィラメントに定電圧を印加しても放
射輝度に変動が生じてしまうので、例えばJ I S−
28706−1980光高温計による温度測定方法のよ
うに、定電流を供給することによってランプの放射輝度
の安定化を行っている。しかし、放射輝度の変動は周囲
温度の変化によっても発生し、この周囲温度による影響
はJISに表すように高い温度を校正するときには無視
できるが、低い温度では周囲温度による影響を無視でき
ない、特に、300℃以下の校正温度をランプ輝度によ
って代行するときには、周囲温度によって大きい誤差を
生ずる。
れ、電球を放射温度計の校正用輝度発生源として用いた
場合に、ランプのフィラメントに定電圧を印加しても放
射輝度に変動が生じてしまうので、例えばJ I S−
28706−1980光高温計による温度測定方法のよ
うに、定電流を供給することによってランプの放射輝度
の安定化を行っている。しかし、放射輝度の変動は周囲
温度の変化によっても発生し、この周囲温度による影響
はJISに表すように高い温度を校正するときには無視
できるが、低い温度では周囲温度による影響を無視でき
ない、特に、300℃以下の校正温度をランプ輝度によ
って代行するときには、周囲温度によって大きい誤差を
生ずる。
[発明の目的〕
本発明の目的は、校正用ランプを用いて放射温度計の簡
便な校正を行う場合において、ランプの放射輝度が安定
した放射温度計等の校正装置を提供することにある。
便な校正を行う場合において、ランプの放射輝度が安定
した放射温度計等の校正装置を提供することにある。
[発明の概要]
上述の目的を達成するための本発明の要旨は、校正用ラ
ンプのフィラメントに定電流を流し、その放射輝度によ
って放射温度計等の校正を行う装置において、周囲温度
に対して抵抗値変化が太きい抵抗と、抵抗値変化が小さ
い抵抗とを組合わせ、前記フィラメントに流れる定電流
値を補正することによって、周囲温度変化による前記フ
ィラメントの放射輝度変化を補償する電気回路を有する
ことを特徴とする放射温度計等の校正装置である。
ンプのフィラメントに定電流を流し、その放射輝度によ
って放射温度計等の校正を行う装置において、周囲温度
に対して抵抗値変化が太きい抵抗と、抵抗値変化が小さ
い抵抗とを組合わせ、前記フィラメントに流れる定電流
値を補正することによって、周囲温度変化による前記フ
ィラメントの放射輝度変化を補償する電気回路を有する
ことを特徴とする放射温度計等の校正装置である。
[発明の実施例]
本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明する。
第1図は放射温度計の校正装置の校正用ランプを作動さ
せる基本回路図であり、放射温度計の校正値の温度設定
電圧VSが抵抗1を介して増幅器2の十入力端子に入力
されており、増幅器2の出力はトランジスタ3にベース
電流を供給している。
せる基本回路図であり、放射温度計の校正値の温度設定
電圧VSが抵抗1を介して増幅器2の十入力端子に入力
されており、増幅器2の出力はトランジスタ3にベース
電流を供給している。
トランジスタ3のコレクタ端子には電流計4を介して校
正用ランプ5のフィラメント5aが接続され、トランジ
スタ3のエミッタ端子には抵抗6及び例えばシリコン温
度センサ7が接続されている。増幅器2の一入力端子は
、ダイオード8を介して増幅器2の十入力端子に、また
ダイオード9を介して増幅器2の出力端子に、更にトラ
ンジスタ3のエミッタ端子に接続されている。
正用ランプ5のフィラメント5aが接続され、トランジ
スタ3のエミッタ端子には抵抗6及び例えばシリコン温
度センサ7が接続されている。増幅器2の一入力端子は
、ダイオード8を介して増幅器2の十入力端子に、また
ダイオード9を介して増幅器2の出力端子に、更にトラ
ンジスタ3のエミッタ端子に接続されている。
このような構成において、校正値の温度設定電圧vSは
増幅器2によるボルテージフォロワ回路により、トラン
ジスタ3のベース端子に加わり、トランジスタ3のベー
ス・エミッタ端子間にベース電流を供給する。このベー
ス電流により、フィラメント5a及び電流計4を通して
トランジスタ3のコレクタ・エミッタ端子間にコレクタ
電流Iが流れ、このコレクタ電流工は抵抗6と温度セン
サ7にも流れ込み、抵抗6、温度センサ7の抵抗値をそ
れぞれrl、 r2とすると、コレクタ電流工は次式で
与えられる。
増幅器2によるボルテージフォロワ回路により、トラン
ジスタ3のベース端子に加わり、トランジスタ3のベー
ス・エミッタ端子間にベース電流を供給する。このベー
ス電流により、フィラメント5a及び電流計4を通して
トランジスタ3のコレクタ・エミッタ端子間にコレクタ
電流Iが流れ、このコレクタ電流工は抵抗6と温度セン
サ7にも流れ込み、抵抗6、温度センサ7の抵抗値をそ
れぞれrl、 r2とすると、コレクタ電流工は次式で
与えられる。
1 =VS・(rl+r2) / (rl・r2)抵抗
6は周囲温度に殆ど依存しない抵抗係数を有しており、
温度センサ7は例えば約+7.5Ω/℃のPTG特性、
即ち周囲温度が上昇することにより抵抗値r2が上昇す
る特性を有し、周囲温度が上昇するとフィラメン)5a
に流れる電流Iは減少する。従って、抵抗6の抵抗値r
1と温度センサ7の抵抗値r2を適宜設定することによ
り、周囲温度の校正用ランプ5に及ぼす輝度変化を補償
することができる。また、抵抗6の抵抗値rlを可変と
することにより、周囲温度変化に対する電流Iの補正率
を任意に調整することができる。
6は周囲温度に殆ど依存しない抵抗係数を有しており、
温度センサ7は例えば約+7.5Ω/℃のPTG特性、
即ち周囲温度が上昇することにより抵抗値r2が上昇す
る特性を有し、周囲温度が上昇するとフィラメン)5a
に流れる電流Iは減少する。従って、抵抗6の抵抗値r
1と温度センサ7の抵抗値r2を適宜設定することによ
り、周囲温度の校正用ランプ5に及ぼす輝度変化を補償
することができる。また、抵抗6の抵抗値rlを可変と
することにより、周囲温度変化に対する電流Iの補正率
を任意に調整することができる。
第2図は更に具体的な電気回路図であり、電気回路と外
部を結ぶために6個の端子a−fが用意されており、端
子a−b間には温度センサ7を、端子c−c1間には校
正用ランプ5のフィラメント5aを接続し、端子e−f
間に外部から直流電圧を供給するようになっている。抵
抗R4、R5、R6は温度センサ7と並列に配置され、
ロータリスイッチSwによって抵抗R4〜R5のうちの
1個が温度センサ7と並列に接続される。また、ロータ
リスイッチSWは連動して増幅器A1のフィードバック
抵抗を抵抗R1,R2、R3のうちから1個を選択する
ことも兼ねている。なお、ロータリスイッチSWの3つ
の接点は、例えば放射温度計での測定温度230℃、2
80℃、330℃に対応する放射輝度を校正用ランプ5
が放射することと対応している。
部を結ぶために6個の端子a−fが用意されており、端
子a−b間には温度センサ7を、端子c−c1間には校
正用ランプ5のフィラメント5aを接続し、端子e−f
間に外部から直流電圧を供給するようになっている。抵
抗R4、R5、R6は温度センサ7と並列に配置され、
ロータリスイッチSwによって抵抗R4〜R5のうちの
1個が温度センサ7と並列に接続される。また、ロータ
リスイッチSWは連動して増幅器A1のフィードバック
抵抗を抵抗R1,R2、R3のうちから1個を選択する
ことも兼ねている。なお、ロータリスイッチSWの3つ
の接点は、例えば放射温度計での測定温度230℃、2
80℃、330℃に対応する放射輝度を校正用ランプ5
が放射することと対応している。
増幅器A1の出力は抵抗RIOを介して増幅器A2に入
力され、その出力は抵抗R11を介してFET hラン
ジスタロ1のゲート端子に入力される。なお、ここでは
FET トランジスタQlのソース端子にフィラメント
5a及びトランジスタQ2のコレクタ端子が接続され、
FET トランジスタQ1のドレイン端子にはトラン
ジスタQ2のベース端子が接続されるダーリントン接続
がなされている。
力され、その出力は抵抗R11を介してFET hラン
ジスタロ1のゲート端子に入力される。なお、ここでは
FET トランジスタQlのソース端子にフィラメント
5a及びトランジスタQ2のコレクタ端子が接続され、
FET トランジスタQ1のドレイン端子にはトラン
ジスタQ2のベース端子が接続されるダーリントン接続
がなされている。
抵抗R12とツェナダイオードD1によって作られた定
電圧をロータリスイッチSWによって、抵抗R4〜R6
の中から選択された抵抗と温度センサ7との並列合成抵
抗と抵抗R8で分圧し、この分圧した電圧を増幅器AI
に入力する。この入力電圧はロータリスイッチSWによ
って、抵抗R1〜R3、R4−R8、VRI NVR3
の中から選択された抵抗と抵抗R8、R9によって決ま
る増幅度で増幅される増幅器A1の出力となり、この出
力は増幅器A2に入力される。FETトランジスタQ1
とトランジスタQ2とはダーリントン接続されており、
増幅器A2の出力はFET トランジスタQ1のゲート
端子に入力されている。このため、温度センサ7の抵抗
値が周囲温度上昇によって増加するとフィラメント5a
に佼れる電流が減少し、周囲温度の下降によって温度セ
ンサ7の抵抗値が減少すると、フィラメン)5aに流れ
る電流が増加して、周囲温度の変化による校正用ランプ
5の放射輝度の狂いが補正される。
電圧をロータリスイッチSWによって、抵抗R4〜R6
の中から選択された抵抗と温度センサ7との並列合成抵
抗と抵抗R8で分圧し、この分圧した電圧を増幅器AI
に入力する。この入力電圧はロータリスイッチSWによ
って、抵抗R1〜R3、R4−R8、VRI NVR3
の中から選択された抵抗と抵抗R8、R9によって決ま
る増幅度で増幅される増幅器A1の出力となり、この出
力は増幅器A2に入力される。FETトランジスタQ1
とトランジスタQ2とはダーリントン接続されており、
増幅器A2の出力はFET トランジスタQ1のゲート
端子に入力されている。このため、温度センサ7の抵抗
値が周囲温度上昇によって増加するとフィラメント5a
に佼れる電流が減少し、周囲温度の下降によって温度セ
ンサ7の抵抗値が減少すると、フィラメン)5aに流れ
る電流が増加して、周囲温度の変化による校正用ランプ
5の放射輝度の狂いが補正される。
また、フィラメント5aに流れる電流をFETトランジ
スタQ1を用いたダーリントン接続の第1段目に供給し
ているため、定電流値設定側の回路への負担が低減され
、より安定な校正用ランプ5の放射輝度の制御が可能と
なっている。更に、ロータリスイッチSWによって校正
用ランプ5に加えるエネルギレベル設定用の抵抗R4〜
R6の中から1個を選択することと、校正用ランプ5の
周囲温度依存性に対応した抵抗R1〜R3の中から1個
を選択することを同時に行うことができるため便利であ
る。
スタQ1を用いたダーリントン接続の第1段目に供給し
ているため、定電流値設定側の回路への負担が低減され
、より安定な校正用ランプ5の放射輝度の制御が可能と
なっている。更に、ロータリスイッチSWによって校正
用ランプ5に加えるエネルギレベル設定用の抵抗R4〜
R6の中から1個を選択することと、校正用ランプ5の
周囲温度依存性に対応した抵抗R1〜R3の中から1個
を選択することを同時に行うことができるため便利であ
る。
なお、この校正装置は赤外パワーメータの校正、熱伝導
率装置測定装置の放射輝度を用いた校正等に応用するこ
とも可能である。
率装置測定装置の放射輝度を用いた校正等に応用するこ
とも可能である。
[発明の効果]
以上説明したように本発明に係る放射温度計等の校正装
置は、周囲温度の変化による校正用ランプの放射輝度の
変化が少なく、安定性を有し実用上問題のない校正を行
うことができる。
置は、周囲温度の変化による校正用ランプの放射輝度の
変化が少なく、安定性を有し実用上問題のない校正を行
うことができる。
図面は本発明に係る放射温度計等の校正装置の実施例を
示すものであり、第1図は基本回路図、第2図は具体的
な電気回路図である。 符号2は増幅器、3はトランジスタ、4は電流計、5は
校正用ランプ、6は抵抗、7は温度検出センサ、SWは
ロータリスイッチ、Dlはツェナダイオード、At、
A2は増幅器、QlはFET トランジスタ、Q2はト
ランジスタである。 特許出願人 株式会社二レコ 第1図
示すものであり、第1図は基本回路図、第2図は具体的
な電気回路図である。 符号2は増幅器、3はトランジスタ、4は電流計、5は
校正用ランプ、6は抵抗、7は温度検出センサ、SWは
ロータリスイッチ、Dlはツェナダイオード、At、
A2は増幅器、QlはFET トランジスタ、Q2はト
ランジスタである。 特許出願人 株式会社二レコ 第1図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、校正用ランプのフィラメントに定電流を流し、その
放射輝度によって放射温度計等の校正を行う装置におい
て、周囲温度に対して抵抗値変化が大きい抵抗と、抵抗
値変化が小さい抵抗とを組合わせ、前記フィラメントに
流れる定電流値を補正することによって、周囲温度変化
による前記フィラメントの放射輝度変化を補償する電気
回路を有することを特徴とする放射温度計等の校正装置
。 2、複数段階の放射輝度を設定でき、各放射輝度に対応
して前記フィラメントに流れる定電流値を設定する抵抗
と周囲温度特性に対応した補正抵抗とを連動して切換え
、周囲温度検出センサを各放射輝度に対して共通なもの
とした特許請求の範囲第1項に記載の放射温度計等の校
正装置。 3、前記周囲温度に対して抵抗値変化が大きい抵抗は半
導体とした放射温度計等の校正装置。 4、前記フィラメントにFETトランジスタをダーリン
トン接続して定電流を加えるようにした特許請求の範囲
第1項に記載の放射温度計等の校正装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61262121A JPS63117225A (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | 放射温度計等の校正装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61262121A JPS63117225A (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | 放射温度計等の校正装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63117225A true JPS63117225A (ja) | 1988-05-21 |
JPH0573167B2 JPH0573167B2 (ja) | 1993-10-13 |
Family
ID=17371339
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61262121A Granted JPS63117225A (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | 放射温度計等の校正装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63117225A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5720586A (en) * | 1995-11-02 | 1998-02-24 | Yazaki Corporation | Clip mountable to a mounting plate |
US5730401A (en) * | 1995-10-27 | 1998-03-24 | Yazaki Corporation | Clip |
US8083537B2 (en) | 2007-12-28 | 2011-12-27 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Grounding wire connection device |
-
1986
- 1986-11-04 JP JP61262121A patent/JPS63117225A/ja active Granted
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5730401A (en) * | 1995-10-27 | 1998-03-24 | Yazaki Corporation | Clip |
US5720586A (en) * | 1995-11-02 | 1998-02-24 | Yazaki Corporation | Clip mountable to a mounting plate |
US8083537B2 (en) | 2007-12-28 | 2011-12-27 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Grounding wire connection device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0573167B2 (ja) | 1993-10-13 |
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