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JPS6297358A - 樹脂封止形半導体集積回路装置 - Google Patents

樹脂封止形半導体集積回路装置

Info

Publication number
JPS6297358A
JPS6297358A JP60238839A JP23883985A JPS6297358A JP S6297358 A JPS6297358 A JP S6297358A JP 60238839 A JP60238839 A JP 60238839A JP 23883985 A JP23883985 A JP 23883985A JP S6297358 A JPS6297358 A JP S6297358A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
heat sink
distance
integrated circuit
semiconductor integrated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60238839A
Other languages
English (en)
Inventor
Isamu Yamamoto
勇 山本
Takahiko Iida
隆彦 飯田
Eizo Ito
伊藤　栄三
Yuji Sawamori
沢森　雄治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP60238839A priority Critical patent/JPS6297358A/ja
Publication of JPS6297358A publication Critical patent/JPS6297358A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49568—Lead-frames or other flat leads specifically adapted to facilitate heat dissipation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 木希明は、モールド改良された樹脂封止形半導体集積回
路装置に関する。
〔従来の技術〕
第３図は従来のモールド樹脂封止形半導体集積回路装置
（以下ＩＣと呼ぶ）の断面図であり、図において、（１
）はＩＣチップ、（２）はＩＣチップを封止する樹脂、
（３）は工Ｃの入出力の端子となるリードであり、その
一部は前記樹脂（２）に包囲される。（４）は前記樹脂
（２）忙一方の表面が榎われ、チップ（１）ヲ載せるヒ
ートシンクであり、ＩＣの熱抵抗を良くする機能がある
。（５）はチップ（１）のパッドとリード（３）　′ｊ
ｆｒ電気的につなぐ金属細線である。
次に動作について説明する。ＩＣが動作するときにリー
ド（３）とヒートシンク（４）との間の樹脂の誘電率が
低いためＩＣのスイッチングが遅れる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の樹脂封止形半導体集積回路装置は以上のように構
成されているので、リードとヒートシンク間の樹脂の誘
電率の低いことにより、ＩＣの高速スイッチングに支障
を生じる問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、高速スイッチングの可能な樹脂封止形半３４
体集積回路装置を得ること全目的とする。
〔問題点全解決するための手段〕
この発明に係る樹脂封止形半導体集積回路装置は、樹脂
に包囲される所定の内部リードとヒートシンク間の距離
を前記樹脂に包囲される他の内部リードと前記ヒートシ
ンク間との距離に比べ長くしたものである。
〔作用〕
この発明における樹脂封止形半導体集積回路装置は、所
定の内部リードとヒートシンクとの距離を他の内部リー
ドとヒートシンク間の距離よシも長くすることにより、
高速スイッチングを可能とする。
〔発明の実施例〕
以下、この発明の一実施例ｆｔ第１図、第２図について
説明する。図において、（１）はＩＣチップ、（２）は
樹脂、（３）はリード、（４）はヒートシンクであり、
（４ａ）、（４ｂ）はヒートシンクの周縁部、（５）は
金属細線である。
入出力ピンとなるリード（３）とヒートシンク（４）の
周縁部（４ａ）との距離をリード（３）とヒートシンク
（４）の周縁部（４ｂ）との距離よりも長くし、静電容
量を小さくし、ＩＣの高速スイッチングを可能とする０
第２図は本発明の他の実施例を示すものであシ、静電容
量を問題とする入出力ピンとなるリード（３）のヒート
シンク（４）に対応した部分（４ａ）ｋヒートシンク（
４）から除去することによシ、この間の静電容量も小さ
く　Ｌ、ＩＣの高速スイッチングを可能としたものであ
る。
なお、ヒートシンク（４）の周縁部（４ｂ　）’ｉｉ内
部リード（３）に近ずけているのはこの間の熱抵抗を改
善するためである。
〔発明の効果〕
以上のように１この発明によれば、樹脂に包囲された所
定の内部リードとヒートン／り間の距離を前記樹脂に包
囲された他の内部リードと前記ヒートシンク間との距離
に比べ長くしたので、樹脂封止形半導体集積回路装置の
高速スイッチングが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例によるモールド樹脂封止Ｉ
Ｃを示す断面図、第２図はこの発明の他の実施例による
モールド樹脂封土工Ｃを示す断面図、第３図は従来のモ
ールド樹脂封止工Ｃｔ−示す断面図である。 図中（１）はＩＣチップ、（２）はモールド樹脂、（３
）はリード、（４）はヒートン／り、（５）は金属細線
である。 図中、同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）樹脂封止形半導体集積回路装置において、樹脂に
    包囲される所定の内部リードとヒートシンク間の距離を
    前記樹脂に包囲される他の内部リードと前記ヒートシン
    ク間の距離にくらべ長くしたことを特徴とする樹脂封止
    形半導体集積回路装置。
  2. （２）ヒートシンクは内部リードに対応したその一部を
    除去したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
    樹脂封止形半導体集積回路装置。
JP60238839A 1985-10-23 1985-10-23 樹脂封止形半導体集積回路装置 Pending JPS6297358A (ja)

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