JPS629690A - 導電性回路基板とその導電性改善法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は新規なる導電性回路基板とその新しい導電性改
善法に関するものであって、その目的とするところはプ
リント基板・フィルムコネクタ・配線板あるいはシート
スイッチ用などの精密な導電性回路図柄を有する基板を
生産し、産業用、工業用、日用品等の素材として市場に
提供せんとするものである。

〈発明の構成の詳細〉 導電性回路基板は従来、印刷法、フォトレジストエツチ
ング法、マスキング蒸着法、レーザーエツチング法ある
いは化学的溶解法等により作成されているのであるが、
精度、生産性、経済性あるいは技術面等における種々の
困難性がその各々について常に発現し、特に複雑な図柄
とか微細な図柄とかに至ってはいずれの公知の製造法を
とってみても精密、美麗な品質の良い製品を定常的に製
造し難いという欠点を有しているのである。ここにおい
て本発明者はこの欠点を解決するための新方法について
永年にわたり研究を続行してきたが今般遂に削口すべき
本発明を完成するに至ったものである。

すなわち本発明者は、積層物の垂直または垂直に近い切
断面が回路図柄を形成するごとく導電性箔ト高分子箔と
を重畳した積層物の切断面に非疎水性高分子薄板を密着
させる工程、該薄板に対向する電極を設置して該薄板と
該電極の間に共役二重結合を有する環状含窒素化合物を
含む含水電解液を充満させる工程、該導電性箔と該電極
との間に通電して電解し該薄板上に回路図柄を形成させ
る工程、および回路図柄が形成された薄板を切断面なら
びに含水電解液より分離する工程を経て調製されること
を特徴とする導電性回路基板を発明すると共にこの導電
性回路基板を鍍金液と接触させて電気鍍金を行ない回路
図柄のみに金属を析出させることを特徴とする導電性回
路基板の導電性改善法を発明したものである。

積層物の垂直または垂直に近い切断面が回路図柄を形成
するごとく導電性箔と高分子箔とを重畳した積層物、導
電性材料が金属である場合について例示すれば、基本的
なものは次のような１２種に含まれるであろう。

（イ）、金属箔と高分子箔とを交互に重ね合わせ圧着し
たもの。

（ロ）、金属箔と高分子箔とを圧着してロール巻きした
もの。

（ハ）、（イ）の重ね合わせ部分と（ロ）のロール巻き
部分もしくはこれの変形部分とを組み合わせたもの。

（ニ）、高分子箔に金属を真空蒸着またはスパッターリ
ングして密着させたものを積み重ねたもの。

（ホ）、高分子箔に金属を真空蒸着またはスパンターリ
ングして密着させたものをロール巻きしたもの。

（へ）、（ニ）の積み重ね部分を（ホ）のロール巻き部
分もしくはこれの変形部分とを組み合わせたもの。

（ト）、金属箔と高分子箔に金属を真空蒸着またはスパ
ッターリングして密着させたものとを重ね合わせ圧着し
たもの。

（チ）、金属箔と高分子箔に金属を真空蒸着またはスパ
ッターリングして密着させたものをロール巻きしたもの
。

（す）、（ト）の重ね合わせ部分と（チ）のロール巻き
部分もしくはこれの変形部分とを組み合わせたもの。

（ヌ）、高分子箔と高分子箔に金属を真空蒸着またはス
パンターリングして密着させたものとを重ね合わせ圧着
したもの。

（ル）、高分子箔と高分子箔に金属を真空蒸着またはス
パンターリングして密着させたものをロール巻きしたも
の。

（オ）、（ヌ）の重ね合わせ部分と（ル）のロール巻き
部分もしくはこれの変形部分とを組み合わせたもの。

（イ）〜（オ）は導電性箔材料が金属の場合についての
積層形態を例示したのであるが、酸化スズ膜、酸化イン
ジウム膜等のような導電性金属化合物箔でも良く、又金
属箔とこれらの金属化合物箔とを組み合わせた恰好の積
層形態でもよい。

上記の導電性箔の材料となる主なものは膜状または箔状
の白金、金、銅、銀、鉄、ニッケル、ステンレススチー
ル、チタニウム、アルミニウム、アルミニウム合金およ
びネサ膜、ＩＴＯ膜等であり、特に実用的に繰り返し使
用に耐えるものは白金、金、アモルファス鉄、ニッケル
、チタニウム等のいずれかの材料である。

導電性箔の製法に関しては、導電性の金属もしくは金属
化合物の真空蒸着法、スパンターリング法、電解法、圧
延法、切削法、流延法、印刷塗膜法、吹付法、化学反応
生成法および機械加工板法等の方法がある。

上記の積層物を面圧して垂直または垂直に近い角度で切
断しその切断面を眺めると、その切断面に所要の回路図
柄が表れてくるように実際的に積層されねばならない、
この切断面は通常平滑面を形成し易いのであるが、導電
性箔と高分子箔との間において若干の高低を設けておい
てもよく、現実には後記するごとくこの方がを効な場合
が多い。

上記の切断面というのは実際に切断刃によって積層物を
切断してもよいが、一方あたかも切断刃によって切断さ
れたごとく箔の各末端を揃えて積層し真の切断面と同じ
回路図柄を形成するようにしてもよいのである０例えば
導電性箔と高分子箔との間で若干の高低を設けうる場合
、切断刃による切断後にエツチング加工または加熱加工
あるいは膨潤、膨張加工等によって高低を設けうるのが
できるのであるが、この場合にも各箔の末端に若干の出
入りを考慮して積層することにより所要の高低をつける
ことができる。なお上記の切断面は平面の他、曲面、凹
凸面、波面その他各種の形状にすることができるのが本
発明の長所の一つであって、例えば本発明を用いること
のみによって、他の方法では不可能とされている球状面
とか折れ曲がった表面形状の導電性回路基板を作ること
ができる。

以上に示してきた高分子箔というのは疎水性のものであ
り、特に本発明に用いる後記する含水電解液に親和性の
あるものであってはならない、その代表的なものは次の
通りである。即ち、ポリオレフィン、ポリスチレン、ポ
リブタジェン、ポリイソプレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリ
デン、塩化ビニル系共重合体、塩化ビニリデン系共重合
体、フッ化ビニリデン系共重合体、合フッ素樹脂、シリ
コーン樹脂、ポリエステル、ワックス含浸紙、ポリオレ
フィン含浸紙、合フッ素樹脂含浸祇、シリコーン樹脂含
浸紙、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテル、ポリエ
ーテルスルホン、ポリエーテルエステルおよびゴムより
なる群から選ばれた少なくとも一つの耐酸性高分子もし
くはその複合物を基体とする膜、フィルム、シートもし
くは板である。

これらの中で工業的に使用し易いものはポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリク
ロルトリフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレー
ト、シリコーンゴム等であって経済的にはポリエチレン
、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、°ポ
リテトラフルオロエチレン等のほか各種の耐水性あるい
は対溶剤性のある複合樹脂が推奨される。

なお以上に示してきた積層物の切断面には空気、ガス、
塵埃等が付着していることは爾後の工程に悪影響を及ぼ
すので清潔な条件下で積層物を可及的緊密に面圧、固着
させておく必要がある。そして回路図柄が精密になる程
、固く圧縮して変動による細線の回路図柄形成の失敗を
起こさぬよう留意する必要がある。この場合さらに注意
すべきことは、回路図柄を所望の形にするため、上記の
切断面のある部分に太い金属板とか金属線が入れられ、
またある部分には太い高分子板とかスペーサーが挿入さ
れた場合であって、この太い金属板とかスペーサーはや
やもすれば長時間にわたる使用中に他の圧縮が強すぎて
も弱すぎても都合が悪く、例えば太い部分は細線部分に
高圧とか、はみ出しに起因すると思われる低圧とかの原
因により回路図柄に不必要な揺らぎとか、切断面の変形
というような事態が起きるのである。したがって積層物
を面圧する場合の圧縮とか図柄の組立形成方については
予備試験を行って切断面における歪の存否を確かめて固
着させておくことが必要である。

次に、以上のごとき留意に基づいて作られた切断面に非
疎水性高分子薄板を密着させる工程を述べる。まず非疎
水性高分子薄板というのは、ポリビニルアルコール、ポ
リビニルアセタール、ポリビニルアルコールエステル、
ポリビニルアルコールエーテル、ビニルアルコール構造
部分を有する共重合体、ポリビニルピロリドン、ビニル
ピリドン共重合体、ポリビニルピリジン、ビニルピリジ
ン共重合体、セルローズエステル、セルローズエーテル
、デン粉エステル、デン粉エーテル、蛋白質凝固体、ポ
リアミド、キチン質凝固体、炭水化物凝固体（カラギー
ナン、アルギン酸、グルコマンナン、ガラクトマンナン
、ペクチン、セルローズもしくはデン粉の化学加工物）
、ポリアクリル酸系共重合物、ポリメタアクリル酸系共
重合物、ポリアクリルアミド系共重合物、メラミン樹脂
、ウレタン樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂よりなる群
より選ばれた少なくとも一つの高分子を基体とする膜、
フィルム、シートもしくは板のいずれかである。

この非疎水性高分子薄板を最も容易に密着させるのはこ
の非疎水性高分子を含む溶液またはインキもしくは塗料
を印刷法、スプレー法、塗布法等によって切断面に均一
に付着させた後、溶剤を蒸発させ薄板を形成させたので
あるがこの際、気泡が含まれたり溶剤の蒸発による発泡
があってはならない、一方、別に作られたフィルムやシ
ートの切断面への密着は、要すれば減圧室内で、極く少
しの溶剤とか接着剤を存在させて室温下もしくは加熱下
で行われるべきである。この場合も密着面における空気
、ガス、塵埃等の混入は製品の品質低下に関係してくる
のでこれらが著しく残留したり、誤入したりしないよう
に注意し、且つフィルムやシートに均一な力をかけて密
着しでやるようにしなければならない、この場合にあっ
ても不必要な内部歪をフィルムやシートの中に残したり
、厚さに不均一さが生じた場合には導電性回路図柄の美
しい形成が阻害される恐れが多分にあるので、厚さの不
同を必要とする基板は後加工で肉盛りをすべきである。

以上の工程が終了すると次に非疎水性高分子薄板に対向
する電極を設置する必要がある。この薄板が平面である
場合には対向電極は平面とし、この薄板が曲面であれば
対向電極はこれに並行する曲面とし、薄板が半円筒形で
あれば対向電極は半円筒形または円筒形もしくは線状と
し、薄板が球面であれば対向電極は球面を利用するよう
にする。

薄板と対向電極は通常適当な電解槽中に設置されるが、
薄板の面積が大きくなると薄板と対向電極とを一定の間
隙を保つようにスペーサー等を用いて設置される。この
いずれにせよ薄板メ対向電極の中に充分量の含水電解液
を充満させることが必要で、電解槽を用いる場合には含
水電解液中に浸漬すればよく、電解槽外つまり室内に設
置した場合には２ケの電極の間隙に液状または糊状の含
水電解液を完全に挿入充満して、その間隙側面から外へ
含水電解液が漏れないようバッキング等を用いて該側面
を密封してやる必要がある。ここに用いる含水電解液と
は共役二重結合を有する環状含窒素化合物をも含む液状
または糊状の含水電解液のことであり、この含水電解液
の使用温度は一２０℃〜＋８０℃とくに好ましくは一１
０℃〜＋６０℃であ共役二重結合を有する環状含窒素化
合物とはアニリン、置換アリニリン、ナフチルアミン、
置換ナフチルアミン、アミノアンスラセン、置換アミノ
アンスラセン、ピロール、置換ピロール、ピラゾール、
置換ピラゾール、イミダゾール、置換イミダゾール、ト
リアゾール、置換トリアゾール、ピリジン、置換ピリジ
ン、ジアジン、置換ジアジン、トリアジン、置換トリア
ジン、オキサジン、置換オキサジン、ベンゾピロール、
置換ベンゾピロール、ベンズチアゾール、ベンズピラゾ
ール、置換ベンズピラゾール、ベンズイミダゾール、置
換ベンズイミダゾール、オキサジアゾール、チアジアゾ
ール、アミノアゾベンゼン、置換アミノアゾベンゼン、
カルバゾール、置換カルバゾール、キノリン、置換キノ
リン、ベンズオキサゾールおよび置換ベンズオキサゾー
ルよりなる群より選ばれた少なくとも一つの化合物であ
る。

含水電解液に含まれる電解質塩は、過ハロゲン化水素酸
、ホウフッ化水素酸、ヘキサフルオロリン酸、ヘキサフ
ルオロヒ酸、ヘキサフルオロアンチモン酸、トリフルオ
ロ酢酸、パーフルオロ脂肪酸、トリフルオロメタンスル
ホン酸、芳香族スルホン酸およびフルオロスルホン酸よ
りなる群から選ばれた少なくとも一つの強酸のアニオン
とリチウム塩、ナトリウム塩、アンモニウム塩、第四級
アンモニウム塩、銀塩、第四級ホスホニウム塩およびス
ルホニウム塩よりなる群から選ばれた少なくとも一つの
塩を構成しているカチオンとを結合させた塩である。

含水電解液とは上記のような塩を含む水溶液、上記の塩
と共役二重結合を有する環状含窒素化合物とを効果的に
溶解せしめ電解重合反応を進行させるための有機溶剤と
水との混合物、共役二重結合を有する環状含窒素化合物
を液中に効果的に分散するために少量の界面活性剤が加
えられた含水混合物、あるいはこれらの溶液の通電性、
粘性、窒素化合物の溶状安定性等を調整するために少量
の添加剤を溶解した混合物のいずれがである。

含水電解液の成分として用いられる有機溶剤とはハロゲ
ン化炭化水素、ニトロ化炭化水素、含酸素ハロゲン化炭
化水素、アルコール、グリコール、ポリオール、グリコ
ールエーテル、環状エーテル、ケトン、有機酸、酸アミ
ド、ラクトン、ニトリル、炭酸エステル、スルホキシド
、スルホン、無機含酸素エステルよりなる群から選ばれ
る少なくとも一つの極性化合物である。

以上のうち経済的に用いられる共役二重結合を有する環
状含窒素化合物はアニリン、ピロール、メチルピロール
、ビニルピリジン等であり、また電解質というのは化学
式で示すならば１ｉＢＦ４、ＬｉＰＦａ　、ＬｉＡｓＦ
、％　Ｌｉ５ｂＦｈｓＮａＰＦｈ％　ＮａＡｓＦ、　、
ＡｇＢＦａ、Ｌ　ｉ　Ｃ１０ａ　、ＲａＮＰＦ＆　、Ｒ
ａＮＢＦａ、Ｒ４ＮＣ１０ｓ　、Ｌ　ｉ　５ＯｓＦｓ　
ＲａＮＡＳ　Ｆｈ　５ＲａＮＳＯｓＣｈＨａＲ（ただし
Ｒは０１〜Ｃ４のアルキル基）等である。

また本発明に用いられる有機溶剤の例として二塩化メチ
レン、エチレンクロルヒドリン、クロラール、ニトロメ
タン、ニトロエタン、ニトロプロパン、トリフルオロエ
タノール、ペンゾトリフルオリド、ヘキサフルオロアセ
トン、ペンタフルオロアセトン、Ｏ−ジクロルベンゼン
、メタノール、エタノール、プロパツール、イソプロパ
ツール、ブタノール、イソブタノール、第二級ブタノー
ル、第三級ブタノール、フェノール、クレゾール、エチ
レングリコール、プロピレングリコール、ブチレンゲリ
コール、ヘキシレングリコール、グリセリン、テトラヒ
ドロフラン、ブチロラクトン、メチルジオキソラン、ア
セトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル、ジ
メチルホルムアルデヒド、ジメチルアセタミド、ジエチ
ルホルムアミド、テトラメチル尿素、Ｎ−メチルピロリ
ドン、ジメチルスルホキシド、テトラメチレンスルホキ
シド、テトラメチレンスルホン、アセトン、メチルエチ
ルケトン、アセチルアゼトン、プロピレンカーボネート
、ブチレンカーボネート、グリコールモノメチルエーテ
ル、グリコールジメチルエーテルまたは硫酸ジメチル等
の単独または２種以上の混合物がある。

含水電解液中の水分の含有量は特に限定されず１〜１０
０％特に好ましくは５〜１００％の範囲で選ばれる。つ
まり本発明にいう含水電解液というのは電解質塩の水溶
液またはこれに有機溶剤を添加したものであり、次のよ
うな電解質塩の水和物を上記の無水塩のかわりに或いは
その一部を置き換えて有機溶剤に溶かして使用してもよ
いのである。

例えばｌ、１ＢＦ４・Ｈ，０％　Ｌ　ｉ　Ｂ　Ｆ、・３
Ｈ８０、Ｌ　１ＰＦｉ、ＨｔＯｌＬｉＡｓＦａ・Ｒ２０
、Ｌ　ｉ　Ａｓ　Ｆ６・３　Ｈ＊Ｏｓ　Ｌ　ｉ　ＣＩ　
Ｏａ３　ＨｔＯｌＮ　ａ　Ｐ　Ｆ　ｈ・Ｈｔｏ、　Ｎ　
ａ　ＣＩ　Ｏａ・Ｈｌｏ、Ａ　ｇ　Ｂ　Ｆ４・ＨｚＯ２
ＡｇＢＦｎ・ＡｇＨＦｔ・５ＨｔＯである。

本発明の含水電解液の組成等は任意に取りうるが、使用
し易い比率というのが勿論存在する。すなわち含水溶剤
１０００−ｍ　１に対する環状窒素化合物／電解質塩（
無水物換算）のモル比は０．０１〜１．５０１０．０２
〜２．００、特に好ましくは０．０５〜１．００１０．
０３〜１．５の範囲であることが予備実験より明らかに
された。なお、含水電解質の粘度は小である方が使用し
易いが、使用条件によっては糊状として用いたい場合が
あり、このような場合には適当な温度まで冷却するか、
電解反応につまり重合反応に関係しないようなフィラー
例えば不活性中性塩とか不溶性化合物、例えばエアロジ
ルシリカ、エアロジルアルミナ、カーボンブランク等を
含水電解液に適量混和してペースト状にしておくのがよ
い・本発明において用いられる対向する電極材料として
は金属、金属化合物、炭素のいずれでもよいが、本発明
者らによって試験された結果、白金、金、パラジウム、
ホワイトゴールド、ニッケル、チタニウム、モリブデン
、ステンレススチール、グラファイトあるいは炭素繊維
等が優れており、特に便利なものは白金、ニッケル、チ
タニウムあるいはグラファイトを素材として作られた電
極である０本発明にいう導電性箔と上記の電極の間に通
電して電解する工程は直流電圧０．１〜１００Ｖ、特に
好ましくは１〜３０Ｖ、電流密度は０．１〜５０ｍＡ／
Ｃｍ！、特に好ましくは１〜２０ｍ　Ａ　／　ｃ　ｍ”
である、この電解操業時間は数分〜数時間である。

電解操業時間というのは非疎水性高分子薄板上に回路図
柄が形成されるまでの時間であり、１−１０時間かける
と相当に厚手の強固なやや太めの回路図柄が形成される
のに対し、細線図柄を得るためには比較的短時間（例え
ば１〜６０分間）の電解操業で充分である。

非疎水性高分子薄板上に回路図柄が形成される過程は、
電解の進行と共に導電性箔に密着した薄板面から起こり
時間の経過と共に薄板内部に向かって進行する。この進
行の際、曲線図柄では隣り合う線同志が接着した形の図
柄になることが間々あるので、このような場合には前記
したごとく切断面は平滑でなく、導電性箔をやや平滑面
より低くした波形の切断面にしておく方がよい、さらに
この場合、高分子箔としてはフッ素樹脂、シリコーン樹
脂もしくはこれらを含む複合樹脂を用いるのがよく、場
合によってフッ化油、シリコーン油を含むポリオフィン
、ポリエステル系のものを使用するのが好都合である。

本発明に利用される電解重合反応というのは、通常モノ
マーの酸化電位である数Ｖの直流電圧によって重合が開
始される反応であり、例えばピロールからポリピロール
を形成させる場合にはＬｉＢ　Ｆ　ａを含む含水電解液
を用いて１〜ＩＯＶにおいて重合反応が進行する。陽極
と陰極の間隙は特に制限されないが０．５〜５０ｃｍ程
度であり、含水電解液は適度の機械攪拌することも望ま
しい０重合反応は陽極側で起こるため、陽極の材料に注
意しなければならないが、一方陰極の材料については特
に限定されるものでない、なおポリピロールや置換ポリ
ピロールの電解重合を例にとると電極に同じ電圧を印加
しても重合電流はモノマーの種類、電解質塩や溶剤の種
類とか使用量によって異なってくる。しかし一般的に重
合効率は大体４０〜６０％になる。

さて、本発明の電解工程では非疎水性高分子薄板側を陽
極とし対向する電極を陰極とし、陽極側に所要の回路図
柄を形成させるのであるが、回路図柄を美しく形成させ
るには陽極表面積／陰極表面積との比は１１０．５〜１
０．０、特に好ましくはｌ／１〜３の範囲になるようど
ちらかといえば陰極面積を大きくしてやるのがよい、こ
の電解重合反応において陽極側に析出した回路図柄を構
成する高分子物質には電解質の解離による陰イオンの一
部がドーパントとして取り込まれているが、その程度は
以上示してきた各工程の条件によりかなり変化してくる
。しかしながらここに生成する回路図柄を構成する高分
子物質はいずれもドーピングされており、かなりの導電
性を有していることが保証される０次に以上のような回
路図柄が形成された非疎水性高分子薄板面からます含水
電解液を除去し、要すれば付着している含水電解液を水
または有機溶剤で洗浄した後、切断面から薄板を破らな
いように剥離する。このような分離操作の終わった薄板
は水または有機溶剤に浸潤して洗浄して不要物を除去し
た後乾燥されるか、未乾燥のままで本発明の製品となる
のである。

なお、ここに得られた回路図柄の導電性はσ−１０−３
〜１０”Ｓ／ａｍの程度であるが、これをさらに向上さ
せるには別途適当なドーパント（例えばＨｚＳＯａ　　
、　１ｇ　　、ＡＩ　Ｃ１３、Ｉ　ｎｃ１３　、Ａ　Ｓ
　ＦＢ　、Ｓ　ｂ　ＦＳ等）をもってドーピングしてや
ればよいのは当然である。

以上のごとくして調製された本発明の導電性回路基板は
そのままで、あるいは樹脂液による表面コーティング加
工もしくは樹脂フィルムによるラミネート加工によって
各種の用途に供することができるのである。

さらに本発明者は上述のごとくして調製された導電性回
路基板を鍍金液と接触させ、電気鍍金を行い回路図柄の
みに金属を析出させることにより導電性回路基板の導電
性改善に成功したのである。

すなわち以上の導電性回路基板の回路図柄を長期間の使
用に耐えるよう安定化するとともに優れた導電性を付与
するための方法が本発明者らによって種々の方法が研究
された結果、最も好ましい方法は回路図柄を電気鍍金す
る方法であることが見出された。鍍金される金属は特に
限定されないが、用いられる金属単体はＡＩ、Ｃｄ　１
Ｃｒ　ｓ　Ｃｏ　１Ａｕ、Ｉｎ％Ｆｅ、ＰｂＸＮｉ、Ｐ
ｔ、Ａｇ。

Ｓｎ、Ｚｎ等で、特に工業的に重要なものはＣｕ　ｓＡ
ｕ％Ｎｉ、Ｐｔ、Ａｇｓ　Ｃｏおよび各種合金であり、
好ましくは光沢鍍金される金属である。銅鍍金にはシア
ン化銅浴（例えばＣｕＣＮ２６ｇ／ｊ、ＮａＣＮ　３５
ｇ／ｊ、ＮａｔＣＯｘ　３０ｇ／Ｊｌ。

ＫＮａＣａＨａＯｈ−４ＨｔＯ４５ｇ／ｌ、ｐ　Ｈ１２
，６）、硫酸銅浴（例えばＣｕ　Ｓ　Ｏａ・５　ＨｔＯ
１８８ｇ　／　ｊ　−ＨｇＳＯ４７４ｇ／Ｊ）　、ホウ
フッ化銅浴〔例えばＣｕ（ＢＦｅ）露　２２４ｇ／ｊ、
ＨＢＦａ　１５ｇ／ｊ−ＨＩＢＯｓ　１５ｇ／ｊ！％ｐ
Ｈ１，２〜１．７　）　、ピロリン酸銅浴（Ｃｕ”２２
〜３８ｇ／ｊ、Ｐｔ０ｔ　−−−−１５０〜２５０　ｇ
／ｉ　ＮＯ３−５〜１０ｇ／Ｊ、ＮＨｓｌ〜３ｇ／！、
ｐＨ８，２〜８．８）等が用いられる。

金鍍金にはシアン化金浴（例えばＡｕ４．Ｏｇ／ｌ、Ｋ
ＣＮ３０ｇ／ｌ、ＫｔＨＰ　０４３０ｇ　／　Ｊ　１Ｋ
ｚＣＯｓ３０ｇ／ｌ、ｐＨ１１〜１１．５）等が用いら
れる。ニッケル鍍金には混合ニッケル塩浴（例えばＮ１
５Ｏｎ・７Ｈ＊０２４０〜３４０ｇ／ＩＮ　ｉ　ＣＩｇ
・６　ＨｔＯ３０〜６０ｇ／　１ＳＨｓＢＯｓ　３０〜
４０ｇ／ｊ、ｐ　Ｈ２，４＞　、ホウフッ化ニッケル浴
〔例えばＮ１（ＢＦｎ）ｔ　２２０ｇ／ｊ！、Ｎｉ５．
５ｇ／ｇ、ＨＢＦ４４ｇ／ｉ　　Ｈ２ＢＯ３３０ｇ／ｊ
！、ｐＨ２，０〜３．５〕等が用いられる。銀鍍金には
シアン化銀浴（例えばＡｇＣＮ　４５　ｇ／ｌ、ＫＣＮ
４ｇ　／　ＩＩ　、　ＫｔＣＯｓ　１５ｇ　／　１、Ｋ
Ｏ３４ｇ／ｌ）等が用いられる、またスズ鍍金にはホウ
フッ化スズ浴（例えばＳｎ　４０ｇ／４１ＳＨＢＦ４４
０ｇ／ｌ、ゼラチン２ｇ／ｌ、β−ナフトール０．５ｇ
／Ｊり等が用いられる。

以上示した各鍍金浴はいずれも基本的なものであり、実
際には光沢鍍金を完成させるための添加剤が加えられる
。さらに、本発明に最も適する鍍金の一つにはホウフッ
化物浴鍍金があり、例えば半田合金鍍金はＳ　ｎ”５２
ｇ／ｊ！、　Ｐ　ｂＩ″３０ｇ／ｌ、ＨＢＦ４１００〜
２００　ｇ／ＩＩ、ＨｓＢＯｓ　２５ｇ／ｉペプトン５
．．Ｏｇ　／　ｌ、を含む浴を用い、陽極板としてはＳ
　ｎ　／　Ｐ　ｂ−６０／４０の合金を使用して行われ
る。これに関する代表的な半田合金浴（７−９３バス）
の割合というのは４９．６％５ｎ（ＢＦａ）ｉ液１１ｋ
ｇ、５１％Ｐｂ（ＢＦＪｇ液１２１ｋｇ、４９％ＨＢＦ
ａ　７６ｋｇ、ＨｓＢＯｓ　７ｋｇ、ペプトン０．２ｋ
ｇ、水２４７ｋｇからなっており、操作条件は陰極電流
密度２０〜３０ｍ　Ａ　／　ｃ　ｍ”　、１０〜５０℃
でゆるやかな浴攪拌をしなから電鍍できるものである。

また銅鍍金には他の鍍金を施す下地生成作業として層々
に行われるものであり、その上に再びニッケルとか半田
合金を鍍金することにより、回路図柄は著しく強固にな
り且つその導電性が非常に向上するものである。

勿論、このようにして導電性が改善された基板に対して
更に二次加工あるいは三次加工が施されてもよいことは
当然である。

本発明者は以上述べてきた本発明に関して多数の実験を
行い本発明の新規性と優秀性を確認したのであるが、さ
らに本発明の技術的内容を明確にするため多数の実験例
中より代表的な二三の例を抽出して以下に実施例として
示す、したがって本発明は以下に示された実施例のみに
限定して解釈されるべきではなく本発明の趣旨と精神と
を逸脱せざる限り任意にその実施態様を変更で実施しう
ることは当然である。

以下の実施例によって本発明の優秀性は益々明らかにさ
れるであろう。

〈実施例〉 実施例１ 厚さ１ｍｍのポリプロピレンシートと厚さ０．５ｍｍの
二、ケル板とを交互に５０層ずつ積層し、この積層物の
上下を厚手の不飽和ポリエステル樹脂ガラスクロス含浸
板硬化物ではさみ、ボルトおよびナツトを用いて正味の
積層部分の厚さが６８〜７２ｍｍになるように面圧して
固着物にする。そしてこの積層固着物を積層方向に対し
て垂直（９０°）または垂直に近い角度（８０°）に切
断する。切断面はサンドペーパ一ついでパフ掛けして研
磨し、アセトン洗浄して乾燥し完全に清潔にする。この
切断面に高重合度のポリビニルアルコールの糊状水溶液
を清浄室内で塗布し、乾燥空気を送って水分を除去し、
厚さ０．４ｍｍのポリビニルアルコールの強固なフィル
ムを形成させたのち、ポリプロピレンネットで軽くシー
ルする。この積層物のニッケル板を陽極とし、一方墳断
面積よりやや広い面積を有するニッケル板を陰極として
陽極より約３ｃｍの間隙をあけて対向設置する。これを
含水電解液を満たした電解槽中に浸漬し減圧脱気したの
ち通電する。電解液はホウフッ化リチウム１水和物１ｉ
ＢＦａ・ＨＩＯ０，２モル、ピロール０．１モルをプロ
ピレンカーボネート１１に溶解したもので温度は一１０
℃に保たれている。通電は２■、０．０８ｍＡ／ｃｍ”
で１２時間行なう、コノ操作時間中においてポリビニル
アルコールのフィルムは膨潤するが、その切断面に接し
た側にニッケル陽極の線状図柄に対応する回路が形成さ
れ、この回路が次第に強化されてくるのが観察されるの
で、通電を終了したのち電極等を引き上げてアセトン中
に浸漬して洗浄し乾燥したのち、切断面からポリビニル
アルコールのフィルムを剥離する。剥離シたフィルム基
板には切断面にあられれたニッケル線状面と垂直切断し
たものは同じような太さの回路図柄が形成されており、
また垂直に近い角度で切断したものはやや太めの回路図
柄が形成されている。いずれにせよここに得られたポリ
ピロールよりなる回路図柄はグー１０〜１３Ｓ／ｃｍの
導電性を示す。

実施例２ 実施例１で得られたグー１０〜１３Ｓ／ｃｍであるポリ
ピロールよりなる回路図柄を有する基板を陰極とし、Ｓ
　ｎ　／　Ｐ　ｂ　＝６０／４０の合金を陽極（陽極／
陰極−２／１）として半田合金鍍金を行った。

ホウフッ化物鍍金浴は４９．６％Ｓ　ｎ（Ｂ　Ｆ＊）ｔ
　６０ｍ１，５１％Ｐ　ｂ　（Ｂ　Ｆ　ｔ）ｇ　２３ｍ
　ｌ　１４９％ＨＢＦ＃５４ｍ１．水２４０ｍ　ｌの割
合のものを用い陰極電流密度３０ｍ　Ａ　／　ｃ　ｍ”
　、　２５〜３０℃で電解する。電解進行中にＳｎの酸
化が起こるようであれば電解液１２当たり約１ｇのレゾ
ルシンを添加してやればよい、ポリピロールの黒色回路
図柄の部分が半田合金鍍金されたならば電気鍍金を終了
し、純水を用いて基板を洗浄し窒素気流中で乾燥して製
品化する。ここに得られた基板上の回路はＳ　ｎ　／　
Ｐ　ｂが６０／４０に近く共融点混合組成物に近＜１４
０℃以下の温度で強靭でありρ−１０−４Ω・ｃｍを示
した。

実施例３ 実施例２に用いた回路基板をニッケル酸性フッ化物浴（
１００％ＨＦ４３ｍ１、塩基性炭酸ニッケル４水和物１
２０ｇ／ｊ！、　りｘン酸３０ｇ／Ｉｔ、ラウリル硫酸
ナトリウム１．Ｏｇｚｌ）に浸漬し、５０〜６０℃、電
気密度５０Ａ／　ｃ　ｍ”　、ｐ　Ｈ３，０で液を静か
に攪拌しながら電解を行うと、回路図柄上にニッケルが
薄く均一に鍍金された回路基板が得られニッケル鍍金部
分はρ＝１０−’Ω・ｃｍであることが認められた。こ
のものはフィルムコネクタ等に利用することができる。

実施例４ ポリエチレンテレフタレートに金を真空蒸着したフィル
ムを何枚も重ね合わせたのち、硬質塩化ビニル樹脂板で
両端面をはさんでボルトおよびナツトを用いて締めつけ
て固着させる。この積層フィルムの垂直切断面に旋盤バ
イトを用いて切削を行い、その面を曲面状にしてパフ掛
けを行って滑らかにした上、メタノール洗浄して乾燥す
る。ついでこの曲面切断面に高分子量のヒドロキシプロ
ピルセルローズのジメチルホルムアミド溶液を塗布し清
浄室内で乾燥し厚さが０．２ｍｍのヒドロキジプロピル
セルローズのフィルムを形成させる。

この曲面状のフィルムから３ｃｍ１ｉして曲面状のニッ
ケル電極を対向させたのち電解液中につけて金を陽極、
ニッケルを陰極として２．５Ｖ、　　０．５Ａ／ｃｍ”
の通電を０℃で１０時間行なう、電解液はβ−メチルピ
ロール０．１モルおよびホウフッ化銀０．５モルをペン
ゾトリフルオリドー第３級ブタノール−水混液（２０：
　０．２：　０．１）　　１　ｇに溶解した組成を有し
ている。電解終了後、電極等を電解槽より引き上げ、さ
らに第３級ブタノール−水温液（１：　１）中に浸漬し
て充分洗浄したのち、乾燥することなく注意してヒドロ
キシプロピルセルローズのフィルムを曲面切断面より剥
離し、曲面状のゴムスポンジ上に載置して減圧乾燥する
。ここに得られた曲面状のフィルムにはポリエチレンテ
レフタレートに埋めこまれた金線と同型、同数の回路図
柄が導電性のポリβ−メチルピロール（σ＝１Ｏ３／ｃ
ｍ）で再現されている。この方法は曲面状回路基板を得
る例であるが、金蒸着したポリエチンテレフタレート・
フィルムを別の積層形式、例えば渦巻状、指紋状あるい
は波状に変えた積層物を用いて切断面をつくってやり上
記と同様に操作すれば、その積層の形と切断面の形に応
する各種の回路図柄を有する導電性回路基板が得られる
。

実施例５ 実施例４においてβ−メチルピロールの半量ヲビロール
に置き換え、同じように操作するとポリ（β−メチルピ
ロール・ピロール）の導電性回路（σ”１４３／ｃｍ）
が得られた。また実施例４のβ−メチルピロールを各種
のモノマーに置き換え電解反応を行わせるとそれぞれに
相当するポリマーにより図柄の描かれた回路基板を得る
ことができる。この際のモノマーの種類と得られた回路
図実施例６ 厚さ１ｍｍのポリトリフルオロクロルエチレン・シート
と厚さ０．５ｍｍのステンレス・スチール板とを交互に
積層し、実施例１と同様にして固着してブロックにする
。このブロックを積層面に対して垂直に切断し、その断
面はサンドペーパーおよびパフ掛けして磨く、この切断
面に極く少量のベンゾニトリルを塗布し、これに硫酸紙
を載置し１００℃で熱風乾燥しつつローラで押さえ完全
に密着させる。この接着物にポリプロピレンネットを貼
付し、実施例１と同様にして対向陰極白金板を設置し電
解液中に沈積してやる。電解液は水１０％を含むアセト
ニトリルｌｊ中にベンズイミダゾール０．２モル、テト
ラエチルアンモニウムヘキサフルオロアルセネート０．
５モルを溶解したものである。電極間に通電（２Ｖ、３
ｍＡ／ｃｍ”　）　し室温で約１時間保つと硫酸紙上に
ポリベンゾイミダゾールの回路図柄（σ−０，ＯＩＳ／
ａｍ）が切断面電極図柄と同じように形成される。ここ
で硫酸紙を分離してアセトニトリルで充分洗浄後乾燥し
たのち、軟質ポリ塩化ビニル・フィルムとラミネートす
ると柔軟性のある回路基板が得られた。これは弱電流用
フィルムコネクタとして有用である。

実施例７ 実施例６において硫酸紙のかわりにセルローズアセテー
ト・フィルムを用い、また電解液として２．５％の水を
含むアセトニトリルＩＩｌにピーロル０．１モル、テト
ラブチルアンモニウムへキサフルオロホスフェート０．
２モルを溶解したものを用いて同じように電解重合を行
なわせ゛る。セルローズアセテート・フィルム中にポリ
ピロールの回路図柄（グー０．５３／ｃｍ）の形成され
た基板が得られるのでこれを分離してメタノールで充分
洗浄後乾燥する。

実施例８ 実施例７で得られた回路基板をＣｕＣＮ４４ｇ／ｌ、　
Ｎａ　ＣＮ　６７　ｇ／　ｊ！−ロソセル塩７４ｇ／１
、　ＫＯＨ１１ｇ／ｊ！のシアン化銅溶液に浸漬し銅電
極を用いて実施例３と同様に操作すれば回路図柄面に銅
鍍金された基板が得られる。これは更に常法によりニッ
ケル鍍金もしくは合金鍍金すれば回路図柄の非常に強固
な化学的耐性とか耐候性に冨む回路基板になる。

実施例９ 実施例６に用いた積層物の切断面にカゼイン水溶液を塗
布して乾燥後、グリオキザールの酸性水溶液を塗布して
５０℃で風乾しメタノールで充分洗浄して厚さ約１０μ
ｍの凝固蛋白質膜を形成させる。

次いで実施例６と同様に白金対向電極を設は含水電解液
中にセットする。この場合の含水電解液は水を飽和した
塩化メチレンにＬｉＰＦｉ・Ｈｇｏ。

（ＣｔＨｓ）ｅＮＰＦ＆およびＮ−ビニルカルバゾール
をぞれぞれ０．１５規定になるように溶解したもので、
２．５Ｖ、　　２　ｍＡ／　ｃ　ｍ”の条件で３時間室
温で電気分解すると蛋白質膜上にポリ（Ｎ−ビニルカル
バゾール）のＰ　Ｆ　＆−でドーピングされた回路図柄
が形成された。この回路はσ−１０−’Ｓ／ｃｍでやや
導電性が悪いが実施例８と同様にして銅鍍金すれば美し
い銅張りの回路基板を得ることができた。

実施例１Ｏ〜１５ 実施例６に用いた積層物の切断面に次表に示す膜物質を
溶解塗布乾燥法により９〜１３μｍの厚さに形成させた
後、白金対向電極を設は次表の成分を含む電解質水溶液
中にセットする。

次いでこの水溶液に次表に示すアミンまたはアミン塩を
加えて充分攪拌したのち、実施例９と同様に通電して３
時間電解重合を行わせた後、電解液を水に交換し充分水
洗を行なう、このようにして次表の導電性ポリマーで回
路図柄の形成された膜物質を注意してｌＦ４１１Ｍシて
これを陰極として、ＫＣＮ１００ｇ／ｊ！、Ｋ茸ＣＯｓ
　５５ｇ／ｊ、ＫＮＯｚ　８０ｇ／ｌ、Ａｇ　　４０ｇ
／ｌ　　（ＮＨｔｈＣ３１０ｇ／ｌの鍍銀浴に浸漬し、
対向電極に銀板を用いて０．１Ａ／ｃｍ”の通電を行っ
て３０〜４０℃で銀鍍金すると、いずれも１〜２時間後
に美しい銀の回路図柄が膜物質上に形成された。

ここに得られた回路図柄は実施例１０と同様にして銀鍍
金されたのち乾燥すると比較的強靭なグルコマンナン基
板を得るので、銀回路部分の変色を防止するためアクリ
ル系塗料を塗布、含浸させ温風乾燥すると耐候性ならび
に機械的性質の優れたフィルムコネクタになった。この
アクリル系樹脂塗料のかわりにポリビニルブチラール・
　１００％フェノール樹脂塗料を塗布した場合、ホット
メルト型の丈夫なフィルムコネクタが得られた。

〈発明の効果〉 本発明は導電性回路基板とその導電性改善法に関するも
のであり、産業部品から日用品にわたる電気材料、電子
材料として有用な導電性基板を容易に且つ大量に生産す
る方式を明らかにしたものである０本発明によって得ら
れる導電性回路基板はその形態によってプリント基板、
フィルムコネクタ、配線板、シートスイッチ、フェーズ
、センサー、および高密度回路板等として利用できるも
のであり、その産業利用性は極めて大きいものである。

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. （１）積層物の垂直または垂直に近い切断面が回路図柄
   を形成するごとく導電性箔と高分子箔とを重畳した積層
   物の切断面に非疎水性高分子薄板を密着させる工程、該
   薄板に対向する電極を設置して該薄板と該電極の間に共
   役二重結合を有する環状含窒素化合物を含む含水電解液
   を充満させる工程、該導電性箔と該電極との間に通電し
   て電解し該薄板上に回路図柄を形成させる工程、および
   回路図柄が形成された薄板を切断面ならびに含水電解液
   より分離する工程を経て調製されることを特徴とする導
   電性回路基板。
2. （２）導電性箔が導電性の金属もしくは金属化合物の真
   空蒸着膜、スパッターリング膜、電解箔、圧延箔、切削
   箔、流延箔、印刷塗膜、吹付箔、化学反応生成膜および
   機械加工板よりなる群から選ばれた少なくとも一つの導
   電体であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の導電性回路基板。
3. （３）高分子箔がポリオレフィン、ポリスチレン、ポリ
   ブタジエン、ポリイソプレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩
   化ビニリデン、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデ
   ン、塩化ビニル系共重合体、塩化ビニリデン系共重合体
   、フッ化ビニリデン系共重合体、合フッ素樹脂、シリコ
   ーン樹脂、ポリエステル、ワックス含浸紙、ポリオレフ
   ィン含浸紙、合フッ素樹脂含浸紙、シリコーン樹脂含浸
   紙、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテル、ポリエー
   テルスルホン、ポリエーテルエステルおよびゴムよりな
   る群から選ばれた少なくとも一つの耐水性高分子もしく
   はその複合物を基体とする膜、フィルム、シートもしく
   は板であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の導電性回路基板。
4. （４）非疎水性高分子薄板がポリビニルアルコール、ポ
   リビニルアセタール、ポリビニルアルコールエステル、
   ポリビニルアルコールエーテル、ビニルアルコール構造
   部分を有する共重合体、ポリビニルピロリドン、ビニル
   ピリドン共重合体、ポリビニルピリジン、ビニルピリジ
   ン共重合体、セルローズエステル、セルローズエーテル
   、デン粉エステル、デン粉エーテル、蛋白質凝固体、キ
   チン質凝固体、炭水化物誘導体（カラギーナン、アルギ
   ン酸、グルコマンナン、ガラクトマンナン、ペクチン、
   セルローズもしくはデン粉の化学加工物）、ポリアクリ
   ル酸系共重合物、ポリメタアクリル酸系共重合物、ポリ
   アクリルアミド系共重合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、
   ウレタン樹脂、フェノール樹脂よりなる群より選ばれた
   少なくとも一つの高分子を基体とする膜、フィルム、シ
   ートもしくは板であることを特徴とする特許請求の範囲
   第１項記載の導電性回路基板。
5. （５）共役二重結合を有する環状含窒素化合物がアニリ
   ン、置換アリニリン、ナフチルアミン、置換ナフチルア
   ミン、アミノアンスラセン、置換アミノアンスラセン、
   ピロール、置換ピロール、ピラゾール、置換ピラゾール
   、イミダゾール、置換イミダゾール、トリアゾール、置
   換トリアゾール、ピリジン、置換ピリジン、ジアジン、
   置換ジアジン、トリアジン、置換トリアジン、オキサジ
   ン、置換オキサジン、ベンゾピロール、置換ベンゾピロ
   ール、ベンズチアゾール、ベンズピラゾール、置換ベン
   ズピラゾール、ベンズイミダゾール、置換ベンズイミダ
   ゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、アミノア
   ゾベンゼン、置換アミノアゾベンゼン、カルバゾール、
   置換カルバゾール、キノリン、置換キノリン、ベンズオ
   キサゾールおよび置換ベンズオキサゾールよりなる群よ
   り選ばれた少なくとも一つの化合物であることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の導電性回路基板。
6. （６）含水電解液が過ハロゲン化水素酸、ホウフッ化水
   素酸、ヘキサフルオロリン酸、ヘキサフルオロヒ酸、ヘ
   キサフルオロアンチモン酸、トリフルオロ酢酸、パーフ
   ルオロ脂肪酸、トリフルオロメタンスルホン酸、芳香族
   スルホン酸およびフルオロスルホン酸よりなる群から選
   ばれた少なくとも一つの強酸のアニオンとリチウム塩、
   ナトリウム塩、アンモニウム塩、第四級アンモニウム塩
   、銀塩、第四級ホスホニウム塩およびスルホニウム塩よ
   りなる群から選ばれた少なくとも一つの塩を構成してい
   るカチオンとを結合させた塩の含水溶液であることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の導電性回路基板。
7. （７）積層物の垂直または垂直に近い切断面が回路図柄
   を形成するごとく導電性箔と高分子箔とを重畳した積層
   物の切断面に非疎水性高分子薄板を密着させる工程、該
   薄板に対向する電極を設置して該薄板と該電極の間に共
   役二重結合を有する環状含窒素化合物を含む含水電解液
   を充満させる工程、該導電性箔と該電極との間に通電し
   て電解し該薄板上に回路図柄を形成させる工程、および
   回路図柄が形成された薄板を切断面ならびに含水電解液
   より分離する工程を経て調製された導電性回路基板を鍍
   金液と接触させて電気鍍金を行い回路図柄のみに金属を
   析出させることを特徴とする導電性回路基板の導電性改
   善法。
8. （８）導電性箔が導電性の金属もしくは金属化合物の真
   空蒸着膜、スパッターリング膜、電解箔、圧延箔、切削
   箔、流延箔、印刷塗膜、吹付箔、化学的反応生成膜およ
   び機械加工板よりなる群から選ばれた少なくとも一つの
   導電体であることを特徴とする特許請求の範囲第７項記
   載の導電性回路基板の導電性改善法。
9. （９）高分子箔がポリオレフィン、ポリスチレン、ポリ
   ブタジエン、ポリイソプレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩
   化ビニリデン、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデ
   ン、塩化ビニル系共重合体、塩化ビニリデン系共重合体
   、フッ化ビニリデン系共重合体、合フッ素樹脂、シリコ
   ーン樹脂、ポリエステル、ワックス含浸紙、ポリオレフ
   ィン含浸紙、合フッ素樹脂含浸紙、シリコーン樹脂含浸
   紙、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテル、ポリエー
   テルスルホン、ポリエーテルエステルおよびゴムよりな
   る群から選ばれた少なくとも一つの耐水性高分子もしく
   はその複合物を基体とする膜、フィルム、シートもしく
   は板であることを特徴とする特許請求の範囲第７項記載
   の導電性回路基板の導電性改善法。
10. （１０）非疎水性高分子薄板がポリビニルアルコール、
    ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコールエステル
    、ポリビニルアルコールエーテル、ビニルアルコール構
    造部分を有する共重合体、ポリビニルピロリドン、ビニ
    ルピリドン共重合体、ポリビニルピリジン、ビニルピリ
    ジン共重合体、セルローズエステル、セルローズエーテ
    ル、デン粉エステル、デン粉エーテル、蛋白質凝固体、
    キチン質凝固体、炭水化物誘導体（カラギーナン、アル
    ギン酸、グルコマンナン、ガラクトマンナン、ペクチン
    、セルローズもしくはデン粉の化学加工物）、ポリアク
    リル酸系共重合物、ポリメタアクリル酸系共重合物、ポ
    リアクリルアミド系共重合物、メラミン樹脂、尿素樹脂
    、ウレタン樹脂、フェノール樹脂よりなる群より選ばれ
    た少なくとも一つの高分子を基体とする膜、フィルム、
    シートもしくは板であることを特徴とする特許請求の範
    囲第７項記載の導電性回路基板の導電性改善法。
11. （１１）共役二重結合を有する環状含窒素化合物がアニ
    リン、置換アリニリン、ナフチルアミン、置換ナフチル
    アミン、アミノアンスラセン、置換アミノアンスラセン
    、ピロール、置換ピロール、ピラゾール、置換ピラゾー
    ル、イミダゾール、置換イミダゾール、トリアゾール、
    置換トリアゾール、ピリジン、置換ピリジン、ジアジン
    、置換ジアジン、トリアジン、置換トリアジン、オキサ
    ジン、置換オキサジン、ベンゾピロール、置換ベンゾピ
    ロール、ベンズチアゾール、ベンズピラゾール、置換ベ
    ンズピラゾール、ベンズイミダゾール、置換ベンズイミ
    ダゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、アミノ
    アゾベンゼン、置換アミノアゾベンゼン、カルバゾール
    、置換カルバゾール、キノリン、置換キノリン、ベンズ
    オキサゾールおよび置換ベンズオキサゾールよりなる群
    より選ばれた少なくとも一つの化合物であることを特徴
    とする特許請求の範囲第８項記載の導電性回路基板の導
    電性改善法。
12. （１２）含水電解液が過ハロゲン化水素酸、ホウフッ化
    水素酸、ヘキサフルオロリン酸、ヘキサフルオロヒ酸、
    ヘキサフルオロアンチモン酸、トリフルオロ酢酸、パー
    フルオロ脂肪酸、トリフルオロメタンスルホン酸、芳香
    族スルホン酸およびフルオロスルホン酸よりなる群から
    選ばれた少なくとも一つの強酸のアニオンとリチウム塩
    、ナトリウム塩、アンモニウム塩、第四級アンモニウム
    塩、銀塩、第四級ホスホニウム塩およびスルホニウム塩
    よりなる群から選ばれた少なくとも一つの塩を構成して
    いるカチオンとを結合させた塩の含水溶液であることを
    特徴とする特許請求の範囲第７項記載の導電性回路基板
    の導電性改善法。
13. （１３）鍍金液がニッケル、コバルト、クロム、銅、銀
    、金、白金、スズ、半田合金およびコバルト・ニッケル
    合金よりなる群から選ばれた少なくとも一つの金属を電
    気化学的に析出できる化合物の溶液であることを特徴と
    する特許請求の範囲第８項記載の導電性回路基盤の導電
    性改善法。