JPS6279649A - 半導体ダイシング方法 - Google Patents
半導体ダイシング方法Info
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- JPS6279649A JPS6279649A JP60219116A JP21911685A JPS6279649A JP S6279649 A JPS6279649 A JP S6279649A JP 60219116 A JP60219116 A JP 60219116A JP 21911685 A JP21911685 A JP 21911685A JP S6279649 A JPS6279649 A JP S6279649A
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- adhesive
- dicing
- wafer
- adhesive agent
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は″！ｆ−導体クエ八り嬰へ体素子毎に切断。
分離する方法に関するものである。
現在、寥導体ウェハを素子毎に分割する方法としては粘
着テープ等でウェハを固定しダイシングブレードでウェ
ハ裏面まで完全に切断するか又はウェハｒＡ面まで数ミ
クロン残して切断する方法がとられている。
着テープ等でウェハを固定しダイシングブレードでウェ
ハ裏面まで完全に切断するか又はウェハｒＡ面まで数ミ
クロン残して切断する方法がとられている。
丸面まて完全に切断する方法はダイシンクプレートが粘
着テープの粘着剤まで切断１−る。このためプレートに
粘着剤か付着しプレートの７Ｐ命か短かくなったり、粘
着ｆｉ１１か飛散し素子表面に付着し収率か低ドする欠
点かある。
着テープの粘着剤まで切断１−る。このためプレートに
粘着剤か付着しプレートの７Ｐ命か短かくなったり、粘
着ｆｉ１１か飛散し素子表面に付着し収率か低ドする欠
点かある。
又ウェハ裏面まて数ミクロン残してダイシングする方法
は残した部分を外的応力で割ることが必要て、割られた
ウェハ素ｆ形状か不均一になる欠点及び生産性が悪い欠
点かある。
は残した部分を外的応力で割ることが必要て、割られた
ウェハ素ｆ形状か不均一になる欠点及び生産性が悪い欠
点かある。
一力一、粘着テープの粘着力か弱い場合はダイシンク時
に素ｒの飛散が生じ、又強い場合は素ｒ分ｍ即ちピック
アップ作業性が困難となり、素ｆの大きさに合せ初期粘
着力の選択が必要であり、このことも生産性を低下させ
ている一因てもある、〔発明か解決しようとする問題点
〕 以ヒの問題点にかんがみ、本発明は半専体素ｒの生産性
向トに際しウェハ裏面まで切断するダイシング方法にお
いてダイシングブレードの寿命を短かくすることなく又
、糊の飛散による素−ｒ付着を防止しかつ素子分離性す
なわちピックアツプ性を容易にするダイシング方法を提
供するものである。
に素ｒの飛散が生じ、又強い場合は素ｒ分ｍ即ちピック
アップ作業性が困難となり、素ｆの大きさに合せ初期粘
着力の選択が必要であり、このことも生産性を低下させ
ている一因てもある、〔発明か解決しようとする問題点
〕 以ヒの問題点にかんがみ、本発明は半専体素ｒの生産性
向トに際しウェハ裏面まで切断するダイシング方法にお
いてダイシングブレードの寿命を短かくすることなく又
、糊の飛散による素−ｒ付着を防止しかつ素子分離性す
なわちピックアツプ性を容易にするダイシング方法を提
供するものである。
本発明者らはウェハ裏面まて切断するダイシング方法に
おいて光硬化型粘着テープを使用し２段階に光照射する
ことによりダイシング時の糊の飛散及びブレードへの糊
の付着をも防止、更に素子分画時には粘着力を低下させ
ピックアツプ性を容易にさせることを見いたし本発明を
完成した。
おいて光硬化型粘着テープを使用し２段階に光照射する
ことによりダイシング時の糊の飛散及びブレードへの糊
の付着をも防止、更に素子分画時には粘着力を低下させ
ピックアツプ性を容易にさせることを見いたし本発明を
完成した。
即ち本発明は半導体素子を形成したウェハを光硬化型粘
着テープ上に固定し、ダイシングブレードで半導体素ｆ
分雛子定ラインに沿って順次ウェハ裏面まて完全に切断
する方法において、半導体素子分ｍ＋定ラインに沿った
部分の粘着剤を光で硬化させ、素ｒを切断、更に全面的
に粘着剤を光で硬化させ素ｆを分離することを特徴とす
るダイシング方法である。
着テープ上に固定し、ダイシングブレードで半導体素ｆ
分雛子定ラインに沿って順次ウェハ裏面まて完全に切断
する方法において、半導体素子分ｍ＋定ラインに沿った
部分の粘着剤を光で硬化させ、素ｒを切断、更に全面的
に粘着剤を光で硬化させ素ｆを分離することを特徴とす
るダイシング方法である。
本方法はまず第１図に示す如く紫外線硬化型粘着剤（ｂ
）を透明な樹脂シート（ｃ）の片面に塗工したタイシン
クテープ（」）の粘着剤面にウェハ（ａ）を貼付ける。
）を透明な樹脂シート（ｃ）の片面に塗工したタイシン
クテープ（」）の粘着剤面にウェハ（ａ）を貼付ける。
この際、粘着剤の粘着力はダイシング時に素子が飛散し
ない程度の粘着力が必要てあり、樹脂シートとしては光
線を透過する例えば、ＰＶＣ，ＰＰ、ＰＥＴ等の半硬質
、硬質フィルムてＪソみは作業方式により適当に選択す
ることが好ましい。
ない程度の粘着力が必要てあり、樹脂シートとしては光
線を透過する例えば、ＰＶＣ，ＰＰ、ＰＥＴ等の半硬質
、硬質フィルムてＪソみは作業方式により適当に選択す
ることが好ましい。
次に゛ト導体素子分離予定ラインに沿った粘着剤部だけ
を硬化させるマスクシート（ｄ）をダイシンクテープの
背面に貼付ける。このマスクシートは分１ｉ１１Ｆ定ラ
インに沿って光を透過する透明な部分（ｅ）と光を透過
しない部分（ｆ）を予め製作する必要があるが、常法て
作成することか可能である。
を硬化させるマスクシート（ｄ）をダイシンクテープの
背面に貼付ける。このマスクシートは分１ｉ１１Ｆ定ラ
インに沿って光を透過する透明な部分（ｅ）と光を透過
しない部分（ｆ）を予め製作する必要があるが、常法て
作成することか可能である。
貼付ける方法としてはマスクシートもしくはダイシング
テープに透明な仮着性粘着剤を塗布して貼付ける方法も
しくは冶具て端部を固定密着させる方法等適宜選択可能
である。次にマスクシート側から光を照射して粘着剤を
部分的に硬化させる。
テープに透明な仮着性粘着剤を塗布して貼付ける方法も
しくは冶具て端部を固定密着させる方法等適宜選択可能
である。次にマスクシート側から光を照射して粘着剤を
部分的に硬化させる。
照射する光は電子線及び紫外線が使用できる。紫外線照
射方法としてキセノンランプ、水銀ランプ、太陽光、カ
ーホンアーク等が使用できる。
射方法としてキセノンランプ、水銀ランプ、太陽光、カ
ーホンアーク等が使用できる。
外端を定ラインに沿って部分的硬化させた後、第２図に
示す如く、ダイシングブレード（ｇ）で部分的硬化部（
ｈ）を切断する。ダイシング時の硬化部活着剤の硬度は
ダイシングブレードに粘着剤付着か発生しない程度まで
硬化させる必要がある。
示す如く、ダイシングブレード（ｇ）で部分的硬化部（
ｈ）を切断する。ダイシング時の硬化部活着剤の硬度は
ダイシングブレードに粘着剤付着か発生しない程度まで
硬化させる必要がある。
更にｍ３図で示す如く、マスクシートを剥離後再度、紫
外線をダイシングテープの背面から照射し粘着剤を全面
的に硬化しクエへとの粘着力を低下させる。その後ピン
セットでピックアップし半導体素子を製造する。
外線をダイシングテープの背面から照射し粘着剤を全面
的に硬化しクエへとの粘着力を低下させる。その後ピン
セットでピックアップし半導体素子を製造する。
ここで言う紫外線硬化型粘着剤とは、エチレン性二重結
合を存する単量体と官能基を有する共重合性Ｑｉ Ｈ１
体との共重合物であって、分子中に少なくとも１個の組
合性炭素−炭素二重結合を有するものに、光反応性ビニ
ル化合物および光増感剤を配合したものである。
合を存する単量体と官能基を有する共重合性Ｑｉ Ｈ１
体との共重合物であって、分子中に少なくとも１個の組
合性炭素−炭素二重結合を有するものに、光反応性ビニ
ル化合物および光増感剤を配合したものである。
本発明て用いられる上記のエチレン性二重結合を有する
’１１１体とは例えば（１）メチルアクリレート、エチ
ルアクリレート、ブチルアクリレート。
’１１１体とは例えば（１）メチルアクリレート、エチ
ルアクリレート、ブチルアクリレート。
２−エチルヘキシルアクリレート等のアルキルアクリレ
ート及びメチルメタアクリレート、ｎ−ブチルメタアク
リレート等のアルキルメタアクリレート、（２）酢酸ビ
ニルの如きビニルエステル、（３）アクリロニトリル、
アクリルアミド、スチレン等より選ばれたｒｌｌｆｉ１
体等かあげられ、これらは１種でもよく、２袖以上組み
合わせて使用してもよい。
ート及びメチルメタアクリレート、ｎ−ブチルメタアク
リレート等のアルキルメタアクリレート、（２）酢酸ビ
ニルの如きビニルエステル、（３）アクリロニトリル、
アクリルアミド、スチレン等より選ばれたｒｌｌｆｉ１
体等かあげられ、これらは１種でもよく、２袖以上組み
合わせて使用してもよい。
またこれらと共重合させる官能基を存する共重合性単量
体としては、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、マレイ
ン酸、２−とドロキシエチル（メタ）アクリレート、グ
リシジルメタアクリレート、Ｎ−メチロール（メタ〉ア
クリルアミドなどの１種もしくは２種以上が挙げられる
。
体としては、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、マレイ
ン酸、２−とドロキシエチル（メタ）アクリレート、グ
リシジルメタアクリレート、Ｎ−メチロール（メタ〉ア
クリルアミドなどの１種もしくは２種以上が挙げられる
。
この発明で分子中に少なくとも１個の重合性炭素−炭素
二重結合を導入する方法としては上記共重合物中に存在
するカルホキシル基、ヒドロキシル基、グリシジル基な
どの官能基と反応し得る基を打する組合性炭素−炭素二
用結合を含む光反応性＠ｑ体を共重合させればよい。
二重結合を導入する方法としては上記共重合物中に存在
するカルホキシル基、ヒドロキシル基、グリシジル基な
どの官能基と反応し得る基を打する組合性炭素−炭素二
用結合を含む光反応性＠ｑ体を共重合させればよい。
本発明で用いられる光反応性ビニル化合物とは、分子中
に光重合反応を行なう重合性炭素−炭素二°重結合を少
なくとも１個、好ましくは２個以上行する多官能性のも
のであり、例えばネオベンチルクリコールジ（メタ）ア
クリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリ
レート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレ
ートなとがある。
に光重合反応を行なう重合性炭素−炭素二°重結合を少
なくとも１個、好ましくは２個以上行する多官能性のも
のであり、例えばネオベンチルクリコールジ（メタ）ア
クリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリ
レート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレ
ートなとがある。
本発明で用いられる光増感剤としては、ヘンジイン、ベ
ンゾインメチルエーテルなどのベンゾイン類、ヘンシフ
エノン、Ｐ−クロロヘンシフエノンなどのベンゾフェノ
ン類などがある。
ンゾインメチルエーテルなどのベンゾイン類、ヘンシフ
エノン、Ｐ−クロロヘンシフエノンなどのベンゾフェノ
ン類などがある。
以上それぞれを配合して成る本発明の紫外線硬化型粘着
剤を透明な樹脂シートの片面に乾燥後の塗膜厚が５〜１
００鱗になる様に塗工することによって光硬化型粘着テ
ープが得られる。
剤を透明な樹脂シートの片面に乾燥後の塗膜厚が５〜１
００鱗になる様に塗工することによって光硬化型粘着テ
ープが得られる。
以下実施例にて具体的に説明する。
（参考例）
紫外線硬化型粘着剤の製造
２−エチルへキシルアクリレート１００部エチルアクリ
レート ５５部メチルアクリレ
ート５０部 クリシジルメタアクリレート １０部ト
ルエン ２１５部過
酸化ベンゾイル ０．１部上上記
外分を窒素置換したフラスコに仕込み、撹拌しながら７
５℃で約１０時間反応させた。
レート ５５部メチルアクリレ
ート５０部 クリシジルメタアクリレート １０部ト
ルエン ２１５部過
酸化ベンゾイル ０．１部上上記
外分を窒素置換したフラスコに仕込み、撹拌しながら７
５℃で約１０時間反応させた。
これに、アクリル酸５部とテトラデシルジメチルヘンジ
ルアンモニウムクロライド４部を添加し、空気を吹き込
みながら １０５℃で約６時間反応させ■合作炭素−炭
素二重結合を導入した。
ルアンモニウムクロライド４部を添加し、空気を吹き込
みながら １０５℃で約６時間反応させ■合作炭素−炭
素二重結合を導入した。
この重合生成物１００部に対し、ネオペンチルグリコー
ルジアクリレート２５部、ベンゾインメチルエーテル５
部を添加混合し、紫外線硬化型粘着剤を得た。
ルジアクリレート２５部、ベンゾインメチルエーテル５
部を添加混合し、紫外線硬化型粘着剤を得た。
実施例に
軸延伸した厚さ２００μのポリオレフィンシートの片面
に厚さ２０μの紫外線硬化型粘着剤層を設けた紫外線未
照射での粘着力が５００ｇ／２５ｎｍ （Ｔ剥離強度）
のダイシングテープに半導体素子の大きさがｌＯｍｍｘ
ｌＯ＋ｎｍで切断ライン巾が５０μのシリコンウェハ
を貼合せ、更に、ダイシングテープの背面にｐめアライ
メントされた１０μのＰＥＴ樹脂マスクシートを治具で
密着させ、水銀ランプで１Ｏｓｅｃ照射した。
に厚さ２０μの紫外線硬化型粘着剤層を設けた紫外線未
照射での粘着力が５００ｇ／２５ｎｍ （Ｔ剥離強度）
のダイシングテープに半導体素子の大きさがｌＯｍｍｘ
ｌＯ＋ｎｍで切断ライン巾が５０μのシリコンウェハ
を貼合せ、更に、ダイシングテープの背面にｐめアライ
メントされた１０μのＰＥＴ樹脂マスクシートを治具で
密着させ、水銀ランプで１Ｏｓｅｃ照射した。
その後、切断を定ラインに沿ってダイシングソー（ディ
スコ社ＤＡＤ−３ＭＩ）で切断した。
スコ社ＤＡＤ−３ＭＩ）で切断した。
切断後ダイシングテープからマスクシートを剥離しダイ
シングテープの背面から再度水銀ランプて２０ｓｅｃ照
射し、バキュームピンセットで素子をピックアップし分
離した。
シングテープの背面から再度水銀ランプて２０ｓｅｃ照
射し、バキュームピンセットで素子をピックアップし分
離した。
結果は表−１に示す如くダイシングブレードに粘着剤の
何名もなく、素子表面への付着もなかった。又バキュー
ムピンセットでのピックアップ分離工程ではｌコの素ｆ
も残す事なく容易に分離することができた。
何名もなく、素子表面への付着もなかった。又バキュー
ムピンセットでのピックアップ分離工程ではｌコの素ｆ
も残す事なく容易に分離することができた。
比較例−１
実施例−１て使用したダイシングテープを使用し、実施
例−１て使用したシリコンウェハを貼付け、マスクフィ
ルムを使用せずダイシングテープの背面から水銀ランプ
で１ｏｓｅｃ照射し粘着剤を硬化させた。その後ト記ダ
イシングソーで切断しバキュームピンセットでピックア
ップ分離した。
例−１て使用したシリコンウェハを貼付け、マスクフィ
ルムを使用せずダイシングテープの背面から水銀ランプ
で１ｏｓｅｃ照射し粘着剤を硬化させた。その後ト記ダ
イシングソーで切断しバキュームピンセットでピックア
ップ分離した。
結果は表−１に示す如くダイシング而に全面的に粘着剤
が硬化し粘着力か低下するためダイシング時に素Ｙ−の
飛散が発生した。
が硬化し粘着力か低下するためダイシング時に素Ｙ−の
飛散が発生した。
比較例−２
厚さ８０μの軟質塩ビシートの片面に通常の粘着剤を厚
さ２０μ塗＄ Ｌ／た粘着力５００ｇ／２５＋ｎｍのダ
イシングテープを使用して実施例−１で使用したシリコ
ンウェハを上記ダイシングソーで切断し、バキュームピ
ンセットでピックアップ分離した。
さ２０μ塗＄ Ｌ／た粘着力５００ｇ／２５＋ｎｍのダ
イシングテープを使用して実施例−１で使用したシリコ
ンウェハを上記ダイシングソーで切断し、バキュームピ
ンセットでピックアップ分離した。
結果は表−１に示す如くダイシングブレード及び素子表
面への粘着剤付着が見られ、ブレードを１００ｈｒで交
換した。
面への粘着剤付着が見られ、ブレードを１００ｈｒで交
換した。
又ピックアップ時の粘着力も強＜６０％の素子がピック
アップできなかった。
アップできなかった。
比較例−３
粘着力２０ｇ／２５ｍｍの比較例−２で使用した同一構
成のダイシングテープを使用し実施例−１で使用したシ
リコンウェハをト記ダイシングソーで切断しその後素子
をピックアップ分離した。
成のダイシングテープを使用し実施例−１で使用したシ
リコンウェハをト記ダイシングソーで切断しその後素子
をピックアップ分離した。
結果は表−１に示す如くダイシングブレード、及び素子
表面への粘着剤の付着が見られ又、ダイシンク時に７０
％の素ｆか飛散した。
表面への粘着剤の付着が見られ又、ダイシンク時に７０
％の素ｆか飛散した。
第１図はクエへをダイシングテープの粘着剤面に固定し
、この背面に貼布したマスクシートを通して光を照射す
る場合を示し、第２図は、かくして硬化した粘着剤部分
をダイシングブレードで切断する場合を示し、第３図は
次にマスクシートを剥離し、ダイシングテープの背面か
ら再度、光を照射し、を導棒先ｆをピックアップする場
合を示す。 ａ：シリコンウェハ、ｂ＝紫外線硬化粘着剤、ＣＩＪｔ
材フィルム、 ｄ：マスクフィルム、ｅ：光透過部、
ｆ：光遮断部、ｇ：ダイシングブレード、
′ ｈ：硬化した粘着剤部、 ｉ：バキュームピンセット、 ｊ：ダイシングテープ、 ｋ：ＵＶ光線。
、この背面に貼布したマスクシートを通して光を照射す
る場合を示し、第２図は、かくして硬化した粘着剤部分
をダイシングブレードで切断する場合を示し、第３図は
次にマスクシートを剥離し、ダイシングテープの背面か
ら再度、光を照射し、を導棒先ｆをピックアップする場
合を示す。 ａ：シリコンウェハ、ｂ＝紫外線硬化粘着剤、ＣＩＪｔ
材フィルム、 ｄ：マスクフィルム、ｅ：光透過部、
ｆ：光遮断部、ｇ：ダイシングブレード、
′ ｈ：硬化した粘着剤部、 ｉ：バキュームピンセット、 ｊ：ダイシングテープ、 ｋ：ＵＶ光線。
Claims (1)
- 半導体素子を形成したウェハを光硬化型粘着テープ上に
固定しダイシングブレードで半導体素子分離予定ライン
に沿って順次ウェハ裏面まで完全に切断する方法におい
て半導体素子分離予定ラインに沿った部分の粘着剤を光
で硬化させた後素子を切断、更に全面的に粘着剤を光で
硬化させ素子を分離することを特徴とするダイシング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219116A JPS6279649A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 半導体ダイシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219116A JPS6279649A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 半導体ダイシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6279649A true JPS6279649A (ja) | 1987-04-13 |
Family
ID=16730497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60219116A Pending JPS6279649A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 半導体ダイシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6279649A (ja) |
Cited By (15)
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| JPH02303050A (ja) * | 1989-05-17 | 1990-12-17 | Fujitsu Ltd | 半導体ウエーハの切断方法 |
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-
1985
- 1985-10-03 JP JP60219116A patent/JPS6279649A/ja active Pending
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