JPS6264939A - 陰イオン選択性電極 - Google Patents
陰イオン選択性電極Info
- Publication number
- JPS6264939A JPS6264939A JP60203281A JP20328185A JPS6264939A JP S6264939 A JPS6264939 A JP S6264939A JP 60203281 A JP60203281 A JP 60203281A JP 20328185 A JP20328185 A JP 20328185A JP S6264939 A JPS6264939 A JP S6264939A
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- JP
- Japan
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- anion
- group
- selective electrode
- ionophore
- metal element
- Prior art date
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- Pending
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- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、陰イオン選択性電極に係り、特に高分子膜中
に陰イオン感応物質を含むイオン感応膜を備えた陰イオ
ン選択性電極ｉ極に関する。
に陰イオン感応物質を含むイオン感応膜を備えた陰イオ
ン選択性電極ｉ極に関する。
従来の陰イオン選択性電極としては、Ａｇ／ＡｇＣＱ＆
ＡｇｚＳ などと共に膜とした固体膜形電極や２例え
ば特開昭５７−７７９５２に示されているように第４級
アンモニウム塩を高分子膜中に分散させた液膜形電極が
知られている。ところで、塩素イオン（ＣＱ→ を分析
する場合には、前者ではシスティンなどの蛋白質が妨害
成分となり、また後者ではＨＣＯ−ｓなどが妨害成分と
なり得る。
ＡｇｚＳ などと共に膜とした固体膜形電極や２例え
ば特開昭５７−７７９５２に示されているように第４級
アンモニウム塩を高分子膜中に分散させた液膜形電極が
知られている。ところで、塩素イオン（ＣＱ→ を分析
する場合には、前者ではシスティンなどの蛋白質が妨害
成分となり、また後者ではＨＣＯ−ｓなどが妨害成分と
なり得る。
従って、選択性の優れた陰イオン選択性電極の出現が望
まれていた。
まれていた。
陰イオン選択性電極の感応物質として、有機金属化合物
を用いる方法が、米国特許第３，４０６，１０２号など
で知られているが、公知のものは立体的障害がないため
、顕著な高選択性を期待できない。
を用いる方法が、米国特許第３，４０６，１０２号など
で知られているが、公知のものは立体的障害がないため
、顕著な高選択性を期待できない。
本発明の目的は、特定の陰イオンに対し高い選択性を有
する陰イオン選択性電極を提供することにある。
する陰イオン選択性電極を提供することにある。
本発明は、発明者らが、陰イオンを配位する金属元素を
二次元的あるいは三次元的に配置することによりイオノ
ホアを構成できれば、より安定な配位子を得ることがで
きる点を見い出したことに基づいている。
二次元的あるいは三次元的に配置することによりイオノ
ホアを構成できれば、より安定な配位子を得ることがで
きる点を見い出したことに基づいている。
本発明は、陰イオン感応物質を高分子膜中に含むイオン
感応膜を備えた陰イオン選択性電極において、有機基を
Ｒ２第四族金属元素をＭ、電子吸引基をＸ、互に無関係
な繰り返し数をｍ、ｎとしたとき＋（ＣＨｚ） −−Ｍ
ＲＸ −Ｍ Ｒｘｎｎ なる式で表わされる構造の化
合物を、上記陰イオン感応物質としたことを特徴とする
。
感応膜を備えた陰イオン選択性電極において、有機基を
Ｒ２第四族金属元素をＭ、電子吸引基をＸ、互に無関係
な繰り返し数をｍ、ｎとしたとき＋（ＣＨｚ） −−Ｍ
ＲＸ −Ｍ Ｒｘｎｎ なる式で表わされる構造の化
合物を、上記陰イオン感応物質としたことを特徴とする
。
このような陰イオンを配位し得るイオノホアの直径を、
対象とする陰イオンの有効径に近づけることにより、特
定のイオンを安定に配位させることができ、高い選択性
を得ることを実現可能にする。
対象とする陰イオンの有効径に近づけることにより、特
定のイオンを安定に配位させることができ、高い選択性
を得ることを実現可能にする。
陰イオン感応物質としては、次の構造に基づく多金属形
有機金属化合物を用いる。
有機金属化合物を用いる。
＋（ＣＦＩ２）、−ＭＲＸ−ＭＲＸｎ１ｌ
・・・（１）ここで、Ｍは第四族金属元素、Ｒは有機基
（アルキル基、フェニル基等）、Ｘは電子吸引基（ハロ
ゲン元素、ニトロ基ｉｉ） 、 ｍおよびｎは互に無関
係な繰り返し数（Ｉｌ数）である。
・・・（１）ここで、Ｍは第四族金属元素、Ｒは有機基
（アルキル基、フェニル基等）、Ｘは電子吸引基（ハロ
ゲン元素、ニトロ基ｉｉ） 、 ｍおよびｎは互に無関
係な繰り返し数（Ｉｌ数）である。
−例を示せば、
（ＣＨｚ） Ｉｌ−ＭＲｚＸ−ＭＲｚＸ ＲｎＭ Ｒ
ｘ Ｘ ＭＲｚＸ （ＣＨｚ） ｎ−ＭＲ２Ｘ−ＭＲｚＸ−Ｒｔ ・
・・（２）この例では、６個の金属元素で囲まれた空間
がイオノホアＹを形成している。このイオノホアの大き
さは、ｎの大きさで決め得る。金属元素Ｍの電子供与性
は、金属およびこれと結合するハロゲン元素の種類によ
って決まるが、イオノホアＹの有効径は、これらと（Ｃ
Ｈｚ）１１の炭素数ｎによって決定される。ポリメチレ
ンの炭素数は１〜１０まで任意に変えることができる０
例えば１原子陰イオンであるＣｌ２−を多原子陰イオン
である炭酸水素イオンＨＣＯｓ−より極めて高い選択比
で配位させるためには有効イオノホア径を１．９Å以下
とする必要があるのでポリメチレンの炭素数は２〜７個
以内とする必要がある。なお、これは金属元素を錫とし
、ハロゲン元素を塩素とした場合である。
ｘ Ｘ ＭＲｚＸ （ＣＨｚ） ｎ−ＭＲ２Ｘ−ＭＲｚＸ−Ｒｔ ・
・・（２）この例では、６個の金属元素で囲まれた空間
がイオノホアＹを形成している。このイオノホアの大き
さは、ｎの大きさで決め得る。金属元素Ｍの電子供与性
は、金属およびこれと結合するハロゲン元素の種類によ
って決まるが、イオノホアＹの有効径は、これらと（Ｃ
Ｈｚ）１１の炭素数ｎによって決定される。ポリメチレ
ンの炭素数は１〜１０まで任意に変えることができる０
例えば１原子陰イオンであるＣｌ２−を多原子陰イオン
である炭酸水素イオンＨＣＯｓ−より極めて高い選択比
で配位させるためには有効イオノホア径を１．９Å以下
とする必要があるのでポリメチレンの炭素数は２〜７個
以内とする必要がある。なお、これは金属元素を錫とし
、ハロゲン元素を塩素とした場合である。
例えば、金属元素を８個用いて環状化合物とすれば、（
２）式の場合よりイオノホアの径が大きくなるが、ポリ
メチレンの数を少なくすることにより１原子陰イオンも
選択的に配位することが可能となる。
２）式の場合よりイオノホアの径が大きくなるが、ポリ
メチレンの数を少なくすることにより１原子陰イオンも
選択的に配位することが可能となる。
本発明の第１の実施例は、金属元素を錫とした（３）式
の化合物を、ポリ塩化ビニル中に分散させてイオン感応
膜を形成したものである。
の化合物を、ポリ塩化ビニル中に分散させてイオン感応
膜を形成したものである。
この化合物は、イオノホアの径が約１．９人であり、特
に塩素イオンの配位に有利である。
に塩素イオンの配位に有利である。
本発明の第２の実施例は、金属元素が錫、電子吸引基が
塩基、有機基Ｒがメチル基、ポリメチレン鎖の長さはｍ
＝２．＜り返し数ｎ ＝ ’３である。
塩基、有機基Ｒがメチル基、ポリメチレン鎖の長さはｍ
＝２．＜り返し数ｎ ＝ ’３である。
■→（ＣＨ２←ｚｓｎ（ＣＨａ）ＣＱ −３ｎ（ＣＨａ
）Ｃト←ａＨ−（４）この化合物を可望済のジオクチル
アジペート（ＤＯＡ）と共にポリ塩化ビニル中に分散さ
せて薄膜を形成した。このイオン感応膜をポリ塩化ビニ
ル管の先端に接着して電極とした。尚、イオン感応膜の
組成は重量比率で、有機金属化合物２゜ＤＯＡ６６、ポ
リ塩化ビニル３２とした。完成した電極に内部電解質溶
液として、Ｉ Ｍ Ｎ ａ ＣＱを注入し、これと同じ
＜ＩＭＮａＣＱ溶液中に１夜浸漬した後、特性を測定し
た。このイオン選択電極はＣＱ−に対し５９ ｍ Ｖ
／ ｐ ＣＱの感度を示し、またＨ ＣＯａ−に対する
選択係数はＫｅｅ−ｏｃｏｓ−＝０．００９と良好な選
択性を示した。
）Ｃト←ａＨ−（４）この化合物を可望済のジオクチル
アジペート（ＤＯＡ）と共にポリ塩化ビニル中に分散さ
せて薄膜を形成した。このイオン感応膜をポリ塩化ビニ
ル管の先端に接着して電極とした。尚、イオン感応膜の
組成は重量比率で、有機金属化合物２゜ＤＯＡ６６、ポ
リ塩化ビニル３２とした。完成した電極に内部電解質溶
液として、Ｉ Ｍ Ｎ ａ ＣＱを注入し、これと同じ
＜ＩＭＮａＣＱ溶液中に１夜浸漬した後、特性を測定し
た。このイオン選択電極はＣＱ−に対し５９ ｍ Ｖ
／ ｐ ＣＱの感度を示し、またＨ ＣＯａ−に対する
選択係数はＫｅｅ−ｏｃｏｓ−＝０．００９と良好な選
択性を示した。
本発明の第３の実施例は、第２の実施例で用いた感応物
質と同様の構造で、Ｒがブチル基、ｎ＝４とした化合物
を同様にポリ塩化ビニル膜中に分散させてＣＱ−イオン
電極とした。この電極も第１の実施例と同様にＫｃｅ−
＋Ｈｃｏａ−＝０．００３と高い選択性を示し、いずれ
も血中Ｃ１１−の測定に使用できることがわかった。
質と同様の構造で、Ｒがブチル基、ｎ＝４とした化合物
を同様にポリ塩化ビニル膜中に分散させてＣＱ−イオン
電極とした。この電極も第１の実施例と同様にＫｃｅ−
＋Ｈｃｏａ−＝０．００３と高い選択性を示し、いずれ
も血中Ｃ１１−の測定に使用できることがわかった。
液膜形陰イオン選択性電極の感応膜に分散される陰イオ
ン感応物質は、有機金属化合物であり、第四族金属元素
Ｍとしては鉛、ゲルマニウム、錫。
ン感応物質は、有機金属化合物であり、第四族金属元素
Ｍとしては鉛、ゲルマニウム、錫。
珪素を用い得る。電子吸引基又としては塩素および臭素
を用い得る。感応膜の高分子膜を形成する母材としては
、ポリ塩化ビニル、シリコンゴム。
を用い得る。感応膜の高分子膜を形成する母材としては
、ポリ塩化ビニル、シリコンゴム。
ポリカーボネート、四弗化エチレン、アクリル樹脂を用
い得る。金属間のポリメチレン鎖を長くした化合物を利
用することにより、多原子陰イオンを選択的に検出する
こともできる。
い得る。金属間のポリメチレン鎖を長くした化合物を利
用することにより、多原子陰イオンを選択的に検出する
こともできる。
本発明によれば、立体的に金属元素を配置して陰イオン
を配位し得るイオノホアを形成し得る感応物質を用いて
いるので、血液中のＣＱ −、ＨＣＯｓ−。
を配位し得るイオノホアを形成し得る感応物質を用いて
いるので、血液中のＣＱ −、ＨＣＯｓ−。
Ｎｏ８−などの陰イオンに適合したイオノホアを形成し
得、高い選択性を持った陰イオン選択性電極を得ること
ができる。
得、高い選択性を持った陰イオン選択性電極を得ること
ができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、陰イオン感応物質を高分子膜中に含むイオン感応膜
を備えた陰イオン選択性電極において、有機基をＲ、第
四族金属元素をＭ、電子吸引基をＸ互に無関係な繰り返
し数をｍ、ｎとしたとき、−（（ＣＨ＿２）＿ｍ−ＭＲ
Ｘ−ＭＲＸ）−＿ｎなる式で表わされる構造の化合物を
、上記陰イオン感応物質としたことを特徴とする陰イオ
ン選択性電極。 ２、特許請求の範囲第１項記載の陰イオン選択性電極に
おいて、上記第四族金属元素Ｍが、鉛、ゲルマニウム、
錫および珪素の中から選択され、上記電子吸引基Ｘが、
塩素および臭素の中から選択されることを特徴とする陰
イオン選択性電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60203281A JPS6264939A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | 陰イオン選択性電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60203281A JPS6264939A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | 陰イオン選択性電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6264939A true JPS6264939A (ja) | 1987-03-24 |
Family
ID=16471449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60203281A Pending JPS6264939A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | 陰イオン選択性電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6264939A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5293506A (en) * | 1991-06-17 | 1994-03-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Vacuum switch tube including windmill electrodes |
-
1985
- 1985-09-17 JP JP60203281A patent/JPS6264939A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5293506A (en) * | 1991-06-17 | 1994-03-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Vacuum switch tube including windmill electrodes |
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