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JPS623971B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS623971B2
JPS623971B2 JP55120052A JP12005280A JPS623971B2 JP S623971 B2 JPS623971 B2 JP S623971B2 JP 55120052 A JP55120052 A JP 55120052A JP 12005280 A JP12005280 A JP 12005280A JP S623971 B2 JPS623971 B2 JP S623971B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
mounting table
frame
wafer mounting
developer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP55120052A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5745232A (en
Inventor
Kenzo Hatada
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP12005280A priority Critical patent/JPS5745232A/ja
Publication of JPS5745232A publication Critical patent/JPS5745232A/ja
Publication of JPS623971B2 publication Critical patent/JPS623971B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は現像装置および現像方法、特にポジ型
レジストを現像するための装置およびそれを使用
する現像方法に関するものである。
近年、超LSIの開発の進展にしたがつて、微細
化加工のためのレジストとして、ポジ型レジスト
が用いられる。ポジ型レジストは、ネガ型レジス
トに比べて、解像度が高いという特長をもち、そ
のため1〜2μmのパターン形成にもつともよく
使用されてきている。
ポジ型レジストはキノンジアジド系樹脂にノボ
ラツク樹脂を合成させたもので、商品名としてシ
ツプレイ社の「AZ−1450」、コダツク社の
「809」、東京応化(株)の「800」等がある。これらは
いずれも光分解型のレジストで、紫外光が照射さ
れた領域のみが現像液に溶解するものである。
一般に光重合型のネガ型レジストに比べて、ポ
ジ型レジストの現像速度は同一のレジスト膜厚の
場合、2〜4倍の現像時間を要する。一方、LSI
の工程において、フオトリソグラフイの工程も自
動化され、レジストの塗布、プリベーク、現像、
ポストベークの工程をインラインで行う自動装置
が使用されている。このような自動装置は半導体
基板(ウエハ)を1枚ずつ連続して処理する装置
であるが、特にこれら装置でポジ型レジストパタ
ーンの現像を行う場合、次に述べるいくつかの問
題が発生し、完全に自動化されているとは言えな
いものである。
露光処理されたレジスト面に現像液を接触させ
る方法として、スプレイガンあるいはノズルを使
用し、これで現像液をレジスト面に噴霧する方法
が用いられる。この方法によれば噴霧される現像
液の圧力がスプレイガンの噴霧される領域内で異
なつたり、あるいは霧の粒径が同様に異なつたり
するため、半導体基板上において現像速度が不均
一となり、現像パターン巾が変化してしまう。現
像液の圧力の強い所や粒径の粗い場所では、現像
が早く進み、残すべきパターン巾が狭くなる。ま
た、スプレイガンの場合、たとえば10cm径の半導
体基板主面の全部を覆うような噴霧を形成しよう
とすると、大型の装置が必要となつたり、現像時
間をいちじるしく長くしたりしなければならない
ことから、この方法は実際的でない。そのため、
発明者は、スプレイガンによる噴霧の状態を楕円
形状にし、かつ半導体基板の半分を覆うようにし
て、半導体基板を回転させることによつて、噴霧
の均一性を向上させることを検討してみたが、上
述したようにスプレイガンの噴霧圧の分布が不均
一であるため、均一な精度の高い現像を行うこと
ができなかつた。
他の方法として、半導体基板を停止しておき、
ノズルより現像液を滴下し、表面張力により半導
体基板上に現像液を溜めながら現像するという方
法があるが、半導体基板が10cm径以上に大型化す
るにしたがい、最初の現像の滴下から最後の滴下
までの時間に差が発生する。たとえばノズル径2
mmのとき、10cm径の半導体基板で約5秒も要して
しまい、この時間の差だけ現像パターンに差が生
じる。また、滴下時間を短くするために、ノズル
径を大きくしたり、滴下速度を早くすると、半導
体基板上に落下してくる現像液の圧力が滴下位置
である半導体基板の中心部と外縁部とで異なり、
その差違がパターン巾の変動となつて現われる。
これら現像パターン巾の変動量は0.2〜0.6μmに
も達し、たとえば2μmのパターン巾で設計され
る超LSIに至つてはその変動量が10〜30%にも達
するため、実用的ではない。これに代るもつとも
確実な現像方法は、バツチ処理する浸漬現像法で
あるが、インライン方式の現像装置にあつては、
この方法は装置の複雑さを招くため実用化されて
いない。
第1図は、従来もつとも広く用いられている自
動化された現像装置の一部を示す。この装置にお
いては、ウエハー載置台(ウエハーチヤツク)1
上に1枚ずつ半導体基板2を載せ、ウエハー載置
台1を10〜2000rpmの速度で回転させ、半導体基
板2を回転させながら、スプレイガン3により溶
剤(現像液)を噴射させる。すなわち、絶えず新
鮮な溶剤4を半導体基板2の表面上に与えるた
め、回転もさせながら現像するわけである。とこ
ろが、感光性樹脂がポジ型の場合、現像速度がい
ちじるしく遅いため、ネガ型レジストと同様に回
転させて現像を行うと、使用する溶剤の量が著し
く多くなつたり、ポジ型の場合、基板2との密着
性がいちじるしく悪いために、スプレイガン3の
噴霧状態によつては現像パターンが変形したり、
あるいは吹き飛ばされたりして、パターン形成の
歩留りを低下させてしまう。
このために、通常の方法においては、ウエハー
チヤツクの回転を止め、静止した状態でスプレイ
ガンまたはノズルより溶剤を滴下させて、基板表
面の表面張力で残つた溶剤4によつて現像を行う
ものであつた。
第1図に示すように、表面張力で残つた溶剤の
断面をみれば、基板周辺では溶剤の量が少なく、
中央附近で多くなつている。このために、絶えず
新鮮な溶剤がマスク露光された感光性樹脂と均一
に接触しないため、基板周辺の現像パターンは中
央附近に比べてパターン寸法が小さくなつたり、
あるいは完全に現像が終了していない状態が発生
していた。これらの現象はいずれも歩留りを低下
させるものである。
本発明は、従来発生していた上述のような欠点
をなくし、基板内で均一な現像パターンが得られ
る現像装置ならびに現像方法を提供するものであ
る。
第2図および第3図はそれぞれ本発明の現像装
置の実施例における要部の構造を示したものであ
る。
第2図の装置において、現像すべきレジスト層
を有するウエハー11は、ウエハー載置台12に
真空吸着される。ウエハー載置台12の周縁には
リング状の枠体13が配置されている。この枠体
13はウエハー11の直径よりも大きい径を有
し、さらにウエハー11の厚さと同等かそれより
も高いものである。そして、この枠体13はウエ
ハー載置台12と別体に構成されており、ウエハ
ー載置台12もしくは枠体13の位置を矢印方向
に変えることによつて、枠体13はウエハー載置
台12と接触あるいは離脱する。さらに、ウエハ
ー載置台12はモーター等の駆動装置(図示して
いない)によつて回転駆動される。また、現像液
はノズル15から供給されるものである。
第3図に示す装置は、下方へ向つて先細りとな
るようなテーパを有するウエハー載置台12と、
これに係合するようなテーパをもつ孔を有し、か
つ周縁部分が垂直方向に起立した形状の枠体16
とを有する。枠体16の周縁部分にある起立部の
内径は、ウエハー11の径よりも大きく、その高
さはウエハー11の厚みと同等かそれよりも大で
ある。そして、ウエハー載置台12と枠体16と
が係合する部分にはOリング17を介在させて、
液もれを防止している。無論、これはウエハー載
置台12と枠体16とが液もれる生じない程度に
密着するよう構成されていれば、特に設ける必要
のないものである。ウエハー載置台12もしくは
枠体16を矢印14方向に上下させることによ
り、両者の位置関係は載置台12と破線で示す枠
体16′となるものである。
次に本発明の現像方法を説明する。
第4図は、第2図の装置を用いた実施例の工程
図である。
マスク露光され、現像すべきレジストを有する
ウエハー11がウエハー載置台12上に設置さ
れ、真空吸収される(第4図a)。この状態にお
いて、枠体13はウエハー載置台12上より上方
の位置にある。ウエハー11がウエハー載置台1
2上に設置されると、枠体13はウエハー載置台
12と接し、第4図bの状態となり、ノズル15
より枠体13で囲まれたウエハー載置台12上面
に現像液20が滴下される。滴下された現像液2
1は枠体13とウエハー載置台12とで形成され
る凹部の領域を満たす(第4図c)。現像液20
は枠体13の高さまで、すなわち、ウエハー11
を充分に浸漬する深さまで満たす。この状態で、
レジストは現像される。所定の現像時間が経過す
れば、枠体13をウエハー載置台12より離し、
ウエハー載置台12を回転させると、ウエハー1
1上の余分な現像液は第4図dの符号21′のよ
うに飛散する。さらにノズル15よりリンス液を
ウエハー11のレジスト上に滴下して第4図dの
状態で処理すれば、現像工程を終えることでき
る。無論、リンス液の滴下はノズル15以外の他
のノズルを用いてもよい。このような操作により
ウエハーのレジストの現像処理をする。
第5図は第3図の装置を用いた現像の処理工程
を示す。まず、ウエハー載置台12に対して枠体
16が第3図で示した破線で示した位置16′に
あるとき、ウエハー11をウエハー載置台12上
に載置してから、枠体16を上昇させてウエハー
載置台12と接触させ、第5図aの状態を得る。
ノズル15より現像液を滴下させ、前記枠体1
6とウエハ載置台12とで構成される凹部に満た
す(第4図b)。この現像液31が満たされた状
態でマスク露光されたウエハー11上のレジスト
が現像される。なお、現像液31の量は枠体16
の高さによつて自由に選ぶことができる。このこ
とは第2図の構成の枠体についても同じである。
所定の時間が経過し、現像が終えてから枠体16
を降下させ、ウエハー載置台12を回転させ、現
像液31を飛散させる(第4図c)。次いでノズ
ル15よりリンス液をウエハー11上に滴下し、
現像液を完全に除去する。しかるのちウエハー載
置台12の回転を停止させ(第4図d)、現像処
理されたウエハー11を得る。
第6図はさらに実用的な本発明の構成例を示す
ものである。第6図aは、枠体16の周辺に複数
個のノズル39が形成されており、これら複数の
ノズル39は枠体16の内部あるいは外部で連結
した孔40によりつながつている構造を示してい
る。前記ノズル39は枠体16とウエハー載置台
12とで囲まれた凹部領域側に開口するよう形成
されている。さらに、前記孔40は、現像液をノ
ズル39より流出させるために、供給パイプ41
に接続されているものである。すなわち、供給パ
イプ41より加圧した現像液を供給すれば、前記
現像液は孔40内に充満すると同時に枠体16の
内側に設けた複数のノズル39より前記凹部領域
内に流出42し、それを満たし、ウエハー11の
浸漬現像が行われる。
第6図bは、枠体16の平面部に複数のノズル
49を設けた構造を示している。すなわち、現像
液は枠体16の下側に設けられた供給パイプ51
から枠体16に設けられている孔50に導かれ、
さらに複数個のノズル49に導かれ、流出するも
のである。前記孔50は図では枠体16内に設け
られているが、その外側に管状体を設けるなどし
ても同一の効果を得ることができる。
かかる構成を第2図の装置に適用した場合の代
表例について第7図を用いて説明する。
第7図aにおいては枠体13に液を流出させる
ための複数個のノズル59を設けたもので、枠体
13は中空になつており、枠体13の内部に向け
て前記ノズル59が設けられている。61は枠体
13の中空部分60に液を供給するためのパイプ
であつて、前記供給パイプ61より現像液を加圧
して流入させると、それは中空部分60を通つて
複数個のノズル59より流出する。枠体13は断
面形状円形で図示しているが、角形状であつても
よいものである。第7図bは複数個のノズル69
をウエハー載置台12の平面部に設けた構造のも
のである。ノズル69と現像液を供給するための
供給パイプ71を結ぶ孔70は、図示しているよ
うにウエハー載置台12内に設けてもよいが、載
置台12と別体の管体をそれに付加使用してもよ
いものである。
次に本発明の効果について述べる。
本発明においては、ウエハー載置台と枠体で構
成される凹部領域によつて充分な量の現像液を感
光したレジストを有する基板に供給でき、さらに
浸漬現像を行えるから、均一な現像が行え、安定
した現像パターンを形成することができる。さら
に、従来のスプレイ法等による現像に比べて必要
以上の現像液を必要としないから、経済的効果が
ある。そして、本発明においては、感光したレジ
ストを有する基板表面に圧力を加えることなく現
像液を供給することもできるので、現像液の滴下
や噴霧等の際に加えられる圧力による現像パター
ン巾の寸法むらを生じるおそれがない。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の現像法の一例を説明するための
図、第2図および第3図はそれぞれ本発明の現像
装置の典型的な実施例を示す要部断面図、第4図
a〜dおよび第5図a〜dはそれぞれ本発明の現
像方法の実施例の工程図、第6図a,bおよび第
7図a,bはそれぞれ本発明の現像装置の他の実
施例を示す断面図である。 11……ウエハー、12……ウエハー載置台、
13……枠体、15……ノズル、16……枠体、
31……現像液、39……ノズル、40……孔、
41……パイプ、49……ノズル、50……孔、
51……パイプ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 ウエハーを載置すべきウエハー載置台、この
    ウエハー載置台に分離可能に載置され、前記ウエ
    ハーの径よりも大きく、かつ前記ウエハーの厚み
    と同等もしくはそれよりも深い凹部領域を形成す
    べく前記ウエハーを取囲むための枠体、および前
    記枠体とウエハー載置台により形成される凹部領
    域に現像液を供給するための手段を、個々のウエ
    ハー毎に具備することを特徴とする現像装置。 2 枠体がウエハー載置台に対して昇降可能であ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載
    の現像装置。 3 現像液の供給手段が凹部上方に配置されたノ
    ズル、または枠体もしくはウエハー載置台に設け
    られているノズルであることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項に記載の現像装置。 4 現像処理を施すべきウエハーをウエハー載置
    台の所定位置に、1つのウエハー載置台あたり1
    個のウエハーの割合で配置してから、前記ウエハ
    ーを囲むよう、その径よりも大きく、かつその厚
    みと同等かそれよりも高い枠体を、前記ウエハー
    載置台に分離可能に接触させる工程、前記ウエハ
    ー載置台と前記枠体とで形成された凹部領域に現
    像液を供給する工程、現像後、前記枠体と前記ウ
    エハー載置台とを分離し、さらに前記ウエハー載
    置台をその上に前記ウエハーを保持した状態で回
    転させる工程を有することを特徴とする現像方
    法。
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