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JPS6236387A - 3,7−ジ置換−3−セフエム化合物およびその製法 - Google Patents

3,7−ジ置換−3−セフエム化合物およびその製法

Info

Publication number
JPS6236387A
JPS6236387A JP61183899A JP18389986A JPS6236387A JP S6236387 A JPS6236387 A JP S6236387A JP 61183899 A JP61183899 A JP 61183899A JP 18389986 A JP18389986 A JP 18389986A JP S6236387 A JPS6236387 A JP S6236387A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
formula
salt
compound
formulas
tables
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61183899A
Other languages
English (en)
Inventor
Takao Takatani
高谷 隆男
Yoshiko Inamoto
稲本 美子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujisawa Pharmaceutical Co Ltd
Original Assignee
Fujisawa Pharmaceutical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujisawa Pharmaceutical Co Ltd filed Critical Fujisawa Pharmaceutical Co Ltd
Publication of JPS6236387A publication Critical patent/JPS6236387A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/55Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups

Landscapes

  • Cephalosporin Compounds (AREA)
  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ この発明は新規な3.7−ジ置換−3−セフェム化合物
およびその塩類に関する。
さらに詳細には、この発明は抗菌活性を有する新規な3
.7−ジ置換−3−セフェム化合物およびその塩類、そ
れらの製法、それらを有効成分とする細菌感染症予防・
治療剤に関する。
[発明の目的] すなわち、この発明の一つの目的は、多くの病原菌に対
して強い抗菌活性を有する新規3.7−ジ置換−3−セ
フェム化合物およびその塩類を提供することである。
この発明のもう一つの目的は、新規3.7−ジ置換−3
−セフェ・ム化合物およびその塩類の製法を提供するこ
とである。
この発明のさらにもう一つの目的は、有効成分として前
記3.7−ジ置換−3−セフェム化合物およびその塩類
を含有してなる細菌感染症予防・治療剤を提供すること
である。
[従来の技術] この発明の先行技術としては、例えば、下記の化合物が
公知である。
(昭和60年特許出願公告第11713号)[発明が解
決しようとする問題点] しかしながら、このような公知化合物の抗菌スペクトル
は限定的であって、特にダラム陽性菌に対する抗菌活性
はあまり強くない。
そのような状況下、広い抗菌スペクトルを持し、その上
特にダラム陽性菌に対して強い抗菌活性を持った抗菌剤
が強く望まれている。
そこで、この発明の発明者らは、鋭意研究の結果、優れ
た抗菌剤を得ることに成功した。
[問題点を解決するための手段コ この発明の新規、3.7−ジ置換−3−セフェム化合物
は下記一般式(1)で示すことができる。
[式中、R1はアミノまたは保護されたアミン基、 R2はカルボキシまたは保護されたカルボキシ基、 R3は水素またはヒドロキシ保護基をそれぞれ意味する
]。
この明細書において、式: (式中、R3は前と同じ意味)で示される立体を有する
化合物(1)はシン体と称され、「シン異性体」とは上
記立体特異性構造を有する化合物を意味するものとする
目的化合物(I>の好適な塩類は慣用の無毒性で医薬と
して許容される塩類であり、無機塩基との塩、その例と
して、例えばナトリウム塩、カリウム塩、セシウム塩等
のアルカリ金属塩、例えば力jレシウム塩、マグネシウ
ム塩等のアルカリ土類金属塩、アンモニウム塩;有機塩
基との塩、その例として、例えばトリエチルアミン塩、
ピリジン塩、ビフリン塩、エタノールアミン塩、トリエ
タノールアミン塩、ジシクロへキシルアミン塩、N、 
N’ −ジベンジルエチレンジアミン塩等の有機アミン
塩等;例えば塩酸塩、臭化水素酸塩、硫酸塩、燐酸塩等
の無機酸付加塩;例えばギ酸塩、酢酸塩、トリフルオロ
酢酸塩、マレイン酸塩、酒石酸塩、メタンスルホン酸塩
、ベンゼンスルホン酢塩、p−トルエンスルホン酸塩等
の有機カルボン酸付加塩または有機スルホン酸付加塩;
例えばアルギニン、アスパラギン酸、グルタミン酸等の
塩基性または酸性アミノ酸との塩等のような塩基との塩
または酸付加塩が挙げられる。
この発明の目的化合物(I)またはその塩類は、次の反
応式で示きれる種々の方法によって製造することができ
る。
製法1 (III) またはアミン基における その反応性誘導体または その塩 CI) またはその塩 製法2 (Ia) またはその塩 (Ib) またはその塩 鷲」組1 またはその塩 (I) またはその塩 製法4 (Ib) またはその塩 またはその塩 製法5 (Id) またはその塩 (IC) またはその塩 製法6 (If’) またはその塩 (Ig) またはその塩 1迭ユ (Vl) またはその塩 またはその塩 [式中、R1、R2およびR3はそれぞれ前と同じ意味
であり、 R1は保護されたアミノ基、 R2は保護されたカルボキシ基、 Rbはエステル化されたカルボキシ基、R3はヒドロキ
シ保護基、 Xは酸残基、 Yは式: で置換されうる基を意味する]。
この発明の原料化合物のうち化合物(IV)およびその
中間体は新規であり、このような新規化合物は次の一般
式: [式中、R2およびXはそれぞれ前と同じ意味であり、 Aはメチレンまたは式” /C−N〜OR(式中、R3
は水素またはヒドロキシ保護基を意味する)で示される
基を意味する]またはその塩によって表わされ、また、
下記反応式に示す製法または常法によって製造すること
ができる。
またはアミノ基におけるその 反応性誘導体またはその塩 [式中、R2、AおよびXはそれぞれ前と同じ意味であ
るコ。
この明細書の以上および以下の記載において、この発明
の範囲内に包含される種々の定義の好適な例および説明
を以下詳細に述べる。
「低級」とは、特に指示がなければ、炭素原子1〜6個
を意味し、望ましくは炭素原子1〜4個を意味するもの
とする。
「高級、とは、特に指示がなければ、炭素原子7〜20
個を意味するものとする。
好適な1保護されたアミノ」基としては、ペニシリンお
よびセファロスポリン化合物に使用きれる慣用の7ミノ
保護基、その例として、下記のアシル基、例えばベンジ
ル、ベンズヒドリル、トリチル等のモノ(またはジまた
はトリ)−フェニル(低級)アルキルのようなアル(低
級)アルキル基、例えば1−メトキシカルボニル−1−
プロペン−2−イル等の低級アルコキシカルボニル(低
級)アルキリデンまたはそのエナミン型互変異性体、例
えばジメチルアミノメチレン等のジ(低級)アルキルア
ミノメチレン等によって置換きれたアミン基が挙げられ
る。
好適な「アシル基」としては、脂肪族アシル基、芳香族
アシル基、複素環アシル基および芳香族基または複素環
基で置換された脂肪族アシル基が挙げられる。
脂肪族アシル基としては、例えばホルミル、アセデル、
プロピオニル、ブチリル、インブチリル、バレリル、イ
ンバレリル、ピバロイル、ヘキサノイル等の低級アルカ
ノイル基、例えばメシル、エタンスルホニル、プロパン
スルホニル等の低級アルカンスルホニル基、例えばメト
キシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカル
ボニル、ブトキシカルボニル、第三級ブトキシカルボニ
ル等の低級アルコキシカルボニル基、例えばアクリロイ
ル、メタクリロイル、クロトノイル等の低級アルケノイ
ル基、例えばシクロヘキサンカルボニル等の(03〜C
7)シクロアルカンカルボニル基、アミジノ基等のよう
な飽和または不飽和、非環式または環式脂肪族アシル基
が挙げられる。
芳香族アシル基としては、例えばベンゾイル、トルオイ
ル、キシロイル等のアロイル基、例えばベンゼンスルホ
ニル、トシル等のアレンスルホニル基等が挙げられる。
複素環アシル基としては、例えばフロイル、テノイル、
ニコチノイル、インニコチノイル、チアゾリルカルボニ
ル、チアジアゾリル力ルボニ&。
テトラゾリルカルボニル等の複素環カルボニル基等が挙
げられる。
芳香族基で置換きれた脂肪族アシル基としては、例えば
フェニルアセデル、フェニルプロピオニル、フェニルヘ
キサノイル等のフェニル(低級)アルカノイル基のよう
なアル(低級)アルカノイル基、例えばベンジルオキシ
カルボニル、フェネチルオキシカルボニル等のフェニル
(低級)アルコキシカルボニル基のようなアル(低級)
アルコキシカルボニル基、例えばフェノキシアセチル、
フェノキシプロピ才二ル等のフェノキシ(低級)アルカ
ノイル基等が挙げられる。
複素環基で置換された脂肪族アシル基としては、チェニ
ルアセチル、イミダゾリルアセチル、フリルアセチル、
テトラゾリルアセチル、チアゾリルアセチル、チアジア
ゾリルアセチル、チェニルフロピオニル、チアジアゾリ
ルプロピオニル等が挙げられる。
これらのアシル基はさらに、例えばメチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル等
の低級アルキル基、例えば塩素、臭素、沃素、フッ素等
のハロゲン、例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ、
イソプロポキシ、ブトキン、ペンチルオキシ、ヘキシル
オキシ等の低級アルコキシ基、例えばメチルチオ、エチ
ルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブチルチオ
、ペンチルチオ、ヘキシルチオ等の低級アルキルチオ基
、ニトロ基等のような1個以上の適当な置換基で置換さ
れていてもよく、そのような置換基を有する好ましいア
シル基としては、例えばクロロアセチル、ブロモアセチ
ル、ジクロロアセチル、トリフルオロアセチル等のモノ
(またはジまタハトリ)−ハロ(低級)アルカノイル基
、例えばクロロメトキシカルボニル、ジクロロメトキシ
カルボニル、2.2.2−トリクロロエトキシカルボニ
ル等のモノ(またはジまたはトリ)−ハロ(低級)アル
コキシカルボニル基、例えばニトロベンジルオキシカル
ボニル、クロロベンジルオキシカルボニル、メトキシベ
ンジルオキシカルボニル等のニトロ(またはハロまたは
低級アルコキシ)フェニル(低級)アルコキシカルボニ
ル基等が挙げられる。
好適な1保護されたカルボキシ基、としては、ぺ二ンリ
ンまたはセファロスポリン化合物に慣用されるエステル
化されたカルボキシ基が挙げられる。
「エステル化されたカルボキシ基、の好適な1工ステル
部分」としては、例えばメチルエステル、エチルエステ
ル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチル
エステル、イソブチルエステル、第三級ブチルエステル
、ペンチルエステル、第三級ペンチルエステル、ヘキシ
ルエステル等の低級アルキルエステル、例えばビニルエ
ステル、アリルエステル等の低級アルケニルエステル、
 (列、t l;i’エチニルエステル、プロピニルエ
ステル等の低級アルキニルエステル、例えばメトキシメ
チルエステル ブロボキシメチルエステノ呟 1−メトキシエチルエス
テル、1−エトキシエチルエステル等の低級アルコキシ
(低級)アリルエステノ呟例えばメチルチオメチルエス
テル、エチルチオメチルエステル、エチルチオエテルエ
ステル、イソプロピルチオメチルエステル等の低級アル
キルチオ(低級)アルキルエステL,例えばカルボキシ
メチルエステル、2−カルボキシエチルエステル、3−
カルポキシブロビルエステル等のカルボキシ置換低級ア
リルエステノ呟例えば第三級ブトキシカルボニルメチル
エステル、2−第三級ブトキシカルボニルエチルエステ
ル、3−第三級プトキシ力ルポニルブロピルエステル等
の低級アルコキシカルボニル置換(低級)アルキルエス
テルのような保護きれたカルボキシ置換(低級)アルキ
ルエステル、例えば2−ヨードエチルエステル、2.2
2−トリクロロエチルエステル等のモノ(またはジまた
はトリ)ハロ(低級)アルキルエステル、例えばアセト
キシメチルエステル、プロとオニルオキシメチルエステ
ル、ブチリルオキシメチルエステル、バレリルオキシメ
チルエステル、ピバロイルオキシメチルエステル、ヘキ
サノイルオキシメチルエステル、1(または2)−アセ
トキシエチルエステル、1(または2または3)−アセ
トキシプロピルエステル、1(または2または3または
4)−アセトキシブチルエステル、1(または2)−プ
ロピオニルオキシエチルエステル、1(または2または
3)−プロピオニルオキシプロピルエステル、1(また
は2)−ブチリルオキシエチルエステル、1(または2
)−イソブチリルオキシエチルエステル、1(または2
)−ピバロイルオキシエチルエステル、1(または2)
−ヘキサノイルオキシエチルエステル、イソブチリルオ
キシメチルエステル、2−エチルブチリルオキシメデル
エステル、3.3−ジメチルブチリルオキシメチルエス
テル、1(または2)−ペンタノイルオキシエチルエス
テル等の低級アルカノイルオキシ(低級)アルキルエス
テル、例えばヘブタノイルオキシメチルエステル、オク
タノイルオキシエチルエステル、ノナノイルオキシメチ
ルエステノ1デカノイルオキシメチルエステル、ウンデ
カノイルオキシメチルエステル、ラウロイルオキシメチ
ルエステル、トリデカノイルオキシメチルエステル、ミ
リストイルオキシメチルエステル、ペンタデカノイルオ
キシメチルエステルトイルオキシメチルエステル、ヘプ
タデカノイルオキシメチルエステル、ステアロイルオキ
シメチルエステル、ノナデカノイルオキシメチルエステ
ル、エイコサノイルオキシメチルエステル、1(または
2)−ヘプタノイルオキシエチルエステル、1(または
2)−オクタノイルオキシエチルエステル、1(または
2)−ノナノイルオキシエチルエステル、1(または2
)−デカノイルオキシエチルエステル、1(または2)
−ウンデカノイルオキシメチルエステル呟 1(または
2)−ラウロイルオキシエチルエステル、1(または2
)ートリデカノイルオキシメチルエステル、1(または
2)−ミリストイルオキシエチルエステル、1(または
2)−ペンタデカノイルオキシエチルエステル、1(ま
・たは2)−バルミトイルオキシエチルエステル、1(
または2)−ヘプタデカノイルオキシエチルエステル、
1(または2)−ステアロイルオキシエチルエステル、
1(または2)−ノナデカノイルオキシエチルエステル
(または2)−エイフサノイルオキシエチルエステル等
の高級アルカノイルオキシ(低級)アルキルエステル、
例えばメトキシカルボニルオキシメチルエステル、エト
キシカルボニルオキシメチルエステル ル エステル、第三級ブトキシカルボニルオキシメチルエス
テル、1(または2)−メトキシカルボニルオキシエチ
ルエステル、1(または2)−エトキシカルボニルオキ
シエチルエステル、1(または2)−プロポキシカルボ
ニルオキシエチルエステル、1(または2)−イソプロ
ポキシカルボニルオキシエチルエステル、1(または2
)−ブトキシカルボニルオキシエチルエステル、1(ま
たは2)−イソブトキシカルボニルオキシエチルエステ
ル、1(または2)−第三級ブトキシカルボニルオキシ
エチルエステル、1(または2)−ヘキシルオキシカル
ボニルオキシエチルエステル、1(または2または3)
−メトキシ力ルポニルオキシプロピルエステノ呟 1(
または2または3)ーエトキシ力ルポニルオキシブロピ
ルエステル、1(または2または3)−イソブトキシカ
ルボニルオキシエチルエステル、1(または2または3
または4)−エトキシカルボニルオキシブチルエステル
、1(または2または3または4)−ブトキシカルボニ
ルオキシブチルエステル、1(または2または3または
4または5)−ペンチルオキシカルボニルオキシペンチ
ルエステル、1(または2または3または4または5)
−ネオペンチルオキシカルボニルオキシペンチルエステ
ル、1(または2または3または4または5または6)
−エトキシカルボニルオキシヘキシルエステル等の低級
アルコキシカルボニルオキシ(低級)アルキルエステル
、例えば(5−メチル−2−才キソー1.3−ジオキソ
−ルー4−イル)メチルエステル、(5−エチル−2−
オキソ−1。
3−ジオキソ−ルー4−イル)メチルエステル、(5−
プロピル−2−オキソ−1.3−ジオキ7 − ルー 
4 − イル)エチルエステル等の(5−低級アルキル
ー2−才キソー1.3−ジオキソ−ルー4−イル)(低
級)アルキルエステル、例えばメシルメチルエステル、
2−メシルエチルエステル等の低級アルカンスルホニル
(低級)アルキルエステル、例えばベンジルエステル、
4−メトキシベンジルエステル、4−ニトロベンジルエ
ステル、フェネチルエステル、ベンズヒドリルエステル
、トリチルエステル、ビス(メトキシフェニル)メチル
エステル、3.4−ジメトキシベンジルエステル、4−
ヒドロキシ−3.5−ジ第五級ブチルベンジルエステル
等の1個以上の適当な置換基を有していてもよいモノ(
またはジまたはトリ)フェニル(低級)アルキルエステ
ルのような1個以上の置換基を有していてもよいアル(
低級)アルキルエステル、例えばフェニルエステル、ト
リルエステル、第三級ブチルフェニルエステル、キシリ
ルエステル、メシチルエステル、クメニルエステル、サ
リチルエステル等の1個以上の適当なfIt、換基を有
していてもよいアリールエステル、例えばフタリジルエ
ステル等の複素環エステル等が挙げられる。
好適な1酸残基」としては、ハロゲン(例えは、沸素、
塩素、臭素、沃素等)、アシルオキシ基等が挙げられ、
′アシルオキシ基」のアシル部分については前に例示し
たものを参照すればよい。
好適な「エステル化されたカルボキシ基」については前
記のような保護されたカルボキシ基で例示したものを参
照すればよい。
好適な1ヒドロキシ保護基、としては、前記アシル基、
例えばベンジル、トリチル等のアル(低級)アルキル基
、例えば1−メチル−1−メトキシエチル、メトキシプ
ロピル等の低級アルコキシ(低級)アルキル基、テトラ
ヒドロピラニル基等が挙げられる。
基、としては、ハロゲン、例えば、低級アルカノイルオ
キシ(例えば、アセトキシ等)等のアシルオキシのよう
な1頑の酸残基が挙げられる。
目的化合物(I)のR1、R2およびR3の好ましい実
施態様は下記のとおりである。
R1はアミンまたはモノ(またはジまたはトリ)−フェ
ニル(低級)アルキルアミノのようなアル(低級)アル
キルアミノ基、さらに好ましくはアミンまたはトリフェ
ニル(01〜C,)アルキルアミノ、最も好ましくはア
ミノまたはトリチルアミノ; −R2はカルボキシまたは低級アルカノイルオキシ(低
級)アルコキシカルボニルおよびニトロ基によって置換
されていてもよいアル(低級)アルコキシカルボニル ルボキシ、さらに好ましくはカルボキシ、01〜C7ル
カノイルオキシ シカルボニノ呟ニトロフェニル(C1〜C4)フルコキ
ンカルボニルまたはジフェニル(01〜C4)アルコキ
シカルボニル、最も好ましくはカルボキシ、ピバロイル
オキシメトキシカルリポニル、ニトロベンジルオキシカ
ルボニルまたはベンス゛ヒドリルオキシカルボニル R3は水素、テトラヒドロピラニルまたは低級アルカノ
イル 水素、テトラヒドロピラン−2−イルまたはC1〜C4
アルカノイル、最も好ましくは水素、テトラヒドロビラ
ン−2−イルまたはアセチルである。
この発明の目的化合物の製法を以下詳細に説明する。
製法1 目的化合物(I)またはその塩は、化合物(I[)また
はアミン基におけるその反応性誘導体またはその塩を、
化合物(I[[)またはカルボキシ基におけるその反応
性誘導体またはその塩と反応きせることにより製造する
ことができる。
化合物(I[)のアミン基における好適な反応性誘導体
としては、化合物(IF)とアルデヒド、ケトン等のよ
うなカルボニル化合物との反応によって生成するシッフ
の塩基型イミノまたはそのエナミン型互変異性体;化合
物(I[>とビス(トリメチルシリル)アセトアミド、
モノ(トリメチルシリル)アセトアミド、N.N−ビス
(トリメチルシリル)尿素等との反応によって生成する
シリル誘導体;化合物(II)と三塩化溝またはホスゲ
ンとの反応によって生成する誘導体等が挙げられる。
化合物(I[)および(III)の好適な塩としては、
例えば酢酸塩、マレイン酸塩、酒石酢塩、ベンゼンスル
ホン酸塩、トルエンスルホン酸塩等の有機酸塩または例
えば塩酸塩、臭化水素酸塩、硫酸塩、燐酸塩等の無機酸
塩のような酸付加塩;例えばナトリウム塩、カリウム塩
、カルシウム塩、マグネシウム塩等の金属塩;アンモニ
ウム塩;例えばトリエチルアミン塩、ジシクロへキシル
アミン塩等の有機アミン塩等が挙げられる。
化合物(III)のカルボキシ基における好適な反応性
誘導体としては、酸ハロゲン化物、酸無水物、活性化ア
ミド、活性化エステル等が挙げられる。
その好適な例としては、酸塩化物、酸アジド;例えはジ
アルキル燐酸、フェニル燐酸、ジフェニル燐酸、ジベン
ジル燐酸、ハロゲン化燐酸等の置換された燐酸、ジアル
キル亜燐酸、亜硫酸、チオ硫酸、硫酸、アルキル戻酸、
例えばピバリン酸、ペンタン酸、インペンタン酸、2−
エチル酪酸またはトリクロロ酢酸等の脂肪族カルボン酸
または例えば安息香酸等の芳香族カルボン酸のような酸
との混合酸無水物;対称酸無水物;イミダゾール、4−
fl換イミダゾール、ジメチルピラゾール、トリアゾー
ルまたはテトラゾールとの活性化アミド;または例えば
シアノメチルエステル、メトキシメチルエステル、ジメ
チルイミノメチルc(cu3>2i=cu−〕エステノ
呟  ビニルエステル、プロパルギルエステル、p−ニ
トロフェニルエステル、2.4−ジニトロフェニルエス
テル、トリクロロフェニルエステル、ペンタクロロフェ
ニルエステル、メシルフェニルエステル、フェニルアゾ
フェニルエステル、フェニルチオエステル、p−ニトロ
フェニルチオエステル、p−タレジルチオエステル、カ
ルボキシメチルチオエステル、ピラニルエステル、ピリ
ジルエステル、ピペリジルエステル、8−キノリルチオ
エステル等の活性化エステル、または例えばN、N−ジ
メチルヒドロキシルアミン、1−ヒドロキシ−2−(1
1()−ピリドン、N−ヒドロキシスクシンイミド、N
−ヒドロキシフタルイミド、1−ヒドロキシ−IH−ベ
ンゾトリアゾール、1−ヒドロキシ−6−クロロ−IH
−ベンゾトリアゾール等のN−ヒドロキシ化合物とのエ
ステル等が挙げられる。これらの反応性誘導体は使用す
べき化合物(III)の種類に応じて任意に選択するこ
とができる。
反応は通常、水、アセトン、ジオキサン、アセトニトリ
ル、クロロホルム、ジクロロメタン、塩化エチレン、テ
トラヒドロフラン、酢酸エチJ呟N、N−ジメチルホル
ムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド、ピリジンの
ような慣用の溶媒中で行われるが、反応に悪影響を及ぼ
さない溶媒であればその他のいかなる有機溶媒中でも反
応を行うことができる。これらの慣用の溶媒は水と混合
して使用することもできる。
化合物(I[[)を遊離酸の形またはその塩の形で反応
に使用する場合には、反応をN、 N’ −ジシクロヘ
キシルカルボジイミド 一N’ −モルホリノエチルヵルボジイミF;.N−シ
クロへキシル−N’−(4−ジエチルアミノシクロへキ
シルカルボジイミド、N,N’ −ジェデルカルボジイ
ミド. N,N’ −ジイソプロピルカルボジイミド、
N=エチル−N’−(3−ジメチルアミノプロピル)カ
ルボジイミド; N.N−カルボニルビス−(2−メチ
ルイミダゾール);ペンタメチレンケテン−N−シクロ
ヘキシルイミン;ジフェニルケテン−N−シクロヘキシ
ルイミン;エトキシアセチレン;1−アルフキシー1−
クロロエチレン; 1,1’ −(カルボニルジオキシ
)ジベンゾトリアゾール、1.1’ −ジベンゾトリア
ゾリルオキサレート:亜燐酸トリアルキル;ポリ燐酸エ
チル;ポリ燐酸イソプロピル;オキシ塩化燐(塩化ホス
ホリル);三塩化燐;塩化チオニル;塩化オキザリル;
トリフェニルホスフィン;2−エチル−7−ヒドロキシ
ベンズイソオキサゾリウム塩;2−エテル−5−(m−
スルホフェニル)イソオキサゾリウムヒドロキシド分子
内塩;1−(p−クロロベンゼンスルホニルオキシ)−
6−クロロ−IH−ベンゾトリアゾール;ジメチルホル
ムアミドと塩化チオ二JL,ホスゲン、オキシ塩化燐等
との反応によって調製したいわゆるビルスマイヤー試薬
等のような慣用の縮合剤の存在下に行うのが好ましい。
反応はまた、アルカリ金属度酸水素塩、トリ(低級)ア
ルキルアミン、ピリジン、N−(低級)アルキルモルホ
リン、N.N−ジ(低級)アルキルベンジルアミン等の
ような無機塩基または有機塩基の存在下に行ってもよい
反応温度は特に限定されないが、通常は冷却下から加温
下で反応が行われる。
R のヒドロキシ保護基がこの製造法の反応中または後
処理工程中に脱離される場合もこの反応の範囲内に包含
きれる。
製法2 化合物(Ib)またはその塩は、化合物(Ia>または
その塩をカルボキシ保護基の脱離反応に付すことにより
製造することができる。
化合物(Ia)および(Ib)の好適な塩類としては、
化合物(I)について例示したものと同じものが挙げら
れる。
この脱離反応の好適な方法としては、加水分解、還元等
のような常法が挙げられる。
(1)加水分解 加水分解は酸の存在下に行うのが好ましい。
好適な酸としては、例えば塩酸、臭化水素酸、硫酸等の
無機酸、例えばギ酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、プロピ
オン酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホンH1p−
1−ルエンスルホン酸等の有機酸、酸性イオン交換樹脂
等が挙げられる。トリフルオロ酢酸およびp−トルエン
スルホン酸のような有機酸をこの反応に使用する場合に
は、例えばアニソール等の陽イオン捕捉剤の存在下に反
応を行うのが好ましい。
さらに、上記酸の代りに三フッ化ホウ素、三フフ化ホウ
素−エーテル付加化合物、三塩化アルミニウム、五塩化
アンチモン、塩化第二鉄、塩化第二スズ、四塩化チタン
、塩化亜鉛等のようなりューイス酸もこの反応に使用す
ることができ、リューイス酸を使用する場合には、反応
は好ましくは例えばアニソールのような陽イオン捕捉剤
の存在下に行われる。
加水分解は通常、水、メタノール、エタノール、プロパ
ツール、第五級ブチルアルコール、テトラヒドロフラン
、N、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルア
セトアミド、ジオキサン、ジクロロメタンのような反応
に悪影響を及ぼさない慣用の溶媒またはそれらの混合物
の存在下または非存在に行われ、きらに上記酸もそれら
が液体であれば溶媒として使用することができる。
この加水分解の反応温度は特に限定されないが、通常は
冷却下ないし若干温度を上昇きせる程度の温度範囲で反
応が行われる。
(i)還元 還元は化学的還元および接触還元を含む常法で行われる
化学的還元に使用きれる好適な還元剤は、例えばスズ、
亜鉛、鉄等の金属または例えば塩化クロム、酢酸クロム
等の金属化合物と、例えばギ酸、酢酸、プロピオン酸、
トリフルオロ酢酸、p−トルエンスルホン酸、塩酸、臭
化水素酸等の有機酸または無機酸との組合わせである。
接触還元に使用される好適な触媒は、例えば白金板、白
金海綿、白金黒、コロイド白金、酸化白金、白金線等の
白金触媒、例えばパラジウム海綿、ハラジウム黒、酸化
パラジウム、パラジウム−炭素、コロイドパラジウム、
パラジウム−硫酸バリウム、パラジウム−炭酸バリウム
等のパラジウム触媒、例えば還元ニッケル、酸化ニッケ
ル、ラネーニッケル等のニッケル触媒、例えば還元コバ
ルト、ラネーTIベルト等のコバルト触媒、例えば還元
鉄、ラネー鉄等の鉄触媒、例えば還元鋼、ラネー銅、ウ
ルマン鋼等の銅触媒等のような慣用のものである。
この還元は通常、水、メタノール、エタノール、プロパ
ツール、N、N−ジメチルホルムアミドのような反応に
悪影響を及ぼきない慣用の溶媒またはそれらの混合物中
で行われる。きらに、化学的還元に使用される上記酸が
液体である場合には、それらを溶媒として使用すること
もできる。
またさらに、接触還元に使用される好適な溶媒としては
上記溶媒、およびジエチルエーテル、ジオキサン、テト
ラヒドロフラン等のようなその他の慣用の溶媒またはそ
れらの混合物が挙げられる。
この還元の反応温度は特に限定されないが、通常は冷却
下ないし加温下に反応が行われる。
このカルボキシ保護基の脱離反応では、この製造法の反
応中または後処理工程中にR1における保護されたアミ
ン基が遊離アミン基に変化する場合またはR3における
ヒドロキシ保護基が同時に脱離する場合があり、そのよ
うな場合もその範囲内に包含される。
製法3 化合物(I)またはその塩は、化合物(IV)またはそ
の塩を化合物(V)と反応させることにより製造するこ
とができる。
化合物(rV)の好適な塩としては、化合物(I)につ
いて例示したようなものと同じ塩が挙げられる。
この反応は通常、酢酸エチル、ジクロロメタン、クロロ
ホルム、四塩化戻素、テトラヒドロフラン、N、N−ジ
メチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド、
ジオキサン、水、酢酸、キ酸等のような反応に悪影響を
及ぼきない慣用の溶媒またはそれらの混合物中で行われ
る。
反応温度は特に限定されないが、通常は冷却下ないし加
温下に反応が行われる。
製法4 化合物(Ic)またはその塩は、化合物(Ib)または
その塩をエステル化反応に付すことにより製造すること
ができる。
化合物(Ib)および(Ic)の好適な塩については、
化合物(1)について例示したものを参照すればよい。
この反応は化合物(Ib>またはその塩をエステル化剤
と反応きせることにより行えばよい。
好適なエステル化剤としては、式: (式中、R7は前記エステル化されたカルボキシ基のエ
ステル部分、 Zはヒドロキシ基またはその反応性誘導体を意味rる)
で示される化合物が挙げられる。
Zのヒドロキシ基の好適な反応性誘導体としては、前記
ハロゲン、アシルオキシのような酸残基が挙げられる。
この反応は通常、ジメチルホルムアミド、ピリジン、ヘ
キサメチル燐酸トリアミド、ジメチルスルホキシドのよ
うな溶媒中で行われるが、反応に悪影響を及ぼさない溶
媒であればその他のいかなる溶媒中でも反応を行うこと
ができる。
化合物(Ib)を遊離酸の形で使用する場合には、製法
1で述べた塩基または縮合剤の存在下に反応を行うのが
好ましい。
反応温度は特に限定きれないが、冷却下、常温または加
温下に反応を行うのが好ましい。
製法5 化合物(Ie)またはその塩は化合物(Id)またはそ
の塩をヒドロキシ保護基の脱離反応に付すことにより製
造することができる。
化合物(Id)および(Ie)の好適な塩としては、化
合物(I)について例示したようなものと同じものが挙
げられる。
化合物(Id)のヒドロキシ保護基のこの脱離反応は前
記製法2と同様にして行うことができ、従って使用する
試薬および例えば溶媒、反応温度等の反応条件について
は製法2を参照すればよい。
この脱離反応においては、R1における保護きれたアミ
ノ基および/またはR2における保護きれたカルボキシ
基が、この製造法の反応中または後処理工程中に、ン!
応する遊離アミノ基および/または遊離カルボ4ン基に
変化する場合がありそのような場合もその範囲内に包含
きれる。
製法6 化合物(Ig)またはその塩は、化合物(If)または
その塩をアミノ保護基の脱離反応に付すことにより製造
することができる。
化合物(If)および(I g)の好適な塩としては、
化合物(1)について例示したようなものと同じものが
挙げられる。
この脱離反応は前記成因1と同様にして行うことができ
、従って使用する試薬および例えば溶媒、反応温度等の
反応条件については、監迭ユを参照すればよい。
この脱離反応においては、この製法の反応中または後処
理工程中に、Rにおける保護されたカルボキシ基が遊離
カルボキシ基に変化する場合およびR3におけるヒドロ
キシ保護基が同時に脱離される場合があり、そのような
場合もその範囲内に包含される。
1と 製法7 目的化合物(1)またはその塩類は、化合物(VI)ま
たはその塩類に化合物(IX)または半の反応性誘導体
を作用させることにより製造できる。
化合物(VI)の好適な塩としては、化合物(1)につ
いて例示したようなものと同じものが挙げられる。
化合物(IX)のメルカプト基における好適な反応性誘
導体としては、ナトリウム塩、カリウム塩などのアルカ
リ金属塩、マグネシウム塩などのアルカリ土類金属塩な
どの金属塩が挙げられる。
この反応はヨウ化ナトリウム、チオシアン酸ナトリウム
などの存在下で行なってもよい。
反応は通常、水、アセトン、クロロホルム、ニトロベン
ゼン、ジクロロメタン、塩化エチル/、ジメチルホルム
アミド、メタノール、エタノール、エーテル、テトラヒ
ドロフランまたはその他の反応に悪影響を及ぼさない溶
媒中で行なわれる0強い極性を有する溶媒が好ましく、
このような溶媒は水との混合物として使用してもよい。
化合物(VI)および(もしくは)化合物(IX)を遊
離の状態で使用する場合には、この反応は、塩基、例え
ば水酸化アルカリ金属、炭酸アルカリ金属、炭酸水素ア
ルカリ金属、トリアルキルアミン、ピリジン等の有機も
しくは無機塩基の存在下に行うのが好ましく、また中性
付近の条件下で行なうのが好ましい0反応温度は特に限
定されないが、通常室温〜加熱下で行なうのが好ましい
この発明の原料化合物の製造法を以下詳細に説明する。
成型り 化合物(■)またはその塩は、化合物(If)またはア
ミノ基におけるその反応性誘導体またはその塩を、化合
物(■)またはカルボキシ基におけるその反応性誘導体
またはその塩と反応させることにより製造することがで
きる。
化合物(■)の好適な反応性誘導体としては、たとえば
ジケテンとハロゲンとの反応によって製造されうる酸塩
化物、酸臭化物等のような酸ハロゲン化物が挙げられる
化合物(■)の好適な塩類としては、化合物(I)につ
いて例示したような塩基と同じようなものが挙げられ、
化合物(■)の好適な塩類としては、化合物(1)の塩
類と同じものが挙げられる。
反応は通常、水、アセトン、ジオキサン、アセトニトリ
ル、クロロホルム、ベンゼン、ジクロロメタン、塩化エ
チレン、テトラヒドロフラン、酢酸エチル、N、N−ジ
メチルホルムアミド、ピリジン、ヘキサメチル1くスホ
ラミド等のような反応に悪影響を及ぼさない慣用の溶媒
またはそれらの混合物中で行われる。
反応温度は特に・限定きれないが、通常は冷却下ないし
加温下に反応が行われる。
1抹; 化合物(IVa)またはその塩は、化合物(■)または
その塩をニトロソ化剤と反応きせることにより製造する
ことができる。
化合物(IVa)の好適な塩類としては、化合物(1)
について例示したものと同じ塩類が挙げられる。
好適なニトロソ化剤としては、亜硝酸および例えば塩化
ニトロシル、臭化ニトロシル等のハロゲン化ニトロシル
、例えば亜硝酸ナトリウム、亜硝酸カリウム等のアルカ
リ金属亜硝酸塩、例えば亜硝酸ブチル、亜硝酸ペンチル
、亜硝酸イソアミル等の亜硝酸アルキル等のような亜硝
酸の慣用の誘導体が挙げられる。
亜硝酸の塩またはそのアルカリ金属塩をニトロソ化剤と
して使用する場合には、例えば塩酸、硫酸、ギ酸、酢酸
等の無機酸または有機酸のような酸の存在下に反応を行
うのが好ましい。
この反応は好ましくは塩化アシル(たとえば、塩化アセ
チル)もしくはアセチルアセトン、アセト酢酸エチル等
のような活性メチレン化合物の存在下に行われる。
この反応は通常、水、酢酸、ベンゼン、メタノール、エ
タノール、テトラヒドロフラン、ジクロロメタンのよう
な反応に悪影響を及ぼさない慣用の溶媒またはそれらの
混合物中で行われる。
反応温度は特に限定きれないが、冷却下ないし加温下の
範囲で反応を行うのが好ましい。
この反応の化合物(IVa)には、シン異性体、アンチ
異性体およびこれらのヒドロキシイミノ基におけるそれ
らの混合物が含まれ、そのような化合物は部分構造式: %式% 製法1から1盗ユで得られる目的化合物(1)、(Ib
)、(re)、(Ie)および(rg)、ならびに成苗
Φおよび製法■で得られる化合物(Na)および(■)
は、例えば抽出、沈殿、分別結晶、再結晶、クロマトグ
ラフィー等の慣用の方法で単離および精製することがで
きる。
目的化合物(I)について、R1において遊離アミノ基
およびR2において遊離カルボキシ基を持っている場合
、慣用の方法によって医薬として許容しうるその塩に変
換されうる。
この発明の目的化合物(1)およびその塩類は、新規で
あり、高い抗菌活性を発揮してダラム陽性菌およびダラ
ム陰性菌を含む広汎な病原菌、特にスタフィロコッカス
アラしウスのようなダラム陽性菌の生育を阻止し、細菌
感染症予防・治療剤として有用である。
目的化合物の有用性を示すために、この発明の代表的化
合物の抗菌活性を公知化合物と比較して以下に示す。
1座30口り此農慮 (A)&を慧羞 試験管内抗菌活性を下記寒天平板希釈法により測定した
トリプトケース・ソイ・プロス中各試験菌株を一夜培養
してその一白金耳(生菌数108個/戚)を各aJf段
階の試験化合物を含むハート・インフュージョン寒天(
HI寒天)に接種し、37℃で20時間インキュベート
後、最小発育阻止濃度(MIC)を(/l!111で表
わした。
(B)!&象生皇舊 7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−
ヒドロキシイミノアセトアミド]−3−(1,2,4−
チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェム
−4−カルボン酸(シン異性体) [以下、化合物(I)と称す]。
7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−
ヒドロキシイミノアセトアミド]−3−(3−メチル−
1,2,4−チアジアゾール−5−イル)チオメチル−
3−セフェム−4−カルボン酸(シン異性体) [公知化合物(a)] [以下、化合物(A)と称す]
セフメツキシム ナトリウム塩 [公知化合物(b)のナトリウム塩コ[以下、化合物(
B)と称す]。
セフメツキシム [公知化合物(c)] [以下、化合物(C)と称す]
セフオチアム [公知化合物(d)] [以下、化合物(D>と称す]
(C)試験結果 M、1.C(x/mll) この発明の化合物を治療のために使用するにあたり、前
記化合物を有効成分と°して含有し、経口、非経口また
は外用投与に適した有機もしくは無機固体状もしくは液
状賦形剤のような医薬として許容きれる担体と混合して
慣用の医薬製剤の形で使用することができる。医薬製剤
はカプセル、錠剤、糖衣錠、軟膏または坐剤のような固
体状であってもよいし、溶液、懸濁液またはエマルジョ
ンのような液状であってもよい、所望によっては上記製
剤中に助剤、安定剤、湿潤剤または乳化剤、緩衝液およ
びその他乳糖、フマール酸、クエン酸、酒石酸、ステア
リン酸、マレイン酸、コハク酸、リンゴ酸、ステアリン
酸マグネシウム、白土、シュークロース、コーンスター
チ、タルク、ゼラチン、寒天、ペクチン、落花生油、オ
リーブ油、カカオ脂、エチレングリコール等のような常
用の添加剤が含まれていてもよい。
化合物の投与量は患者の年齢および症状によって変化す
るが、この発明の化合物は平均1回投与量約10mg、
 50mg、 100mg、 250mg、 500m
g、1000qで病原菌感染症治療に有効である。また
、一般的には1日当り1mg/固体〜約6000mg/
固体またはそれ以上投与してもよい。
以下製造例および実旌例に従って、この発明を説明する
製造例1 7−アミノ−3−(1,2,4−チアジアゾール−5−
イル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸(3
,5g)およびN、N’−ビス(トリメチルシリル)尿
素(6,5g)のテトラヒドロフラン(1001nJ1
 )溶液に、ジクロロメタン(7,5mQ)中ジケテン
(1,15g)および臭素(2,15g)から得られる
臭化4−ブロモアセトアセチルを冷却下−20°Cで加
え、混合物を一15℃で30分間攪拌する。
反応混合物を酢酸エチル(100mQ )と水(150
m1l )との混合物中に注ぐ、有機層を分取し、水お
よび食塩水で洗浄して溶媒を留去する。残渣をジイソプ
ロピルエーテル中(300111’)中で粉砕する。生
成する沈殿を濾取し、真空乾燥して、7−(4−ブロモ
アセトアセトアミド)−3−(1,2,4−チアジアゾ
ール−5−イル)チオメゾルー3−セフェム−4−カル
ボン酸(4,64g)を得る。
NMR(DMSO−da、S ) ’ 3.90−4.
00 (4H9m)。
4.20 (2H,ABq、J=12Hz)、 4.5
0 (2H,s)。
5.20 (LH,d、J=5Hz)、 5.73 (
IH,d−d。
J=5Hz、  8Hz)、  8.70  (IH,
s)、  9.10  <IH,d。
J=8Hz) 製造例2 鷲j組倒」2と同様にして下記化合物を得る。
7−(4−クロロアセトアセトアミド)−3−(1,2
,4−チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セ
フェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル。
IR(スジl−ル)  :  1775. 1710 
 am−’NMR(DMSO−da、8 ) ’ 3.
40−3.93 (4H1m) 、4.18および4.
63 (2H,ABq、に14Hz)、 4.55(2
H,s)、 5.16 (IH,d、、C3Hz)、 
5.84 (IH。
d−d、J−5Hz、 8Hz>、 7.01 (IH
,s)、 7.28(IH,s)、 7.13−7.6
7 (10H,m)、 8.52(IH,s)、 9.
04 (IH,dJ=8Hz)鼠1」」− (1)2−(2−トリプルアミノチアゾール−4−イル
)−2−ヒドロキシイミノ酢酸ベンズヒドリルエステル
(シン異性体)(2,8g)のジクロロメタン(561
1Q )溶液に、ピリジン(0,47戚)を水冷下に加
える6次いでこれに塩化アセチル(0,47mQ )の
ジクロロメタン(5,6all )溶液を加える。水冷
下に20分間攪拌後、反応混合物を水洗して硫酸マグネ
シウムで乾燥する。溶媒を留去し、残渣をジエチルエー
テルとn−ヘキサンとの混合物中で粉砕する。生成する
沈殿を濾取して、2−(2−トリチルアミノデアゾール
−4−イル)−2−アセトキシイミノ酢酸ベンズヒドリ
ルエステル(シン異性体)(3、Og)を得る。
IR(スジe−ル)  :  331G、  1750
. 1600. 1530  am″″INMR(DM
SO−da、ε) : 1.88 (3H,s)、 6
.75(IH,s)、 7.07−7.57 (26H
,m)、 8.87 (IH,5)(2)2−(2−1
−ジチルアミノチアゾール−4−イル)−2−アセトキ
シイミノ酢酸ベンズヒドリルエステル(シン異性体)(
3,0g)のジクロロメタン(somQ)およびアニソ
ール(1,5mm )混合物溶液に、トリプルオロ酢酸
(51)を水冷下に加える。混合物を4時間攪拌して得
られる結晶を濾取し、ジイソプロピルエーテルおよび水
で洗浄して、2−(2−アミノチアゾール−4−イル)
−2−アセトキシイミノ酢酸(シン異性体)(0,5g
)を得る。
NMR(DMSO−ds、l; ) :1.48 (3
H1s)、7.22(1)!、s>、 7.13−7.
47 (2H,m)製造例4 7−(4−クロロアセトアセトアミド)−3−(1,2
,4−チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セ
フェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(72
0g)のジクロロメタン(13jり溶液に、亜硝酸イソ
アミル(176g)および塩化アセチル(91,8g)
を室温で加え、混合物を同温で1時間攪拌する0反応混
合物をテトラヒドロフラン(3,22)と塩化ナトリウ
ム飽和水溶液(7,242)との混合物中に注ぐ、有機
層を分取し、食塩水(7,212)で洗浄して乾燥する
。溶液の溶媒を留去し、残渣をn−ヘキサン(361中
で粉砕する。沈殿を濾取してn−ヘキサンで洗浄し、五
酸化溝で乾燥して、7−(4−クロロ−2−ヒドロキシ
イミノアセトアセトアミド)−3−(1,2,4−チア
ジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェム−4
−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(688,6g)
を得る。
IR(スジ1−ル)  :  1780. 1710 
 am−’NMR(DMSO−d6. S ) : 3
.57および3.8 (2H,ABq。
J=18Hz)、 4.68および4.22 (2H,
ABq。
J=14)1z)、 4.76 (2)1.s)、 5
.06 (IH,d。
J=5Hz)、 5.86 (IH,d−d、、C3H
z、 8Hz)、 7.02(LH,s)、 7.28
 (IH,s)、 7.17−7.63(10H,m)
、 8.31 (LH,s)、 9.40 <IH,d
J=8Hz>、 11.29 (LH,s)実施例1 7−(4−ブロモアセトアセトアミド)−3−(1,2
,4−チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セ
フェム−4−カルボン酸(4,64g)のジクロロメタ
ン(401119)および酢酸(2011LQ ’)混
合溶液に、亜硝酸ナトリウム(0,84g)の水溶液(
4,3mm)を−10℃で滴下する。1.5時間攪拌後
、反応混合物を水(80+1111 )とテトラヒドロ
フラン(4oraQ)との混合物中に注ぐ、有機層を分
取し、水および食塩水で洗浄する。溶媒を留去して、7
−(4−ブロモー2−ヒドロキシイミノアセトアセトア
ミド)−3−(1,2,4−チアジアゾール−5−イル
)チオメチル−3−セフェム−4−力ルボン酸を得る。
この生成物にチオズ素(0,86g)のジメチルアセト
アミド(13m1 )溶液を加える。混合物を常温で2
時間攪拌する0反応混合物を酢酸エチル(50ffll
l )と水(70m1+ )との混合物中に注ぐ、混合
物を2N水酸化ナトリウムでpH6,5に調整する。水
層を分取して濃縮し、IN塩酸でpH4,4にu4!!
する。酸性にした水溶液を非イオン性吸着樹脂1ダイヤ
イオンHP−20,(商標:三菱化成工業社製)のカラ
ムを通過させ、20%イソプロピルアルコール水溶液で
溶出する。溶出液を凍結乾燥して、7−[2−(2−ア
ミノチアゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノア
セトアミド]−(1,2,4−チアジアゾール−5−イ
ル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸(シン
異性体)(0,70g)を得る。
IR(スジミール)  ’  2900. 1770.
 1620. 1520  cm−’NMR(DMSO
−ds、l;  )   ’  3−63  (2H,
ABq、J=18Hz)。
4.42 (2)1.ABq、、c13Hz>、 5.
12 (LH,d。
J:5Hz)、 5.77 (IH,d−d、J=5H
z、 8Hz)、 6.62(LH,s)、 8.68
 (IH,s)、 9.38 (IH,d、J=8Hz
)叉1」B。
ジメチルホルムアミド(0,38g)およびテトラヒド
ロフラン(1,2mm)の混液に、オキシ塩化燐(0,
8g)を0℃で加える。30分間攪拌後、これに2−(
27トリチルアミノチアゾール−4−イル)−2−(2
−テトラヒドロピラニルオキシイミノ)酢酸(シン異性
体)(z、o7g)のテトラヒドロフラン溶液を加える
。混合物を一3〜3℃で1時間攪拌して活性化酸溶液を
得る。
モノトリメチルシリルアセトアミド(4g)を含む7−
アミノ−3−(1,2,4−チアジアゾール−5−イル
)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒ
ドリルエステル(2,0g)のテトラヒドロフラン(4
0ffL11 )溶液に、上記で得られた活性化酸溶液
を一20℃で一挙に加え、混合物を−15〜−10℃で
1.5時間攪拌する0反応混合物を酢酸エチノ呟テトラ
ヒドロフランおよび水の混合物中に注ぐ、水層を分取し
て酢酸エチルおよびテトラヒドロフランの混合溶媒で数
回抽出する。有機層を合わせて食塩水で洗浄し、硫酸マ
グネシウムで乾燥する。溶媒を留去し、残渣をジイソプ
ロピルエーテル中で粉砕して濾取し、五酸化溝で乾燥し
て、7−[2−(2−テトラヒドロピラニルオキシイミ
ノ)−2−(2−トリチルアミノチアゾール−4−イル
)アセトアミトコ−3−(1゜2.4−チアンアゾール
−5−イル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン
酸ベンズヒドリルエステル(シン異性体) (4,40
g )を得る。
IR(Xジa−L)  ’  3350. 1770.
 1700. 1660  am−’NMR(DMSO
−ds、S  )  : L50−2−00  (m)
、 3−50−4.30(4H,m>、 5.30 (
IH,d、J=5Hz>、 5.85 (IH,dd。
J:5Hz、 J=8Hz>、 6.83 (IH,s
)、 7.03 (IH,s)。
7.10−7.77  (m>、  8.57  (L
H,s)、  9.67  (LH,d。
J=8Hz) 実施例3 7−[2−(2−テトラヒドロピラニルオキシイミノ)
−2−(2−トリチルアミノチアゾール−4−イル)ア
セトアミトコ−3−(1,2,4−チアジアゾール−5
−イル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベ
ンズヒドリルエステル(シン異性体)(4,0g)およ
びアニソール(4−)の混合物に、トリフルオロ酢酸(
gn+Q)を加える。室温で2時間攪拌後、混合物をジ
イソプロピルエーテル(100+njl )中に注ぐ、
生成する沈殿を濾取し、5%炭酸水素ナトリウム水溶液
に溶解する。水溶液を酢酸エチルで洗浄してIN塩酸で
pH4,5に調整し、非イオン性吸着樹脂1ダイヤイオ
ンHP−20、をイ吏用するカラムクロマトグラフィー
に付す。15%イソプロピルアルコール水溶液で溶出し
、所望の化合物を含む溶出液を集める。この溶出液を水
冷下10%塩酸でpH2,0に調整する。生成する沈殿
を濾取し、水洗、乾燥して、7−[2−(2−アミノチ
アゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトア
ミド]−3−(1,2,4−チアジアゾール−5−イル
)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸(シン異
性体) (0,13g )を得る。
IR(Xシロ−ル>  :  3200. 1750.
 1690. 1650  cm−’NMR(DMSO
−d6. l; ) : 3.52および3.78(2
H,ABq、J=18Hz>、 4.30および4.6
2(2H,ABq、J−13Hz>、 5.13 (L
H,d、J=5Hz>。
5.78 (IH,d−d、J=5Hz、 8Hz)、
 6.65 (LH,s)。
7.07 (2H,br s)、 8.70 (IH,
s)、 9.42(IH,d、J=8Hz)、 113
6 (LH,br s)火星■1 7−(4−クロロ−2−ヒドロキシイミノアセトアセト
アミド)−3−(1,2,4−チアジアゾール−5−イ
ル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズ
ヒドリルエステルg)のジメチルアセトアミド(2.7
j2)溶液に、チオ尿素( 160.8g )を室温で
加え、混合物を同温で3時間攪拌する.反応混合物を酢
酸エチル(9.5jlと氷水(4.7iとの混合物中に
注ぐ。
有機層を分取して水C4.71で2回)および食塩水(
4.7ffi)で洗浄し、硫嫌マグネシウムで乾燥する
。溶媒を留去し、残渣(1.5iを酢酸エチル(4.5
ffi)とジイソプロピルエーテル(’l )との混合
物中で粉砕する.沈殿を濾取し、ジイソプロピルエーテ
ルで洗浄し、五酸化溝で乾燥して、?ーC2ーC2ーア
ミノチアゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノア
セトアミド]−3−(1.2.4−チアジアゾール−5
−イル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベ
ンズヒドリルエステル(シン異性体) ( 436.5
g )を得る。
IR  (スジa−IL)  :  1780.  1
720,  1665,  1620  CITI−I
NMR (DMSO−九.δ) : 3.59および3
.83 (2H。
ABq.J:18Hz>、 4.23および4.58 
(2H.ABq。
J=13Hz>、 5.23 <LH,d.J=5Hz
)、 5.90 (LH。
d−d, J=5Hz. 8)1z)、 6.67 (
LH.s)。
7、00−7.80 (10H.m)、 8.55 (
18,s)、 9.46(LH.d.J:8Hz)、 
11.40 (IH.s)実施例5 7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−
ヒドロキシイミノアセトアミドコ−3−(1,2,4−
チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェム
−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(シン異性体
)(430g)およびアニソール(430m+1 )の
ジクロロメタン(1,77り中温合物に、トリフルオロ
酢酸(ssomu )を氷冷下に滴下する。混合物を5
〜10°Cで2時間攪拌する。反応混合物をジイソプロ
ピルエーテル(21,5り中に注いで粉砕する。沈殿を
濾取してジイソプロピルエーテルで洗浄し、五酸化溝で
乾燥して黄色粉末を得る。
この粉末(400g)を水に懸濁し、炭酸水素ナトリウ
ム飽和水溶液でpH8に調整する。不溶物を濾去し、濾
液をIN塩酸でpH6,0に調整する。この溶液を非イ
オン性吸着樹脂1ダイヤイオンHP−20」を使用する
カラムクロマトグラフィーに付し、35%イソプロピル
アルコール水溶液で溶出する。所望の化合物を含む画分
を集め、10%塩酸でp)12.2に調整する。生成す
る沈殿を濾取して氷水で洗浄し、五酸化溝で乾燥して、
7−[2−(2−アミンチアゾール−4−イル)−2−
ヒドロキシイミノアセトアミド]−3−(1,2,4−
チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セフニム
ー4−カルボン酸(シン異性体) (98,9g )を
得る。
IR(xジa−ル)  :  3200. 1750.
 1690. 1650  cm−’NMR(DMSO
−d6.δ) : 3.52および3.78 (2H。
ABq、J=18Hz)、 4.30および4.62 
(2H,ABq。
J=13Hz)、 5.13 (LH,d、J=5H2
)、 5.78 (IH。
d−d、J:5Hz、 8Hz)、 6.65 (IH
,s)、 7.07 <28゜−br s)、 8.7
0 (IH,s’)、 9.42 (LH,d、JJH
z)。
11.36 (LH,br s) 衷蓋遭j 2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−アセト
キシイミノ酢酸(シン異性体)(0,2g)のテトラヒ
ドロフラン(25m1l )溶液に、無水1−ヒドロキ
シ−IH−ベンゾトリアゾール(0,135g)および
N、N’ −ジシクロへキシルカルボジイミド(0,1
82g )を加える。混合物を室温で1時間攪拌後、沈
殿を濾去する。濾液に7−アミノ−3−(1,2,4−
チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェム
−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(0,43g
)を室温で加える。溶媒を留去し、残渣をジイソプロピ
ルエーテル中で粉砕して、7−C2−C2−アミノチア
ゾール−4−イル)−2−アセトキシイミノアセトアミ
ドコ−3−(1,2,4−チアジアゾール−5−イル)
チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒド
リルエステル(シン異性体)(0,7g)を得る。
NMR(DMSO−d6.  δ )  :  2.1
8  (3H,s)、  3.17−4.67(4H,
m)、 5.17−6.17 (2H,m)、 7.0
 (IH,s)。
7.12 (IH,s)、 7.22−7.73 (1
0H,m)、 8.57(IH,s) 寒l(Mニ アーC2−C2−アミノチアゾール−4−イル)−2−
アセトキシイミノアセトアミドコ−3−(1,2,4−
チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェム
−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(・シン異性
体)(0,7g)のジクロロメタン(3111)および
アニソール(0,7mQ )混合物中懸濁液に、トリフ
ルオロ酢酸(1,4mQ)を水冷下に加える。混合物を
同温で1時間攪拌する0反応混合物をジイソプロピルエ
ーテル(70me)中に注ぐ。
沈殿を濾取してジイソプロピルエーテルで洗浄する。こ
の粉末を水中に注ぎ、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液で
1)H6に調整し、酢酸エチルで洗浄する。水溶液をI
N塩酸でpH3,5に調整し、酢酸エチルで抽出する。
#媒を留去し、残渣をジイソプロピルエーテル中で粉砕
して、7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)
−2−アセトキシイミノアセトアミドコ−3−(1,2
,4−チアジアゾール−5−イル)デオメテルー3−セ
フェムー4−カルボン酸(シン異性体)(0,1g)を
得る。
IR(X’;a−L)  ”  1760−1770.
 1660. 1530.  Cm″″INMR(DM
SO−d6.δ) : 2.15 (3H,s)、 3
.67 (2H。
ABq、J:18)1z)、 4.28および4.59
 (2H,ABq。
J=13Hz)、  5.15 (IH,d、J=5H
z)、  5.78 (IH。
d−d、J=5Hz、  8Hz)、  7.01  
(LH,s)、  7.10−7.43(2H,br 
s)、  8.64 (LH,s)、  9.76 (
LH,d。
J:8H2) 大m(1互 ?−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−
ヒドロキシイミノアセトアミド]−3−アセトキシメチ
ル−3−セフェム−4−カルボン酸(シン異性体)(I
g)の水(30ffL11 )中懸凋液を炭酸水素ナト
リウム飽和水溶液でpH6,3に調整する。この溶液に
カリウム−1,2,4−チアジアゾール−5−チオラー
トを室温で、pH6,0〜6.5に保ちながら加える。
混合物を60〜65℃で5時間攪拌する。反応混合物中
の沈殿を濾去し、残る水溶液をIN塩厳でpH3に調整
する。沈殿を濾取し、五酸化溝で乾燥して、7−[2−
(2−アミンチアゾール−4−イル)−2−ヒドロキシ
イミノアセトアミド]−3−(1,2,4−チアジアゾ
ール−5−イル)チオメチル−3−セフェム−4−カル
ボン酸(シン異性体) (0,37g )を得る。
IR(スジ1−ル)  :  3200. 1750.
 1690. 1650  cm−INMR(DMSO
−d6.δ) : 3.52および3.78 (2H。
ABq、 J:18Hz)、 4.30および4.62
 (2H,ABq。
J=13)1z)、 5.13 (IH,d、J=5H
z)、 5.78 (1)1゜d−d、J=5Hz、 
8Hz)、 6.65 (LH,s)、 7.07 (
2H。
br s)、 8.70 (LH,s)、 9.42 
(IH,d、J=8Hz)。
11.36 (IH,br s) 塞Jl礼旦 7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−
ヒドロキシイミノアセトアミドコ−3−(1,2,4−
チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェム
−4−カルボン酸(シン異性体) (1,0g )のN
、N−ジメチルホルムアミド(20mG )溶液に、炭
酸セシウム(0,39g)を室温で加える。混合物を同
温で減圧下、20分間攪拌し、混合物に沃化ピバロイル
オキシメチル(0,27g)を水冷下に加える。同温で
15分間攪拌後、反応混合物を酢酸エチル(200m1
1)と水(100m1! )との混合物中に注ぐ、有機
層を分取し、水、5%炭酸水素ナトリウム水溶液および
食塩水で洗浄して硫酸マグネシウムで乾燥する。溶液の
溶媒を留去し、残渣をジイソプロピルエーテル中で粉砕
して、7−[2−(2−アミノデアゾール−4−イル)
−2−ヒドロキシイミノアセトアミド]−3−(1,2
,4−チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セ
フェム−4−カルボン酸ピバロイルオキシメチルエステ
ル(シン異性体)(0,57g)を得る。
IR(スジョール)  :  3250. 1780.
 1740. 1680  cm−INMR(DMSO
−da、f; ) ’ 1. ts (9H9s)、3
−54および3.83 (2H,ABq、J=18Hz
)、 4.20.4.60 (2H。
ABq、J:13)1z)、 5.15 (IH,d、
J=5Hz)、 5.84(LH,d−d、J=5.8
Hz)、 5.90 (2H,ABq、J=6Hz>。
6.62 (iH,s)、 8.66 (IH,s)、
 9.35 (IH,d。
J=8Hz> 衷JdnJ印 LLLg−と同様にして下記化合物を得る。
(1)7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)
−2−ヒドロキシイミノアセトアミドコ−3−(1,2
,4−チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セ
フェム−4−カルボン酸(シン異性体)。
IR(Xジi+−4)  :  3200. 1750
. 1690. 1650  cm−’NMR(DMS
O−d6. l; ’) : 3.52および3.78
 (2H。
ABq、J:18Hz)、 4.30および4.62 
(2H,ABq。
J=13Hz)、 5.13 (1)1.d、J=5H
z)、 5.78 (IH。
d−d、に5Hz、 8Hz)、 6.65 (IH,
s)、 7.07 (2H。
br s)、 8.70 (IH,s)、 9.42 
(IH,dJ=8Hz)。
11.36 (1)1.br 5) (2)7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)
−2−ヒドロキシイミノアセトアミド]−3−(1,2
,4−チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セ
フェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(シン
異性体)。
IR(スジ*−L)  ’  1780. 1720.
 1665. 1620  cm−1NMR(DMSO
−d6.8 ) : 3.59および3.83 (2H
ABq、J=18)1z)、 4.23および4.58
 (2H,ABq。
J=13Hz)、  5.23 (18,d、J:5H
z)、  5.90 <1)t。
d−d、J=5Hz、8Hz>、6.67  (LH,
s)、7.00−7.80(10H,m)、  8.5
5 (LH,s)、  9.46 (1B、d。
J=8Hz)、11.40  (LH,5)(3)?−
[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−アセ
トキシイミノアセトアミド]−3−(1,2,4−チア
ジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェム−4
−カルボン酸(シン異性体)。
IR(スジ1−4)  :  1760−1770. 
1660. 1530  cm−1BMR(DMSO−
ds、S ) ’ 2.15 (3H1s)、3.67
 (2H1ABq、J:18Hz>、 4.28および
4.59 (2H,ABq。
U=13Hz)、 5.15 (IH,d、J=5Hz
)、 5.78 (LH。
d−d、J =5Hz、 8Hz)、 7.01 (I
H,s)、 7.10−7.43<2H,br  s)
、  8.64  (11(、s)、  9.76  
(1)1.d。
J=8Hz) (4)7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)
−2−ヒドロキシイミノアセトアミドコ−3−(1,2
,4−チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セ
フェム−4−カルボン酸ピバロイルオキシメチルエステ
ル(シン異性体)。
IR(Xヅi−ル)  :  3250. 1780.
 1740. 1680 11−III−INMR(D
MSO−ds、8 ) ’ 1.15 (9H,s)、
 3−54および3.83 (2H,ABq、J=18
)1z)、 4.20.4.60 (2H。
ABq、 J43Hz)、 5.15 (IH,d、J
=5Hz)、 5.84(LH,d−d、J=5.8H
z)、 5.90 (2H,ABq、に6Hz)。
6.62 (LH,s)、 8.66 (IH,s)、
 9.35 (LH,d。
J−8Hz) 犬亙±旦 火」1然」1と同様にして下記化合物を得る。
7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−
ヒドロキシイミノアセトアミド]−3−(1,2,4−
チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェム
−4−カルボン酸ピバロイルオキシメチルエステル(シ
ン異性体)。
IR(スジョール)  :  3250. 1780.
 1740. 1680  cm−’NMR(DMSO
−da、f; ) 二L 15 (9H1s)、3.5
4および3.83 (2H,ABq、J=18Hz)、
 4.20.4.60 (2H。
ABq、J=13Hz>、  5.15 (IH,d、
J=5Hz)、  5.84(LH,d−d、J=5H
,8Hz)、  5.90 (2H,ABQ。
J−6Hz)、  6.62 (IH,s)、  8.
66 (IH,s)、  9.35(LH,d、J=8
H2) 実施例12 実施例3と同様にして下記化合物を得る。
7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−
アセトキシイミノアセトアミド]− (1,2,4−チ
アジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェム−
4−カルボン酸(シン異性体)。
IR(ス九−ル)  :  1760−1770. 1
660. 1530  ロー1NMR(DMSO−d6
.δ) : 2.15 (3H,s)、 3.67 (
2H。
ABq、J=18Hz>、 4.28および4.59 
(2H,ABq。
J=13Hz)、 5.15 (IH,d、J:5Hz
)、 5.78 (IH。
d−d、J=5Hz、 8Hz)、 7.01 (1)
!、s)、 7.10−7.43(2H,br s)、
 8.64 (LH,s)、 9.76 (IH,d。
J=8Hz) 去】U江l 実施例8と同様にして下記化合物を得る。
(1)7−[2−(2−テトラヒドロピラニルオキシイ
ミノ)−2−(2−トリチルアミンチアゾール−4−イ
ル)アセトアミド]−3−(L2.4−チアジアゾール
−5−イル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン
酸ベンズヒドリルエステル(シン異性体)。
IR(X!;e−L)  :  3350. 1770
. 1700. 1660  cm−’NMR(DMS
O−da、S ) =1−50−2.00 (m)、3
.50−4−30(4H,m)、 5.30 (1)1
.d、J=5Hz)、 5.85 (1)1.dd。
J=5Hz、 J:8Hz)、 6.83 (1)t、
s)、 7.03(LH,s)、 7.10−7.77
 (m)、 8.57 (IH,s)。
9.67 (IH,d、J:8Hz> (2)7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)
−2−ヒドロキシイミノアセトアミド]−3−(1,2
,4−チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セ
フェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(シン
異性体)。
IR(スジa−IL)  :  1780. 1720
. 1665. 1620  cm−1NMR(DMS
O−da、δ):3.59および3.83 (2H。
ABq、J=18Hz>、 4.23および4.58 
(2H,ABq。
J=13Hz)、  5.23 (LH,d、J=5)
1z)、  5.90 (LH。
d−dJ=5Hz、  8Hz)、  6.67 (1
8,s)、  7.00−7.80(IOH,m>、 
 8.55 (IH,s)、  9.46 (IH,d
J=8Hz)、  11.40 (LH,5)(3)7
−[:2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−
アセトキシイミノアセトアミド]−3−(1,2,4−
チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェム
−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(シン異性体
)。
NMR(DMSO−da−8> ’ 2.18 (3H
1s)、3.17−4.67(4H,m)、 5.17
−6.17 (2H,m)、 7.0 (LH,s)。
7.12 (LH,s)、 7.22−7.73 (1
0H,m)、 8.57(LH,5) (4)7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)
−2−アセトキシイミノアセトアミド]−3−(1,2
,4−チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セ
フェム−4−カルボン酸(シン異性体)。
IR(ス九−ル)  :  1760−1770. 1
660. 1530  cm−1HMR(DMSO−d
a、8 ) ’ 2−15 (3)1.s)、3.67
 (2H9ABq、 J=18Hz)、 4.28およ
び4.59 (2H,ABq。
J=13Hz)、  5.15 <LH,d、J=5H
z)、  5.78 (LH。
d−d、J:5Hz、  8Hz)、  7.01 (
LH,s)、  7.10−7.43(2H,br s
)、  8.64 (LH,s)、  9.76 (L
H,d。
J=8H2) (5)7−[:2−(2−アミノチアゾール−4−イル
)−2−ヒドロキシイミノアセトアミドコ−3−(1,
2,4−チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−
セフェム−4−カルボン酸ピバロイルオキシメチルエス
テル(シンA性体)。
IR(スジミール)  :  3250. 17$0.
 1740. 1680  cTII−INMR(DM
SO−ds、S ) ’ 1.15 (9H1s)、3
.54および3.83 (2H,ABqJ=18Hz)
、 4.20.4.60 (2H。
ABq、J=13Hz>、 5.15 (IH,d、J
=5Hz>、 5.84(LH,d−d、J=5.8H
z)、 5.90 (2H,ABq、J=6Hz)。
6.62 (LH,s)、 8.66 (IH,s)、
 9.35 (LH,d。
J=8H2) 衷】U艷■ 7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−
ヒドロキシイミノアセトアミド]−3−(1,2,4−
チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェム
−4−カルボン酸(シン異性体)(5,0g)の水(5
0111)中部濁液に、炭酸水素ナトリウム(924m
g)を攪拌下に加える。この溶液を酸化アルミニウム(
50g)(ウールム・)γルマ社製、W2O0型)を使
用するカラムクロマトグラフィーに付し、水で溶出する
。溶出液を凍結乾燥して、7−[2−(2−アミノチア
ゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミ
ドコ−3−(1,2,4−チアジアゾール−5−イル)
チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ナトリウム
(シン異性体)(4,2g)を得る。
IR(ス′;ヨール)  :  3300. 1750
. 1650. 16001520 aTl−1 夫凰五基 ?−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−
ヒドロキンイミノアセトアミド]−3−(1,2,4−
チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェム
−4−カルボン酸(シン異性体)(5,0g)のメタノ
ール(25mA )中部濁液に、5モル硫酸(2m11
)を攪拌下室温で加える。
この溶液をジエチルエーテル(600mQ )中に注ぐ
、沈殿を濾取し、ジエチルエーテルで洗浄して、7−[
2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−ヒドロ
キシイミノアセトアミド]−3−(1,2,4−チアジ
アゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェム−4−
カルボン酸・硫酸塩(シン異性体)(5,6g)を得る
IR(スジう−ル)  ;  1770. 1640.
 1590. 1520  印−INMR(DMSO−
da、δ) i 3.60および3.80 (2H。
ABq、J=18Hz)、 4.40および4.60 
(2H,ABq。
J=14Hz>、 5.20 (IH,d、J=5Hz
)、 5.80 <18゜dd、J−5Hz、 8Hz
)、 6.87 (IH,s)、 8.70(IH,s
)、 9.68 (IH,d、J=8Hz)夫五医旦 (1)7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)
−2−ヒドロキシイミノアセトアミド]−3−(1,2
,4−チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セ
フェム−4−カルボン酸(シン異性体) (10,0g
 )のメタ/ −ル(40mQ )中部濁液に、濃塩酸
(2,0m1)を攪拌下室温で加える。
この溶液をジエチルエーテル(500m11 )中に注
ぐ、沈殿を濾取し、ジエチルエーテルで洗浄して、7−
[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−ヒド
ロキシイミノアセトアミド]−3−(1,2,4−チア
ジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェム−4
−カルボン酸・塩酸塩(シン異性体) (10,6g 
)を得る。
mp : 160−165℃(分解) LR(Xジi−ル)  :  1780. 1680.
 1635. 1530  cm−INMR(DMSO
−ds、l; ) ’ 3.70 (2H1m)、4.
34および4.71 (2H,ABq、J:13Hz)
、 5.21 (1)1.d。
J:5Hz)、 5.80 (IH,dd、J=5Hz
、 8Hz)、 6.87(18,s)、 8.72 
(LH,s)、 9.71 (18,d、に8Hz)(
2)7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−
2−ヒドロキシイミノアセトアミド]−3−(1,2,
4−チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セフ
ェム−4−カルボン酸・塩酸塩(シン異性体) (40
0mg)のアセトニトリル(4mQ )中部濁液を攪拌
下45°Cで2時間力ロ熱する。冷却後、沈殿を濾取し
てアセトニトリルおよびジエチルエーテルで洗浄して、
7−[2−(2−アミツチアゾールー4−イル)−2−
ヒドロキシイミノアセトアミドコ−3−(1,2,4−
チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェム
−4−カルボン酸・塩酸塩(シン異性体)(410mg
)の結晶を得る。この結晶はアセトニトリル1モル当量
を含有する。
mp : 80−84℃ (分解) IR(xジm−x)  ’  3260−3050. 
2240. 1770. 1710゜1650、163
0.1540 cTII−1HMR(DMSO−d6.
δ) : 2.05 (3H,s)、 3.66(2H
,m)、 4.31および4.81 (2H,ABq。
J=13)1z)、 5.14 (IH,d、J=5H
z)、 5.73 (IH。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^1はアミノまたは保護されたアミノ基、 R^2はカルボキシまたは保護されたカルボキシ基、 R^3は水素またはヒドロキシ保護基をそれぞれ意味す
    る] で示されるセフェム化合物およびその塩類。 2)R^1がアミノまたはアル(低級)アルキルアミノ
    、R^2がカルボキシまたはエステル化されたカルボキ
    シ、R^3が水素、アシルまたはテトラヒドロピラニル
    である特許請求の範囲第1項記載の化合物。 3)R^1がアミノ、R^3が水素である特許請求の範
    囲第2項記載の化合物。 4)7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−
    2−ヒドロキシイミノアセトアミド]−3−(1,2,
    4−チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セフ
    ェム−4−カルボン酸(シン異性体)またはそのナトリ
    ウム塩である特許請求の範囲第3項記載の化合物。 5)R^2がエステル化されたカルボキシである特許請
    求の範囲第3項記載の化合物。 6)R^2がアル(低級)アルコキシカルボニルまたは
    低級アルカノイルオキシ(低級)アルコキシカルボニル
    である特許請求の範囲第5項記載の化合物。 7)7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−
    2−ヒドロキシイミノアセトアミド]−3−(1,2,
    4−チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セフ
    ェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(シン異
    性体)である特許請求の範囲第6項記載の化合物。 8)7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−
    2−ヒドロキシイミノアセトアミド]−3−(1,2,
    4−チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セフ
    ェム−4−カルボン酸ピバロイルオキシメチルエステル
    (シン異性体)である特許請求の範囲第6項記載の化合
    物。 9)R^3が低級アルカノイルまたはテトラヒドロピラ
    ニルである特許請求の範囲第2項記載の化合物。 10)7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)
    −2−アセトキシイミノアセトアミド]−3−(1,2
    ,4−チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セ
    フェム−4−カルボン酸(シン異性体)、 7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−
    アセトキシイミノアセトアミド]−3−(1,2,4−
    チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェム
    −4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(シン異性体
    )、および7−[2−(2−テトラヒドロピラニルオ キシイミノ)−2−(2−トリチルアミノチアゾール−
    4−イル)アセトアミド]−3−(1,2,4−チアジ
    アゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェム−4−
    カルボン酸ベンズヒドリルエステル(シン異性体)より
    なる群から選ばれた特許請求の範囲第9項記載の化合物
    。 11)i)式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^2はカルボキシまたは保護されたカルボキ
    シ基を意味する) で示される化合物またはアミノ基におけるその反応性誘
    導体またはその塩を、式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1はアミノまたは保護されたアミノ基、 R^3は水素またはヒドロキシ保護基をそれぞれ意味す
    る) で示される化合物またはカルボキシ基におけるその反応
    性誘導体またはその塩と反応させて、式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1、R^2およびR^3はそれぞれ前と同
    じ意味) で示される化合物またはその塩を得るか; ii)式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1およびR^3はそれぞれ前と同じ意味で
    あり、 R^2_aは保護されたカルボキシ基を意味する)で示
    される化合物またはその塩をカルボキシ保護基の脱離反
    応に付して、式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1およびR^3はそれぞれ前と同じ意味)
    で示される化合物またはその塩を得るか; iii)式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^2およびR^3はそれぞれ前と同じ意味で
    あり、 Xは酸残基を意味する) で示される化合物またはその塩を、式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1は前と同じ意味) で示される化合物と反応させて、式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1、R^2およびR^3はそれぞれ前と同
    じ意味) で示される化合物またはその塩を得るか; iv)式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1およびR^3はそれぞれ前と同じ意味)
    で示される化合物またはその塩をエステル化反応に付し
    て、式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1およびR^3はそれぞれ前と同じ意味で
    あり、 R^2_bはエステル化されたカルボキシ基を意味する
    ) で示される化合物またはその塩を得るか; v)式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1およびR^2はそれぞれ前と同じ意味で
    あり、 R^3_aはヒドロキシ保護基を意味する)で示される
    化合物またはその塩をヒドロキシ保護基の脱離反応に付
    して、式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1およびR^2はそれぞれ前と同じ意味)
    で示される化合物またはその塩を得るか; vi)式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^2およびR^3はそれぞれ前と同じ意味で
    あり、 R^1_aは保護されたアミノ基を意味する)で示され
    る化合物またはその塩をアミノ保護基の脱離反応に付し
    て、式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^2およびR^3はそれぞれ前と同じ意味)
    で示される化合物またはその塩を得るか; vii)式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1、R^2およびR^3はそれぞれ前と同
    じ意味であり、 Yは式: ▲数式、化学式、表等があります▼ で示される基によって置換されうる基を意味する) で示される化合物またはその塩を、式: ▲数式、化学式、表等があります▼ で示される化合物またはメルカプト基におけるその反応
    性誘導体と反応させて、式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1、R^2およびR^3はそれぞれ前と同
    じ意味) で示される化合物またはその塩を得ることを特徴とする
    一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^1、R^2およびR^3はそれぞれ前と同
    じ意味] で示されるセフェム化合物またはその塩類の製法。 12)一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^1はアミノまたは保護されたアミノ基、 R^2はカルボキシまたは保護されたカルボキシ基、 R^3は水素またはヒドロキシ保護基をそれぞれ意味す
    る] で示されるセフェム化合物またはその塩類を有効成分と
    する細菌感染症予防・治療剤。 13)一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^2はカルボキシまたは保護されたカルボキ
    シ基、 Aはメチレンまたは式: >C=N〜OR^3 (式中、R^3は水素またはヒドロキシ保護基を意味す
    る)で示される基、 Xは酸残基を意味する] で示される化合物およびその塩。 14)i)式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^2はカルボキシまたは保護されたカルボキ
    シ基を意味する) で示される化合物またはアミノ基におけるその反応性誘
    導体またはその塩を、式: XCH_2CO−A−COOH [式中、Aはメチレンまたは式: >C=N〜OR^3 (式中、R^3は水素またはヒドロキシ保護基を意味す
    る)で示される基、 Xは酸残基を意味する] で示される化合物またはカルボキシ基におけるその反応
    性誘導体またはその塩と反応させて、式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^2、AおよびXはそれぞれ前と同じ意味) で示される化合物またはその塩を得るか; ii)式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^2およびXはそれぞれ前と同じ意味)で示
    される化合物またはその塩を、ニトロソ化剤と反応させ
    て、式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^2およびXはそれぞれ前と同じ意味)で示
    される化合物またはその塩を得ることを特徴とする一般
    式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^2、XおよびAはそれぞれ前と同じ意味) で示される化合物またはその塩の製法。
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