JPS6232609A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6232609A JPS6232609A JP17187985A JP17187985A JPS6232609A JP S6232609 A JPS6232609 A JP S6232609A JP 17187985 A JP17187985 A JP 17187985A JP 17187985 A JP17187985 A JP 17187985A JP S6232609 A JPS6232609 A JP S6232609A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- aluminum
- photoresist
- aluminum wiring
- sputtered
- Prior art date
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- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ホトマスクから転写されたレジストパター
ンからの寸法シフトを最小限に押さえた金属配線の形成
方法に関するものである。
ンからの寸法シフトを最小限に押さえた金属配線の形成
方法に関するものである。
従来、半導体素子にアルミニューム配線を形成する方法
としては第２図および第３図に示す工程があった。両図
において、（りはエピタキシャル層、（２ンはベース拡
散層、（３丹まエミッタ拡散層、（４）はコンタクト孔
、（５）は酸化膜、（６）はスパッタアルミニューム膜
、（７）はパターニングされたホトレジストである。
としては第２図および第３図に示す工程があった。両図
において、（りはエピタキシャル層、（２ンはベース拡
散層、（３丹まエミッタ拡散層、（４）はコンタクト孔
、（５）は酸化膜、（６）はスパッタアルミニューム膜
、（７）はパターニングされたホトレジストである。
次に、従来のアルミニュームエツチング法について説明
する。まず、第２図（ａ）に示すようＫ、コンタクト孔
（４）の開口後、全面にアルミニューム（６）をスパッ
タし、そしてホトレジスト（７）にてアルミニューム配
線のパターニングを行う。次に、申）図のようにホトレ
ジスト（７）をマスク忙してアルミニューム膜（６）を
りん酸などのエツチング液でエツチングする。ついで、
ホトレジスト膜（７）を除去してアルミニューム配線（
６）の形成工程が完了する（０図参照）。
する。まず、第２図（ａ）に示すようＫ、コンタクト孔
（４）の開口後、全面にアルミニューム（６）をスパッ
タし、そしてホトレジスト（７）にてアルミニューム配
線のパターニングを行う。次に、申）図のようにホトレ
ジスト（７）をマスク忙してアルミニューム膜（６）を
りん酸などのエツチング液でエツチングする。ついで、
ホトレジスト膜（７）を除去してアルミニューム配線（
６）の形成工程が完了する（０図参照）。
同様に第３図（ａ）〜（Ｃ）は、ホトレジスト（７）を
マスクにし、そして塩素系のガス等を用いてアルミニュ
ーム配線（句のドライエツチングを行５工程を示したも
のである。
マスクにし、そして塩素系のガス等を用いてアルミニュ
ーム配線（句のドライエツチングを行５工程を示したも
のである。
従来のアルミニューム配線のエツチング法は、以上のよ
うにスパッタアルミニューム膜（６）と密着性の悪いホ
トレジスト（７）をマスクとしているため、第２図のよ
うにりん酸を用いたウェットエツチングでは、アルミニ
ューム膜（６）のサイドエッチ量６υが大きくなり、し
たがって、アルミニューム配線（６）の幅が狭（なって
しまう。また、第６図のように塩素系ガスを用いたドラ
イエツチングでは、レジスト端σＤが後退しながらエツ
チングが進行するため、アルミニューム配線（６）の仕
上がり寸法は狭くなるという欠点があった。
うにスパッタアルミニューム膜（６）と密着性の悪いホ
トレジスト（７）をマスクとしているため、第２図のよ
うにりん酸を用いたウェットエツチングでは、アルミニ
ューム膜（６）のサイドエッチ量６υが大きくなり、し
たがって、アルミニューム配線（６）の幅が狭（なって
しまう。また、第６図のように塩素系ガスを用いたドラ
イエツチングでは、レジスト端σＤが後退しながらエツ
チングが進行するため、アルミニューム配線（６）の仕
上がり寸法は狭くなるという欠点があった。
この発明は、上記のような従来方法による欠点を除去す
るためになされたもので、アルミニューム膜の全面スパ
ッタ後、その上に酸化膜（Ｓｉｎ２）あるいは窒化膜（
Ｓｉ３Ｎ４）の絶縁膜をスパッタし、そしてホトレジス
トでアルミニューム配線のパターニングを前記の（Ｓｉ
Ｏ２）膜、あるいは（ＳｉｓＮ４）膜上に行うもので、
アルミニューム膜と密着性の良い（Ｓｉ０２）膜または
（Ｓｉ３Ｎ４）膜の絶縁膜をマスクにして、前記アルミ
ニューム膜のエツチングを行なったものである。
るためになされたもので、アルミニューム膜の全面スパ
ッタ後、その上に酸化膜（Ｓｉｎ２）あるいは窒化膜（
Ｓｉ３Ｎ４）の絶縁膜をスパッタし、そしてホトレジス
トでアルミニューム配線のパターニングを前記の（Ｓｉ
Ｏ２）膜、あるいは（ＳｉｓＮ４）膜上に行うもので、
アルミニューム膜と密着性の良い（Ｓｉ０２）膜または
（Ｓｉ３Ｎ４）膜の絶縁膜をマスクにして、前記アルミ
ニューム膜のエツチングを行なったものである。
この発明は上記の工程により、サイドエッチ量を最小限
に押さえたアルミニューム配線の形成が達成できる。
に押さえたアルミニューム配線の形成が達成できる。
以下、この発明の一実施例による工程を図について説明
する。なお、第１図において、第２図および第５図と同
一部分にはこれと同一の符号を付し、その再説明は省略
する。第１図（ａ）〜（ｄ） において、（８）はスパ
ッタアルミニュームＩＩ （６）上にスパッタされた酸
化膜（ＳｉＯｚ）または窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）の絶縁膜
である。
する。なお、第１図において、第２図および第５図と同
一部分にはこれと同一の符号を付し、その再説明は省略
する。第１図（ａ）〜（ｄ） において、（８）はスパ
ッタアルミニュームＩＩ （６）上にスパッタされた酸
化膜（ＳｉＯｚ）または窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）の絶縁膜
である。
次Ｋ、この発明の一実施例によるアルミニューム配線の
形成方法について説明１゛る。ます、第１図（ａ） Ｋ
示すようにコンタクト孔（４）の開孔後、ウェハ全面に
アルミニューム８ｋ ＜６）ヲスバッタシ、続いて（Ｓ
ｉｎ２）膜または（Ｓｉ３Ｎ４）膜の絶縁膜（３）を約
１．０００λの厚さでスパッタする。次ぎにΦ）図のよ
うにアルミニューム配線のバターニングをホトレジスト
（７）で行う。ついで、このホトレジスト（７）をマス
クにして、前記（Ｓｉｎ２）膜または（Ｓｉ３Ｎｎ）膜
の絶ｆｉ ！ （８）を７レオン系ガスにてエツチング
する（０図参照）。次にアルミニューム膜（６）をりん
酸、または塩素系ガスにてエツチングする。最後にホト
レジスト（７）を除去してアルミニューム配線（６）の
形成が完了する（ｄ図参照）。
形成方法について説明１゛る。ます、第１図（ａ） Ｋ
示すようにコンタクト孔（４）の開孔後、ウェハ全面に
アルミニューム８ｋ ＜６）ヲスバッタシ、続いて（Ｓ
ｉｎ２）膜または（Ｓｉ３Ｎ４）膜の絶縁膜（３）を約
１．０００λの厚さでスパッタする。次ぎにΦ）図のよ
うにアルミニューム配線のバターニングをホトレジスト
（７）で行う。ついで、このホトレジスト（７）をマス
クにして、前記（Ｓｉｎ２）膜または（Ｓｉ３Ｎｎ）膜
の絶ｆｉ ！ （８）を７レオン系ガスにてエツチング
する（０図参照）。次にアルミニューム膜（６）をりん
酸、または塩素系ガスにてエツチングする。最後にホト
レジスト（７）を除去してアルミニューム配線（６）の
形成が完了する（ｄ図参照）。
なお、上記実施例では、単一層のアルミニューム配線に
ついて説明したが、これを二層のアルミニューム配線に
ついても上記実施例と同様の効果を奏する。
ついて説明したが、これを二層のアルミニューム配線に
ついても上記実施例と同様の効果を奏する。
以上のように、この発明は、アルミニュームと、より密
着性の良い（Ｓｉｎｇ）膜または（Ｓｉ３Ｎ４） 膜
をマスクにしてアルミニューム膜のエツチングを行うの
で、レジストパターンからの寸法シフトの少ないアルミ
ニューム配線が得られる効果がある。
着性の良い（Ｓｉｎｇ）膜または（Ｓｉ３Ｎ４） 膜
をマスクにしてアルミニューム膜のエツチングを行うの
で、レジストパターンからの寸法シフトの少ないアルミ
ニューム配線が得られる効果がある。
第１図（ａ）〜（ｄ）はこの発明の一実施例によるアル
ミニューム配線の形成工程を示した断面図、第２図（ａ
）〜（Ｃ）はアルミニューム配線をウェットエツチング
する場合の従来の工程図、第３図（ａ）〜（Ｃ）は同じ
くアルミニューム配線をドライエツチングする従来の工
程図であるう 図中、（１）はエピタキシャル層、（２）はベース拡散
層、（３）はエミッタ拡散層、（４）はコンタクト孔、
（５）は酸化膜、（６）はアルミニューム膜、（７）は
ホトレジスト、（８）は５ｉ０２膜またはＳ！３Ｎａ１
９１の絶Ｒ膜である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 第１図 一一一＼−−１ 一一一＼−−Ｉ ５Ｃピ丸イと１月美 第２因 ＄１
ミニューム配線の形成工程を示した断面図、第２図（ａ
）〜（Ｃ）はアルミニューム配線をウェットエツチング
する場合の従来の工程図、第３図（ａ）〜（Ｃ）は同じ
くアルミニューム配線をドライエツチングする従来の工
程図であるう 図中、（１）はエピタキシャル層、（２）はベース拡散
層、（３）はエミッタ拡散層、（４）はコンタクト孔、
（５）は酸化膜、（６）はアルミニューム膜、（７）は
ホトレジスト、（８）は５ｉ０２膜またはＳ！３Ｎａ１
９１の絶Ｒ膜である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 第１図 一一一＼−−１ 一一一＼−−Ｉ ５Ｃピ丸イと１月美 第２因 ＄１
Claims (1)
- （１）ウェハ上にアルミニューム配線を形成する方法に
おいて、スパッタアルミニューム膜上に該アルミニュー
ムと密着性の良い（ＳｉＯ＿２）または（Ｓｉ＿３Ｎ＿
４）等の絶縁膜をスパッタし、次にこの絶縁膜の上にホ
トレジストで前記アルミニューム配線のパターニングを
行い、次に前記ホトレジストをマスクにして前記スパッ
タアルミニューム膜および絶縁膜をエッチングすること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17187985A JPS6232609A (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17187985A JPS6232609A (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6232609A true JPS6232609A (ja) | 1987-02-12 |
Family
ID=15931485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17187985A Pending JPS6232609A (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6232609A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5854134A (en) * | 1997-05-05 | 1998-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Passivation layer for a metal film to prevent metal corrosion |
| US6528411B2 (en) * | 1997-02-27 | 2003-03-04 | Nec Corporation | Semiconductor device and method of its fabrication |
| JP2010129684A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Canon Inc | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
-
1985
- 1985-08-06 JP JP17187985A patent/JPS6232609A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6528411B2 (en) * | 1997-02-27 | 2003-03-04 | Nec Corporation | Semiconductor device and method of its fabrication |
| US5854134A (en) * | 1997-05-05 | 1998-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Passivation layer for a metal film to prevent metal corrosion |
| JP2010129684A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Canon Inc | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
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