JPS62289818A - Driving method for optical modulation element - Google Patents
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Landscapes
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- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
[産業上の利用分野コ
本発明は、表示パネルのための光学変調素子の駆動法に
関し、詳しくは双安定性を有する液晶物質、特に強誘電
性液晶を用いた表示パネル、とくに階調表示に適した液
晶光学素子の駆動法に関する。Detailed Description of the Invention 3. Detailed Description of the Invention [Industrial Field of Application] The present invention relates to a method for driving an optical modulation element for a display panel, and more particularly relates to a method for driving an optical modulation element for a display panel. This invention relates to a method for driving a display panel using dielectric liquid crystal, particularly a liquid crystal optical element suitable for gradation display.
[従来の技術]
従来のアクティブマトリクス駆動方式を用いた液晶テレ
ビジョンパネルでは、薄膜トランジスタ(TPT)を画
素毎のマトリクス配置し、TPTにゲートオンパルスを
印加してソースとドレイン間を導通状態とし、このとき
映像画像信号がソースから印加され、キャパシタに蓄積
され、この蓄積された画像信号に対応して液晶(例えば
ツィステッド・ネマチック、 TN−液晶)が駆動し、
同時に映像信号の電圧を変調することによって階調表示
が行なわれている。[Prior Art] In a liquid crystal television panel using a conventional active matrix driving method, thin film transistors (TPTs) are arranged in a matrix for each pixel, and a gate-on pulse is applied to the TPTs to bring the source and drain into a conductive state. At this time, a video image signal is applied from the source and stored in the capacitor, and a liquid crystal (for example, twisted nematic, TN-liquid crystal) is driven in response to this stored image signal.
At the same time, gradation display is performed by modulating the voltage of the video signal.
C発明が解決しようとする問題点]
しかし、この様なTN液晶を用いたアクティブマトリク
ス駆動方式のテレビジョンパネルでは、使用するTPT
が複雑な構造を有しているため、構造工程数が多く、高
い製造コストがネックとなっているうえに、TPTを構
成している薄膜半導体(例えば、ポリシリコン、アモル
ファスシリコン)ヲ広い面積に亘って被膜形成すること
が難しいなどの問題点がある。[Problems to be solved by invention C] However, in active matrix drive type television panels using such TN liquid crystals, the TPT used is
Because TPT has a complicated structure, the number of structural steps is large, and high manufacturing costs are a bottleneck.In addition, the thin film semiconductors (e.g., polysilicon, amorphous silicon) that make up TPT cannot be spread over a large area. There are problems such as difficulty in forming a film over the entire area.
一方、低い製造コストで製造できるものとじて7N液晶
を用いたパッシブマトリックス駆動方式の表示パネルが
知られているが、この表示パネルでは走査線(N)が増
大するに従って、1画面(1フレーム)を走査する間に
1つの選択点に有効な電界が印加されている時間(デユ
ーティ−比)が1/Nの割合で減少し、このためクロス
)−りが発生し、しかも高コントラストの画像とならな
いなどの欠点を有している上、デユーティ−比が低くな
ると各画素の階調を電圧変調により制御することが難し
くなるなど、高密度配線数の表示パネル、特に液晶テレ
ビジョンパネルには適していない。On the other hand, a display panel using a passive matrix drive method using 7N liquid crystal is known as a device that can be manufactured at a low manufacturing cost, but in this display panel, as the number of scanning lines (N) increases, During scanning, the time during which an effective electric field is applied to one selected point (duty ratio) decreases at a rate of 1/N, resulting in cross-resistance and high-contrast images. In addition, when the duty ratio becomes low, it becomes difficult to control the gradation of each pixel by voltage modulation, so it is not suitable for display panels with high density wiring, especially LCD television panels. Not yet.
本発明の目的は、このような問題点に鑑みて、広い面積
に亘って高密度画素をもつ表示パネルの駆動方法、特に
、階調表示に適した光学変調素子の駆動方法を提供する
ことにある。In view of these problems, an object of the present invention is to provide a method for driving a display panel having high-density pixels over a wide area, and in particular, a method for driving an optical modulation element suitable for gradation display. be.
[問題点を解決するための手段]
本発明は、第1の基板に導電膜及びその導電膜に接続し
た2本以上の電送電極を備え、第2の基板に前記電送電
極と交差させて対向配置した複数リストライプ状電極も
しくは導電膜及びその導電膜に接続した2本以上の電送
電極を備え、前記第1の基板と第2の基板との間に配置
された光学変調物質とを有し、前記電送電極に順次走査
階調信号を印加すると共に該順次走査階調信号を印加し
ていない電送電極を基準電位点に接続し、前記ストライ
プ状電極もしくは電送電極に順次走査階調信号と同期し
て階調情報を有する走査信号を印加する光学変調素子の
駆動方法であって、基準電位点に固定バイアス電圧もし
くは階調信号に比例したバイアス電圧を付与することを
特徴とするものである。[Means for Solving the Problems] The present invention provides a first substrate with a conductive film and two or more transmission electrodes connected to the conductive film, and a second substrate with a conductive film and two or more transmission electrodes that intersect and face each other. comprising a plurality of restripe-shaped electrodes or conductive films arranged and two or more transmission electrodes connected to the conductive films, and an optical modulation material disposed between the first substrate and the second substrate. , Applying a sequential scanning gradation signal to the transmission electrodes, and connecting the transmission electrodes to which the sequential scanning gradation signal is not applied to a reference potential point, and synchronizing with the sequential scanning gradation signal to the striped electrode or the transmission electrode. This is a method of driving an optical modulation element in which a scanning signal having gradation information is applied to a reference potential point, and the method is characterized in that a fixed bias voltage or a bias voltage proportional to a gradation signal is applied to a reference potential point.
本発明で使用される光学変調物質としては、加えられる
電界に応じて第1の光学的安定状態、(例えば明状態を
形成するものとする)と第2の光学的安定状態(例えば
暗状態を形成するものとする)を有する、すなわち電界
に対する少なくとも2つの安定状態を有する物質、特に
このような性質を有する液晶が用いられる。The optical modulating substance used in the present invention has a first optically stable state (for example, a bright state) and a second optically stable state (for example, a dark state) depending on the applied electric field. ), that is to say has at least two stable states with respect to an electric field, in particular liquid crystals having such properties are used.
本発明の駆動法で用いることができる双安定性を有する
液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメクチック
液晶が最も好ましく、そのうちカイラルスメクチックC
相(SmC・)、H相(SmHつ、1相(Sm!”)
、 F相(SmF”)やG相(SmG・)の液晶が適し
ている。この強誘電性液晶については、“ル・ジュルナ
ール・ド・フィジイク・レットル”(LE JOURN
AL DE PHYSIQUELETTRE″)第36
巻(L−f79)1975年の「フェロエレク ト
リ ッ り ・ リ キ ッ ド ・
り リ ス タ ル ス 」(rFerroe
lectric Liquid Crystals’)
; “アプライド・フィジイックス・レターズ″(
AppliedPhysics Letters″)第
36巻、第11号、 1980年の「サブミクロ・セカ
ンド・バイスティプル・エレクトロオプティック・スイ
ッチング・イン・す+−/ド・クリスタ/l/ スJ
(rsubmicro 5econdBistable
Electrooptic Switching i
n LiquidCrystals’) ; ”固体物
理113 (141) 1981 r液晶」等に記載
されており、本発明ではこれらに開示された強誘電性液
晶を用いることができる。As the liquid crystal having bistability that can be used in the driving method of the present invention, chiral smectic liquid crystal having ferroelectricity is most preferable, and among these, chiral smectic liquid crystal
Phase (SmC・), H phase (SmH, 1 phase (Sm!”)
, F-phase (SmF) or G-phase (SmG) liquid crystals are suitable.This ferroelectric liquid crystal is described in "Le JOURNARD DE Physique L'Etre" (LE JOURN).
36th
Volume (L-f79) 1975 “Ferroelect
LIQUID LIQUID
``Ristas'' (rFerroe)
electric Liquid Crystals')
; “Applied Physics Letters” (
Applied Physics Letters'' Volume 36, No. 11, 1980
(rsubmicro 5econdBistable
Electrooptic Switching i
ferroelectric liquid crystals disclosed in these publications can be used in the present invention.
より具体的には、本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−P′−ア
ミノ−2−メチルブチルシンナメート(DOBAMB−
C) 、ヘキシルオキシベンジリデン−P′−アミノ−
2−クロロプロピルシンナメート(HOBACPC)お
よび4−o−(2−メチル)−ブチルレゾルシリテン−
4′−オクチルアニリン(MBRA8)等が挙げられる
。More specifically, an example of a ferroelectric liquid crystal compound used in the method of the present invention is decyloxybenzylidene-P'-amino-2-methylbutylcinnamate (DOBAMB-
C), hexyloxybenzylidene-P'-amino-
2-Chloropropyl cinnamate (HOBACPC) and 4-o-(2-methyl)-butylresolsiliten-
Examples include 4'-octylaniline (MBRA8).
これらの材料を用いて、素子を構成する場合、液晶化合
物が、SmC”、 SmH傘、SmI”、 SmF”、
SmG”となるような温度状態に保持する為、必要に
応じて素子をヒーターが埋め込まれた銅ブロック等によ
り支持することができる。When constructing an element using these materials, the liquid crystal compound may be SmC", SmH umbrella, SmI", SmF",
In order to maintain the temperature state such that SmG'', the element can be supported by a copper block or the like in which a heater is embedded, if necessary.
第13図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたも
ノテある。101と101’は、In203 、5n0
2やITO(インジウム−ティン−オキサイド)等の透
明電極がコートされた基板(ガラス板)であり、その間
に液晶分子層102がガラス面に垂直になるよう配向し
たS!lCI相の液晶が封入されている。太線で示した
線103が液晶分子を表わしており、この液晶分子10
3は、その分子に直交した方向に双極子モーメン) C
P、)104を有している。基板101と101′上の
電極間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子
103のらせん構造がほどけ、双極子モーメン)(P工
)104はすべて電界方向に向くよう、液晶分子103
の配向方向を変えることができる。液晶分子103は細
長い形状を有しており、その長袖方向と短軸方向で屈折
率異方性を示し、従って例えばガラス面の上下に互いに
クロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置けば、電
圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調素子
となることは、容易に理解される。さらに液晶セルの厚
さを充分に薄くした場合(例えば1ル)には、第14図
に示すように電界を印加していない状態でも液晶分子の
らせん構造はほどけ(非らせん構造)、その双極子モー
メントP又はP′は上向き(114)又は下向き(11
4’)のどちらかの配向状′態をとる。このようなセル
に第14図に示す如く一定の閾値以上の極性の異る電界
EはE′を付与すると、双極子モーメント電界E又はE
′の電界ベクトルに対応して上向き114又は下向き1
14′と向きを変え、それに応じて液晶分子は第1の安
定状態113(明状態)か或は第2の安定状態113’
(暗状態)の何れか一方に配向する。Note that FIG. 13 schematically depicts an example of a ferroelectric liquid crystal cell. 101 and 101' are In203, 5n0
It is a substrate (glass plate) coated with a transparent electrode such as 2 or ITO (indium tin oxide), between which a liquid crystal molecular layer 102 is oriented perpendicular to the glass surface. A lCI phase liquid crystal is sealed. A thick line 103 represents a liquid crystal molecule, and this liquid crystal molecule 10
3 is a dipole moment in the direction perpendicular to the molecule) C
P, ) 104. When a voltage higher than a certain threshold is applied between the electrodes on the substrates 101 and 101', the helical structure of the liquid crystal molecules 103 is unraveled, and the liquid crystal molecules 103 are twisted so that all dipole moments (P) 104 are oriented in the direction of the electric field.
The orientation direction can be changed. The liquid crystal molecules 103 have an elongated shape and exhibit refractive index anisotropy in the long axis direction and the short axis direction. Therefore, for example, if polarizers are placed above and below the glass surface in a crossed nicol positional relationship, It is easily understood that this is a liquid crystal optical modulation element whose optical characteristics change depending on the polarity of applied voltage. Furthermore, when the thickness of the liquid crystal cell is made sufficiently thin (for example, 1 µl), the helical structure of the liquid crystal molecules unravels (non-helical structure) even when no electric field is applied, as shown in Figure 14, and the bipolar structure The child moment P or P' is directed upward (114) or downward (11
4'). As shown in FIG. 14, when an electric field E with different polarity above a certain threshold value is applied to such a cell, the dipole moment electric field E or E
114 upward or 1 downward corresponding to the electric field vector of '
14', and accordingly the liquid crystal molecules are in the first stable state 113 (bright state) or in the second stable state 113'.
(dark state).
この様な強誘電性液晶を光学変調素子として用いること
の利点は2つある。第1に応答速度が極めて速いこと、
第2に液晶分子の配向が双安定性を有することである。There are two advantages to using such a ferroelectric liquid crystal as an optical modulation element. First, the response speed is extremely fast.
Second, the alignment of liquid crystal molecules has bistability.
第2の点を例えば第14図によって説明すると、電界E
を印加すると液晶分子は第1の安定状態113に配向す
るが、この状態は電界を切ってもこの第1の安定状態1
13が維持され、又逆向きの電界E′を印加すると、液
晶分子は第2の安定状態113’に配向してその分子の
向きを変えるが、やはり電界を切ってもこの状態に保ち
、それぞれの安定状態でメモリー機能を有している。こ
のような応答速度の速さと、双安定性が有効に実現され
るには、セルとしては出来るだけ薄い方が好ましく、一
般的には0.5ル〜20ル、特にIg〜5ルが適してい
る。この種の強誘電性液晶を用いたマトリクス電極構造
を有する液晶−電気光学装置は、例えばクラークとラガ
バルにより、米国特許第4.387.924号明細書で
提案されている。To explain the second point with reference to FIG. 14, for example, the electric field E
When the electric field is applied, the liquid crystal molecules are aligned in the first stable state 113, but this state remains unchanged even when the electric field is cut off.
13 is maintained and an electric field E' in the opposite direction is applied, the liquid crystal molecules align to the second stable state 113' and change their orientation, but they remain in this state even after the electric field is cut off, and each It has a memory function in a stable state. In order to effectively realize such fast response speed and bistability, it is preferable for the cell to be as thin as possible, and generally 0.5 to 20 l, particularly Ig to 5 l is suitable. ing. A liquid crystal-electro-optical device having a matrix electrode structure using ferroelectric liquid crystals of this kind has been proposed by Clark and Ragabal in US Pat. No. 4,387,924, for example.
[作 用]
すなわち本発明は、第1の導電膜を有する第1の基板と
、前記第1の導電膜に対向する第2の導電膜を有する第
2の基板と、前記第1の基板と第2の基板との間に配置
した光学変調物質とを有し、第1の導電膜又は第1の導
電膜及び第2の導電膜の面内に電位勾配を形成し、第1
の導電膜又は第2の導電膜に階調情報を有する信号を印
加する光学変調素子の駆動法に特徴を有している。すな
わち、本発明は1つの画素を構成する相対向する2つの
導電膜の少なくとも一方に面内で電位勾配を付与し、他
方の導電膜に階調に階調に応じた波高値のパルス信号あ
るいは階調に応じたパルス幅又はパルス数の信号を印加
し、画素内で反転閾値電圧を越えた領域と越えない領域
を形成することによって階調性を表現する。[Function] That is, the present invention includes a first substrate having a first conductive film, a second substrate having a second conductive film facing the first conductive film, and the first substrate. an optical modulating substance disposed between the first conductive film and the second conductive film;
The optical modulation element is characterized by a method of driving the optical modulation element in which a signal having gradation information is applied to the conductive film or the second conductive film. That is, the present invention applies an in-plane potential gradient to at least one of two opposing conductive films constituting one pixel, and applies a pulse signal or a pulse signal having a peak value corresponding to the gray scale to the other conductive film. The gradation is expressed by applying a signal with a pulse width or number of pulses corresponding to the gradation, and forming regions within the pixel where the inversion threshold voltage is exceeded and regions where the inversion threshold voltage is not exceeded.
本発明は、この領域の設定をバイアス電圧の付与によっ
て行うもので、バイアス電圧と階調とを対応させること
により液晶の反転を制御する。In the present invention, this area is set by applying a bias voltage, and the inversion of the liquid crystal is controlled by making the bias voltage correspond to the gradation.
[実施例] 以下、本発明の実施例を図面と共に詳細々説明する。[Example] Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第1図は、本発明に使用される光学変調素子の一実施例
を示す斜視図である。第1図において、1は一方の基板
で、2はその基板l上に積層されている表示導電膜であ
る。3は低抵抗の金属フィルムから成る電送電極で、前
記表示導電膜2上に等間隔で平行に並んで積層されてい
る。又、基板上に対して、他方の基板(図示せず)が対
向していて、該他方の基板上に、対向導電膜(又は対向
電極)4が前記電送電極3と交差配置され、その交差部
分に画素領域Aが形成されている1表示導電膜2と対向
導電II! 4との間には、前記光学変調物質がサンド
イッチされている。FIG. 1 is a perspective view showing one embodiment of an optical modulation element used in the present invention. In FIG. 1, 1 is one substrate, and 2 is a display conductive film laminated on the substrate l. Reference numeral 3 denotes transmission electrodes made of a low-resistance metal film, which are laminated in parallel on the display conductive film 2 at equal intervals. Further, another substrate (not shown) is opposed to the substrate, and a counter conductive film (or counter electrode) 4 is arranged to intersect with the transmission electrode 3 on the other substrate. 1 display conductive film 2 and opposing conductive film II in which pixel region A is formed! 4, the optical modulating material is sandwiched between them.
上記のように構成された液晶光学素子では、電送電極3
に印加された信号電圧により表示用導電膜20面内に電
位勾配を付与することによって、対向電極4との間の電
界に電位差勾配を生じさせる。この際、電送電極3a及
び3cを基準電位点VE (例えばOポルト)に接続
し、別な電送電極3bに所定の信号電圧Vaを印加する
と、第2図(a)に示すように、電送電極3a及び3b
間、3b及び3C間の導電膜2の面内の長さ方向L1と
L2にVaの電位勾配を付与することができる。このと
き強誘電性液晶の反転閾値電圧VthをVa として、
対向電極4に−Vbを印加すると、第2図(b)に示す
ように導電膜2の面内の長さ方向ml とmlに対応す
る強誘電性液晶に反転閾値電圧Vth以上の電位差v、
+vbが印加されることになり、かかるml とml
に対応した領域が例えば明状態から暗状態に反転するこ
とができる。In the liquid crystal optical element configured as described above, the transmission electrode 3
By applying a potential gradient within the surface of the display conductive film 20 by the signal voltage applied to the display conductive film 20, a potential difference gradient is generated in the electric field between the display conductive film 20 and the counter electrode 4. At this time, when the transmission electrodes 3a and 3c are connected to the reference potential point VE (for example, O port) and a predetermined signal voltage Va is applied to another transmission electrode 3b, the transmission electrode 3a and 3b
A potential gradient of Va can be applied in the in-plane length directions L1 and L2 of the conductive film 2 between 3b and 3C. At this time, the inversion threshold voltage Vth of the ferroelectric liquid crystal is set as Va,
When -Vb is applied to the counter electrode 4, as shown in FIG. 2(b), a potential difference v greater than the inversion threshold voltage Vth between the in-plane length direction ml of the conductive film 2 and the ferroelectric liquid crystal corresponding to ml,
+vb will be applied, and the resulting ml and ml
For example, the area corresponding to the area can be inverted from a bright state to a dark state.
従って、本発明では、画素毎に階調に応じた値でVbを
印加することにより階調性を表現することができる。こ
の際、対向電極4に印加する電圧信号−Vbを階調情報
に応じてその電圧値を変調させてもよく、又は階調情報
に応じてそのパルス幅を変調させてもよく、もしくはそ
のパルス数を変調することによっても階調性を制御する
ことができる。Therefore, in the present invention, gradation can be expressed by applying Vb to each pixel at a value corresponding to the gradation. At this time, the voltage value of the voltage signal -Vb applied to the counter electrode 4 may be modulated according to the gradation information, or the pulse width may be modulated according to the gradation information, or the pulse width may be modulated according to the gradation information. The gradation can also be controlled by modulating the number.
又、本発明では、前記階調信号を印加するに先立って、
画素を明状態か暗状態のいずれか一方の状態にする消去
ステップを経てのち、その状態を反転させる反転電圧が
階調に応じて制御されて、強誘電性液晶に印加されるよ
うにしておくことが必要である。Further, in the present invention, prior to applying the gradation signal,
After going through an erasing step that puts the pixel into either a bright state or a dark state, an inversion voltage that reverses that state is controlled according to the gradation and applied to the ferroelectric liquid crystal. It is necessary.
但し、実際には、クロストークを防止するために、va
<VthかつVbくvthでなければならない。従って
、第2図(b)において、ml<Ll 、mlくL2と
なり、電極3a及び3Cの近傍では、Va +Vb <
Vthとなり、この部分では、液晶が反転動作をしなく
なる。However, in reality, to prevent crosstalk, va
<Vth and Vb <vth. Therefore, in FIG. 2(b), ml<Ll, ml<L2, and in the vicinity of electrodes 3a and 3C, Va +Vb<
Vth, and the liquid crystal no longer performs inversion operation in this portion.
これを防ぐため、本発明では第3図に示すように、前記
電送電極のうち1本おきに、例えば3aと30とをまと
めて3eとし、この3eを固定バイアス電圧VE (
図示せず)に接続する。但し、クロストークを防止する
ために、VE<Vthでなければならない。In order to prevent this, in the present invention, as shown in FIG. 3, every other transmission electrode, for example, 3a and 30 are combined into 3e, and this 3e is set to a fixed bias voltage VE (
(not shown). However, in order to prevent crosstalk, VE<Vth must be satisfied.
このようにすると、電送電極3a及び3b間、3b及び
3C間には、第4図(a)に示すような電位勾配を生じ
る6次に第1図における対向電極4に−Vbを印加する
と、第4図におけるLlとL2の領域には、図(b)に
示すような電位勾配が印加される。ここでVb <Vt
h、VE <Vthであるが、vb+■E>vthとな
るようにvb及びVEを選択することができ、従ってL
l、L2の全領域にわたってVa+vfi +VE >
Vthという条件が達成され、全領域を有効な画素領域
とし、実効的な開口率を大にすることができる。In this way, a potential gradient as shown in FIG. 4(a) is generated between the transmission electrodes 3a and 3b, and between 3b and 3C. When -Vb is applied to the opposing electrode 4 in FIG. A potential gradient as shown in FIG. 4(b) is applied to the regions L1 and L2 in FIG. Here, Vb <Vt
h, VE <Vth, but vb and VE can be selected so that vb+■E>vth, so L
Va + vfi + VE over the entire region of l, L2 >
The condition of Vth is achieved, the entire area becomes an effective pixel area, and the effective aperture ratio can be increased.
上記の方法は、第3図における基準点3eを、第5図(
a)に示す点3e’に接続し、V[が前記固定バイアス
である場合であるが、本発明による別な方法として、前
記基準点3eを第5図(b)に示す点38″に接続し、
固定抵抗R[を介設する方法がある。但し、固定抵抗R
Eに対する制約条件として、クロストーク防止のために
、第4図において、V、+VE <Vthでなければな
らない。又、V、は走査信号もしくは階調信号であるか
ら実際にはVaの最大値VaffiaxはVallaX
≦Vthとなる。In the above method, the reference point 3e in FIG.
If V death,
There is a method of interposing a fixed resistor R[. However, fixed resistance R
As a constraint on E, in FIG. 4, in order to prevent crosstalk, V, +VE <Vth. Also, since V is a scanning signal or a gradation signal, the maximum value of Va, Vaffiax, is actually VallaX
≦Vth.
従って、vE としては、次に示すような条件を満たす
ことが望ましい。Therefore, it is desirable for vE to satisfy the following conditions.
0<VE ≦Vth/2
又、第3図において、電極3b及び3eの間の電気抵抗
をRaとしたとき、■[とvaとの関係は次のとおりで
ある。0<VE≦Vth/2 Furthermore, in FIG. 3, when the electrical resistance between the electrodes 3b and 3e is Ra, the relationship between ■[ and va is as follows.
VE =RE / (Ra +RE ) ・V。VE = RE / (Ra + RE) ・V.
即ち、vaを階調信号としたときバイアス値vEは階調
信号■aに比例する。又、前記V[の好ましい制約条件
を考慮すると、V、<Vthだから、
VE =RE / (Ra +RE )
・ Va ≦Vth/2より、RE <Ra となり
、より好ましくは、例えばVE = Vth/10 ト
t 6 (!l”、又、V E + V6 < Vth
ヨリRE < Ra/8 トナ6゜即ち、バイアス電圧
Vεを与える固定抵抗Rεは電送電極とその両隣の電送
電極との間の合成抵抗の1/8よりも小さいことが望ま
しい。That is, when va is a grayscale signal, the bias value vE is proportional to the grayscale signal ■a. Also, considering the preferable constraint conditions of V[ mentioned above, since V, < Vth, VE = RE / (Ra + RE)
- Since Va ≦Vth/2, RE < Ra, and more preferably, for example, VE = Vth/10 t 6 (!l”, or VE + V6 < Vth
In other words, the fixed resistance Rε that provides the bias voltage Vε is desirably smaller than 1/8 of the combined resistance between the transmission electrode and the transmission electrodes on both sides thereof.
以上述べたように、本発明では、バイアス電圧vEを設
けることにより実効的な開口率の増大をはかることがで
きる。As described above, in the present invention, by providing the bias voltage vE, it is possible to increase the effective aperture ratio.
さらに、未発゛明の好ましい具体例を挙げて説明する。Further, a description will be given of a yet-to-be-discovered preferred specific example.
第1図におけるガラス基板l上に、スパッタリング法に
よって、約20OAの厚さの5n02膜の透明導電膜を
形成し、表示用導電膜2とした。この5n02膜のシー
ト抵抗は106Ω/口であった。次に、100OA厚で
Aβを前記5n02膜上に真空蒸着し、再びパターニン
グすることにより第1図の如く電送電極3を複数本形成
した0本実施例では、電送電極3の間隔を230ルとし
た。この電送電極3のシート抵抗は約0.4Ω/口であ
り、その幅を約201Lとした。一方、対向基板には領
域AをカバーするようなITO膜を対向電極4として設
けた。この対向電極4となるITO膜のシート抵抗は約
20Ω/口であった。A transparent conductive film of 5n02 with a thickness of about 20 OA was formed on the glass substrate l shown in FIG. 1 by sputtering to form a display conductive film 2. The sheet resistance of this 5n02 film was 106Ω/mouth. Next, Aβ was vacuum-deposited to a thickness of 100 Å on the 5n02 film and patterned again to form a plurality of transmission electrodes 3 as shown in FIG. did. The sheet resistance of this electrical transmission electrode 3 was about 0.4Ω/hole, and its width was about 201L. On the other hand, an ITO film covering area A was provided as a counter electrode 4 on the counter substrate. The sheet resistance of the ITO film serving as the counter electrode 4 was about 20Ω/hole.
このようにして作成された2つの基板のそれぞれの表面
に、液晶配向膜として約50OAのポリビニルアルコー
ル層を形成し、ラビング処理を施した。A polyvinyl alcohol layer of about 50 OA was formed as a liquid crystal alignment film on the surface of each of the two substrates thus created, and a rubbing treatment was performed.
次に、2つの基板を対向させ、間隙が約1延となるよう
に調節し、強誘電性液晶(p−η−オクチルオキシ安息
香酸−p’−(2−メチルブチルオキシ)フェニルエス
テルとp−η−7ニルオキシ安息香m−p’−(2−メ
チルブチルオキシ)フェニルエステルを主成分とした液
晶組成物)を注入した。表示用導電膜2と対向電極4と
が重なる部分画素Aの形状は230 gX230 gで
あって、液晶注入後の静電容量は約3PFであった。但
し、画素Aの幅はI、+/2 + L2/2とした。そ
して、このように形成した液晶セルの両側に、偏光板を
クロスニコルに配設し、光学特性を観察した。Next, the two substrates were placed facing each other, the gap was adjusted to about 1 mm, and the ferroelectric liquid crystal (p-η-octyloxybenzoic acid-p'-(2-methylbutyloxy) phenyl ester) and p -η-7nyloxybenzoic m-p'-(2-methylbutyloxy)phenyl ester-based liquid crystal composition) was injected. The shape of the partial pixel A where the display conductive film 2 and the counter electrode 4 overlapped was 230 g x 230 g, and the capacitance after the liquid crystal was injected was about 3PF. However, the width of pixel A was set to I, +/2 + L2/2. Then, polarizing plates were arranged in a crossed nicol configuration on both sides of the liquid crystal cell formed in this way, and the optical characteristics were observed.
第6図は、電気信号の印加方法を示した模式的であって
、基板1上に表示用導電膜2が形成され、更にその上に
電送電極3が配置されていて、対向基板61に対向導電
[82が形成され、2つの基板間に強誘電性液晶83を
挟持している。対向導電膜62は第1の駆動回路64に
接続され、表示用導電膜2又は電送電極3は第2の駆動
回路65に接続されている。抵抗68は第5図で示した
バイアス電圧vEを与える固定抵抗REで、8oΩとし
た。第7図は第6図の駆動回路64で発生するシグナル
(a)の波形を表し、第8図は第6図の駆動回路65で
発生するシグナル(b)の波形を表わしている。FIG. 6 is a schematic diagram showing a method of applying an electric signal, in which a display conductive film 2 is formed on a substrate 1, a power transmission electrode 3 is further arranged on it, and a counter substrate 61 is provided with an electrically conductive film 2. A conductive layer 82 is formed, and a ferroelectric liquid crystal 83 is sandwiched between the two substrates. The counter conductive film 62 is connected to a first drive circuit 64 , and the display conductive film 2 or the power transmission electrode 3 is connected to a second drive circuit 65 . The resistor 68 is a fixed resistor RE that provides the bias voltage vE shown in FIG. 5, and is 80Ω. 7 shows the waveform of the signal (a) generated in the drive circuit 64 of FIG. 6, and FIG. 8 shows the waveform of the signal (b) generated in the drive circuit 65 of FIG.
さて、シグナル(a)として−12V 、 200IL
secパルス、シグナル(b)として8V、200μs
ecパルスを予め同期して(これを消去パルスと呼ぶ)
与える消去ステップを設けると、液晶は第1の安定状態
にスイッチングされ、画素A全体が明状態となる(この
ようにクロス偏光板を配置した)。この状態より、第8
図(a)〜(e)に示されるような種々のパルスをシグ
ナル(b)として電送電極3に印加した第7図のパルス
に同期させて対向電極4に与えたときの画素Aの光学的
状態を第9図に示す。Now, as signal (a) -12V, 200IL
sec pulse, 8V as signal (b), 200μs
Synchronize the ec pulse in advance (this is called an erase pulse)
With the erase step provided, the liquid crystal is switched to the first stable state, and the entire pixel A is in the bright state (so arranged the cross polarizers). From this state, the 8th
The optical characteristics of pixel A when various pulses as shown in Figures (a) to (e) are applied to the counter electrode 4 in synchronization with the pulse shown in Figure 7 which is applied to the transmission electrode 3 as a signal (b). The state is shown in FIG.
パルス印加電圧が第8図(a)に示す一2■の場合及び
第8図(b)に示す一5vの場合には、第9図(a)に
示すように明状態31からの変化は全く生じないが、パ
ルス印加電圧が第8図(C)に示す一8’Vの場合には
、電送電極3の近傍の液晶は第91N(b)に示すよう
に暗状態92ヘスイツチングする。When the pulse applied voltage is -2V as shown in FIG. 8(a) and -5V as shown in FIG. 8(b), the change from the bright state 31 is as shown in FIG. 9(a). Although this does not occur at all, when the pulse applied voltage is 18'V as shown in FIG. 8(C), the liquid crystal near the transmission electrode 3 switches to the dark state 92 as shown in No. 91N(b).
更に、印加電圧を第8図(d)に示す一14Vと長くし
た場合には、暗状態92の領域は第9図(C)に示すよ
うに広くなり、印加電圧を第8図(e)に示す20Vで
は、第9図(c)に示すように、画面A全体が暗状態9
2にスイッチングされる。このようにして、階調性のあ
る画像を電極間全面にわたって形成することができる。Furthermore, when the applied voltage is increased to -14V as shown in FIG. 8(d), the area of the dark state 92 becomes wider as shown in FIG. 9(C), and the applied voltage is increased to 14 V as shown in FIG. 8(e). At 20V shown in FIG. 9(c), the entire screen A is in a dark state 9.
Switched to 2. In this way, an image with gradation can be formed over the entire area between the electrodes.
又、第1θ図に示されるような三角波のシグナル(a)
と第11図(a)〜(e)に示されるような種々のパル
ス幅の異なるシグナル(b)とを同期して与えたときで
も、前記第9図に図示した光学的状態変化を示すことが
できる。この際、第10図に示すパルスを電送電極に印
加し、このパルスと同期して第11図(a)〜(e)に
示すパルスを階調に応じて対向電極4に印加することに
よって、階調性を表現することができる。Also, a triangular wave signal (a) as shown in Figure 1θ
Even when signals (b) with various pulse widths as shown in FIGS. 11(a) to (e) are applied synchronously, the optical state change shown in FIG. 9 can be shown. Can be done. At this time, by applying the pulse shown in FIG. 10 to the transmission electrode, and in synchronization with this pulse, applying the pulse shown in FIGS. 11(a) to (e) to the counter electrode 4 according to the gradation, It is possible to express gradation.
尚、第6図に示した本実施例の液晶83は、強誘電性液
晶であって、更に好ましくは双安定状態下のカイラルス
メクチック液晶である。The liquid crystal 83 of this embodiment shown in FIG. 6 is a ferroelectric liquid crystal, more preferably a chiral smectic liquid crystal in a bistable state.
又、本発明の電送電極3及び対向電極4としては、アル
ミニウム(Ai’)の他に、金、銀、銅、クロムなどの
金属を使用することができ、好ましくはそのシート抵抗
を102Ω/口以下とする。更に又、電位勾配が付与さ
れる導電膜2としては10 KΩ/口〜IMΩ/口のシ
ート抵抗をもつ透明導電膜を用いることができる。かか
るシート抵抗。Further, as the transmission electrode 3 and the counter electrode 4 of the present invention, metals such as gold, silver, copper, chromium, etc. can be used in addition to aluminum (Ai'), and preferably the sheet resistance thereof is 102Ω/portion. The following shall apply. Furthermore, as the conductive film 2 to which a potential gradient is applied, a transparent conductive film having a sheet resistance of 10 KΩ/hole to IMΩ/hole can be used. sheet resistance.
は、透明導電膜の膜厚を調節することにより適当な値に
設計することができる。can be designed to an appropriate value by adjusting the thickness of the transparent conductive film.
第12図は、本発明による階調表現をマトリクス駆動に
適用したー具体例を示す斜視図である。FIG. 12 is a perspective view showing a specific example in which the gradation expression according to the present invention is applied to matrix driving.
第12図に示す表示パネルは、ガラス基板1上にストラ
イプ状導電膜11a、 llb、 llc、・・・が複
数配列され、更にそれぞれのストライプ状導電膜11の
長手方向の両端部には低抵抗の電送電極12a、 12
b。The display panel shown in FIG. 12 has a plurality of striped conductive films 11a, llb, llc, . Transmission electrodes 12a, 12
b.
12c、・・・及び13a、 13b、 13c、・・
・が配線されている。12c,... and 13a, 13b, 13c,...
- is wired.
基板1と対向する対向基板(図示せず)にはストライプ
状導電膜からなる対向電極14a、 14bが配置され
、前記ストライプ状導電膜11と対向電極14との間に
強誘電性液晶が配置されている。Opposing electrodes 14a and 14b made of a striped conductive film are arranged on a counter substrate (not shown) facing the substrate 1, and a ferroelectric liquid crystal is arranged between the striped conductive film 11 and the counter electrode 14. ing.
本発明の駆動法によれば、書き込みに先立ってストライ
プ状導電膜11とストライプ状対向電極14との交差部
で形成される画素の全部もしくは所定の一部を一時に明
状態又は暗状態のいずれか一方の状態にするか、もしく
は書き込みライン毎に、書き込みに先立ってライン上の
画素の全部もしくは所定の一部を一時に明状態又は暗状
態のいずれか一方の状態にしたのちに、一方の電送電極
12a。According to the driving method of the present invention, prior to writing, all or a predetermined part of the pixel formed at the intersection of the striped conductive film 11 and the striped counter electrode 14 is placed in either a bright state or a dark state. or, for each writing line, all or a predetermined part of the pixels on the line are placed in either the bright state or the dark state at one time prior to writing, and then one of the states is set. Transmission electrode 12a.
12b、 12c、・・・毎に、第7図又は第10図に
示すパルスを走査信号として順次印加すると共に、別な
一方の電送電極13a、 13b、 13c、・・・を
基準電位点(例えば2ボルト)に接続することによって
、ストライプ状導電膜11に順次、電送電極12及び1
3間での電位勾配を付与することができる。この際、走
査選択信号は強誘電性液晶の反転閾値電圧と等しい電圧
のパルスとすることが好ましい。12b, 12c, . . . , the pulses shown in FIG. 2 volts), the electrical transmission electrodes 12 and 1 are sequentially connected to the striped conductive film 11.
A potential gradient between 3 and 3 can be applied. At this time, it is preferable that the scan selection signal be a pulse having a voltage equal to the inversion threshold voltage of the ferroelectric liquid crystal.
一方、複数のストライプ状対向電極14には、各電極毎
に電送電極12に印加した前記走査選択信号と同期させ
て、第8図(a)〜(e)又は第11図(a)〜(e)
に示すような階調情報に対応した電圧信号を印加するこ
とにより、走査線上の画素を階調に応じて書き込みを行
うことができる。従って、上記の書き込みを線順次書き
込みとすることによって、階調性をもつ1画面を形成す
ることができる。On the other hand, the plurality of striped counter electrodes 14 are arranged in synchronization with the scanning selection signal applied to the transmission electrode 12 for each electrode, as shown in FIGS. 8(a) to (e) or FIGS. e)
By applying a voltage signal corresponding to gradation information as shown in , it is possible to write to pixels on a scanning line according to the gradation. Therefore, by performing the above-mentioned writing in line-sequential writing, it is possible to form one screen having gradation.
又、本発明では、前記ストライプ状電極14毎に第7図
又は第10図に示すパルスを走査信号として順次印加し
、この走査信号と同期させて前記一方の電送電極12に
第8図(a)〜(e)又は第11図(a)〜(e)に示
すような階調情報に対応した電圧信号を印加すると共に
、別な一方の電送電極13a。Further, in the present invention, the pulses shown in FIG. 7 or 10 are sequentially applied to each of the striped electrodes 14 as a scanning signal, and in synchronization with this scanning signal, the pulses shown in FIG. ) to (e) or a voltage signal corresponding to gradation information as shown in FIGS. 11(a) to (e) is applied, and the other power transmission electrode 13a.
13b、 14c、・・・を基準電位点(例えば2ボル
ト)に接続することによっても階調性を備えた画面を形
成することができる。A screen with gradation can also be formed by connecting 13b, 14c, . . . to a reference potential point (for example, 2 volts).
又、本発明では、第12図に示すように、一対の電送電
極の片側12のみを信号電極として、画素A全面に書き
込みが可能なので、一対の電送電極の両側12及び13
を信号電極とする駆動法(例えば、基準電位点を0ポル
トで駆動する場合には、既に説明したように、電送電極
の片側駆動のみでは、画素全面にわたって液晶を反転さ
せることができず、画素全面を反転させるためには、一
対の電送電極の両側を交互に駆動しなければならない)
に比較すれば、信号駆動素子数は1/2で済む。Furthermore, in the present invention, as shown in FIG. 12, since it is possible to write on the entire surface of pixel A by using only one side 12 of the pair of transmission electrodes as a signal electrode, both sides 12 and 13 of the pair of transmission electrodes can be used as signal electrodes.
(For example, when driving the reference potential point at 0 port, as explained above, it is not possible to invert the liquid crystal over the entire pixel surface by driving only one side of the transmission electrode, and the pixel In order to invert the entire surface, both sides of the pair of transmission electrodes must be driven alternately)
Compared to this, the number of signal driving elements can be reduced to 1/2.
尚、光学変調素子については、最も好ましい例として強
誘電性液晶、特に少なくとも2つの安定状態をもつ強誘
電性液晶における場合を説明したが、本発明はそれに限
定されるものではなく、その他の光学変調素子としてツ
イストネマティック液晶、ゲストホスト液晶等にも適用
できる。Regarding the optical modulation element, the most preferable example is a ferroelectric liquid crystal, particularly a ferroelectric liquid crystal having at least two stable states, but the present invention is not limited thereto, and may be applied to other optical modulation elements. It can also be applied to twisted nematic liquid crystals, guest host liquid crystals, etc. as modulation elements.
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば、画素を構成する
少なくとも一方の導電膜面内に、電位勾配を形成し、入
力信号として電圧値、パルス幅もしくはパルス数等によ
って変調された階調信号を印加することにより、階調表
示を行うことが可能で、階調表示における画質を著しく
向上させる光学変調素子の駆動方法を提供することがで
きる。[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, a potential gradient is formed in the plane of at least one conductive film constituting a pixel, and is modulated by the voltage value, pulse width, number of pulses, etc. as an input signal. By applying the gradation signal, it is possible to perform gradation display, and it is possible to provide a method for driving an optical modulation element that significantly improves the image quality in gradation display.
第1図及び第12図は本発明の駆動方法を実施する光学
変調素子の基本的な構造の斜視図、第2図及び第4図は
その電位勾配図、第3図、第5図、第6図は配線図、第
7図、第8図、第10図、第11図は電圧波形図、第9
図は画素の状態図、第13図及び第14図は強誘電性液
晶の配向模式図である。
に基板、2 、12.82:導電膜、
3、13.83:電送電極、
4、14.64:対向電極。1 and 12 are perspective views of the basic structure of an optical modulation element implementing the driving method of the present invention, FIGS. 2 and 4 are potential gradient diagrams thereof, and FIGS. Figure 6 is a wiring diagram, Figures 7, 8, 10, and 11 are voltage waveform diagrams, and Figure 9 is a wiring diagram.
The figure is a state diagram of a pixel, and FIGS. 13 and 14 are schematic orientation diagrams of ferroelectric liquid crystal. 2, 12.82: conductive film, 3, 13.83: power transmission electrode, 4, 14.64: counter electrode.
Claims (2)
電極を有する第1の基板と、前記電送電極と交差させて
対向配置した複数のストライプ状電極を有する第2の基
板と、前記第1の基板と第2の基板との間に配置された
光学変調物質とを有し、前記電送電極に順次走査階調信
号を印加すると共に該順次走査階調信号を印加していな
い電送電極を基準電位点に接続し、前記ストライプ状電
極に順次走査階調信号と同期して階調情報を有する走査
信号を印加する光学変調素子の駆動方法において、基準
電位点に固定バイアス電圧もしくは階調信号に比例した
バイアス電圧を付与することを特徴とする光学変調素子
の駆動方法。(1) a first substrate having a conductive film and two or more transmission electrodes connected to the conductive film; a second substrate having a plurality of striped electrodes arranged opposite to each other and intersecting with the transmission electrodes; an optical modulation material disposed between a first substrate and a second substrate, a transmission electrode to which a sequential scanning grayscale signal is applied to the transmission electrode and to which the sequential scanning grayscale signal is not applied; is connected to a reference potential point, and a scanning signal having gradation information is sequentially applied to the striped electrode in synchronization with the scanning gradation signal. A method for driving an optical modulation element, characterized by applying a bias voltage proportional to a signal.
電極を有する第1の基板と、前記電送電極と交差させて
対向配置した導電膜及びその導電膜に接続した2本以上
の電送電極を有する第2の基板と、前記第1の基板と第
2の基板との間に配置された光学変調物質とを有し、第
1の基板の電送電極に順次走査階調信号を印加すると共
に該順次走査階調信号を印加していない電送電極を基準
電位点に接続し、第2の基板の電極に順次走査階調信号
と同期して階調情報を有する走査信号を印加する光学変
調素子の駆動方法において、基準電位点に固定バイアス
電圧もしくは階調信号に比例したバイアス電圧を付与す
ることを特徴とする光学変調素子の駆動方法。(2) A first substrate having a conductive film and two or more power transmission electrodes connected to the conductive film, a conductive film disposed to face and intersect with the power transmission electrode, and two or more power transmission electrodes connected to the conductive film. a second substrate having an electrode; and an optical modulation material disposed between the first substrate and the second substrate, and sequentially applying scanning grayscale signals to the transmission electrodes of the first substrate. Optical modulation in which the transmission electrode to which the sequential scanning gradation signal is not applied is connected to a reference potential point, and a scanning signal having gradation information is applied to the electrode of the second substrate in synchronization with the sequential scanning gradation signal. A method for driving an optical modulation element, the method comprising applying a fixed bias voltage or a bias voltage proportional to a gradation signal to a reference potential point.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13274886A JPS62289818A (en) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | Driving method for optical modulation element |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62289818A true JPS62289818A (en) | 1987-12-16 |
Family
ID=15088657
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13274886A Pending JPS62289818A (en) | 1986-04-09 | 1986-06-10 | Driving method for optical modulation element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62289818A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014119757A (en) * | 2012-12-12 | 2014-06-30 | Sharp Corp | Display device |
-
1986
- 1986-06-10 JP JP13274886A patent/JPS62289818A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014119757A (en) * | 2012-12-12 | 2014-06-30 | Sharp Corp | Display device |
US9183804B2 (en) | 2012-12-12 | 2015-11-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display with wide view angle |
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