[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JPS62275087A - 結晶引上炉の湯漏れ検出装置 - Google Patents

結晶引上炉の湯漏れ検出装置

Info

Publication number
JPS62275087A
JPS62275087A JP11660086A JP11660086A JPS62275087A JP S62275087 A JPS62275087 A JP S62275087A JP 11660086 A JP11660086 A JP 11660086A JP 11660086 A JP11660086 A JP 11660086A JP S62275087 A JPS62275087 A JP S62275087A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crucible
current value
leakage
crystal pulling
molten metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11660086A
Other languages
English (en)
Inventor
Kunihiko Kitagawa
北川 邦彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KYUSHU DENSHI KINZOKU KK
Original Assignee
KYUSHU DENSHI KINZOKU KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by KYUSHU DENSHI KINZOKU KK filed Critical KYUSHU DENSHI KINZOKU KK
Priority to JP11660086A priority Critical patent/JPS62275087A/ja
Publication of JPS62275087A publication Critical patent/JPS62275087A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 〈産業上の利用分野〉 本発明は単結晶等を製造する結晶引上炉の湯漏れ検出装
置に関する。
〈従来技術とその問題点〉 単結晶の製造方法として、例えば石英ルツボ内に溶かさ
れた金属溶湯を種結晶を用いて引上げ生成する方法があ
るが、この単結晶引上げに用いられる結晶引上炉におい
ては、従来その場漏れを即座に検知することができなか
った。すなわち、上記石英ルツボはピンホール等により
破損する場合があり、これにより溶湯が漏出する事故が
発生する場合があるが、従来はこの溶湯の漏出を即座に
検出することができなかったため、漏出した溶湯により
他の装置を大破させたりその他火災などの災害を招く虞
れがあった。
く目的〉 そこで本発明は上記従来技術の欠点を解消し、ルツボか
らの湯漏れがあった場合には即座にこれを検知すること
ができる結晶引上炉の湯漏れ検出装置の提供を目的とす
る。
〈問題点を解決するための手段〉 本発明の結晶引上炉の湯漏れ検出装置は、少なくとも溶
湯を内部に保持する絶縁性のルツボと、該ルツボを所定
の位置に支持する導電性の支持体と、前記溶湯に接する
種結晶を吊持つ導電性の吊持具とを有する結晶引上炉に
おける湯漏れ本食出装置であって、前記支持体と前記吊
持具との間に常時電圧を負荷し、支持体と吊持具との間
に流れる電流若しくは抵抗の変化をとらえて前記ルツボ
がらの)8湯の漏出を検出することを特徴としている。
そしてその実施態様として、検出信号によりルツボの加
熱用電源を切ると共にV綴器を作動させることを特徴と
している。
〈作用〉 ルツボが破損して溶湯がルツボがら漏出すると、該漏出
した溶湯により支持体と吊持具間が導電状態となる。よ
って漏出した時点で電流の急激な増加或いは抵抗の急激
な低下が起こり、湯漏れが検出できる。
〈実施例〉 第1図は本発明の実施例を示す結晶引上炉の湯漏れ検出
装置の構成図で、第2図は湯漏れ時における測定電流の
変化を示す図である。
チャンバ1内に保温筒6が設けられ、該保温筒6内に容
器上のヒータ5が配置されている。そして該ヒータ5内
に、カーボン等の導電性材で構成される保護体3によっ
て周囲を保護された石英ルツボ4が配置されている。前
記石英ルツボ4は前記保護体3を介して導電性の支持軸
2で所定の位置に配置される。該支持軸2と前記保護体
3とで前記ルツボ4の支持具を構成することになる。前
記ヒータ5は4軸11を介してヒータ電源12に接続さ
れる。13はブレーカである。一方、前記石英ルツボ4
に対して種結晶8を把持する引上軸7が種結晶8の吊持
具として垂下状態に配設されている。引上軸7によって
種結晶8を溶湯9に接した状態から徐々に引上げてゆき
、単結晶10を生成する。回転引上げが出来るよう、引
上軸7及び支持軸2はそれ自体も回転できるようにされ
ている。
石英ルツボ4からの湯漏れ検出は、検出用電源14から
の所定電圧を常時前記支持軸2と引上軸7との間に負荷
することにより行う。支持軸2と引上軸7との間に流れ
る電流は常時電流測定器15で検出され、その検出信号
がマイクロコンピュータ等による制御装置16に入力さ
れる。制御装置16に入力された電流値はあらかじめ設
定された基準電流値I0と比較され、検出された電流値
が基準電流値10を越える場合には、警報器17が作動
され、同時に前記ヒータ電源12のブレーカ13が動作
される。また前記電流測定器15で検出された電流値は
プリンタ18により第2図の如(記録紙に記録されてい
く。
第2図は実際のデータを示し、通常時は20mA程度の
電流を維持しているが、ルツボ4の破損による湯漏れが
発生したときには630mA程度まで電流値が瞬間的に
上昇していることがわかる。よって基準電流値I0をそ
の間の適当な値に設定することにより、湯漏れ検出信号
を確実に得ることができ、警告やその他の処理を速やか
に行うことができる。なお、上記においては電流測定器
15を用いたが、代わりに抵抗測定器を用いても同じで
ある。抵抗の変化をもって同様に湯漏れを検出すること
ができる。
く効果〉 本発明は以上の構成よりなり、ルツボ支持体と種結晶の
吊持具との間に常時電圧を負荷し、支持体と吊持具との
間に流れる電流若しくは抵抗の変化をとらえて前記ルツ
ボからの溶湯の漏出を検出するようにしているので、ル
ツボの破損等による湯漏れがあると即座にそれを検出す
ることができる。よって周辺機器の損害や火災等の災害
を確実に防ぐことが可能となる。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の実施例を示す結晶引上炉の湯漏れ検出
装置の構成図、第2図は湯漏れ時における測定電流の変
化を示す出である。 1:チャンバ    2:支持軸 3:保護体     4:石英ルツボ 5:ヒータ     7:引上軸 8:種結晶     9:溶湯 12:ヒータ電源   13:ブレーカ14:電流測定
器   16:制御装置17:警報器

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)少なくとも溶湯を内部に保持する絶縁性のルツボ
    と、該ルツボを所定の位置に支持する導電性の支持体と
    、前記溶湯に接する種結晶を吊持つ導電性の吊持具とを
    有する結晶引上炉における湯漏れ検出装置であって、前
    記支持体と前記吊持具との間に常時電圧を負荷し、支持
    体と吊持具との間に流れる電流若しくは抵抗の変化をと
    らえて前記ルツボからの溶湯の漏出を検出することを特
    徴とする結晶引上炉の湯漏れ検出装置。
  2. (2)漏れ検出信号によりルツボの加熱用電源を切ると
    共に警報器を作動させる特許請求の範囲第1項記載の結
    晶引上炉の湯漏れ検出装置。
JP11660086A 1986-05-21 1986-05-21 結晶引上炉の湯漏れ検出装置 Pending JPS62275087A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11660086A JPS62275087A (ja) 1986-05-21 1986-05-21 結晶引上炉の湯漏れ検出装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11660086A JPS62275087A (ja) 1986-05-21 1986-05-21 結晶引上炉の湯漏れ検出装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62275087A true JPS62275087A (ja) 1987-11-30

Family

ID=14691170

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11660086A Pending JPS62275087A (ja) 1986-05-21 1986-05-21 結晶引上炉の湯漏れ検出装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62275087A (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02225393A (ja) * 1989-02-27 1990-09-07 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶引上装置における湯漏れ防止構造
JPH03131590A (ja) * 1989-10-18 1991-06-05 Komatsu Denshi Kinzoku Kk 単結晶シリコン引上げ用チヤンバー
WO2001009411A1 (en) * 1999-07-28 2001-02-08 Seh America, Incorporated Method of manufacturing crystal of silicon using an electric potential
US6395085B2 (en) 1999-07-14 2002-05-28 Seh America, Inc. Purity silicon wafer for use in advanced semiconductor devices
US6454852B2 (en) 1999-07-14 2002-09-24 Seh America, Inc. High efficiency silicon wafer optimized for advanced semiconductor devices
US6632277B2 (en) 1999-07-14 2003-10-14 Seh America, Inc. Optimized silicon wafer gettering for advanced semiconductor devices
WO2008120435A1 (ja) * 2007-04-03 2008-10-09 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 単結晶の成長方法および単結晶の引き上げ装置
JP2009120429A (ja) * 2007-11-13 2009-06-04 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶引上装置の湯漏れ検出方法および単結晶引上装置
EP2256234A2 (en) 2009-05-27 2010-12-01 Japan Super Quartz Corporation Method of manufacturing silicon single crystal, apparatus for pulling silicon single crystal and vitreous silica crucible
JP2011032138A (ja) * 2009-08-04 2011-02-17 Yukichi Horioka 漏洩検出方法
JP2011126783A (ja) * 2011-03-30 2011-06-30 Yukichi Horioka 漏洩検出方法
JP2011184238A (ja) * 2010-03-09 2011-09-22 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶引上げ装置
JP2012001386A (ja) * 2010-06-16 2012-01-05 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶製造装置及び湯漏れ検出方法

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02225393A (ja) * 1989-02-27 1990-09-07 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶引上装置における湯漏れ防止構造
JPH03131590A (ja) * 1989-10-18 1991-06-05 Komatsu Denshi Kinzoku Kk 単結晶シリコン引上げ用チヤンバー
US6395085B2 (en) 1999-07-14 2002-05-28 Seh America, Inc. Purity silicon wafer for use in advanced semiconductor devices
US6454852B2 (en) 1999-07-14 2002-09-24 Seh America, Inc. High efficiency silicon wafer optimized for advanced semiconductor devices
US6632277B2 (en) 1999-07-14 2003-10-14 Seh America, Inc. Optimized silicon wafer gettering for advanced semiconductor devices
WO2001009411A1 (en) * 1999-07-28 2001-02-08 Seh America, Incorporated Method of manufacturing crystal of silicon using an electric potential
US6228165B1 (en) 1999-07-28 2001-05-08 Seh America, Inc. Method of manufacturing crystal of silicon using an electric potential
US6565651B2 (en) 1999-07-28 2003-05-20 Seh America, Inc. Optimized silicon wafer strength for advanced semiconductor devices
US8343275B2 (en) 2007-04-03 2013-01-01 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Single crystal growth method and single crystal pulling apparatus for improving yield and productivity of single crystal
WO2008120435A1 (ja) * 2007-04-03 2008-10-09 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 単結晶の成長方法および単結晶の引き上げ装置
JP2008254949A (ja) * 2007-04-03 2008-10-23 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶の成長方法および単結晶の引き上げ装置
KR101387423B1 (ko) * 2007-04-03 2014-04-21 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 단결정의 성장방법 및 단결정의 인상장치
JP2009120429A (ja) * 2007-11-13 2009-06-04 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶引上装置の湯漏れ検出方法および単結晶引上装置
EP2292812A2 (en) 2009-05-27 2011-03-09 Japan Super Quartz Corporation Method of manufacturing silicon single crystal, apparatus for pulling silicon single crystal and vitreous silica crucible
JP2010275139A (ja) * 2009-05-27 2010-12-09 Japan Siper Quarts Corp シリコン単結晶の製造方法、シリコン単結晶引き上げ装置及び石英ガラスルツボ
US8696813B2 (en) 2009-05-27 2014-04-15 Japan Super Quartz Corporation Method of manufacturing silicon single crystal, apparatus for pulling silicon single crystal and vitreous silica crucible
EP2256234A2 (en) 2009-05-27 2010-12-01 Japan Super Quartz Corporation Method of manufacturing silicon single crystal, apparatus for pulling silicon single crystal and vitreous silica crucible
JP2011032138A (ja) * 2009-08-04 2011-02-17 Yukichi Horioka 漏洩検出方法
JP2011184238A (ja) * 2010-03-09 2011-09-22 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶引上げ装置
JP2012001386A (ja) * 2010-06-16 2012-01-05 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶製造装置及び湯漏れ検出方法
JP2011126783A (ja) * 2011-03-30 2011-06-30 Yukichi Horioka 漏洩検出方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS62275087A (ja) 結晶引上炉の湯漏れ検出装置
DE69513819D1 (de) Gerät und verfahren zum verglasen von gefährlichem abfall
HUT62698A (en) Pre-warning device for the breakings of melted metal carrying out on ceramic furnace linings of melting furnaces particularly induction furnaces
JP4775594B2 (ja) 単結晶引上装置の湯漏れ検出方法および単結晶引上装置
JP2001302387A (ja) 単結晶引上げ装置の湯漏れ検出器および単結晶引上げ装置ならびに湯漏れ検出方法
US3392570A (en) Device for the thermal study of a sample
JP2006160538A (ja) 単結晶引上げ装置の湯漏れ検出器および単結晶引上げ装置ならびに湯漏れ検出方法
CA2070069A1 (en) Method and circuit arrangement for monitoring and limiting the operating temperature of electrically heated equipment, as well as the use of the method
US5099106A (en) Parcel sealing device using thermolabile adhesive tape
US4418741A (en) Method of controlling relative movement between an ingot and a mold
US3495018A (en) Arc voltage control for consumable electrode furnaces
GB2009973A (en) Control circuit for flat-irons
US3354254A (en) Failure detector for consumable electrode furnaces
US2332432A (en) Control apparatus
JPS555883A (en) Method of driving exothermic element
GB1602255A (en) Gas sensing devices
JPS63317621A (ja) 通電加熱方法
JP2000356473A (ja) るつぼ形誘導炉
JPS5639523A (en) Liquid crystal display device
JPH035065A (ja) 加圧式自動注湯装置
JPS58159566A (ja) 加熱装置
JPS60131449A (ja) 化合物半導体結晶育成炉のアンプル破壊検出法
JPS5711369A (en) Copying machine
JPH04115281A (ja) 定着温度制御装置
JP3031128B2 (ja) アイロン