JPS62263639A - 半導体装置の洗浄方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 以ドの順序に従って本発明を説明する。

Ａ、産業上の利用分野 Ｂ１発明の概要 Ｃ８背景・技術［第３図］ Ｄ１発明が解決しようとする問題点［第４図］Ｅ１問題
点を解決するための手段 Ｆ９作用 Ｇ、実施例［第１図、第２図］ Ｈ１発明の効果 （Ａ、産業上の利用分野） 本発明は半導体装置の洗浄方法、特にトレンチ等微小な
凹部を存する半導体装置の微小な凹部内を洗浄すること
のできる新規な半導体装置の洗浄方法に関する。

（Ｂ、発明の概要） 本発明は、トレンチ等微小な凹部を有する半導体装置の
洗浄方法において、 微小な凹部内をも洗浄するため 洗浄液中に微粒子を混入して洗浄液に振動を与えること
により洗浄するものであり、 従って、本発明半導体装置の洗浄方法によれば洗浄液中
の微粒子が振動によってトレンチ内に入り込みその際ト
レンチ内に洗浄液を呼び込んで洗浄液をしてトレンチ内
の不要な付着物を除去せしめることかできる。また、ト
レンチ内に入り込んだ微粒子も振動によってブラウン運
動し、トレンチ内側面に強く付着した付着物をブラウン
運動する微粒子によって物理的に剥すことも可能になる
。

（Ｃ，背景技術）［第３図］ ダイナミックＲＡＭ等の半導体装置は第３図に示したよ
うに半導体基板３表面にトレンチｂが形成され、該トレ
ンチｂを利用してトレンチキャパシターが形成され、該
トレンチキャパシターか土吉報記憶等に用いられる。

ところで該トレンチｂの形成は半導体基板表面に形成し
たフォトレジスト膜をマスクとしてＲＩＥ（反応性イオ
ンエツチング）することにより行われる。従って、この
エッチンク処理後の状態では表面だけてはなくトレンチ
ｂの内壁面にもＣ，Ｈからなるポリーマが不要な付着物
Ｃとして存在しており、表面及びトレンチｂ内のこの不
要な付着物ｃ、ｃ・・・を完全に除去しないと後の工程
に支障を来す虞れがある。

そのため、通常は有機物であるレジスト膜を酸化するア
ッシング（灰化処理）、ＲＡ処理を行う。

（Ｄ、発明が解決しようとする問題点）［第４図］ ところが、半導体基板表面の不要な付着物を除去するこ
とはできてもトレンチｂ内の不要な付着物ｃ、ｃ、・・
・を除去することは難しがった。

というのは、ダイナミックＲＡＭにおいてはトレンチキ
ャパシーの容量を大きくしつつ集積度を高めることが要
求されるのでトレンチｂの幅を例えば１μｍと非常に狭
くしつつその深さを３〜４μｍというように非常に深く
しなければならない。

このように、微小幅を有し且つフハ旨りト比の大ぎなト
レンチｂは第４図に示すように洗浄液（例えば水）ｄの
表面張力によって洗浄液ｄがトレンチｂ内に入り込まな
い。従って、トレンチｂ内の不要な付着物Ｃ，Ｃ１・・
・を除去することはできなかった。

本発明はこのような問題点を解決すべく為されたもので
あり、微小な凹部内も完全に洗浄できるようにすること
を目的とするものである。

（Ｅ、問題点を解決するための手段） 本発明半導体装置の洗浄方法は上記問題点を解決するた
め、洗浄液中に微粒子を混入し、該洗浄液に振動を与え
なから洗浄することを特徴とするものである。

（Ｆ、作用） 本発明半導体装置の洗浄方法によれば、洗浄液中の微粒
子が振動によってトレンチ内に入り込みその際トレンチ
内に洗浄液を呼び込んで洗浄液をしてトレンチ内の不要
な付τ物を除去せしめることがてきる。また、トレンチ
内に入り込んだ微粒子も振動によってブラウン運動し、
トレンチ内側面に強く付着した付着物をそのブラウン運
動する微粒子によって物理的に剥すことも可能になる。

（Ｇ、実施例）［第１図、第２図］ 以下、本発明半導体装置の洗浄方法を図示実施例に従っ
て詳細に説明する。

第１図及第２図は本発明半導体装置の洗浄方法の一つの
実施例を説明するためのものである。

図面において、１は洗浄槽、２は該洗浄槽１内の洗浄液
（例えばＲＡ液）３に超音波振動を与える超音波振動装
置、４は洗浄液３内に混入されたラテックス球である。

該ラテックス球４は例えば５ｉ０２あるいは樹脂からな
り、例えば０．１〜０．３μｍの直径を有している。５
は１〜２μｍ程度の幅を有するトレンチ６か形成された
半導体ウェハで、ラテックス球４が混入された洗浄液３
中に浸ン貞されている− このような第１図に示す状態で超音波振動装置２によっ
て洗浄液３に超音波振動を与えることにより洗浄を行う
。

このようにすれば、洗浄液３中の微小なラテックス球４
．４・・・が超汗波振動によって第２図に示すようにト
レンチ６内に入り込み、そのラテックス球４．４、・・
・がトレンチ６内に入り込む際に洗浄？＆３がラテック
ス球４．４、・・・に付随してトレンチ６内に入り込む
。その結果、トレンチ６内を洗浄液３で満たすことか可
能になる。従って、トレンチ６内のＣあるいはＨ等から
なるポリマー等の不要な付着物７を洗浄液３によって洗
浄処理することが可能になる。

即ち、半導体基板表面が疎水状態では普通微小なトレン
チ６内には洗浄液が入り込まないが、微小なラテックス
球４．４、・・・が洗浄液３に入っている場合にはその
洗浄液３中のラテックス球４．４、・・・が超音波振動
等を与えられてトレンチ６内に入り込む。そして、その
ラテックス球４．４、・・・は例えば５ｉｎ２あるいは
樹脂等からなり親水性を有するのでそのラテックス球４
．４、・・・がトレンチ６内に入り込む際に洗浄液３が
ラテックス球４．４・・・表面に付着した状態でトレン
チ６内に入り込む。そして、トレンチ６内に入り込む洗
浄液３が呼び水となってトレンチ６人口付近の洗浄液３
をトレンチ６に呼び込み、トレンチ６が洗浄液３で満た
されることになる。このトレンチ６内の洗浄液３は当然
にポリマーからなる不要な付着物７と反応しそれを分解
する働きを持つ。依って、トレンチ６内の不要な付着物
７を除去することができるようになる。

また、洗浄液３内のラテックス球４は超音波振動によっ
て振動エネルギーを社えられているので、ブラウン運動
してトレンチ６内側面に強く付着している付着物７に衝
突してこの付着物７をトレンチ６内側面から剥す機能を
果し、不要な付着物７の除去をよりスムーズに行わせる
働きもする。ラテックス球４はその点ても不要な付着物
の除去に貢献する。

尚、ＲＡ液等の洗浄液による超音波洗浄を終えた後は後
（あと）工程でラテックス球４．４、・・・を除去しな
ければならないか、ラテックス球４．４、・・・が５ｉ
ｎ２からなる場合は洗浄液として希フッ酸を使い、樹脂
からなる場合には洗浄液として適宜な有機溶剤あるいは
強酸を使用して後（あと）処理すればそのラテックス球
４．４、・・・を完全に除去することが可能である。

（Ｈ，発明の効果） 以上に述へたように、本発明半導体装置の洗浄方法は、
半導体装置が浸漬された洗浄液中に微粒子を混入し、上
記洗浄液に振動を与えながら洗浄することを特徴とする
ものである。

従って、本発明半導体装置の洗浄方法によれば、洗浄液
中の微粒子が振動によってトレンチ内に入り込みその際
トレンチ内に洗浄液を呼び込んで洗浄液をしてトレンチ
内の不要な付着物を除去せしめることかできる。また、
トレンチ内に入り込んだ微粒子も振動によってブラウン
運動し、トレンチ内側面に強く付着した付着物をそのブ
ラウン運動するトレンチ内の微粒子によって物理的に剥
すことも可能になる。

【図面の簡単な説明】

の一つの実施例を説明するためのもので、第１図は洗浄
装置δを示す断面図、第２図は洗浄時におけるトレンチ
を示す断面図、第３図は背景技術を説明するためのトレ
ンチの一例を示す断面図、第４図は発明が解決しようと
する問題点を示す断面図である。 符号の説明 ３・・・洗浄液、４・・・微粒子、 ５・・・′Ｉ！−導体装置。 シ先浄装豊乞示すＷＴ面図 第１図 ；ｔ　Ｓ＋時にあ・ける　　　　　５−４ｍ本Ｎｆｆ１
トレン＋乞示すｌｆｒ面図 第２図 ＦＩｆｒ面図 第３図 ＠面図 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体装置が浸漬される洗浄液中に微粒子を混入
   し、 上記洗浄液に振動を与えながら半導体装置を洗浄するこ
   とを特徴とする半導体装置の洗浄方法