JPS62221878A - Inverter circuit - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は直流′適圧を交流電圧に変換するインバータ
回路に係り、特に回路内のサージ電圧の吸収と直流電圧
の安定化の構成に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] This invention relates to an inverter circuit that converts a direct current suitable voltage into an alternating current voltage, and particularly relates to a configuration for absorbing surge voltage in the circuit and stabilizing the direct current voltage. It is.
一般に半導体スイッチング素子などの電子部品が用いら
れた電気回路においては、スイッチング素子によるスイ
ッチング動作によって回路内にサージ電圧が発生する。Generally, in an electric circuit using electronic components such as semiconductor switching elements, a surge voltage is generated in the circuit due to the switching operation of the switching elements.
第3図は従来の半導体スイ・フチング業子を有する単相
のインバータ回路図であり9図において。FIG. 3 is a circuit diagram of a single-phase inverter having a conventional semiconductor switching element; FIG.
U相アーム(1)と■相アーム(2)とはラミネートバ
ー(8)によって接続されている。正側直流給電線P(
4)と負側直流給電線N(5)はU相アーム(1)に接
続されている。U相交流出力線(7)、V相交流出力線
(8)は■相アーム(2)側に接続されている。そして
U相アーム(1)にはトランジスタαaα4およびV相
アーム(2)にはトランジスタ09α0が接続されてい
る。さらに各相アームの直流給電部の正負間にスナバコ
ンデンサ(6)が接続されている。The U-phase arm (1) and the ■-phase arm (2) are connected by a laminate bar (8). Positive side DC feeder line P (
4) and the negative side DC power supply line N (5) are connected to the U-phase arm (1). The U-phase AC output line (7) and the V-phase AC output line (8) are connected to the -phase arm (2) side. A transistor αaα4 is connected to the U-phase arm (1), and a transistor 09α0 is connected to the V-phase arm (2). Further, a snubber capacitor (6) is connected between the positive and negative terminals of the DC power supply section of each phase arm.
従来のインバータ回路は上記のように構成され。A conventional inverter circuit is configured as described above.
第3図でトランジスタ(13α4は交互にオン・オフす
る。トランジスタ(至)αOも同じである。トランジス
タαJαQがオンし、トランジスタ04的がオフしてい
る時、正側直流給電線N(4)がらトランジスタα3と
ラミネートバー(3)を通りU相交流出力線(7)へ出
力電流が流れ、V相交流出力線(8)からトランジスタ
αQとラミネートバー(3]を通り負側直流給電線N(
5)へ電流が戻る。この時はU−V間には正の出力電圧
を発生している、次にトランジスタαQがオフすると、
■相交流出力線(8)から戻ってきた電流はトランジス
タ(至)のダイオードを通りラミネートパー(3)を通
ってトランジスタ(至)へ還流する。この時はU−V間
の出力電圧はゼロである。次にトランジスタ(至)がオ
フし、トランジスタα小αυがオンしている時、正側直
流給電線N(4)からラミネートパー(8)とトランジ
スタ(至)を通り■相交流出力線(8)へ出力電流が流
れ、U相交流出力線(7)から戻ってきた電流は、ラミ
ネートパー(8)とトランジスタα4を通り負側直流給
電線N(5)へ電流が戻る。この時はU −7間には負
の出力電圧を発生している。次にトランジスタ04がオ
フするとU相交流出力線(7)から戻ってきた電流はト
ランジスタ(至)のダイオードを通りラミネートパー(
8)を通ってトランジスタαQへ還流する。この時Fi
U−V間の出力電圧はゼロである。この動作をくり返し
て方形波交流出力電圧を発生する。この過程のなかで、
トランジスタ0Qがオンからオフになり出力電圧が正か
らゼロになる時とトランジスタQ41がオンからオフに
なり出力電圧が負からゼロになる時にスナバコンデンサ
(6)に配線インダクタンスによる電流が流れる。In Fig. 3, the transistors (13α4) are turned on and off alternately. The same is true for the transistors (to) αO. When the transistors αJαQ are on and the transistors 04 are off, the positive DC power supply line N (4) The output current flows through the transistor α3 and the laminate bar (3) to the U-phase AC output line (7), and from the V-phase AC output line (8) passes through the transistor αQ and the laminate bar (3) to the negative side DC feed line N. (
The current returns to 5). At this time, a positive output voltage is generated between U and V. Next, when transistor αQ is turned off,
(2) The current returned from the phase AC output line (8) passes through the diode of the transistor (to), passes through the laminate par (3), and flows back to the transistor (to). At this time, the output voltage between UV and V is zero. Next, when the transistor (to) is turned off and the transistor α small αυ is on, the positive side DC feed line N (4) passes through the laminate par (8) and the transistor (to). ), and the current returned from the U-phase AC output line (7) passes through the laminate par (8) and the transistor α4, and returns to the negative side DC feed line N (5). At this time, a negative output voltage is generated between U-7. Next, when transistor 04 is turned off, the current returned from the U-phase AC output line (7) passes through the diode of the transistor (to) and the laminate par (
8) and returns to the transistor αQ. At this time Fi
The output voltage between U and V is zero. This operation is repeated to generate a square wave AC output voltage. During this process,
A current flows through the snubber capacitor (6) due to the wiring inductance when the transistor 0Q goes from on to off and the output voltage goes from positive to zero, and when the transistor Q41 goes from on to off and the output voltage goes from negative to zero.
これを第4図で説明すると、トランジスタα0がオンか
らオフするときインダクタンスLp(9)、ラミネート
パー(3)のN線の配線インダクタンスL2(2)、N
線の配線インダクタンスLNα0を流れていた電流はゼ
ロとなり、インダクタンスL+31)はゼロからLの電
流が流れる。従−て+L p L2 +TLNL2+香
Li’−査M2+L2(L2>M21)の磁気エネルギ
を■相アームC)のスナバコンデンサ(6)が吸収する
だけの電流がスナバコンデンサ(6)へ流れる。一方、
トランジスタα→がオンからオフする時、インダクタン
スL’p(9)、ラミネートパー(8)のP線の配線イ
ンダクタンスLl(lυ、N線の配線インダクタンスL
Nα0を流れていた電流L ij:p線の配線インダク
タンスLI) (9) 、 N線の配線インダクタンス
LN(LQではゼロとなり、ラミネートパー(8)のP
ljlの配線インダクタンスL+αυでは変化しない。To explain this using FIG. 4, when the transistor α0 turns from on to off, the inductance Lp (9), the wiring inductance L2 (2) of the N wire of the laminate par (3), N
The current flowing through the wiring inductance LNα0 of the line becomes zero, and a current from zero to L flows through the inductance L+31). Therefore, a current flows to the snubber capacitor (6) to absorb the magnetic energy of +L p L2 +TLNL2 +L i'-M2+L2 (L2>M21) by the snubber capacitor (6) of the (2) phase arm C). on the other hand,
When the transistor α → turns off from on, the inductance L'p (9), the wiring inductance Ll (lυ) of the P line of the laminate par (8), the wiring inductance L of the N line
Current L ij flowing through Nα0: P line wiring inductance LI) (9), N line wiring inductance LN (zero at LQ, P of laminate par (8)
There is no change in the wiring inductance L+αυ of ljl.
従−て、2 ”pL2+ 2 LN L 2の磁気エネ
ルギーをU相アーム(1)のスナバコンデンサ(6)が
吸収するだけの電流がスナバコンデンサ(6)へ流れる
。Therefore, a current flows to the snubber capacitor (6) of the U-phase arm (1) to absorb the magnetic energy of 2''pL2+2LN L2.
上記のような従来のインバータ回路では、スナバコンデ
ンサ(6)の吸収する磁気エネルギーが■相アーム■)
の方がU相アーム(1)より大きくなる。従ってスナバ
コンデンサ(6)のリウプル電流や誘を体操による発熱
を規定口にするために■相アーム(2)を基準にスナバ
コンデンサ(6)の定格を決めていた。In the conventional inverter circuit as described above, the magnetic energy absorbed by the snubber capacitor (6) is
is larger than the U-phase arm (1). Therefore, the rating of the snubber capacitor (6) was determined based on the ■phase arm (2) in order to make the Ripple current and induction of the snubber capacitor (6) into account for the heat generated by exercise.
このためU相アーム(1)のスナバコンデンサ(6)と
しては過剰な定格となることなどの問題点があった。Therefore, there was a problem that the snubber capacitor (6) of the U-phase arm (1) had an excessive rating.
この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、各相アームのスイッチング時にスナバコンデンサに
流れ込むリップ7+/電流を等しくシ。This invention has been made to solve this problem, and is designed to equalize the lip 7+/current flowing into the snubber capacitor during switching of each phase arm.
各相アームのスナバコンデンサの定格を等しくできるイ
ンバータ回路を得ることを目的とする。The purpose is to obtain an inverter circuit that can equalize the ratings of the snubber capacitors of each phase arm.
この発明に係るインバータ回路は、U相アームと■相ア
ーム間をラミネートパーなどの低インダクタンス導体で
接続し、この相アーム間を接続する導体の各相アームか
ら等距離の位置に直流給電線を接続し引出したものであ
る。The inverter circuit according to the present invention connects the U-phase arm and the ■-phase arm with a low-inductance conductor such as a laminate par, and connects a DC power line at a position equidistant from each phase arm of the conductor that connects the phase arms. Connected and pulled out.
(作 用〕
この発明においては、相アーム間を接続する導体の、各
相アームから等距離の位置に直流給電線を接続し引出し
たので、U相、■相ともスナバコンデンサに流れる電流
が等しくなる。(Function) In this invention, since the DC feed line is connected and drawn out at a position equidistant from each phase arm of the conductor that connects the phase arms, the current flowing through the snubber capacitor in both the U phase and the ■ phase is equal. Become.
〔発明の実施例)
第1図はこの発明の一実施例を示す単相インバータ回路
図である。図にお1八で、 Ul−111アーム(1)
ト■相アーム(2)と(1ラミネートバー(3)によっ
て接続されてhる。各相アームから等距離の位置で、ラ
ミネートパー(3)cζ、ラミネートパー(8)と直角
方向の一方、方向に正側直流給電線P (4)、負側直
流給電線N(5)が接続し、引出されている。そしてラ
ミネートパー(8)には、正側直流給電線P (4)、
負(11,1fi流給電線N(5)と反対方向にU相交
流出力線(7)、V相交流出力線(8)が接続され引出
されている。、U相アーム(1)に(グトランジスタQ
3114 >よび■相アーム(2)にはトランジスタα
Qαυが接続されている。さらに各相アームの直流給電
部の正負間にスナバコンデンサ(6)が接続されている
。[Embodiment of the Invention] FIG. 1 is a single-phase inverter circuit diagram showing an embodiment of the invention. At 18 in the figure, Ul-111 arm (1)
The phase arm (2) and (1) are connected by the laminate bar (3). At a position equidistant from each phase arm, the laminate bar (3) cζ, one of the laminate bars (8) in a perpendicular direction, The positive side DC feed line P (4) and the negative side DC feed line N (5) are connected and drawn out in the direction.The laminate par (8) has the positive side DC feed line P (4),
A U-phase AC output line (7) and a V-phase AC output line (8) are connected and drawn out in the opposite direction to the negative (11, 1fi current feeder line N (5). transistor Q
3114 > and ■ phase arm (2) has transistor α
Qαυ is connected. Further, a snubber capacitor (6) is connected between the positive and negative terminals of the DC power supply section of each phase arm.
上記のように構成されたインバータ回路においては、従
来のインバータ回路の動作と同様であるが、配線インダ
クタンスのスナバコンデンサ(6)の関係が異なる。In the inverter circuit configured as described above, the operation is similar to that of a conventional inverter circuit, but the relationship between the wiring inductance and the snubber capacitor (6) is different.
これを第2図によって説明する、第2図は第1図の構造
に配線インダクタンスを含めたものである。ここで、ト
ランジスタα0がオンからオフになり出力電圧が正から
ゼロになる時点を考えるとインダクタンスLp、ラミネ
ートパー(8)のPgの配線インダクタンスL+(11
1,)ランジスタQ3.U線v線トランジスタ(ILヲ
ミネートバー(8)のN線の配線インダクタンスLx
(J2)、 N線の配線インダクタンスLへQQを通っ
て流れていた電流は、ラミネートバー(3)のP線の配
線インダクタンスL1ση。This will be explained with reference to FIG. 2, which shows the structure of FIG. 1 including wiring inductance. Here, considering the point in time when the transistor α0 turns from on to off and the output voltage changes from positive to zero, the inductance Lp and the wiring inductance L+(11
1,) transistor Q3. U line v line transistor (IL ominate bar (8) N line wiring inductance Lx
(J2), the current flowing through QQ to the wiring inductance L of the N line is the wiring inductance L1ση of the P line of the laminate bar (3).
トランジスタα3U線、■線、トランジスタ(至)のダ
イオード、ラミネートバー(8)のP線の配線インダク
タンスL+αηを通って還流する。この時P線の配線イ
ンダクタンスLp(9)、ラミネートバー(8)のN線
の配線インダクタンスL2(2)、N線の配線インダク
タンスLNα0を流れて匹た電流りはゼロとt(t)、
V相アーム(2)側のラミネートバーの)のP線の配線
インダクタンスL1αDはゼロからLの電流−1Mt+
L! の磁気エネルギーを■相アーム(2)のスナバ
コンデンサ(6)が吸収する。It circulates through the wiring inductance L+αη of the transistor α3U line, the ■ line, the diode of the transistor (to), and the P line of the laminate bar (8). At this time, the current flowing through the P line wiring inductance Lp(9), the N line wiring inductance L2(2) of the laminate bar (8), and the N line wiring inductance LNα0 is zero and t(t),
The wiring inductance L1αD of the P line of the laminate bar on the V-phase arm (2) side is the current from zero to L -1Mt+
L! The snubber capacitor (6) of the phase arm (2) absorbs the magnetic energy.
一方、トランジスタ04がオンからオフになり出力電圧
が負からゼロになる時点を考えると、P線の配線インダ
クタンスLp(9)、ラミネートバー(8)のP線の配
線インダクタンスL+(ロ)、トランジスタ(至)、V
@jU線)ランジスタロ揃、ラミネートバー(8]のN
線の配線インダクタンヌL2Q3.N線の配線インダク
タンスLNαQを通って流れていた電流は、ラミネート
バー(8)のP線の配線インダクタンスL1(ロ)、ト
ランジスタα!9.V線、U線、)ランジスタαJのダ
イオード、ラミネートバー(8)のP線の配線インダク
タンスL+αηを通って還流する。On the other hand, considering the point in time when the transistor 04 turns from on to off and the output voltage changes from negative to zero, the wiring inductance of the P line Lp (9), the wiring inductance L+ (b) of the P line of the laminate bar (8), the transistor (To), V
@jU line) Ranjistaro set, laminate bar (8) N
Wiring inductor tanne L2Q3. The current flowing through the N-line wiring inductance LNαQ is transferred to the P-line wiring inductance L1 (b) of the laminate bar (8) and the transistor α! 9. It circulates through the wiring inductance L+αη of the V line, U line, ) transistor αJ diode, and P line of the laminate bar (8).
この時、P線の配線インダクタンスLp(9)、ラミネ
ートバー(8)のN線の配線インダクタンスL2(2)
。At this time, the wiring inductance of the P line Lp (9), the wiring inductance of the N line of the laminate bar (8) L2 (2)
.
N線の配線インダクタンスLNαOを流れてbた電流り
はゼロとなりU相アーム(1)側のラミネートバー(8
)のP線の配線インダクタンスL+Q])ハゼ口か+L
LzA’ −1M!rL’ の磁気エネルギーをU相ア
一ム(1)のスナバコンデンサ(6ンが吸収する。等距
離で対称な配置によりU相アーム(1)側とv相アーム
(2)側のラミネートバー(8)のP線の配線インダク
タンスL+(ロ)、ラミネートバー(8)のN線の配線
インダクタンスL2(2)、LIσυ、L202間の相
互インダクタンスMuαηは等しくU相、■相のスナバ
コンデンサ(6)は等しb磁気エネルギーを吸収する。The current b flowing through the wiring inductance LNαO of the N wire becomes zero and the laminate bar (8) on the U-phase arm (1) side
) wiring inductance of P line L+Q])
LzA' -1M! The magnetic energy of rL' is absorbed by the snubber capacitor (6) of the U-phase arm (1). Due to the equidistant and symmetrical arrangement, the laminate bars ( The wiring inductance L+ (b) of the P line of 8), the wiring inductance L2 (2) of the N line of the laminate bar (8), LIσυ, mutual inductance Muαη between L202 are equal, and the snubber capacitors of the U phase and ■ phase (6) is equal to b and absorbs magnetic energy.
なお、上記実施例では、交流出力線もラミネートバーの
中央から引き出したが必ずしも中央でなくても上記実施
例と同様の効果が期待できる。又。In the above embodiment, the AC output line is also drawn out from the center of the laminate bar, but the same effect as in the above embodiment can be expected even if it is not necessarily at the center. or.
U相アーム、V相アームはトランジスタモジュールでも
インバータスタックでもよい。The U-phase arm and the V-phase arm may be transistor modules or inverter stacks.
この発明は以上説明したとお5.U相アームと■相アー
ム間をラミネートバーなどの低インダクタンス導体で接
続し、この相アーム間を接続する導体の各相アームから
等距離の位置に直流給電線を接続し引出したので、スナ
バコンデンサに流れる電流がU相、■相とも等しくなり
、スナバコンデンサの定格を必要最少とすることができ
、大きさ、コストとも低減できる。5. This invention has been explained above. The U-phase arm and the ■-phase arm are connected with a low-inductance conductor such as a laminate bar, and the DC power supply line is connected and drawn out at a position equidistant from each phase arm of the conductor that connects the phase arms, so the snubber capacitor The current flowing in both the U-phase and the ■-phase becomes equal, and the rating of the snubber capacitor can be minimized, reducing both size and cost.
さらにスナバコンデンサの動作がU相アーム。Furthermore, the operation of the snubber capacitor is the U-phase arm.
V相アーふと4等しくなるためスイッチング時のターン
オフ廿−ジ電圧がU相アーム、v相アームとも等しくな
りトランジスタの耐圧設計がより容易となる。Since the V-phase arm and the V-phase arm are equal to 4, the turn-off voltage during switching is the same for both the U-phase arm and the V-phase arm, making it easier to design the withstand voltage of the transistor.
第1図はこの発明の一実施例を示すインバータ回路図、
第2図は第1図のインバータ回路図の配線インダクタン
スを含めた構成の説明図、第8図は従来のインバータ回
路図、第4図は第3図のインバータ回路図の配線インダ
クタンスを含めた構成の説明図である。
図においてldU相アーム、(2)は■相マーム。
(8)はラミネートバー、(4)は正側直流給電線P、
(5)は負側直流給電線N、(6)はスナバコンデンサ
、(7)はU相焚流出力線、(8)はV相父流出力線、
α3α4)QQaGはトランジスタである。
なお各図中同一符号は同一または相当部分を示す。FIG. 1 is an inverter circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
Figure 2 is an explanatory diagram of the configuration of the inverter circuit diagram in Figure 1, including wiring inductance, Figure 8 is a conventional inverter circuit diagram, and Figure 4 is the configuration of the inverter circuit diagram in Figure 3, including wiring inductance. FIG. In the figure, ldU phase arm, (2) is ■ phase arm. (8) is the laminate bar, (4) is the positive DC feeder P,
(5) is the negative side DC feeder N, (6) is the snubber capacitor, (7) is the U-phase firing output line, (8) is the V-phase father output line,
α3α4)QQaG is a transistor. Note that the same reference numerals in each figure indicate the same or corresponding parts.
Claims (1)
よびコンデンサを有し、上記相アーム間をラミネートバ
ーなどの低インダクタンス導体で接続したインバータ回
路において、上記相アーム間を接続する導体の各相アー
ムから等距離の位置に直流給電線を接続し引出したこと
を特徴とするインバータ回路。In an inverter circuit in which the U-phase arm and the V-phase arm have semiconductor switching elements and capacitors, and the phase arms are connected by a low-inductance conductor such as a laminate bar, from each phase arm of the conductor connecting the phase arms An inverter circuit characterized by connecting and drawing out DC power lines at equidistant positions.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61055583A JPS62221878A (en) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | Inverter circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61055583A JPS62221878A (en) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | Inverter circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62221878A true JPS62221878A (en) | 1987-09-29 |
Family
ID=13002758
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61055583A Pending JPS62221878A (en) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | Inverter circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62221878A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01147679U (en) * | 1988-03-30 | 1989-10-12 | ||
JPH03293973A (en) * | 1990-02-20 | 1991-12-25 | Mitsubishi Electric Corp | Inverter device |
JPH0451082U (en) * | 1990-09-05 | 1992-04-30 | ||
JP2017118693A (en) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | 高周波熱錬株式会社 | Power supply device for induction heating |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60200560A (en) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Mitsubishi Electric Corp | Parallel connecting structure of transistor module |
-
1986
- 1986-03-13 JP JP61055583A patent/JPS62221878A/en active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60200560A (en) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Mitsubishi Electric Corp | Parallel connecting structure of transistor module |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01147679U (en) * | 1988-03-30 | 1989-10-12 | ||
JPH03293973A (en) * | 1990-02-20 | 1991-12-25 | Mitsubishi Electric Corp | Inverter device |
JPH0451082U (en) * | 1990-09-05 | 1992-04-30 | ||
JP2017118693A (en) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | 高周波熱錬株式会社 | Power supply device for induction heating |
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