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JPS62228941A - 検査区域の層の空間構造を決定する方法と装置 - Google Patents

検査区域の層の空間構造を決定する方法と装置

Info

Publication number
JPS62228941A
JPS62228941A JP62060271A JP6027187A JPS62228941A JP S62228941 A JPS62228941 A JP S62228941A JP 62060271 A JP62060271 A JP 62060271A JP 6027187 A JP6027187 A JP 6027187A JP S62228941 A JPS62228941 A JP S62228941A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
radiation
scattered radiation
compton
detector
scattering
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62060271A
Other languages
English (en)
Inventor
ジェフリー・ハーディング
ジョゼフ−マリア・コザネツキー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of JPS62228941A publication Critical patent/JPS62228941A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/20Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
    • G01N23/20083Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials by using a combination of at least two measurements at least one being a transmission measurement and one a scatter measurement

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
  • Nuclear Medicine (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、複数のビーム通路に沿う1次ビームにより、
かつ複数の方向から照射される検査区域(examin
ation zone)の層の空間構造を決定する方法
に関連し、異なる角度で検査区域から現出する放射は検
査区域外の異なる位置の検出器装置によって検出され、
そのあとこのようにして得られた測定値から層の各画素
(pixel )の異なる運動量伝達(momentu
m transfers)に対して微分散乱係数(di
fferential 5catter coeffi
cient)が決定され、そしてまたこの方法を実行す
る装置にも関連している。
この種の方法は西ドイツ公開特許第3406905号か
ら元々知られている。そこで、検査区域は平行ビーム通
路の群に沿って異なる角度で1次ビームによって照射さ
れている。検出器装置は検査区域から現出する1次ビー
ムならびに1次ビームに対して比較的小さい散乱角(1
2°まで)で検査区域から現出する散乱放射を検出する
。異なる散乱角は検出器装置の異なる検出器素子によっ
てカバーされる。引続いで、各画素に対してこの画素の
散乱密度(すなわち単位体積当りの原子数)と微分散乱
断面積(differential 5catter 
cross−section)の積に対応する画素値が
形成される。
微分散乱係数と規定されるこの積は、散乱角によって決
定された方向の画素に散乱された1次ビームに含まれる
X線量子あるいはガンマ量子の配分(share)の測
度(画素の縦方向寸法および空間角の単位に関連してい
る)である。
以下の関係が散乱角βと運動量伝達Xとの間に存在する
X=2h −s in (β/2)L    (1)こ
こで、hはプランクの作用量子(6,63xto−”J
S)であり、LはX線あるいはガンマ量子の波長である
。従って、1次ビーム中の量子のエネルギが分かってい
ると、運動■伝達Xは各散乱角に明確に割当てることが
できる。既知の方法により、層の各画素に対して、微分
散乱係数は異なる運動量伝達に対しこのように決定され
る。
小さい散乱角のために、既知の方法はいわゆるレイリー
散乱放射のみを実際にカバーする。よく知られているよ
うに、レイリー散乱は、ガンマ量子が原子的に束縛され
た電子によってそれらのエネルギを変化することなく散
乱されるプロセスである既知の方法で用いられた散乱角
あるいは運動量伝達の小さい値に対して、微分散乱係数
あるいは微分散乱断面積はその電子がレイリー散乱を起
す原子を含む分子の構造に本来依存している。
しかし本発明の目的は、その構造的割当にかかわらず、
層の所定の化学要素(chemical elemen
t)(あるいは層中の個別画素)の内容について定量的
情報が得られるようにする方法を与えることである。
示されたような方法に基いて、この目的は、コブトン散
乱放射とレイリー散乱放射が異なる点で別々に測定され
、コンプトン散乱放射とレイリー散乱放射に対する微分
散乱係数は層の画素の測定値から別々に決定され、種々
の化学要素の配分はこれらの配分によって加重されたこ
れらの要素の微分散乱断面積の重畳が運動量伝達の関数
とじてコンプトン散乱とレイリー散乱に対して運動量伝
達の関数として決定された微分散乱係数に少なくとも近
似的に比例していることで達成されている。
本発明は次のような事実の認識に基いている。
すなわち、異なる化学要素に対する運動量伝達の所与の
範囲内で、運動量伝達の関数としての微分散乱断面積は
、レイリー散乱放射ならびにコンプトン散乱放射に対す
る関連化学要素の特性であるような態様で変化している
。従って、この変動に基いて、どの化学要素が層中に示
されるかが決定できる。
一般に画素はいくつかの化学要素を含んでいる。
これらの要素が分っていると、個々の要素の(既知)の
微分散乱断面積の加重和は、運動量伝達の関数としての
この和の変動が運動量伝達の関数として微分散乱断面積
の測定された変動に少なくとも実質的に対応するように
(加重因子の適当な変化によって)形成することができ
る。測定された変動に最も近い和の加重因子は画素中の
関連化学要素の配分を表わしている。
本発明による方法において、散乱放射は範囲0.5≦X
 L o / h≦6の運動量伝達について決定される
ことが好ましい。ここでLOはl Q −10m(=1
オングストローム)に等しい。1次ビームのX線量子の
エネルギが例えば約60keVになる場合に、この条件
は約6°から80°までの範囲にある散乱角に対して満
足されよう。
小さい散乱角あるいは小さい運動量伝達の場合には、測
定は散乱プロセスにあずかる原子の位置している分子化
合物の構造によって影響される。
幾何学的理由により、散乱角の上限は約90°となる。
コンプトン散乱放射とレイリー散乱放射の別々の測定に
対して、散乱X線量子のエネルギはコンプトン散乱の間
に減少され、一方、レイリー散乱の間にそれは維持され
ると云う事実が用いられなくてはないらい。従って検出
器装置はエネルギ分解能を持たねばならない。しかし、
この能力は例えばゲルマニウム検出器の場合には、約3
00eV (60keVにおいて)に制限される。しか
し、1次ビーム中の量子エネルギが例えば57kkeV
となると、散乱角18° (あるいはそれ以上)で現出
する量子のみがコンプトン散乱の間に300eVあるい
はそれ以上のエネルギ損失をこうむるであろう。もっと
小さい散乱角の場合には、そのような検出器はコンプト
ン散乱放射とレイリー散乱放射を別々に測定できない。
従って、本発明による別の変形では、各方向および各ビ
ーム通路に対して第1測定が実行され、その間に散乱放
射が検出器装置上に直接入射され、引続いて第2測定が
実行され、その間にフィルタが検査区域と検出器装置と
の間に挿入され、上記のフィルタの吸収帯域端(abs
ortion band edge)は生成されたコン
プトン散乱放射の波長より短かく、かつレイリー散乱放
射の波長よりは長い波長にある。
フィルタの吸収帯域端が位置する波長が1次ビーム中の
量子エネルギより僅かばかり小さいエネルギ(例えば4
0eV)に対応する場合、レイリー散乱放射は第2測定
の間にフィルタによって多少抑制され、従ってコンプト
ン散乱放射とレイリー散乱放射は第1測定と第2測定の
比較によって別々に決定できる。
この方法を実行する装置であって、 ガンマ線あるいはX線を発生する放射線源、検査区域を
通る照射に対し小さい断面積を有する1次ビームを形成
する隔膜装置 (diaphragmdevice)、 検査区域の他の側の1次ビームならびに1次ビームによ
って照射された区域内に生成された散乱放射を測定する
検出器装置、 一方の側の検査区域と他の側の放射線源および検出器装
置との間で移動運動および回転運動を実現する駆動手段
、および 1次ビームによって照射された検出器区域の層の画素の
微分散乱係数を決定する演算装置、を具える装置は、 検出器装置が、ガンマ量子あるいはX線量子の検出に基
いて、量子エネルギに依有する振幅を有するパルスが発
生されるように構成され、このパルスはコンプトン散乱
放射とレイリー散乱放射が別々に決定できるようにそれ
らの振幅に依存して処理され、 蓄積装置が備えられ、ここでコンプトン散乱放射とレイ
リー散乱放射に対する散乱断面積が検査区域内に生起す
る化学要素の運動量伝達の異なる値に対して蓄積され、 演算装置は個々の画素に含まれる化学要素の配分が測定
値と蓄積装置に蓄積された値から決定されるようにプロ
グラムされていること、を特徴とする。
コンプトン散乱放射とレイリー散乱放射が別々に測定さ
れるべき場合には、できる限り単色であるX線あるいは
ガンマ線を供給する放射線源が使用されなくてはならな
い。これは、広帯域X線スペクトルあるいは広帯域ガン
マ線スペクトルの場合に、2つの散乱放射配分を別々に
決定するために、散乱量子のエネルギから(レイリー散
乱あるいはコンプトン散乱の)散乱プロセスを決定する
ことが不可能であるからである。アイソトープが正確に
単色なX線を供給するが、その強度は非常に低いことが
知られている。従って、本発明による方法の実施では、
生きている人間や動物の体の検査が殆ど実行できないほ
ど長時間を必要とする。
従って、本発明による別の変形は、放射線源がタンタル
陽極を有するX線源によって形成され、そのビーム通路
に短波長放射を抑制するフィルタが配列されていること
を特徴としている。本発明による別の実施例はこのフィ
ルタがツリウムでできていることを特徴としている。
X線源はその最大エネルギがX線源に印加された高電圧
によって決定される遅延放射スペクトル(retard
ation radiation 5pectru+n
)を有することが知られている。例えば、高電圧が12
0keVであると、発生されたX線量子の最大エネルギ
は120keVになる。しかし、遅延放射に加えて、X
線源はまた線スペクトルを有する特性放射(cha(c
haracteristic radiation)を
発生する。特にそれはいわゆるにα1線の強度といわれ
ている。それは全強度の約10%にもなる。kα1線の
エネルギはクンタル陽極を具えるX線源は57.524
keVとなる。ツリウムフィルタの吸収帯域端は約59
.4 k e Vに位置している。このようにして、遅
延放射スペクトルの高エネルギ部分は実質的に抑制され
、一方、低エネルギ部分と特ににα1線はフィルタによ
って実質的には影響されぬままである。
本発明による別の変形におけるこの種のX線源はエルビ
ウムフィルタを具え、これは検査区域と検出器装置の間
に挿入できる。エルビウムは量子エネルギ57.483
 k e Vに対応する波長に位置している吸収帯域端
を有している。かくしてこの種のフィルタはタンタル陽
極を有するX線源のにα1線によって励起されたレイリ
ー散乱放射を実質的に抑制し、一方、コンプトン散乱放
射はそれによって殆ど影響されない。そのようなフィル
タの使用は2つの測定によってコンプトン散乱放射とレ
イリー散乱放射の別々の決定を可能にし、従って検出器
装置のエネルギ分解能について極めて高い要求条件を課
す必要はない。それ故、一般に冷却を必要とし、かつ高
価である半導体検出器素子の代わりに、例えば沃化ナト
リウム結晶を有するシンチレーション検出器のような他
の検出器素子が検出器装置としてまた使うことができる
以下、本発明を図面を参照して詳細に説明する。
第1図aの記号1はX線源の形をした放射線源を示し、
その放射ビームは隔膜装置2によって狭い断面積(ペン
シルビーム)を有する1次ビーム3を形成するようにス
トップされている。1次ビーム3は例えば検査すべき人
間の胴体のような対象5をとりまく円形検査区域4を照
射する。検査区域から現出する放射は検出器装置6によ
って測定される。
駆動器7が具えられ、これは一方の側の検査区域4ある
いは物体5と、他方の側のX線源l、隔膜装置2および
検出器装置6との間の相対移動あるいは相対回転運動を
生成する。かくして検査区域はまず1次ビーム3に平行
に延びている多数のビーム通路に沿って照射され、引続
いてそれに異なる角度で延びている相互に平行なビーム
通路に沿って照射される。これまで第1図に関連して説
明された装置は既知の第一世代のコンピュータトモグラ
フィ装置(CT)に対応している。
X線源1は少なくともX線源によって発生された電子が
入射される領域においてタンタルからなる陽極を具えて
いる。それは例えば100とか120kVのような高電
圧で動作し、これはタンタルの特性エネルギ(57,5
24keV)より実質的に高い。従って、この陽極によ
って発出されたX線のスペクトル変動は波長りの関数と
して第2図aのように示されており、特性放射の波長に
1によって示されている。
X線源lと検査区域4の間にツリウムフィルタ8が配列
され、その吸収帯域端は約59.335keVに位置し
ている。このフィルタはその波長りがエネルギ59.3
35 k e Vに対応する値より小さいスペクトルの
部分を実質的に抑制し、かつより長い波長を有する他の
部分を実質的に何の障害無しに通過させる。従って、検
査区域4を通過する1次ビーム3のスペクトルは第2図
すの実線によって表わされた(理想化された)変動を有
している。
事実、遅延放射は第2図すに示されているほど抑制でき
ない。遅延放射スペクトルがさらに抑制されている放射
線源が第1図すに示されている。
ここでタンタル箔1aによって発出された蛍光放射が使
用され、それが起こるのは100−120kVで動作す
るX線源のX線にそれがさらされている場合である。蛍
光放射は実質的に純粋の線スペクトルを有しているが、
しかしその強度は第2図aに示されているようにタンタ
ルX線源の線スペクトルの強度より小さい。kβ線(6
5k e V)を抑制するためにツリウムフィルタ8が
ここでなお必要とされている。
純粋な単色放射は放射性核種放射線源、好ましくはアメ
リシウム241が使用される場合に得られる。この放射
のエネルギは59.537keνである。
その場合フィルタ8は余計である。
検出器装置6は多数の検出器素子DO,DI−−−Dn
からなっている。検出素子DOは検査区域の他の側にお
いて1次ビーム3を受信する。従って、それによって供
給された測定値は1次ビームの減衰の測度である。検出
器Di−−−−Dnは1次ビーム3によってぶつからな
いが、1次ビーム3により検査区域4に生成された散乱
放射によってのみぶつかるように配列されている。
検出器素子の数とそれらの配列は、約6°と80°の間
の散乱角に対して、本質的に1次ビーム3に沿う各点か
らの散乱放射が物体5中に示された化学要素の存在する
のと同じくらい多い検出器素子によって捕獲されるよう
選ばれている。従って、人体の検査に対して少なくとも
6つの検出器素子が存在しなくてはならない。と言うの
は少数の残部を無視して、人体は酸素、水素、炭素、窒
素、燐およびカルシウムからなり、上記の検出器素子は
6°から80°の角度の範囲で1次ビーム3によって検
査区域の点で発生された散乱放射を検出するからである
コンプトン散乱プロセスによって散乱される1次ビーム
3中のX線量子がエネルギを失うと言う理由で、このタ
イプの散乱放射のスペクトルは第2図すの破線によって
示されたようにより長い波長に向かってシフトされる。
kα線の波長はに1からに2にシフトされる。シフトの
程度は散乱角に依有する。散乱角12°に対し、波長変
動は約140eVのエネルギ差に対応する。180゛の
散乱角に対しては、シフトは4900eVのエネルギ差
に対応する。
検査区域4と検出器装置6との間に、2つの位置を専有
できるようにエルビウムフィルタ9が配列されている。
すなわち、散乱放射がフィルタ9によってさまたげられ
ること無く検出器素子D1−−−−Dnに達することの
できる第1位置と、放射がフィルタ9のみを通して検出
器素子に達することのできる第2位置である。
波長りの関数としてのエルビウムフィルタの減衰変化は
第2図Cに線図的に示されている。フィルタの減衰は最
初に波長が増大するにつれて単調に増大し、そして波長
kO″?:急により低い値に減少し、そのあと再び増大
することが分かる。波長kOにおける減衰ファクタの遷
移はフィルタ9の吸収帯域端を表わしている。k吸収帯
域端は量子エネルギ57.483 k e Vに対応す
る波長を持っている。それはタンタルの特性X線エネル
ギ(kl)の下40keVに位置している。かくして、
フィルタ9はレイリー散乱放射(第2図すの実線)とコ
ンプトン散乱放射(同図の破線)に対して明白に異なる
値を有している。
従って、2つの測定が実行されると、すなわち1つがフ
ィクタ有りであり、もう1つがフィルタ無しで行なわれ
ると、レイリー散乱放射とコンプトン散乱放射の配分は
異なる加重を持つ合成測定値となる。コンプトン散乱放
射とレイリー散乱放射の配分は、エルビウムフィルタ9
の減衰の変動が減衰の関数として既知であるζ(第2図
Cを見よ)それから別々に決定できる。アメリシウム2
41が用いられる場合、フィルタ9はレイリー散乱放射
の抑制を可能にするためにツリウムから構成されるべき
である。
検出器素子D 1−−−−D nの各々に処理ユニット
E 1−−−−E nが続くが、しかし第1図aはユニ
ットE1とEnのみを示している。散乱X線量子の検出
に応じて、各検出器素子D I−−−−D nはその振
幅がX線量子のエネルギに比例しているパルスを発生す
る。これらのパルスはユニットEl−Enで増幅され、
次いでパルス振幅分析を受ける。
所与の振幅をこえるパルス、およびそのエネルギが波長
に1に対応する値より小さく、かつ波長に2に対応する
値より大きいX線量子から発生するパルスのみが各ユニ
ットに含まれるカウンタでカウントされる。このように
して、カウンタの位置は散乱放射の強度の測度である。
この情報はマルチプレクサ10を介してメモリ11に印
加される。
対象に依存しないか、あるいは直接依存しない効果(多
重散乱放射、検出器感度、1次ビームに対する検出器素
子の配列等)は測定値に訂正ファクタを乗算することに
より前もって除くことが好ましい。この訂正ファクタは
その散乱の振舞が既知の物体(例えば水)について実行
された較正測定から導かれる。測定が完了したあと、メ
モリは各ビーム通路、各方向および各検出器に対するコ
ンプトン散乱放射とレイリー散乱放射の2つの測定値を
含むか、あるいはそこから2つの散乱放射配分が導ける
2つの測定値を含むであろう。検査区域の個々の画素に
対して蓄積された値から、演算装置12は運動量伝達の
関数として各微分散乱係数を決定し、それから個々の画
素中の化学要素の配分を決定する。
第3図はフローチャートに基づく種々の化学要素の配分
の決定を例示している。ブロック18において、1次ビ
ーム3によって照射された検査区域4の層中の減衰の空
間分布は検出器素子DOにより形成された測定値から決
定される。この演算はコンビュータトモクラフィから知
られた態様で実行される。検出器素子DOの出力信号は
演算装置12によって処理する前に増幅され、かつディ
ジタル対アナログ変換器でディジタルデータ語に変換さ
れなくてはならない。説明を明確にするために、この演
算を実行するのに必要な構成素子は第1図aでは省略さ
れている。
ブロック19はコンプトン散乱にたいする測定値の装荷
に関連している。ブロック20では検査区域4の層の画
素に対するコンプトン散乱の微分散乱係数が運動量伝達
の関数として決定されている。
分岐演算21の間で、レイリー散乱放射に対する測定値
がすでに処理されたかどうかがチェックされる。最初は
そうでないから、プログラムはブロック22に進み、そ
の間にこれらの測定値は装荷される。引続いて、ブロッ
ク20でレイリー散乱放射の微分散乱係数は層の各画素
に対するこれらの測定値から繰返して決定される。更新
チェックのあと、プログラムはブロック23に進む、こ
こで個々の画素の物質の種々の化学要素の配分はレイリ
ー散乱放射とコンプトン散乱放射に対する微分散乱断面
積から決定される。
第4図は層のすべての画素および異なる運動量伝達に対
するコンプトン散乱放射の微分散乱係数Cmを決定する
ブロック20のフローチャートを示している。レイリー
散乱放射の微分散乱係数Rmも同様にして計算される。
スタート(ステップ201)のあと、微分散乱係数Cm
はすべての画素m、  nおよび異なる運動量伝達Xに
ついて与えられる。第5図aによると、各運動量伝達X
O,Xi、X2.−−−−Xtに対して関連する運動量
伝達に対する微分散乱係数の空間分布を示す映像が得ら
れている。換言すれば、それが位置している列mと行n
によって規定された各画素に対して、微分散乱係数Cm
が運動量伝達Xの関数として決定される。この演算が実
行されている異なる運動量伝達の数は検査区域中に示さ
れた化学要素の数に少なくとも等しくなくてはならず、
かつ散乱放射の捕獲を与える検出器素子D I−−−−
D nの数より大きくてはならない。
微分断面積のプリセットは任意である。例えば、水が検
査区域4のいたる所に存在すると仮定でき、従って各運
動量伝達およびすべての画素に対して同じ微分散乱係数
が得られ、これは運動量伝達の関数として水の微分散乱
断面積と同じ変動を示している。この初期分布は各検査
について再びプリセットする必要はない。メモリからフ
ェッチされることのみが必要であるようにそれはメモリ
に蓄積されよう。
次のステップ203の間に、ビーム通路の方向を特徴付
ける角度aがプリセットされ、ステップ204でビーム
通路とセンタ16間の距離r(第5図すを見よ)がプリ
セットされる。次のプログラムステップ205の間に、
検出器要素Djが検出器素子D 1−−−−D nから
選択される。
プログラムステップ206の間に、もし1次ビームがパ
ラメータrとaによって規定されたビーム通路に沿って
検査区域を通過し、そしてもし微分散乱断面積の仮定さ
れた分布が実際の分布に対応したならば、検出器Djに
よって測定される散乱放射が計算される。この目的で、
ビーム通路のj番目の画素に対して散乱角βijが計算
され、それによりこの画素に生成された散乱放射は検出
器Djに入射される(第5図すを見よ)。角度βijは
式 %式%(2) によって計算される。
ここでdjは検出器素子Djとビーム通路間の距離であ
り、fiは検出器からビーム通路への法線のベースと画
素との間の距離である(第5図すを見よ)。散乱角βi
jが分かると、運動量伝達は、 X1j=2 h−sin (βij/2)/L   (
3)によって計算できる。
レイリー散乱放射に対して、波長りは1次ビーム中の放
射の波長に対応し、一方、コンプトン敗°乱放射に対し
て、この波長はコンプトン散乱放射の場合の波長変動の
既知の式によって上記の波長と散乱角βtjから決定さ
れなくてはならない。
最後に、空間角DOijが決定され、これはi番目の画
素に形成された散乱放射を測定する検出器Djによって
カバーされる。この角度は以下のごとく、 DOij=F −cos  c/ (dj2+ff1i
”)    (4)によって計算される。
ここでFは検出器素子Djの測定表面面積(measu
rement 5urface area)であり、C
は散乱放射の方向に対する測定表面の法線によって囲ま
れた角度である。
またi番目の画素へのその通路S1に沿い(第5図Cを
見よ)、およびこの画素から検出器素子Djへのその通
路S2に沿う1次ビームによって得られた減衰Tijが
決定される。通路s1およびS2に沿う放射の波長は既
知であり、がっ通路S1およびS2に沿う減衰は以前に
計算されたコンピュータトモグラム(ブロック18)か
ら既知であると言う理由で、Tijは正確に決定できる
減衰の計算および式(2)と(4)による計算は検査区
域4内でパラメータa、l!:rによって特徴付けられ
たビーム通路に沿って位置するすべてのM個の画素につ
いて繰返される。引続いて、ビーム通路から検出器素子
Djへ入射された散乱放射の強度は以下のごとく ここで、Cm (i、  Xij’)は運動量伝達Xi
jとビーム通路に沿うi番目の要素に対する微分散乱断
面積である。ビーム通路の位置はrとaによって規定さ
れるから、ビーム通路に沿う各要素iについてパラメー
タmとnによって画素を関係付けることができ、従って
値Cm (i、  X i j)は所与のデータCm 
(m、n、X)から決定できる。
一般に、ビーム通路に沿うi番目の要素はmとnによっ
て特徴付けられた画素と同じ空間位置を正確に専有して
いない。同様に、Xijは一般に運動量伝達XO,Xi
、X2.−−−−Xtの1つと同等ではない。これらの
場合に、値Cm(i、X1j)は近隣画素(neigh
bouring pixel)あるいは近隣運動量伝達
間の補間によって決定されなくてはならない。
このように決定されたl5j(r、a)は、もし所定の
分布Cm (m、n、X)が実際の分布に対応するなら
検出器Djによって測定された値Mj (r、a)と同
等でなくてはならない。一般に、これは式 Ej(r、  a)  =Sj(r、  a)−Mj(
r、  a)   (6)(ステップ207)によって
訂正値Ej(r、a)が計算できるようなケースではな
いであろう。計算された訂正値Ej (r、a)は種々
の画素および計算された値からの種々の運動量伝達に対
する実際の散乱係数の偏差の測度であり、かつ蓄積され
た微分散乱係数を訂正するために使うことができる。
この訂正の間に(ステップ208)、式(5)によって
Sj (r、a)の計算に使用されたすべての微分散乱
係数は訂正され、すなわち式(5)の導入に基く加重と
同じ加重によってその様にされる。微分散乱係数のこれ
らの値は、訂正値Ej(r、a)の所与の部分すがこれ
まで得られた値に付加されるように訂正され、従って式 %式%(7) が得られる。かくして、ステップ208のあとで値Cm
 (m、n、X)の一部分は検出器素子Djによって与
えられた測定値Mj(乙 a)によって訂正される。
引続いて(ステップ209)、他の検出器素子が選ばれ
、そしてビーム通路r、aに対してすべての検出器素子
Di−−−−Dnの測定値が測定された散乱強度M 1
 (r、 a) −−−−M n (r、 a)によっ
て訂正されるまで、ステップ206から208までが再
び実行される。
引続いて、値rの変化、すなわちビーム通路と検査区域
4の中心16との間の距離の変更によって(ステップ2
10)、以前のビーム通路に隣接し、かつそれに平行に
延びているビーム通路が設定されるように新しいビーム
通路が選択される。
このビーム通路に対して、ステップ205から209が
繰返され、そのあと、aによって決定された方向で検査
区域4を通過するすべてのビーム通路に対する訂正が完
了するまで、次のビーム通路が調整される等々である。
引続いて、ビーム通路の異なる方向aが調整され(ステ
ップ211)、それから1次ビームが測定の間に検査区
域を通過するすべての角位置が処理されるまで、ステッ
プ204から211は繰返される。この第1の繰返しは
別の繰返しを伴い(ステップ212)、そしてステップ
203から211が数回実行される。繰返しの数は固定
できる。しかし、ステップ207の訂正が所与のしきい
値以下に常に留まるならば、繰返しを中断することは代
案として可能である。かくして、実際の分布を非常に良
く近似する訂正された分布Cm(m、n、X)が得られ
る。これらの分布から、個々の画素中の種々の化学要素
の配分が決定できる。
分布Cm (m、n、X)はメモリ14に蓄積され、(
コンピュータトモグラムの次に)表示モニタ15上に表
示できる(第1図)。かくして、個々の各画素の運動量
伝達Xi、X2−−−−Xtの関数として、一連の値R
m (X)がレイリー散乱放射について、そして一連の
値Cm (X)がコンプトン散乱放射について得られる
。微分散乱断面積はこの運動量伝達のこの範囲で画素中
に含まれる化学要素に依有するから、画素の物質(ma
tter)におけるこれらの化学要素の配分は値Rm 
(X)とCm (X)の変動からそれぞれ決定すること
ができる。
これは次のように説明できる。単一原子の微分散乱断面
積は一方では運動量伝達に、他方では関連する原子の原
子数Zに依有する。それ故コンプトン散乱放射の微分断
面積d s / d OはファクタC(Z)とファクタ
Q (X)とに分離でき、従って以下の式が得られる。
ds/do(Z、X)=C(Z、X)・Q(X)  (
8)ここで、Q (X)は既知のクライン−仁科の公式
(Klein−Nishina formula) (
例えばEnzyclopMdie Naturwiss
enschaft und Technik、 Zwe
iburgen−Verlag、 Weinheim、
頁7341式(5)を見よ)に従って計算された微分断
面積であり、そしてこれはZや原子のタイプでなく、運
動量伝達に専ら依存している。C(Z)はいわゆる散乱
関数であり、これは種々の各要素に対する運動量伝達の
関数として計算されるか測定されている。これらの既知
の値C(Z)は公表されており、なかんずくハラベル(
Hubbell)、バイゲル(Veigele) 、ブ
リッグス(Briggs)、ブラウン(Brown) 
、クロメル(Cromer)およびホヴアートン(Ho
werton)によって、J、 Phys。
Chem、Ref、 Data 4 、頁471〜53
8.1975年の標準表で公表されている。この刊行物
ではCC(X、Z)はS (q、Z)として示されてい
る。
Q (X)は原子のタイプや関連化学要素と無関係であ
るから、微分散乱係数Cm (X)は以下の式によって
決定できる。
Cm (X)=Q(X)ΣN(i)・C(Zi、X) 
 (9)ここで、N(i)は関連画素中の化学要素の原
子の数であり、C(Zi、X)はこの要素の散乱関数で
ある。それらから以下の式が得られる。
Cm(X)〜Σa iC(Zi、X)  ;ai=N(
i)/ΣN(i)       On)ここで、aiは
画素中の原子の全数に関する画素中の化学要素iの原子
の配分であり、そしてZiは要素iの原子数である。
同様に、 Rffl(x)〜Σa  iR(Z i、  X)  
     (It)である。
ここで、R(Zi、X)はレイリー散乱放射に対する原
子数Ziを有する化学要素の散乱関数である。この関数
の個々の値はハラペル等による標準表で(記号F (q
、Z)として)また公表されている原子散乱ファクタ(
atomic form factor)の自乗に対応
している。
このようにして、弐GO)と(II)によって、(コン
プトン散乱放射とレイリー散乱放射に対する)微分散乱
係数は、コンプトン散乱放射とレイリー散乱放射それぞ
れに対する、散乱関数の配分aiによって加重された和
に比例している。微分散乱係数Cm (X)とRm (
X)は(測定と反復法によって)既知であり、散乱関数
C(Zi、X)とR(Zi、X)もまた既知である。こ
のようにして(未知の)配分aiを決定することのみが
必要であり、それによって加重された相が以前に決定さ
れた微分散乱関数のような運動量伝達の関数としての同
様な変動を示すように散乱関数の値が加重されている。
微分散乱断面積(および散乱関数)が、少なくとも検査
区域の中に示された異なる化学要素が存在するほど多く
の運動量伝達の異なる値に対して既知である場合には、
原理的にこの目的は達成できる。人体の検査では、これ
らの要素は以前に述べられた6つの化学要素でのみ本質
的であり、従って上記の値は少なくとも6つの異なる運
動量伝達に対して既知でなくてはならない。
数学についての文献(例えばJournal of t
heInstitute of Mthematics
、第9巻、頁91〜108゜1972年)から、数値計
算法(いわゆるフィッティング法[fittiB me
thod] )が知られており、これによって配分ai
は最小自乗法を用いて決定でき、従って、式0ωと(I
I)を用いて、加重和の変動は微分散乱係数の変動にで
きる限り比例している。
種々の化学要素に対して決定された値aiは関連画素の
物質の、原子百分率(atomic percenta
ge)として表現された、関連化学要素の配分に比例し
ている。
コンプトン散乱放射あるいはレイリー散乱放射を測定す
ることにより弐0ωあるいは01)のみによって値ai
を決定することは原理上可能であろう。
しかしこの場合には、避けられぬ測定エラーが不正確性
の原因となり、これは両方の散乱放射配分の測定、およ
び弐〇〇)と(11)を解(ことにより実質的に減少で
きる。
種々の化学要素の配分の決定は層4のすべての画素に対
して原理上実行できる。その場合、層内の化学要素の空
間濃度の決定は可能である。望む場合には、この濃度は
表示ユニット15上に表示するためにメモリ17に蓄積
することができる。
(要 約) 本発明は検査区域の層内の種々の化学要素の配分を決定
する方法に関するものである。コンプトン散乱放射とレ
イリー散乱放射が別々に決定され、測定値から導かれた
微分散乱関数の変動は個々の画素に含まれる種々の化学
要素の配分によって影響される。従って、これらの化学
要素の配分はそれから決定できる。
【図面の簡単な説明】
第1図aは本方法を実行する装置を、 第1図すは適当な放射線源の実施例を、第2図aから第
2図Cまではツリウムフィルタの前および後の第1図で
用いられたX線源のスペクトルならびにエルビウムフィ
ルタによるその減衰の変動を、 第3図は種々の化学要素の配分を決定する演算装置のフ
ローチャートを、 第4図はそのようなフローチャートの詳細を、第5図a
から第5図Cまでは第4図に示されたルーチンの間に実
行される計算を例示する種々の線図を示している。 1・・・放射線源     1a・・・タンタル箔2・
・・隔膜装置あるいはフィルタ 3・・・1次ビーム 4・・・(円形)検査区域 5・・・対象あるいは物体 6・・・検出器装置 7・・・駆動手段あるいは駆動器 8・・・ツリウムフィルタ 9・・・エルビウムフィルタ 10・・・マルチプレクサ 11・・・メモリ     12・・・演算装置13・
・・蓄積装置    14・・・メモリ15・・・表示
モニタあるいは表示ユニント16・・・中心     
 17・・・メモリ18〜20・・・ブロック 21・
・・分岐演算ブロック22.23・・・ブロック 210・・・スタートステップ 202〜212・・・ステップ 213・・・ストップステップ 特許出願人   エヌ・ベー・フィリップス・フルーイ
ランベンファブリケン にロ      L FIG、 2c

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、複数のビーム通路に沿う1次ビームにより、かつ複
    数の方向から照射される検査区域の層の空間構造を決定
    する方法であって、異なる角度で検査区域から現出する
    放射は検査区域外の異なる位置の検出器装置によって検
    出され、そのあとこのようにして得られた測定値から層
    の各画素の異なる運動量伝達に対して微分散乱係数が決
    定されるものにおいて、 コンプトン散乱放射とレイリー散乱放射が 異なる点で別々に測定され、コンプトン散乱放射とレイ
    リー散乱放射に対する微分散乱係数は層の画素の測定値
    (Mj(a、r))から別々に決定され、種々の化学要
    素の配分 (ai)はこれらの配分によって加重されたこれらの要
    素の微分散乱断面積(ds/do)の重畳が運動量伝達
    の関数としてコンプトン散乱とレイリー散乱に対して運
    動量伝達(X)の関数として決定された微分散乱係数に
    少なくとも近似的に比例していることを特徴とする方法
    。 2、1次ビーム中のガンマ線あるいはX線のエネルギの
    選択および検出器装置の配列は、散乱放射が0.5≦X
    Lo/h≦6の範囲の運動量伝達に対して決定されるよ
    うなものであり、ここでhはプランクの作用量子および
    Lo=10^−^1^0mであることを特徴とする特許
    請求の範囲第1項に記載の方法。 3、各方向(a)および各ビーム通路(r)に対して、
    散乱放射の第1測定が実行され、その間に散乱放射は検
    出器装置(D1‐‐‐‐Dn)上に直接入射され、引続
    いて第2測定が実行され、その間にフィルタ(9)が検
    査区域 (4)と検出器装置との間に挿入され、上記のフィルタ
    の吸収帯域端は生成されたコンプトン散乱の波長より短
    く、かつレイリー散乱放射の波長より長い波長に位置す
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項もしくは第2
    項に記載の方法。 4、複数のビーム通路に沿う1次ビームにより、かつ複
    数の方向から照射される検査区域の層の空間構造を決定
    する方法であって、異なる角度で検査区域から現出する
    放射は検査区域外の異なる位置の検出器装置によって検
    出され、そのあとこのようにして得られた測定値から層
    の各画素の異なる運動量伝達に対して微分散乱係数が決
    定されるものにおいて、 コンプトン散乱放射とレイリー散乱放射が 異なる点で別々に測定され、コンプトン散乱放射とレイ
    リー散乱放射に対する微分散乱係数は層の画素の測定値
    (Mj(a、r))から別々に決定され、種々の化学要
    素の配分 (ai)はこれらの配分によって加重されたこれらの要
    素の微分散乱断面積(ds/do)の重畳が運動量伝達
    の関数としてコンプトン散乱とレイリー散乱に対して運
    動量伝達(X)の関数として決定された微分散乱係数に
    少なくとも近似的に比例していることを特徴とする方法
    を実行する装置が、 ガンマ線あるいはX線を発生する放射線源 (1)、 検査区域(4)の照射に対し狭い断面積を 有する1次ビーム(3)を形成する隔膜装置(2)、 検査区域の他の側の1次ビームならびに1 次ビームによって照射された区域内に生成された散乱放
    射を測定する検出器装置(D0;D1‐‐‐‐Dn)、 一方の側の検査区域と他方の側の放射線源 および検出器装置との間で移動運動および回転運動を実
    現する駆動手段(7)、および 1次ビームによって照射された検査区域の 層の画素の微分散乱係数を決定する演算装置(12)、 を具えるものにおいて、 検出器装置(D1‐‐‐‐Dn)は、ガンマ量子あるい
    はX線量子の検出によって、量子エネルギに依存する振
    幅を有するパルスが発生されるように構成され、 該パルスは、コンプトン散乱放射とレイリ ー散乱放射が別々に決定できるようにそれらの振幅に依
    存して(E1‐‐‐‐Enで)処理され、 蓄積装置(13)が備えられ、ここでコン プトン散乱放射とレイリー散乱放射に対する散乱断面積
    (C(Zi、X);R(Zi、X))が検査区域内に生
    起する化学要素の運動量伝達の異なる値に対して蓄積さ
    れ、 演算装置は個々の画素に含まれる化学要素 の配分が測定値(Mj(r、a))と蓄積装置(13)
    に蓄積された値から決定されるようにプログラムされて
    いること、 を特徴とする装置。 5、使用された放射線源がタンタル陽極を有するX線源
    によって形成され、短波長放射を抑制するフィルタがそ
    のビーム通路に配列されていることを特徴とする特許請
    求の範囲第4項に記載の装置。 6、放射線源に対しタンタル箔(1a)が使用され、そ
    の蛍光放射はX線源(1)によって励起され、短波長放
    射を抑制するフィルタ (8)がそのビーム通路に配列されていることを特徴と
    する特許請求の範囲第4項に記載の装置。 7、フィルタ(2)がツリウムからなることを特徴とす
    る特許請求の範囲第5項もしくは第6項に記載の装置。 8、検査区域と検出器装置の間に挿入できるエルビウム
    フィルタ(9)が備えられることを特徴とする特許請求
    の範囲第5項ないし第7項のいずれか1つに記載の装置
    。 9、放射線源に対して放射性核種アメリシウム241が
    使用され、かつ ツリウムからなるフィルタが検査区域と検 出器装置(6)の間に挿入できること、 を特徴とする特許請求の範囲第4項に記載の装置。
JP62060271A 1986-03-18 1987-03-17 検査区域の層の空間構造を決定する方法と装置 Pending JPS62228941A (ja)

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