JPS62200681A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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- JPS62200681A JPS62200681A JP61042554A JP4255486A JPS62200681A JP S62200681 A JPS62200681 A JP S62200681A JP 61042554 A JP61042554 A JP 61042554A JP 4255486 A JP4255486 A JP 4255486A JP S62200681 A JPS62200681 A JP S62200681A
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- Pending
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、発光層の上下両主面を絶縁膜でサンドイッチ
した構造を有し、交流電界の印加に応答してＥＬ （Ｅ
ｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍ１ｎｅｓｃｅｎｃｅ）発光する
いわゆる３層構造薄膜ＥＬ素子に関するものであり、特
にＥＬ全発光利用した表示に対するコントラストを向上
させるための薄膜描造に関するものである。
した構造を有し、交流電界の印加に応答してＥＬ （Ｅ
ｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍ１ｎｅｓｃｅｎｃｅ）発光する
いわゆる３層構造薄膜ＥＬ素子に関するものであり、特
にＥＬ全発光利用した表示に対するコントラストを向上
させるための薄膜描造に関するものである。
〈従来の技術とその問題点〉
従来知られている薄膜ＥＬ素子の基本的な構造を第２図
に示す。ガラヌ等の透光性基板１上に透明電極２が帯状
に複数本平行配列され、この上に下部誘電体層３、Ｚｎ
Ｓに活性物質をドープした発光層４及び上部誘電体層５
が順次積層されて発光層４を上下方向から誘電体層３．
５で挾持した３層構造部が構成されている。上部誘電体
層５上には上記透明電極２と直交する方向に帯状のＡｌ
から成る背面型Ｗｉ６が平行配列され、背面電極６と透
明型１Ｍ２は交流電源７に接続されて薄膜ＥＬ。
に示す。ガラヌ等の透光性基板１上に透明電極２が帯状
に複数本平行配列され、この上に下部誘電体層３、Ｚｎ
Ｓに活性物質をドープした発光層４及び上部誘電体層５
が順次積層されて発光層４を上下方向から誘電体層３．
５で挾持した３層構造部が構成されている。上部誘電体
層５上には上記透明電極２と直交する方向に帯状のＡｌ
から成る背面型Ｗｉ６が平行配列され、背面電極６と透
明型１Ｍ２は交流電源７に接続されて薄膜ＥＬ。
素子が駆動されている。
薄膜ＥＬ素子に使用される背面電極６としては製作が容
易であフ、上部誘電体層５との密着性が良好でかつ高導
電性を具備する材料が望ましく、一般にアルミニウム薄
膜が採用されている。しかしながらアルミニウム薄膜は
金属の中でも極めて光反射率が高く（反射率９０形以上
）、このためアルミニウム薄膜を使用した背面電極６は
、明るい周囲光の下ではガラス基板１を介してＥＬ素子
内へ侵入した外部光をその界面で反射させることとなり
、コントラスト及び表示品位の低下を招くといった問題
点を内包する。即ち薄膜ＥＬ素子を構成する各薄膜層は
透明度が極めて高いものであり、ガラス基板１より入射
した外部光は各薄膜層を透過して背面電極６まで達し、
背面電極６で反射され、再び外部へ出射されるため、Ｚ
ｎＳ発光層４のＥＬ全発光背面電極６で反射された反射
光が相互干渉を起こし、発光絵素と非発光絵素間のコン
トラスト比が著しく低下する。さらに周囲光が極めて明
るい場合にはＥＬ全発光父射先の輝度がほぼ同程度とな
り、表示能力が大幅に悪化する。
易であフ、上部誘電体層５との密着性が良好でかつ高導
電性を具備する材料が望ましく、一般にアルミニウム薄
膜が採用されている。しかしながらアルミニウム薄膜は
金属の中でも極めて光反射率が高く（反射率９０形以上
）、このためアルミニウム薄膜を使用した背面電極６は
、明るい周囲光の下ではガラス基板１を介してＥＬ素子
内へ侵入した外部光をその界面で反射させることとなり
、コントラスト及び表示品位の低下を招くといった問題
点を内包する。即ち薄膜ＥＬ素子を構成する各薄膜層は
透明度が極めて高いものであり、ガラス基板１より入射
した外部光は各薄膜層を透過して背面電極６まで達し、
背面電極６で反射され、再び外部へ出射されるため、Ｚ
ｎＳ発光層４のＥＬ全発光背面電極６で反射された反射
光が相互干渉を起こし、発光絵素と非発光絵素間のコン
トラスト比が著しく低下する。さらに周囲光が極めて明
るい場合にはＥＬ全発光父射先の輝度がほぼ同程度とな
り、表示能力が大幅に悪化する。
く問題点を解決するための手段〉
本発明は上記問題点に鑑み、薄膜ＥＬ素子の背面側に位
置する発光層と上部誘電体層との界面間にフォトクロミ
ズムを示す薄膜（例えばＦｅｔ−ドープしたＰＬＺＴ薄
膜）を挿入して光吸収機能を構成し、表示における黒色
背景を形成してコントラスト及び表示品位を飛躍的に向
上させた新規有用な薄膜ＥＬ素子を提供することを目的
とするものである。発光層がＥＬ全発光るとその光に応
答してフォトクロミック効果によシ挿入した薄膜が黒化
する。これによシ発光層がＥＬ全発光ている期間は黒色
背景が形成されることになる。
置する発光層と上部誘電体層との界面間にフォトクロミ
ズムを示す薄膜（例えばＦｅｔ−ドープしたＰＬＺＴ薄
膜）を挿入して光吸収機能を構成し、表示における黒色
背景を形成してコントラスト及び表示品位を飛躍的に向
上させた新規有用な薄膜ＥＬ素子を提供することを目的
とするものである。発光層がＥＬ全発光るとその光に応
答してフォトクロミック効果によシ挿入した薄膜が黒化
する。これによシ発光層がＥＬ全発光ている期間は黒色
背景が形成されることになる。
〈実施例〉
第１図は本発明の１実施例を示す薄膜ＥＬ素子の構成図
である。第２図同様、ガラス基板１上に透明電極２、Ｙ
２Ｏ３，Ｔｉ０ｚ、Ｓ ｉ０２又はＳ ｉ３Ｎ４等から
成る下部誘電体層３．ＺｎＳ。
である。第２図同様、ガラス基板１上に透明電極２、Ｙ
２Ｏ３，Ｔｉ０ｚ、Ｓ ｉ０２又はＳ ｉ３Ｎ４等から
成る下部誘電体層３．ＺｎＳ。
Ｚｎ５ｅ又はＣａＳに活性物質としてＭｎ又は希土類イ
オンを添加して成る発光層４が順次積層される。本実施
例ではこの発光層４上にフォトクロミズムを示す薄膜８
が重畳されている。更に金属酸化物又は窒化物から成る
上部誘電体層５、アルミニウム金属膜から成る背面電極
６がこの上に積層され、薄膜ＥＬ素子が構成される。背
面電憧６と透明電極２で第２図同様に互いに直交するマ
トリックス電極構造が形成され両電極２．６は交流電源
７に接続されて薄膜ＥＬ素子が駆動される。
オンを添加して成る発光層４が順次積層される。本実施
例ではこの発光層４上にフォトクロミズムを示す薄膜８
が重畳されている。更に金属酸化物又は窒化物から成る
上部誘電体層５、アルミニウム金属膜から成る背面電極
６がこの上に積層され、薄膜ＥＬ素子が構成される。背
面電憧６と透明電極２で第２図同様に互いに直交するマ
トリックス電極構造が形成され両電極２．６は交流電源
７に接続されて薄膜ＥＬ素子が駆動される。
透光性セラミックヌとして有名なＰＬＺＴ（（Ｐｂ、
Ｌａ ） （Ｚｒ、 Ｔｉ ）Ｏｓ）にＦｅをドープし
たものは、３，２００〜５，１００Ａの波長の光を照射
すると黒く着色するフォトクロミズムを示ｔことが知ら
れている。一方、発光層４に添加する活性物質として例
えばツリウム（Ｔｍ ）またはＴｍ化合物（例： Ｔ
ｍＦ３）をドープしたＺｎＳ発光層は、波長４，７７０
Ａ付近の青色のＥＬ全発光放射する。従って、これらの
特性を利用するために本実施例では発光層４として青色
発光古す畢ＥＬ発光層（例えば上記Ｔｍ Ｔ３をドープ
したＺｎＳ層）を選定し、フォトクロミズムを示す薄膜
８をスパッタリングまたはプラズマＣＶＤ法等で成膜し
たＦｅドープＰＬＺＴ薄膜で形成し、発光層４よシ背面
方向へ放射されるＥＬ全発光薄膜８へ照射される構成と
している。
Ｌａ ） （Ｚｒ、 Ｔｉ ）Ｏｓ）にＦｅをドープし
たものは、３，２００〜５，１００Ａの波長の光を照射
すると黒く着色するフォトクロミズムを示ｔことが知ら
れている。一方、発光層４に添加する活性物質として例
えばツリウム（Ｔｍ ）またはＴｍ化合物（例： Ｔ
ｍＦ３）をドープしたＺｎＳ発光層は、波長４，７７０
Ａ付近の青色のＥＬ全発光放射する。従って、これらの
特性を利用するために本実施例では発光層４として青色
発光古す畢ＥＬ発光層（例えば上記Ｔｍ Ｔ３をドープ
したＺｎＳ層）を選定し、フォトクロミズムを示す薄膜
８をスパッタリングまたはプラズマＣＶＤ法等で成膜し
たＦｅドープＰＬＺＴ薄膜で形成し、発光層４よシ背面
方向へ放射されるＥＬ全発光薄膜８へ照射される構成と
している。
発光層４に交流電界が印加され、波長４，７７０Ａ付近
の青色ＥＬ全発光放射されるとＦｅをドープしたＰＬＺ
Ｔ薄膜８はこの光の照射によシ黒く着色する。この黒色
化した薄膜８により、背面電極６に照射される外部光を
大幅に吸収することができ、従って背面電極６で反射さ
れる光景が減少し表示のコントラストが飛躍的に向上す
る。薄膜８はＥＬ光が照射されている間だけ黒色化され
、ＥＬ光がオフになると元の透明状態に復帰する。
の青色ＥＬ全発光放射されるとＦｅをドープしたＰＬＺ
Ｔ薄膜８はこの光の照射によシ黒く着色する。この黒色
化した薄膜８により、背面電極６に照射される外部光を
大幅に吸収することができ、従って背面電極６で反射さ
れる光景が減少し表示のコントラストが飛躍的に向上す
る。薄膜８はＥＬ光が照射されている間だけ黒色化され
、ＥＬ光がオフになると元の透明状態に復帰する。
なお、上部誘電体層５としてＰＬＺＴ系薄膜（（Ｐｂ、
Ｌａ ）（Ｚｒ、Ｔｉ ）Ｏｓ 、Ｐｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）
０３ 、 （Ｐｂ 、 Ｌａ ）Ｔｉ０３ 、 ＰｂＴ
ｉＯ３、ＰｂＺｒ０ａ等）を用いれば、発光／！１４と
の界面に挿入したＦｅドープＰＬＺＴ薄膜８との密着性
が向上すると同時に、ＰＬＺＴ系薄嘆の誘電率が大きい
ことより、薄膜ＥＬ素子の駆動電圧を下げる効果をも合
わせ持つ。
Ｌａ ）（Ｚｒ、Ｔｉ ）Ｏｓ 、Ｐｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）
０３ 、 （Ｐｂ 、 Ｌａ ）Ｔｉ０３ 、 ＰｂＴ
ｉＯ３、ＰｂＺｒ０ａ等）を用いれば、発光／！１４と
の界面に挿入したＦｅドープＰＬＺＴ薄膜８との密着性
が向上すると同時に、ＰＬＺＴ系薄嘆の誘電率が大きい
ことより、薄膜ＥＬ素子の駆動電圧を下げる効果をも合
わせ持つ。
尚、発光層４としては上記ＺｎＳ：Ｔｍ以外にも４膜８
のフォトクロミック効果を律する範囲の波長成分を有す
るＥＬ光を放射するものであれば全て適用することがで
きる。またフォトクロミズムを示す薄膜８はＦｅドープ
ＰＬＺＴに限定されるものではない。
のフォトクロミック効果を律する範囲の波長成分を有す
るＥＬ光を放射するものであれば全て適用することがで
きる。またフォトクロミズムを示す薄膜８はＦｅドープ
ＰＬＺＴに限定されるものではない。
〈発明の効果〉
本発明のフォトクロミズムを示す薄膜を挿入した薄膜Ｅ
Ｌ素子はＥＬ全発光時背面にＷ角膜が形成される為、外
部光が大幅に吸収され、表示のコントラストが向上する
。従って、表示品位が良好となり、発光表示装置として
非常に有効である。
Ｌ素子はＥＬ全発光時背面にＷ角膜が形成される為、外
部光が大幅に吸収され、表示のコントラストが向上する
。従って、表示品位が良好となり、発光表示装置として
非常に有効である。
第１図は本発明の１実施例を説明する薄膜ＥＬ素子の模
式構成図である。 第２図は従来の薄膜ＥＬ素子の基本構成図である。 １・・・ガラス基板 ２・・・透明電極 ３・・・
下部誘電体層 ４・・・発光層 ５・・・上部誘電
体層６・・・背面電極 ７・・・交流電源 ８・・
・薄膜代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）第
２図
式構成図である。 第２図は従来の薄膜ＥＬ素子の基本構成図である。 １・・・ガラス基板 ２・・・透明電極 ３・・・
下部誘電体層 ４・・・発光層 ５・・・上部誘電
体層６・・・背面電極 ７・・・交流電源 ８・・
・薄膜代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）第
２図
Claims (1)
- １．電界の印加に応答してＥＬ発光を生起する発光層と
該発光層を被覆する誘電体層とを１対の電極間に介設し
て成る薄膜ＥＬ素子において、前記発光層と前記誘電体
層との間にフォトクロミズムを示す薄膜を挿入したこと
を特徴とする薄膜ＥＬ素子。 ２ 薄膜がＦｅをドープしたＰＬＺＴより成る特許請求
の範囲第１項記載の薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61042554A JPS62200681A (ja) | 1986-02-26 | 1986-02-26 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61042554A JPS62200681A (ja) | 1986-02-26 | 1986-02-26 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62200681A true JPS62200681A (ja) | 1987-09-04 |
Family
ID=12639267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61042554A Pending JPS62200681A (ja) | 1986-02-26 | 1986-02-26 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62200681A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5757127A (en) * | 1994-06-10 | 1998-05-26 | Nippondenso Co., Ltd. | Transparent thin-film EL display apparatus with ambient light adaptation means |
| JP2007070082A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Toshiba Elevator Co Ltd | エレベータ巻上機のリニューアル方法、エレベータシステム及びマシンベッド |
-
1986
- 1986-02-26 JP JP61042554A patent/JPS62200681A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5757127A (en) * | 1994-06-10 | 1998-05-26 | Nippondenso Co., Ltd. | Transparent thin-film EL display apparatus with ambient light adaptation means |
| US5965981A (en) * | 1994-06-10 | 1999-10-12 | Nippondenso Co., Ltd | Transparent thin-film EL display apparatus |
| JP2007070082A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Toshiba Elevator Co Ltd | エレベータ巻上機のリニューアル方法、エレベータシステム及びマシンベッド |
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