JPS62177071A - 被覆物品の製造方法 - Google Patents
被覆物品の製造方法Info
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Landscapes
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- Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、被覆物品の製造方法、特に基板上にコーティ
ングされたプラズマ重合膜中の水酸基含量を制御して該
プラズマ重合膜の親水性、密着性及び透光性等の膜物性
を変化させうる方法に関する。
ングされたプラズマ重合膜中の水酸基含量を制御して該
プラズマ重合膜の親水性、密着性及び透光性等の膜物性
を変化させうる方法に関する。
酸素プラズマ中でケイ素化合物を用いるプラズマ重合に
よる基体の被覆においては、通常耐摩耗性、耐薬品性、
キ発水性等の物性を有する薄膜が形成されるかその膜構
造、特に水酸基含量とプラズマ重合条件との関係は明確
でない。
よる基体の被覆においては、通常耐摩耗性、耐薬品性、
キ発水性等の物性を有する薄膜が形成されるかその膜構
造、特に水酸基含量とプラズマ重合条件との関係は明確
でない。
酸素プラズマ中で、ケイ素化合物を用いるプラズマ重合
で、該プラズマ重合膜中の、水酸基含量を制御すること
は、ゲイrしく、プラズマ重合膜の膜構造に起因する親
水性、↑裕水性等の表面特性ならびに基板との付着性等
につき、一定の膜物性を再現性良く得ることが困升であ
った。
で、該プラズマ重合膜中の、水酸基含量を制御すること
は、ゲイrしく、プラズマ重合膜の膜構造に起因する親
水性、↑裕水性等の表面特性ならびに基板との付着性等
につき、一定の膜物性を再現性良く得ることが困升であ
った。
本発明は、上記欠点を鑑み、ケイ素化合物を用いるプラ
ズマ重合膜形成工程において、ガス圧力を変化させるこ
とのみにて、再現性よく膜物性を制御する方法に関する
。すなわち本発明は酸素プラズマ中で有機ケイ素化合物
を酸化重合し、基板上にその重合膜をコーティングする
工程を有する被覆物品の製造方法において、前記酸素プ
ラズマ用のガス圧力としてO,OS〜0.5トリチエリ
ーの範囲内において所定圧力以上に(または未満に)保
持することを特徴とする重合膜中の水rv基含量が高い
(または低い)被%物品の製造方法である。
ズマ重合膜形成工程において、ガス圧力を変化させるこ
とのみにて、再現性よく膜物性を制御する方法に関する
。すなわち本発明は酸素プラズマ中で有機ケイ素化合物
を酸化重合し、基板上にその重合膜をコーティングする
工程を有する被覆物品の製造方法において、前記酸素プ
ラズマ用のガス圧力としてO,OS〜0.5トリチエリ
ーの範囲内において所定圧力以上に(または未満に)保
持することを特徴とする重合膜中の水rv基含量が高い
(または低い)被%物品の製造方法である。
上記有機ケイ素化合物の例として下記の一般式(1)で
示される化合物をあげることができる。
示される化合物をあげることができる。
R1nSiR24−
n 4−n
(式中R1は炭素数1〜6の炭化水素基、ビニル基、メ
タクリロキシ基、メルカプト基、イソシアノ基、フッ素
または塩素を有す・る有機基であり、R2は水素元素、
アルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、アセトキシ基
及び塩素元素でありnはO−lである。) 前記一般式(11で示されるケイ素化合物の具体例とし
て、テトラクロロシラン、メチルトリクロロシラン、ジ
メチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、メチ
ルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラ
メチルシラン、テトラメトキシシラン、メチルトリメト
キシシラン、ジメチルジメトキシシラン、トリメチルメ
トキシシラン等を挙げることができる。これらのケイ素
化合物は、/神もしくは2種以上併用して用いることも
できる。
タクリロキシ基、メルカプト基、イソシアノ基、フッ素
または塩素を有す・る有機基であり、R2は水素元素、
アルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、アセトキシ基
及び塩素元素でありnはO−lである。) 前記一般式(11で示されるケイ素化合物の具体例とし
て、テトラクロロシラン、メチルトリクロロシラン、ジ
メチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、メチ
ルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラ
メチルシラン、テトラメトキシシラン、メチルトリメト
キシシラン、ジメチルジメトキシシラン、トリメチルメ
トキシシラン等を挙げることができる。これらのケイ素
化合物は、/神もしくは2種以上併用して用いることも
できる。
本発明において、ガス圧力を0.03〜0J)IJチエ
リー範囲内でガス圧力がO,/!; )リチェリー付近
を境界として、膜の成長速度、分子構造が大きく変化す
る。
リー範囲内でガス圧力がO,/!; )リチェリー付近
を境界として、膜の成長速度、分子構造が大きく変化す
る。
すなわちガス圧力が0./!;ト+)チェリー以上では
、膜のコーティング速度が大きくなるものの、水酸基の
含有量が増加する。膜中の水酸基の増加は膜の親水性を
増加させるので、防曇を目的とする被覆においてはガス
圧を0./J )リチェリー以上とすることが好まし
い。これに対し、O,/!; )リチェリー未満では、
コーティング速度は、へコμm/hrfJ、度と小さく
なるが水酸基の含有量は著しく減少し基板との密着性、
特にポリジエチレングリコールビスアリルカーボネート
基板との密着性が改善される。これらの結果は、ガス圧
力の変化のみにて、再現性よく得られた。
、膜のコーティング速度が大きくなるものの、水酸基の
含有量が増加する。膜中の水酸基の増加は膜の親水性を
増加させるので、防曇を目的とする被覆においてはガス
圧を0./J )リチェリー以上とすることが好まし
い。これに対し、O,/!; )リチェリー未満では、
コーティング速度は、へコμm/hrfJ、度と小さく
なるが水酸基の含有量は著しく減少し基板との密着性、
特にポリジエチレングリコールビスアリルカーボネート
基板との密着性が改善される。これらの結果は、ガス圧
力の変化のみにて、再現性よく得られた。
本発明を用いて防曇性を有する被覆物品を製造するとき
には、次の条件によることが好ましい。
には、次の条件によることが好ましい。
すなわちコーティングの初期においてガス圧力を相対的
に低く保ち(0,73トリチ工リー未満、たとえば0.
7トリチエリー)、コーティングの後期においてガス圧
力を相対的に高く保ち、(例えば0./!; )リチ
ェリー以」二、例えば0.05〜0.5トリチェリー)
、それによって被覆物品の基材に近い被覆層中の水酸基
含量が低くなり、従ってhI材と被膜との密尤性が向上
し、かつ、被膜の外表面側の層中の水酸基金mが高く、
従って被膜の防曇性が向上する。
に低く保ち(0,73トリチ工リー未満、たとえば0.
7トリチエリー)、コーティングの後期においてガス圧
力を相対的に高く保ち、(例えば0./!; )リチ
ェリー以」二、例えば0.05〜0.5トリチェリー)
、それによって被覆物品の基材に近い被覆層中の水酸基
含量が低くなり、従ってhI材と被膜との密尤性が向上
し、かつ、被膜の外表面側の層中の水酸基金mが高く、
従って被膜の防曇性が向上する。
この様な方法にて水酸基含有量の制御されたプラズマ重
合膜で被膜されるべき基体として、ガラス、プラスチッ
ク金属及びセラミックスを挙げることができる。
合膜で被膜されるべき基体として、ガラス、プラスチッ
ク金属及びセラミックスを挙げることができる。
次にプラズマ重合条件について説明する。
用いるプラズマ重合装置は、公知のものでよく、例エバ
ジャーナル・オブ・アプライド・ポリマー・サイx ン
ス(Journal of Applied Poly
merScience )第17巻、ざgs頁(/97
3)に記載されたペルジャー型内部電極方式、同誌第7
5巻1.2277mC/97/)に記載された清聴無電
極方式等の装置を用いることができる。本発明を実施す
るに牝に適するプラズマ重合装置を第1図に示した。
ジャーナル・オブ・アプライド・ポリマー・サイx ン
ス(Journal of Applied Poly
merScience )第17巻、ざgs頁(/97
3)に記載されたペルジャー型内部電極方式、同誌第7
5巻1.2277mC/97/)に記載された清聴無電
極方式等の装置を用いることができる。本発明を実施す
るに牝に適するプラズマ重合装置を第1図に示した。
プラズマ重合条件は、用いる装置の大きさ、用いるモノ
マー権、放電電力等に依存するが、図記載の装置を用い
た場合の適した条件は下記の様であった。
マー権、放電電力等に依存するが、図記載の装置を用い
た場合の適した条件は下記の様であった。
ケイ素化合物モノマー流fa O,0/ 〜5CC(S
TP)/分、酸素ガス流量o、5−JOcc(STP)
/分、ガス圧力005〜0.5トリチエリー、放電電力
10〜タOワツトが適していた。必要に応じ、基板を冷
却しても良い。この様な条件下で基板上に水酸基含量の
制御されたプラズマ重合膜を形成する場合、適当なlI
&[はo、oos〜20 ミクロンであり、最適膜厚は
、求める物性に応じ任意に決められる。o、oosミク
ロン以下だと耐擦傷性が不充分となり、また20ミクロ
ン以上になるとプラズマ重合膜にクラックが生じやすく
なる。
TP)/分、酸素ガス流量o、5−JOcc(STP)
/分、ガス圧力005〜0.5トリチエリー、放電電力
10〜タOワツトが適していた。必要に応じ、基板を冷
却しても良い。この様な条件下で基板上に水酸基含量の
制御されたプラズマ重合膜を形成する場合、適当なlI
&[はo、oos〜20 ミクロンであり、最適膜厚は
、求める物性に応じ任意に決められる。o、oosミク
ロン以下だと耐擦傷性が不充分となり、また20ミクロ
ン以上になるとプラズマ重合膜にクラックが生じやすく
なる。
以下実施例により説明する。
実施例/〜6
プラズマ重合条件を表−/に示した。NaCl結晶基板
上に形成したプラズマ重合膜の赤外吸収スペクトル(透
過率相対値)を第2図〜第j図に示した。放電時のガス
圧力がO,/jTorrの実施例乙を境としてガス圧力
の高い実施例−/、ゲは3300cm”’1付近に水酸
基に帰属される大きなピークが認められるのに対し、ガ
ス圧力の低い実施例−2゜3では、それが殆んど詔めら
れず、ガス圧力の変化にてプラズマ重合膜中の水酸基金
■を、再現性よく、制御できた。
上に形成したプラズマ重合膜の赤外吸収スペクトル(透
過率相対値)を第2図〜第j図に示した。放電時のガス
圧力がO,/jTorrの実施例乙を境としてガス圧力
の高い実施例−/、ゲは3300cm”’1付近に水酸
基に帰属される大きなピークが認められるのに対し、ガ
ス圧力の低い実施例−2゜3では、それが殆んど詔めら
れず、ガス圧力の変化にてプラズマ重合膜中の水酸基金
■を、再現性よく、制御できた。
またポリジエチレングリコールビスアリルカーボネート
基板を用いた場合煮沸水に70分浸漬後の膜の付着性は
、膜中の水酸基含量の少ない実施例−の方が実施例/に
比べ良好であった。
基板を用いた場合煮沸水に70分浸漬後の膜の付着性は
、膜中の水酸基含量の少ない実施例−の方が実施例/に
比べ良好であった。
尚実施例丞の赤外吸収スペクトルより、膜構造の経時変
化は、認められなかった。
化は、認められなかった。
実施例7
ポリジエチレングリコールビスアリルカーゲイ、−ト基
板を用い、まず放電時間を20分とした以外は、実施例
2と同様の条件で水酸基含量の少ない膜を形成し、引き
続き実施例1と同様にガス圧力を0.3)IJチェリー
に上げ水酸基含量の多い膜を形成した。この様に実施す
ることにて基板と被膜との密着性が良く、しかも耐擦傷
性良好な防曇被膜が得られた。
板を用い、まず放電時間を20分とした以外は、実施例
2と同様の条件で水酸基含量の少ない膜を形成し、引き
続き実施例1と同様にガス圧力を0.3)IJチェリー
に上げ水酸基含量の多い膜を形成した。この様に実施す
ることにて基板と被膜との密着性が良く、しかも耐擦傷
性良好な防曇被膜が得られた。
第7図は、本発明を実施するためのプラズマ重合装置の
一例の概略を示す側断面図、第一〜S図はそれぞれ本発
明により得られたプラズマ重合膜の赤外線吸収スペクト
ルを示す図である。 OSC:高周波発掠器 W・電力計 工MC:同調回路 ■:’gJ、 空言1 A キャリアーガスインレット M゛モノマ ー′割基板T:トラツプ、P 真空ポンプCW:冷ノJ
水 第1図 第2図 環数(cm”) 第3図 汎数(C市I) 第4図 ヲ皮奮欠(crri’) 第5図 J(欠(C醇り
一例の概略を示す側断面図、第一〜S図はそれぞれ本発
明により得られたプラズマ重合膜の赤外線吸収スペクト
ルを示す図である。 OSC:高周波発掠器 W・電力計 工MC:同調回路 ■:’gJ、 空言1 A キャリアーガスインレット M゛モノマ ー′割基板T:トラツプ、P 真空ポンプCW:冷ノJ
水 第1図 第2図 環数(cm”) 第3図 汎数(C市I) 第4図 ヲ皮奮欠(crri’) 第5図 J(欠(C醇り
Claims (7)
- (1)酸素プラズマ中で有機ケイ素化合物を酸化重合し
、基板上にその重合膜をコーティングする工程を有する
被覆物品の製造方法において、前記酸素プラズマ用のガ
ス圧力として0.05〜0.5トリチェリーの範囲内に
おいて所定圧力以上に(または未満に)保持することを
特徴とする重合膜中の水酸基含量が高い(または低い)
被覆物品の製造方法。 - (2)前記ガス圧力として、コーティングの初期におい
て前記所定圧力よりも低く保持し、コーティングの後期
において前記所定圧力以上に高く保持する特許請求の範
囲第1項記載の被覆物品の製造方法。 - (3)前記所定圧力は0.15トリチェリーである特許
請求の範囲第1項または第2項記載の被覆物品の製造方
法。 - (4)前記有機ケイ素化合物は下記一般式(1)で示さ
れるものである特許請求の範囲第1項記載の被覆物品の
製造方法。 R^1_nSiR^2_4_−_n(1) (式中R^1は炭素数1〜6の炭化水素基、ビニル基、
メタクリロキシ基、メルカプト基、イソシアノ基、フッ
素または塩素を有する有機基であり、R^2は水素元素
、アルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、アセトキシ
基及び塩素元素でありnは0〜4である。) - (5)前記一般式(1)で示されるケイ素化合物が、テ
トラクロロシラン、メチルトリクロロシラン、ジメチル
ジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、メチルシラ
ン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチル
シラン、テトラメトキシシラン、メチルトリメトキシシ
ラン、ジメチルジメトキシシラン、トリメチルメトキシ
シランから選ばれる1種もしくは2種以上である特許請
求の範囲第4項記載の被覆物品の製造方法。 - (6)前記基板がガラス、プラスチック、金属及びセラ
ミックスである特許請求の範囲第1項記載の被覆物品の
製造方法。 - (7)前記プラスチックがポリメチルメタクリレート、
ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリカーボネート及びポリジエチレングリコー
ルビスアリルカーボネートから選ばれるプラスチックで
ある特許請求の範囲第6項記載の被覆物品の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61017669A JPS62177071A (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 被覆物品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61017669A JPS62177071A (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 被覆物品の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62177071A true JPS62177071A (ja) | 1987-08-03 |
Family
ID=11950259
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61017669A Pending JPS62177071A (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 被覆物品の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62177071A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5466523A (en) * | 1991-04-30 | 1995-11-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Hydrophilic chemically adsorbed film |
JPH09143289A (ja) * | 1995-11-20 | 1997-06-03 | Agency Of Ind Science & Technol | プラスチック成形体の劣化防止方法 |
WO1999014276A1 (en) * | 1997-09-16 | 1999-03-25 | Sunsmart, Inc. | Hydrophilic materials and their method of preparation |
-
1986
- 1986-01-29 JP JP61017669A patent/JPS62177071A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5466523A (en) * | 1991-04-30 | 1995-11-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Hydrophilic chemically adsorbed film |
US5614263A (en) * | 1991-04-30 | 1997-03-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Hydropillic chemically adsorbed film and method of manufacturing the same |
JPH09143289A (ja) * | 1995-11-20 | 1997-06-03 | Agency Of Ind Science & Technol | プラスチック成形体の劣化防止方法 |
WO1999014276A1 (en) * | 1997-09-16 | 1999-03-25 | Sunsmart, Inc. | Hydrophilic materials and their method of preparation |
US6045650A (en) * | 1997-09-16 | 2000-04-04 | Sunsmart, Inc. | Hydrophilic materials and their method of preparation |
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