JPS6216048B2 - - Google Patents
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- JPS6216048B2 JPS6216048B2 JP10495377A JP10495377A JPS6216048B2 JP S6216048 B2 JPS6216048 B2 JP S6216048B2 JP 10495377 A JP10495377 A JP 10495377A JP 10495377 A JP10495377 A JP 10495377A JP S6216048 B2 JPS6216048 B2 JP S6216048B2
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- electrode
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
- H03H9/14552—Transducers of particular shape or position comprising split fingers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02842—Means for compensation or elimination of undesirable effects of reflections
- H03H9/0285—Means for compensation or elimination of undesirable effects of reflections of triple transit echo
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電気的な反射によつて生ずるトリプ
ルトランジエツトエコーを減少させた弾性表面波
素子に関するものである。
ルトランジエツトエコーを減少させた弾性表面波
素子に関するものである。
弾性表面波素子は、圧電性を有する基板上にそ
の表面を伝播する弾性表面波（以下SAWと略称
する）を送出する入力変換器及びそれを受信する
出力変換器が配設された構成となつている。
の表面を伝播する弾性表面波（以下SAWと略称
する）を送出する入力変換器及びそれを受信する
出力変換器が配設された構成となつている。
通常、この入力変換器及び出力変換器は、１対
の互に入り組んだ櫛歯形電極（以下IDTと略称す
る）で構成されている。
の互に入り組んだ櫛歯形電極（以下IDTと略称す
る）で構成されている。
まず、入力IDTに与えられる電気信号は、
SAWに変換され基板上を出力IDTの方向に伝播
する。このSAWの１部が出力IDTで再び電気信
号に変換されて出力として取り出されることにな
る。
SAWに変換され基板上を出力IDTの方向に伝播
する。このSAWの１部が出力IDTで再び電気信
号に変換されて出力として取り出されることにな
る。
この場合出力IDTで電気信号に変換されなかつ
た不要なSAWの１部は、出力IDTを通過し素子
の端部に設けられた吸音材で吸収消滅するように
構成されている。
た不要なSAWの１部は、出力IDTを通過し素子
の端部に設けられた吸音材で吸収消滅するように
構成されている。
しかし出力IDTで反射され基板上を伝播して再
び入力IDTに達する不要なSAWが存在する。
び入力IDTに達する不要なSAWが存在する。
この不要な反射により生じたSAWは、先に出
力IDTで生じたと同じ過程を経て、反射波は再び
基板を伝播して出力IDTに到達し電気信号として
取り出される。
力IDTで生じたと同じ過程を経て、反射波は再び
基板を伝播して出力IDTに到達し電気信号として
取り出される。
この信号は、希望信号である最初に伝播した信
号に対し３倍の遅延時間を経て受信されるので、
トリプルトランジツトエコー（以下TTEと略称
する）と呼ばれ、SAWフイルタの望ましくない
２次効果の１つとなつている。
号に対し３倍の遅延時間を経て受信されるので、
トリプルトランジツトエコー（以下TTEと略称
する）と呼ばれ、SAWフイルタの望ましくない
２次効果の１つとなつている。
TTEは、IDTの電極部と電極の存在しない伝
播部分の音響インピーダンスの不整合による反射
成分（以下MELと略称する）と、負荷とIDTの
電気的な不整合により生ずる相互作用による反射
成分（以下RWと略称する）により構成されてい
ることが知られている。
播部分の音響インピーダンスの不整合による反射
成分（以下MELと略称する）と、負荷とIDTの
電気的な不整合により生ずる相互作用による反射
成分（以下RWと略称する）により構成されてい
ることが知られている。
この２種類の反射成分の内、MELはIDTの全
ての電極指幅をSAWの波長の１／８となるようにして おけば零にすることが出来ることが知られてい
る。
ての電極指幅をSAWの波長の１／８となるようにして おけば零にすることが出来ることが知られてい
る。
このように構成したスプリツトコネクト形IDT
及びスプリツトアイソレート形IDTの構造を、第
１図及び第２図に示す。
及びスプリツトアイソレート形IDTの構造を、第
１図及び第２図に示す。
TTEの反射成分のうちRWは、すでに述べたよ
うにIDTと接続される負荷の相互作用による電気
的な反射で生ずるので、その量は大きく負荷に依
存することになる。
うにIDTと接続される負荷の相互作用による電気
的な反射で生ずるので、その量は大きく負荷に依
存することになる。
第３図及び第４図は、それぞれスプリツトコネ
クト形IDT、スプリツトアイソレート形IDTの
RW反射波強度の負荷抵抗依存性を示すものであ
る。
クト形IDT、スプリツトアイソレート形IDTの
RW反射波強度の負荷抵抗依存性を示すものであ
る。
第３図によれば、RW反射波強度は負荷抵抗Ｒ
Lが零の時に零で、負荷抵抗ＲLの増加に伴い単調
に増加する。
Lが零の時に零で、負荷抵抗ＲLの増加に伴い単調
に増加する。
スプリツトコネクト形IDTのRW反射波強度は
(1)式で与えられることが知られている。
（Kentaro Hanma et.al Ａ Triple Transit
Supression Technique1976 ultrasonics
Symposium Proceedings.IEEE.Cat＃76―CH
1120―5su参照） ｜RW｜＝（Ｇａ＋Ｇｅ）２＋（ωＣｔ＋Ｘｅ）２／Ｇａ
２………(1) ここで、｜RW｜；RW反射強度、Ga；IDTの
入力コンダクタンス、Ct；IDTの入力容量、ω；
表面波の角周波数、Ge；電極に接続される負荷
のコンダクタンス、Xe；電極に接続される負荷
抵抗のサセプタンスである。
(1)式で与えられることが知られている。
（Kentaro Hanma et.al Ａ Triple Transit
Supression Technique1976 ultrasonics
Symposium Proceedings.IEEE.Cat＃76―CH
1120―5su参照） ｜RW｜＝（Ｇａ＋Ｇｅ）２＋（ωＣｔ＋Ｘｅ）２／Ｇａ
２………(1) ここで、｜RW｜；RW反射強度、Ga；IDTの
入力コンダクタンス、Ct；IDTの入力容量、ω；
表面波の角周波数、Ge；電極に接続される負荷
のコンダクタンス、Xe；電極に接続される負荷
抵抗のサセプタンスである。
一方、スプリツトアイソレート形IDTのRW反
射波強度は、第４図に示すように負荷抵抗ＲL＝
０の場合に最大で、負荷抵抗ＲLの増加に伴い単
調に減少する。以下、この理由を説明する。
射波強度は、第４図に示すように負荷抵抗ＲL＝
０の場合に最大で、負荷抵抗ＲLの増加に伴い単
調に減少する。以下、この理由を説明する。
第１図に示すスプリツトコネクト形IDTでは、
すべての電極指A1〜A9，A′1〜A′9が電気的に電
極指連結部１もしくは２に接続されていて、この
場合RW反射波強度は(1)式で表わされた。
すべての電極指A1〜A9，A′1〜A′9が電気的に電
極指連結部１もしくは２に接続されていて、この
場合RW反射波強度は(1)式で表わされた。
第２図に示すスプリツトアイソレート形IDTで
も、電極指連結部１もしくは２に接続された電極
指B′1〜B′9からのRW反射成分であるRW1は(1)式
で表わされる。しかし、電極指B1〜B9は、電極
指連結部１，２のいずれにも接続されていないの
で、ここでのRW反射成分であるRW2は負荷依存
性を示さない。
も、電極指連結部１もしくは２に接続された電極
指B′1〜B′9からのRW反射成分であるRW1は(1)式
で表わされる。しかし、電極指B1〜B9は、電極
指連結部１，２のいずれにも接続されていないの
で、ここでのRW反射成分であるRW2は負荷依存
性を示さない。
ここで、スプリツトアイソレート形IDTのRW
反射波強度｜RWI｜を次式で示すことにする。
反射波強度｜RWI｜を次式で示すことにする。
｜RWI｜＝｜RW1＋RW2｜ ………(2)
RW2の強度は、前述した如く、電極指B1〜B9
が電極指連結部１，２のいずれにも接続されてい
ないので負荷抵抗ＲLが無限大すなわちGe＝Xe＝
０である場合のRW1の強度に等しいので、(1)式
にGl＝Xl＝０を代入して(3)式が得られる。
が電極指連結部１，２のいずれにも接続されてい
ないので負荷抵抗ＲLが無限大すなわちGe＝Xe＝
０である場合のRW1の強度に等しいので、(1)式
にGl＝Xl＝０を代入して(3)式が得られる。
｜RW2｜＝Ｇ２ａ＋（ωＣｔ）２／Ｇａ２ ………(3)
又、RW1の強度｜RW1｜は(1)式から次式で与
えられる。
えられる。
｜RW1｜＝（Ｇａ＋Ｇｅ）２＋（ωＣｔ＋Ｘｅ）２／Ｇ
ａ２………(4) 次に、RW1とRW2の位相差を考える。
ａ２………(4) 次に、RW1とRW2の位相差を考える。
RW1とRW2の位相差φ12は、電極指B1とB′1、
B2とB′2……B9とB′9の電極指の中心間距離が、そ
れぞれ１／４波長であることを考えると、或る基準点 に入射する表面波と電極指B1〜B9、B′1〜B′9から
反射されて来るRW反射の位相差は１／４波長の往復 分の１／２波長であることが明らかである。
B2とB′2……B9とB′9の電極指の中心間距離が、そ
れぞれ１／４波長であることを考えると、或る基準点 に入射する表面波と電極指B1〜B9、B′1〜B′9から
反射されて来るRW反射の位相差は１／４波長の往復 分の１／２波長であることが明らかである。
即ち、RW1とRW2とは互に逆相であるから、
これを考慮して(3)、(4)式を(2)式に代入すると、(5)
式が得られる。
これを考慮して(3)、(4)式を(2)式に代入すると、(5)
式が得られる。
｜RWI｜＝｜Ｇ２ａ＋（ωＣｔ）２／Ｇａ２−（Ｇａ＋Ｇｅ）２＋（ωＣｔ＋Ｘｅ）２／Ｇａ２｜ …(5)
(5)式により、第４図に示したスプリツトアイソ
レート形IDTのRW反射波強度特性が了解出来
る。
レート形IDTのRW反射波強度特性が了解出来
る。
上述のように、従来のスプリツトコネクト形
IDTは第３図あるいは(1)式を参照すれば負荷抵抗
ＲLを充分小さな値に設定することにより、また
スプリツトアイソレート形IDTでは、第４図ある
いは(5)式を参照すれば負荷抵抗ＲLを充分大きな
値に設定することによりRW反射強度が小さくな
るので、共にTTEを抑圧する効果を有する。
IDTは第３図あるいは(1)式を参照すれば負荷抵抗
ＲLを充分小さな値に設定することにより、また
スプリツトアイソレート形IDTでは、第４図ある
いは(5)式を参照すれば負荷抵抗ＲLを充分大きな
値に設定することによりRW反射強度が小さくな
るので、共にTTEを抑圧する効果を有する。
しかし、SAWフイルタのTTEを負荷抵抗ＲL
を単に小さくしたり又は大きくしたりして、抑圧
することは得策でない。
を単に小さくしたり又は大きくしたりして、抑圧
することは得策でない。
何故ならば、IDTの電気―表面波変換効率Ｌ
は、負荷抵抗ＲLに依存し、その値が大き過ぎて
も小き過ぎても電気―表面波変換効率Ｌが低下
し、SAWフイルタの損失が増大するからであ
る。
は、負荷抵抗ＲLに依存し、その値が大き過ぎて
も小き過ぎても電気―表面波変換効率Ｌが低下
し、SAWフイルタの損失が増大するからであ
る。
本発明の目的は、この従来の難点を解決し、
SAWフイルタの損失を増大させることなくTTE
を抑圧できる弾性表面波素子を提供するものであ
る。
SAWフイルタの損失を増大させることなくTTE
を抑圧できる弾性表面波素子を提供するものであ
る。
上記問題点は、１つの弾性表面波素子上にスプ
リツトアイソレート形電極部とスプリツトコネク
ト形電極部を配置し、それぞれ発生するTTEを
打ち消すことにより達成される。
リツトアイソレート形電極部とスプリツトコネク
ト形電極部を配置し、それぞれ発生するTTEを
打ち消すことにより達成される。
スプリツトコネクト形電極及びスプリツトアイ
ソレート形電極を１つの弾性表面波素子上に配置
し、両者のRW強度を一致させ、かつ両者の生ず
るRW反射波の位相を逆相になるようにすること
によつて、両者の生ずるRW反射波は打ち消し合
い減少する。
ソレート形電極を１つの弾性表面波素子上に配置
し、両者のRW強度を一致させ、かつ両者の生ず
るRW反射波の位相を逆相になるようにすること
によつて、両者の生ずるRW反射波は打ち消し合
い減少する。
以下、本発明に係る弾性表面波素子を、その実
施例に基づいて詳細に説明する。
施例に基づいて詳細に説明する。
第５図を用いてスプリツトコネクト形IDT及び
スプリツトアイソレート形IDTから生ずるRW反
射波の位相差について説明する。
スプリツトアイソレート形IDTから生ずるRW反
射波の位相差について説明する。
第５図ａで上段に示したのは、スプリツトコネ
クト形IDTの電極指の位置を、横軸に表面波の波
長λを基にした距離をとつて示したものである。
Ｓは基準線で、説明の便宜上電極指＋F1の左端
から１／１６λの距離に設定してある。
クト形IDTの電極指の位置を、横軸に表面波の波
長λを基にした距離をとつて示したものである。
Ｓは基準線で、説明の便宜上電極指＋F1の左端
から１／１６λの距離に設定してある。
ここで、スプリツトコネクト形IDTの左端の電
極指＋F1の表面波Ａが入射すると、RWは電極指
＋F1より発生する。
極指＋F1の表面波Ａが入射すると、RWは電極指
＋F1より発生する。
このRWが発生する時刻は、表面波Ａが電極指
＋F1の中央に到達した時で、RWは電極指＋F1の
中央から発生すると考えてよい。
＋F1の中央に到達した時で、RWは電極指＋F1の
中央から発生すると考えてよい。
従つて、電極指＋F1から発生したRW反射ａが
基準線Ｓの位置に達した時、このRW反射ａと入
射表面波Ａの位相差は、電極指＋F1の中央が基
準線Ｓの位置から２／１６λだけ離れているので、２／
１６λ の往復分すなわち２／１６λ＋２／１６λ＝４／１６λ
となり、これ を角度で言えば90゜の位相遅れということにな
る。
基準線Ｓの位置に達した時、このRW反射ａと入
射表面波Ａの位相差は、電極指＋F1の中央が基
準線Ｓの位置から２／１６λだけ離れているので、２／
１６λ の往復分すなわち２／１６λ＋２／１６λ＝４／１６λ
となり、これ を角度で言えば90゜の位相遅れということにな
る。
一方、スプリツトコネクト形IDTでは、電極指
＋F1は電極指＋F2に接続されているので、入射
表面波Ａが電極指＋F1に達した時に、電極指＋
F2からもRW反射ｂが生ずる。
＋F1は電極指＋F2に接続されているので、入射
表面波Ａが電極指＋F1に達した時に、電極指＋
F2からもRW反射ｂが生ずる。
この時、基準線ＳにおけるRW反射ｂと入射表
面波Ａの位相差は、同様にして２／１６λ＋６／１６λ
、つま り180゜の位相遅れとなる。
面波Ａの位相差は、同様にして２／１６λ＋６／１６λ
、つま り180゜の位相遅れとなる。
次に、入射表面波ＡはRW反射ａ及びｂを発生
しつつ電極指＋F1を通過し電極指＋F2に達する
と、同様にRW反射ｃ及びｄを発生し、基準線Ｓ
の位置におけるこれらと入射表面波Ａの位相差
は、それぞれ６／１６λ＋６／１６λ＝１２／１６λお
よび６／１６λ＋２／１６λ ＝λ／１６となり、角度であらわすとそれぞれ270゜、 180゜の位相遅れとなる。
しつつ電極指＋F1を通過し電極指＋F2に達する
と、同様にRW反射ｃ及びｄを発生し、基準線Ｓ
の位置におけるこれらと入射表面波Ａの位相差
は、それぞれ６／１６λ＋６／１６λ＝１２／１６λお
よび６／１６λ＋２／１６λ ＝λ／１６となり、角度であらわすとそれぞれ270゜、 180゜の位相遅れとなる。
電極指＋F1及び＋F2におけるRW反射は、これ
らのRW反射ａ，ｂ，ｃ，ｄを合成したものとな
るので、基準線Ｓの位置における入射表面波Ａと
電極指＋F1及び＋F2によるRW反射の位相差は、
RW反射ａとｃが相互に消去し合つて、RW反射
ｂとｄの位相差の180゜に等しくなる。以上がス
プリツトコネクト形IDTにおけるRW反射波の位
相であり、これは入射表面波Ａに対し、位相が
180゜遅れていることが明確となつた。
らのRW反射ａ，ｂ，ｃ，ｄを合成したものとな
るので、基準線Ｓの位置における入射表面波Ａと
電極指＋F1及び＋F2によるRW反射の位相差は、
RW反射ａとｃが相互に消去し合つて、RW反射
ｂとｄの位相差の180゜に等しくなる。以上がス
プリツトコネクト形IDTにおけるRW反射波の位
相であり、これは入射表面波Ａに対し、位相が
180゜遅れていることが明確となつた。
次に、スプリツトアイソレート形IDTからの
RW反射と入射表面波Ａの位相差について、第５
図ｂを用いて説明する。
RW反射と入射表面波Ａの位相差について、第５
図ｂを用いて説明する。
スプリツトアイソレート形IDTでは、電極指連
結部に接続された電極指＋F1と電極指連結部に
接続されていないアイソレート指AF4とは相互に
接続されていないので、生ずるRW反射はa′及び
c′だけとなる。
結部に接続された電極指＋F1と電極指連結部に
接続されていないアイソレート指AF4とは相互に
接続されていないので、生ずるRW反射はa′及び
c′だけとなる。
RW反射a′及びc′の入射表面波A′との位相差
は、スプリツトコネクト形IDTの場合と同様に考
えると、それぞれ90゜及び270゜の位相遅れとな
る。
は、スプリツトコネクト形IDTの場合と同様に考
えると、それぞれ90゜及び270゜の位相遅れとな
る。
又、RW反射a′とc′の大きさは、すでに第４図
を用いて説明したように負荷抵抗ＲLが無限大の
場合以外は等しくなく、有限の負荷抵抗ＲLが接
続された状態では一般に反射c′が反射a′よりも大
きい値となる。
を用いて説明したように負荷抵抗ＲLが無限大の
場合以外は等しくなく、有限の負荷抵抗ＲLが接
続された状態では一般に反射c′が反射a′よりも大
きい値となる。
従つて、スプリツトアイソレートIDTにおいて
は、基準線Ｓの位置での入射表面波A′とRW反射
の位相差は反射c′の有する位相である270゜とな
る。
は、基準線Ｓの位置での入射表面波A′とRW反射
の位相差は反射c′の有する位相である270゜とな
る。
以上がスプリツトアイソレート形IDTにおける
RW反射波の位相であり、これは入射表面波A′に
対し位相が270゜遅れている。
RW反射波の位相であり、これは入射表面波A′に
対し位相が270゜遅れている。
以上の説明では、スプリツトアイソレート
IDT、スプリツトコネクトIDTとも、２個の電極
指からのRW反射の位相を考えたが、電極指数が
多い場合でも隣接する２個の電極指を対にして考
えれば、同様の結果が得られる。
IDT、スプリツトコネクトIDTとも、２個の電極
指からのRW反射の位相を考えたが、電極指数が
多い場合でも隣接する２個の電極指を対にして考
えれば、同様の結果が得られる。
従つて、スプリツトコネクトIDTからのRW反
射は、スプリツトアイソレートIDTからのRW反
射より90゜進んでいることが明らかにされた。
射は、スプリツトアイソレートIDTからのRW反
射より90゜進んでいることが明らかにされた。
第６図に、本発明に係る弾性表面波素子の実施
例の櫛歯形電極の構成を示す正面図である。
例の櫛歯形電極の構成を示す正面図である。
図で、電極指C1C′1，C2C′2，C7C′7はスプリツ
トコネクト形IDT、電極指C3C′3，C4C′4，，C5C′5
はスプリツトアイソレート形IDTであり、それぞ
れの電極指幅及び電極指間ギヤツプはλ／８である。
トコネクト形IDT、電極指C3C′3，C4C′4，，C5C′5
はスプリツトアイソレート形IDTであり、それぞ
れの電極指幅及び電極指間ギヤツプはλ／８である。
また図でｎを零もしくは正の整数としてＢ＝１／４λ
＋ｎλ／２である。
すなわち、電極指C′2と電極指C3及び電極指C′5
と電極指C′6間のギヤツプはλ／４にしてある。すな わち、スプリツトコネクトIDTとスプリツトアイ
ソレートIDTの境界の電極指間距離だけを他の電
極指間距離である１／８λに、更に２／１６λをプラス
した 距離とした。これは、前述したスプリツトコネク
トIDTとスプリツトアイソレートIDTの本来の
RW反射の位相差90°を、上述した２／１６λ分の距離 をもたせることにより、スプリツトアイソレート
IDTからのRW反射の位相を更に90゜、すなわち
４／１６λだけ遅らせることにより、両IDT間の位相差 を180゜にし、互いに打消し合うようにするため
に必要である。
と電極指C′6間のギヤツプはλ／４にしてある。すな わち、スプリツトコネクトIDTとスプリツトアイ
ソレートIDTの境界の電極指間距離だけを他の電
極指間距離である１／８λに、更に２／１６λをプラス
した 距離とした。これは、前述したスプリツトコネク
トIDTとスプリツトアイソレートIDTの本来の
RW反射の位相差90°を、上述した２／１６λ分の距離 をもたせることにより、スプリツトアイソレート
IDTからのRW反射の位相を更に90゜、すなわち
４／１６λだけ遅らせることにより、両IDT間の位相差 を180゜にし、互いに打消し合うようにするため
に必要である。
電極指C′6は、スプリツトコネクト形IDTC6，
C′6の内、電極指C6がアイソレートされた電極指
C′5と共存し得ないため欠けたものである。
C′6の内、電極指C6がアイソレートされた電極指
C′5と共存し得ないため欠けたものである。
従つて、他の実施例として電極指C6を配設し
電極指C′5を設けない形のものも構成し得る。
電極指C′5を設けない形のものも構成し得る。
第６図に示す実施例のRW反射率は、第７図に
示すようにスプリツトコネクト形IDTC1，C′1，
C2，C′2，C′6，C7，C′7によるRW反射と、スプ
リツトアイソレート形IDTC3，C′3，C4，C′4，
C5，C′5により生ずるRW反射のキヤンセル効果
により、負荷抵抗ＲLの所定値において小さな値
に抑圧可能となる。
示すようにスプリツトコネクト形IDTC1，C′1，
C2，C′2，C′6，C7，C′7によるRW反射と、スプ
リツトアイソレート形IDTC3，C′3，C4，C′4，
C5，C′5により生ずるRW反射のキヤンセル効果
により、負荷抵抗ＲLの所定値において小さな値
に抑圧可能となる。
このキヤンセル効果の生ずる負荷抵抗ＲLの値
は、スプリツトコネクト形IDTとスプリツトアイ
ソレート形IDTの電極指数の比を変化させて、(1)
式および(5)式を用いて理論的にもしくは実験的に
設定し得るものである。
は、スプリツトコネクト形IDTとスプリツトアイ
ソレート形IDTの電極指数の比を変化させて、(1)
式および(5)式を用いて理論的にもしくは実験的に
設定し得るものである。
なお、第６図に示す実施例では、スプリツトア
イソレート形IDTを中央付近に、スプリツトコネ
クト形IDTをその両側に配置した構成となつてい
るが、これはその電極指数比が一定であれば、任
意に配置しても同様な効果が得られる。
イソレート形IDTを中央付近に、スプリツトコネ
クト形IDTをその両側に配置した構成となつてい
るが、これはその電極指数比が一定であれば、任
意に配置しても同様な効果が得られる。
又、スプリツトアイソレート形IDTとスプリツ
トコネクト形IDT間のギヤツプは、必ずしも１／４λ である必要はなく、１／４λに１／２λの整数倍を加え
たも のでも同一の効果が得られる。
トコネクト形IDT間のギヤツプは、必ずしも１／４λ である必要はなく、１／４λに１／２λの整数倍を加え
たも のでも同一の効果が得られる。
以上詳細に説明したように、本発明に係る弾性
表面波素子では、先ずその電力損失が最小となる
負荷抵抗ＲLを設定し、この負荷抵抗でRW反射
強度抑圧が生ずるように、スプリツトコネクト形
IDTとスプリツトアイソレート形IDTの電極指数
の比を設定することにより、その電力損失を増加
させることなく有効なRW反射強度抑圧を実現す
ることが可能で、TTE抑圧特性を有するSAWフ
イルタを構成することが出来る。
表面波素子では、先ずその電力損失が最小となる
負荷抵抗ＲLを設定し、この負荷抵抗でRW反射
強度抑圧が生ずるように、スプリツトコネクト形
IDTとスプリツトアイソレート形IDTの電極指数
の比を設定することにより、その電力損失を増加
させることなく有効なRW反射強度抑圧を実現す
ることが可能で、TTE抑圧特性を有するSAWフ
イルタを構成することが出来る。
第１図はスプリツトコネクト形櫛歯形電極の構
成を示す正面図、第２図はスプリツトアイソレー
ト形櫛歯形電極の構成を示す正面図、第３図はス
プリツトコネクト形櫛歯形電極の特性を示す図、
第４図はスプリツトアイソレート形櫛歯形電極の
特性を示す図、第５図はスプリツトコネクト形櫛
歯形電極とスプリツトアイソレート形櫛歯形電極
の負荷との電気的相互作用による反射の位相差を
示す原理図、第６図は本発明に係る弾性表面波素
子の実施例の櫛歯形電極の構成を示す正面図、第
７図は本発明に係る弾性表面波素子の実施例の特
性を示す図である。 符号の説明、１，２…電極指連結部、An（ｎ
＝１、２…９）…電極指、A′n（ｎ＝１、２…
９）…電極指、Bn（ｎ＝１、２…９）…電極
指、B′n（ｎ＝１、２…９）…電極指、Cn（ｎ＝
１、２…７）…電極指、C′n（ｎ＝１、２…７）
…電極指。
成を示す正面図、第２図はスプリツトアイソレー
ト形櫛歯形電極の構成を示す正面図、第３図はス
プリツトコネクト形櫛歯形電極の特性を示す図、
第４図はスプリツトアイソレート形櫛歯形電極の
特性を示す図、第５図はスプリツトコネクト形櫛
歯形電極とスプリツトアイソレート形櫛歯形電極
の負荷との電気的相互作用による反射の位相差を
示す原理図、第６図は本発明に係る弾性表面波素
子の実施例の櫛歯形電極の構成を示す正面図、第
７図は本発明に係る弾性表面波素子の実施例の特
性を示す図である。 符号の説明、１，２…電極指連結部、An（ｎ
＝１、２…９）…電極指、A′n（ｎ＝１、２…
９）…電極指、Bn（ｎ＝１、２…９）…電極
指、B′n（ｎ＝１、２…９）…電極指、Cn（ｎ＝
１、２…７）…電極指、C′n（ｎ＝１、２…７）
…電極指。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 圧電基板と、負荷に接続された連結部と、圧
電基板上に設けられた隣接する２本の電極指がと
もに連結部に接続された電極対を２対有するスプ
リツトコネクト形電極部と、圧電基板上に設けら
れた隣接する２本の電極指中スプリツトコネクト
形電極部に近い側の電極指は連結部に接続され、
スプリツトコネクト形電極部に遠い側の電極指は
連結部から分離された電極対を２対有するスプリ
ツトアイソレート形電極部とからなり、各電極対
の電極指幅および電極指間間隔は１／８λ（λは圧電 基板上を伝播する弾性表面波の波長）に構成さ
れ、隣接するスプリツトコネクト形電極部とスプ
リツトアイソレート形電極部との間隔は１／４λ＋ｎ１
／２ λ（ｎは零若しくは正の整数）に構成されること
を特徴とする弾性表面波素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10495377A JPS5438741A (en) | 1977-09-02 | 1977-09-02 | Elastic surface wave element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10495377A JPS5438741A (en) | 1977-09-02 | 1977-09-02 | Elastic surface wave element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5438741A JPS5438741A (en) | 1979-03-23 |
| JPS6216048B2 true JPS6216048B2 (ja) | 1987-04-10 |
Family
ID=14394450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10495377A Granted JPS5438741A (en) | 1977-09-02 | 1977-09-02 | Elastic surface wave element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5438741A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0057555B1 (en) * | 1981-02-04 | 1985-11-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| EP0255263B1 (en) * | 1986-07-29 | 1995-01-04 | R F Monolithics, Inc. | Transducer |
| US5521565A (en) * | 1988-09-28 | 1996-05-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Surface wave interdigital transducer and surface wave filter with symmetric or predeterminable asymmetric transfer characteristic between input and output |
-
1977
- 1977-09-02 JP JP10495377A patent/JPS5438741A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5438741A (en) | 1979-03-23 |
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