JPS62141660A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JPS62141660A JPS62141660A JP60283889A JP28388985A JPS62141660A JP S62141660 A JPS62141660 A JP S62141660A JP 60283889 A JP60283889 A JP 60283889A JP 28388985 A JP28388985 A JP 28388985A JP S62141660 A JPS62141660 A JP S62141660A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- optical recording
- substrate
- layer
- recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光記録媒体に関するものである。
きる光記録媒体に関するものである。
（従来の技術）
レーザ光によって情報を媒体に記録し、かつ再生する追
記型光ディスクメモリ或いは光磁気ディスクメモリは、
記録密度が高いことから大容量記録装置として優れた特
徴を有している。このような光デイスクメモリの記パ層
としては、ビスマス、テルル等の半金属薄膜（特公昭４
６−４０４７９、特公昭５７４５６７６、特公昭５９−
４１８７５、特公昭５４−１５４８３、特公昭５９−３
５３５６）や希土類と遷移金属の合金薄膜（特公昭５７
−２０６９１）等の無機物記録層か、有機物記録層（特
公昭６Ｏ−２３９９６）が使用されている。
記型光ディスクメモリ或いは光磁気ディスクメモリは、
記録密度が高いことから大容量記録装置として優れた特
徴を有している。このような光デイスクメモリの記パ層
としては、ビスマス、テルル等の半金属薄膜（特公昭４
６−４０４７９、特公昭５７４５６７６、特公昭５９−
４１８７５、特公昭５４−１５４８３、特公昭５９−３
５３５６）や希土類と遷移金属の合金薄膜（特公昭５７
−２０６９１）等の無機物記録層か、有機物記録層（特
公昭６Ｏ−２３９９６）が使用されている。
（発明が解決しようとする問題点）
無機物記録層は有機物記録層よりも大きな反射率を示す
利点を有する反面、耐候性が悪いという問題点を有する
。
利点を有する反面、耐候性が悪いという問題点を有する
。
本発明の目的は、耐候性がよくかつ信号品質の良好な光
記録媒体を提供することにある。
記録媒体を提供することにある。
（問題を解決するための手段）
本発明の光記録媒体は基板の上に無機物記録層を設はレ
ーザ光の照射によって情報を記録しかつ読み取る光記録
媒体であって、前記基板と前記記録層との間に二無水３
，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸の層を形成
したことを特徴とする。
ーザ光の照射によって情報を記録しかつ読み取る光記録
媒体であって、前記基板と前記記録層との間に二無水３
，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸の層を形成
したことを特徴とする。
（作用）
光記録媒体は従来第２図のような構成になっている。即
ち基板１の上に記録層２が設けられている。
ち基板１の上に記録層２が設けられている。
基板１としては合成樹脂が使用されている。合成樹脂と
しては、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂が
光学特性的に最も望ましい。基板の形状は、円板状、シ
ート状、テープ状とすることができる。記録層２として
は反射率を大きくできる無機物記録層が好適である。無
機記録材料としてはＴｅ或いはＢｉが記録特性の点では
好適であるが、耐候性をも考慮するとＳｎとＮｉＯとの
混合物、ＳｎとＣｏ３Ｏ４との混合物、ＴｅとＮｉＯと
の混合物、ＴｅとＣｏ３Ｏ４との混合物が最も望ましい
。記録層への情報の記録は、記録層にピットを形成する
ことによりなされる。円板状の基板を用いるディスク媒
体では、ピット同心円状又はスパイラル状の多数のトラ
ックに形成するように記録される。多数のトラックを一
定間隔で精度よく記録するには、通常基板上に光の案内
溝が設けられ°る。ビーム径程度の溝に光が入射すると
光が回折される。ビーム中心が溝からずれるにつれて回
折光強度の空間分布が異なり、これを検出してビームを
溝の中心に入射させるようにサーボ系を構成できる。通
常溝の幅は０．３〜１．２ｐｍ、その深さは使用する記
録再生レーザ波長の１１１２〜１／４の範囲に設定され
る。
しては、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂が
光学特性的に最も望ましい。基板の形状は、円板状、シ
ート状、テープ状とすることができる。記録層２として
は反射率を大きくできる無機物記録層が好適である。無
機記録材料としてはＴｅ或いはＢｉが記録特性の点では
好適であるが、耐候性をも考慮するとＳｎとＮｉＯとの
混合物、ＳｎとＣｏ３Ｏ４との混合物、ＴｅとＮｉＯと
の混合物、ＴｅとＣｏ３Ｏ４との混合物が最も望ましい
。記録層への情報の記録は、記録層にピットを形成する
ことによりなされる。円板状の基板を用いるディスク媒
体では、ピット同心円状又はスパイラル状の多数のトラ
ックに形成するように記録される。多数のトラックを一
定間隔で精度よく記録するには、通常基板上に光の案内
溝が設けられ°る。ビーム径程度の溝に光が入射すると
光が回折される。ビーム中心が溝からずれるにつれて回
折光強度の空間分布が異なり、これを検出してビームを
溝の中心に入射させるようにサーボ系を構成できる。通
常溝の幅は０．３〜１．２ｐｍ、その深さは使用する記
録再生レーザ波長の１１１２〜１／４の範囲に設定され
る。
このような従来の光記録媒体を高温高湿度の条件下に保
存した後に光記録再生特性を測定すると、特性がしばし
ば劣化していることが観察された。本発明者はこの原因
を検討したところ、合成樹脂基板がそったためであるこ
とがわかり、第１図のように基板１と記録層２との間に
二無水３，４，９．１０−ペリレンテトラカルボン酸（
以下ＰＴＯＤＡと略称する）の層３を挿入することによ
りそりを防止できることを見出した。
存した後に光記録再生特性を測定すると、特性がしばし
ば劣化していることが観察された。本発明者はこの原因
を検討したところ、合成樹脂基板がそったためであるこ
とがわかり、第１図のように基板１と記録層２との間に
二無水３，４，９．１０−ペリレンテトラカルボン酸（
以下ＰＴＯＤＡと略称する）の層３を挿入することによ
りそりを防止できることを見出した。
（実施例）
以下、本発明の実施例について説明する。内径１５ｍｍ
、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのアクリル樹脂ディ
スク基板を真空蒸着装置内に入れ、２Ｘ１０−５Ｔｏｒ
ｒ以下に排気した。蒸発源としてはモリブデン製抵抗加
熱用ボートにＳｎを入れ、もう一つのモリブデン製抵抗
加熱用ボートにＰＴＯＤＡを入れ、電子ビーム加熱用る
つぼにＣｏ３Ｏ４を入れた。まツーＰＩ’ＯＤＡを３５
０人蒸着床た後、共蒸着によりＳｎとＣｏ３Ｏ４の混合
物を記録層として形成した。共蒸着は水晶振動子式膜厚
モニターを用いて、Ｓｎの蒸着速度を毎分４５人、Ｃｏ
３Ｏ４の蒸着速度を毎分１７人として３００人厚０膜を
形成した。この光記録媒体のフラット部の光学特性を波
長８３００人の平行光で測定したところ、基板入射反射
率は約３０％、吸収率は約５５であった。波長８３００
人のＡｌＧａＡｓ半導体レーザを光学系を用いて収光し
、基板を通して記録層に照射し、ピットを記録層に形成
した。ディスク回転数９００ｙｐｍ、記録周波数１．２
５ＭＨｚ（デユーティ５０％）のときに必要な記録レー
ザパワーは７ｍＷであった。記録されたピットをレーザ
パワー０．７ｍＷで再生したところ、バンド幅３０ＫＨ
ｚの信号対雑音比（Ｃ／Ｎ）は４８ｄＢ以上、第２高調
波対信号比（２ｎｄＨ／Ｃ）は−２６ｄＢと以下と良好
な品質の信号を得た。次に、この光記録媒体を７０６０
８０％の高温高湿度の環境に６０時間保存した後、上記
特性を調べたが変化はなかった。比較のためのＰＴＯＤ
Ａの層をっけないディスクでは、高温高湿度試験の後の
記録再生特性測定においてディスクのそりのｉ−ｐノ２
ｎｄＨ／Ｃが最小値を示す記録レーザパワーは１０ｍＷ
と劣化した。他の比較としてＰＴＯＤＡのかわりにグア
ニンやＡｌ２Ｏ３やＭｇＯを用いた場合も試みたが、い
ずれもディスクにそりが生じた。
、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのアクリル樹脂ディ
スク基板を真空蒸着装置内に入れ、２Ｘ１０−５Ｔｏｒ
ｒ以下に排気した。蒸発源としてはモリブデン製抵抗加
熱用ボートにＳｎを入れ、もう一つのモリブデン製抵抗
加熱用ボートにＰＴＯＤＡを入れ、電子ビーム加熱用る
つぼにＣｏ３Ｏ４を入れた。まツーＰＩ’ＯＤＡを３５
０人蒸着床た後、共蒸着によりＳｎとＣｏ３Ｏ４の混合
物を記録層として形成した。共蒸着は水晶振動子式膜厚
モニターを用いて、Ｓｎの蒸着速度を毎分４５人、Ｃｏ
３Ｏ４の蒸着速度を毎分１７人として３００人厚０膜を
形成した。この光記録媒体のフラット部の光学特性を波
長８３００人の平行光で測定したところ、基板入射反射
率は約３０％、吸収率は約５５であった。波長８３００
人のＡｌＧａＡｓ半導体レーザを光学系を用いて収光し
、基板を通して記録層に照射し、ピットを記録層に形成
した。ディスク回転数９００ｙｐｍ、記録周波数１．２
５ＭＨｚ（デユーティ５０％）のときに必要な記録レー
ザパワーは７ｍＷであった。記録されたピットをレーザ
パワー０．７ｍＷで再生したところ、バンド幅３０ＫＨ
ｚの信号対雑音比（Ｃ／Ｎ）は４８ｄＢ以上、第２高調
波対信号比（２ｎｄＨ／Ｃ）は−２６ｄＢと以下と良好
な品質の信号を得た。次に、この光記録媒体を７０６０
８０％の高温高湿度の環境に６０時間保存した後、上記
特性を調べたが変化はなかった。比較のためのＰＴＯＤ
Ａの層をっけないディスクでは、高温高湿度試験の後の
記録再生特性測定においてディスクのそりのｉ−ｐノ２
ｎｄＨ／Ｃが最小値を示す記録レーザパワーは１０ｍＷ
と劣化した。他の比較としてＰＴＯＤＡのかわりにグア
ニンやＡｌ２Ｏ３やＭｇＯを用いた場合も試みたが、い
ずれもディスクにそりが生じた。
記録層としてＳｎとＮｉＯの混合物、ＴｅとＮｉＯの混
合物、ＴｅとＣｏ３Ｏ４の混合物を用いても実験したが
、いずれも同様の結果であった。
合物、ＴｅとＣｏ３Ｏ４の混合物を用いても実験したが
、いずれも同様の結果であった。
（発明の効果）
上記実施例から明らかなように、本発明により耐候性が
よくかつ信号品質の良好な光記録媒体が得られる。
よくかつ信号品質の良好な光記録媒体が得られる。
第１図は本発明の光記録媒体の一例を示す断面概略図、
第２図は従来の光記録媒体の断面概略図である。図にお
いて、１は基板、２は記録層、３はＰＴＣＤＡ層“を示
す。
第２図は従来の光記録媒体の断面概略図である。図にお
いて、１は基板、２は記録層、３はＰＴＣＤＡ層“を示
す。
Claims (1)
- 基板の上に無機物記録層を設け、レーザ光の照射によっ
て情報を記録しかつ読み取る光記録媒体において、前記
基板と前記記録層との間に二無水３、４、９、１０−ペ
リレンテトラカルボン酸の層を形成したことを特徴とす
る光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60283889A JPS62141660A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60283889A JPS62141660A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62141660A true JPS62141660A (ja) | 1987-06-25 |
| JPH0411928B2 JPH0411928B2 (ja) | 1992-03-03 |
Family
ID=17671488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60283889A Granted JPS62141660A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62141660A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2614881A1 (en) | 2010-09-07 | 2013-07-17 | Toray Industries, Inc. | Separation membrane, separation membrane element, and method for producing separation membrane |
| WO2012057028A1 (ja) | 2010-10-26 | 2012-05-03 | 東レ株式会社 | 分離膜、分離膜エレメントおよび分離膜の製造方法 |
| CN103842055B (zh) | 2011-09-29 | 2016-08-17 | 东丽株式会社 | 分离膜、分离膜元件及分离膜的制造方法 |
| US9597640B2 (en) | 2011-12-02 | 2017-03-21 | Toray Industries, Inc. | Separation membrane element and production method for same |
| EP2868365A4 (en) | 2012-06-28 | 2016-05-18 | Toray Industries | SEPARATION MEMBRANE AND SEPARATION MEMBRANE ELEMENT |
| US9802160B2 (en) | 2013-10-30 | 2017-10-31 | Toray Industries, Inc. | Separation membrane, sheet flow path material, and separation membrane element |
| CN113226520B (zh) | 2018-12-26 | 2022-05-03 | 东丽株式会社 | 碱金属盐的制造方法 |
| CN115443342B (zh) | 2020-04-21 | 2023-07-18 | 东丽株式会社 | 稀有金属盐的回收方法 |
-
1985
- 1985-12-16 JP JP60283889A patent/JPS62141660A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0411928B2 (ja) | 1992-03-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |