JPS62111413A - Solid electrolytic capacitor - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 36
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims description 11
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 20
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 claims description 13
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N anhydrous quinoline Natural products N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N iso-quinoline Chemical group C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 5
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 5
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 4
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims description 3
- 125000002183 isoquinolinyl group Chemical group C1(=NC=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 14
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 13
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 11
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 8
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 4
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011244 liquid electrolyte Substances 0.000 description 2
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 2
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000006864 oxidative decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
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- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は改良された有機半導体を固体電解質として用い
る固体電解コンデンサに関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a solid electrolytic capacitor using an improved organic semiconductor as a solid electrolyte.
従来の技術
近年、電気機器回路のディジタル化にともなって、そこ
に使用されるコンデンサも高周波領域でのインピータン
スが低く、小型大容量のものへの要求が高まっている。BACKGROUND OF THE INVENTION In recent years, with the digitization of electrical equipment circuits, there has been an increasing demand for capacitors used therein that have low impedance in the high frequency range and are small and large in capacity.
従来、高周波領域用のコンデンサとしては、プラスチッ
クフィルムコンデンサ、マイカコンデンサ、積層セラミ
ックコンデンサが用いられているが、フィルムコノテン
サおよびマイカコンデンサでは形状が大きくなってしま
うために大容量化がむずかしく、また積層セラミックコ
ンデンサでは、小型大容量ζこなればなるほど、温度特
性が悪くなり、価格が非常に高くなるという欠点がある
。一方、大容量タイプのコンデンサとして知られるもの
に、アルミニウム乾式電解コンデンサあるいはアルミニ
ウムまたはクンタル固体電解コンデンサなどがある。こ
れらのコンデンサは誘電体となる陽極酸化皮膜を非常に
薄くできるために大容量が実現できるのであるが、その
反面、酸化皮膜の損傷がおきやすいために、酸化皮膜と
陰極の間に損傷を修復するための電解質を設ける必要が
ある。アルミニウム乾式電解コンデンサでは、エツチン
グをほどこした陽、陰極アルミニウム箔を紙のセパレー
タを介して巻き取り、液状の電解質をセパレータに含浸
して用いている。Conventionally, plastic film capacitors, mica capacitors, and multilayer ceramic capacitors have been used as capacitors for high frequency ranges, but film condensers and mica capacitors have large shapes, making it difficult to increase capacity, and multilayer Ceramic capacitors have the disadvantage that the smaller and larger the capacitance, the worse the temperature characteristics and the higher the price. On the other hand, known high-capacity type capacitors include aluminum dry electrolytic capacitors and aluminum or Kuntal solid electrolytic capacitors. These capacitors can achieve large capacitance because the anodic oxide film that serves as the dielectric can be made very thin, but on the other hand, the oxide film is easily damaged, so damage must be repaired between the oxide film and the cathode. It is necessary to provide an electrolyte for this purpose. In an aluminum dry electrolytic capacitor, etched positive and negative electrode aluminum foils are wound up with a paper separator in between, and the separator is impregnated with a liquid electrolyte.
このため、電解質の液漏れ、蒸発等の理由により経時的
に静電容量の減少や損失(tanδ)の増大が起ると同
時に、電解質のイオン伝導性により高周波特性および低
温特性が著しく劣る等の欠点を有している。又、アルミ
ニウム、タンタル固体電解コンデンサでは、上記アルミ
ニウム乾式電解コンデンサの欠点を改良するために固体
電解質として二酸化マンガンが用いられている。この固
体電解質は硝酸マンガン水溶液に陽極素子を浸漬し、3
50℃前後の温度で熱分解して得られている。このコン
デンサの場合、電解質が固体のため、高温における電解
質の流出、低温域での凝固から生ずる性能の低下などの
欠点がなく、液状電解質を用いたコンデンサに比して良
好な周波数特性および温度特性を示すが、硝酸マンガン
の熱分解による酸化皮膜の損傷及び二酸化マンガンの比
抵抗が高いことなどの理由から、高周波領域のインピー
ダンスあるいは損失は積層セラミックコンデンサあるい
はプラスチックフィルムコンデンサと比較して1けた以
上高い値となっている。For this reason, capacitance decreases and loss (tan δ) increases over time due to electrolyte leakage, evaporation, etc., and at the same time, high-frequency characteristics and low-temperature characteristics deteriorate significantly due to the ionic conductivity of the electrolyte. It has drawbacks. Furthermore, in aluminum and tantalum solid electrolytic capacitors, manganese dioxide is used as the solid electrolyte in order to improve the drawbacks of the above-mentioned aluminum dry electrolytic capacitors. This solid electrolyte is prepared by immersing the anode element in a manganese nitrate aqueous solution.
It is obtained by thermal decomposition at a temperature of around 50°C. In the case of this capacitor, since the electrolyte is solid, there are no drawbacks such as electrolyte leakage at high temperatures or performance degradation caused by solidification at low temperatures, and it has better frequency and temperature characteristics than capacitors using liquid electrolytes. However, due to damage to the oxide film due to thermal decomposition of manganese nitrate and the high resistivity of manganese dioxide, the impedance or loss in the high frequency range is more than an order of magnitude higher than that of multilayer ceramic capacitors or plastic film capacitors. value.
前記の問題点を解決するために固体電解質として導電性
が高く、陽化酸化性のすぐれた有機半導体(7,7,8
,8−テトラシアノキノジメタン錯体)を用いることが
提案されている。この有機半導体は有機溶媒に溶解した
り、加熱による融解などの手段を用いて酸化皮膜に含浸
塗布することが可能であり、M n O2を含浸する際
に生ずる熱分解による酸化皮膜の損傷を防ぐことができ
る。TCNQ錯体は導電性が高く、陽極酸化性のすぐれ
たもので、高周波特性が良好で大容量のコンデンサが可
能となる。たとえば、丹羽信−氏により、N−n−プロ
ピルあるいはN−1st−プロピルイソキノリンとTC
NQからなる有機半導体を固体電解質として用いる発明
が出願されている(特開昭58−17609号公報)。In order to solve the above problems, organic semiconductors (7, 7, 8
, 8-tetracyanoquinodimethane complex). This organic semiconductor can be applied to the oxide film by dissolving it in an organic solvent or by melting it by heating, and can prevent damage to the oxide film due to thermal decomposition that occurs when impregnating M n O2. be able to. The TCNQ complex has high conductivity and excellent anodic oxidation properties, and has good high frequency characteristics, making it possible to create a large capacity capacitor. For example, by Mr. Shin Niwa, N-n-propyl or N-1st-propylisoquinoline and TC
An application has been filed for an invention in which an organic semiconductor composed of NQ is used as a solid electrolyte (Japanese Unexamined Patent Publication No. 17609/1983).
前記発明によると捲回型アルミニウム電解コンデンサへ
のTCNQ塩の含浸が7r CN Q塩を加熱溶融する
ことにより行われ、これによりTCNQ塩と酸化皮膜と
の強固な結合が達成され、TCNQ塩の高電導性の寄与
にも助けられて、周波数特性および温度特性が著しく改
良されたアルミニウムコンデンサが製造されるとしてい
る。このようなTCNQ塩にもとづく有機半導体を固体
電解質として用いることを、すでに同一出願人になる発
明(特公昭58−17609号公報)に示されているよ
うに、TCNQ塩が二酸化マンガンに比して高い電導性
と高い陽極酸化能力(修復作用)を有するため二酸化マ
ンガンを用いた固体電解コンデンサに比して周波数特性
と温度特性共に優れた性能を可能にする。発明によると
N位をアルキル基で置換したイソキノリウムをカチオン
としたTCNQ塩を酸化皮膜に加熱溶融することにより
含浸することになっている。According to the invention, the TCNQ salt is impregnated into the wound aluminum electrolytic capacitor by heating and melting the 7r CN Q salt, thereby achieving a strong bond between the TCNQ salt and the oxide film, and increasing the Thanks in part to its electrical conductivity, aluminum capacitors with significantly improved frequency and temperature characteristics will be produced. The use of such an organic semiconductor based on TCNQ salt as a solid electrolyte has already been shown in an invention filed by the same applicant (Japanese Patent Publication No. 17609/1983), in which TCNQ salt is more effective than manganese dioxide. Because it has high conductivity and high anodic oxidation ability (restoration effect), it enables superior performance in both frequency and temperature characteristics compared to solid electrolytic capacitors using manganese dioxide. According to the invention, the oxide film is impregnated with a TCNQ salt having a cation of isoquinolium substituted with an alkyl group at the N-position by heating and melting it.
発明が解決しようとする問題点
しかしながらN位をアルキル基で置換したイソキノリウ
ムを用いたTCNQ塩は、アルキル基の違いにより、熱
溶融性と熱安定性が異なる。また、酸化皮膜への含浸性
、電導性が異なるので、アルキル基として使用できるも
のは限られる。アルキルがエチル基より短いものは熱溶
融しない。前記発明者が実施例でのべているのは、プロ
ピル、イソプロピル、ブチル基である。これらも、熱溶
融状態で、ある時間以上放置すると酸化分解をおこす。Problems to be Solved by the Invention However, TCNQ salts using isoquinolium substituted with an alkyl group at the N-position have different thermal meltability and thermal stability depending on the alkyl group. Furthermore, since they differ in their impregnation properties into oxide films and their electrical conductivity, there are limits to what can be used as the alkyl group. Those in which the alkyl group is shorter than the ethyl group do not melt under heat. What the inventor mentions in the examples are propyl, isopropyl, and butyl groups. These also undergo oxidative decomposition if left in a hot molten state for a certain period of time.
また、’r(、’NQ塩は、結晶性の高い物質であるた
め、溶融含浸後急冷処理をして非晶質状態としなければ
ならない。Furthermore, since the 'r(,'NQ salt is a highly crystalline substance, it must be melted and impregnated and then rapidly cooled to form an amorphous state.
コンデンサ特性はTCINQ塩が酸化分解したり、結晶
性の高いものとなるととくに電導性が低下して、損失が
大きくなる。容量特性もアルキル基の長さにより異なる
が、容量達成率としては、ブチル基で80%程度である
等の問題点がある。Regarding the capacitor characteristics, when the TCINQ salt undergoes oxidative decomposition or becomes highly crystalline, the conductivity particularly decreases and the loss becomes large. Capacity characteristics also vary depending on the length of the alkyl group, but there are problems such as the capacity achievement rate is about 80% for butyl groups.
本発明はかかる問題点を解消するもので、電解質の熱溶
融性と酸化皮膜への含浸性を改良して容量特性ならびに
寿命の信頼性の改善をはかることを目的とするものであ
る。The present invention is intended to solve these problems, and aims to improve the thermal melting properties of the electrolyte and the impregnating properties of the electrolyte into the oxide film, thereby improving the capacity characteristics and reliability of the life.
問題点を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するためになされたもので、表
面に酸化皮膜を有する第1の電極と、前記第1の電極と
対向して設けられた財・2の電極と、前記オ】及び第2
の電極間に設けられた固体電解質とを備え、前記固体電
解質が、N位をイソアミルで置換したイソキノリウムを
カチオンとし、7、7.8.8−テトラシアノキノジメ
タンをアニオンとする第1のイオンラジカルコンプレッ
クス塩とキノリンあるいはインキノリンのN位をデシル
基あるいはドデシル基で置換したカチオンと7.7.8
゜8−テトラシアノキノジメタンをアニオンとする第2
のイオンラジカルコンプレックス塩とを重蛍比で100
対10〜100の割合で混合したものからなることを特
徴とする固体電解コンデンサを提供するものである。Means for Solving the Problems The present invention has been made to achieve the above object, and includes a first electrode having an oxide film on its surface, and a second electrode provided opposite to the first electrode. and the second electrode.
a solid electrolyte provided between the electrodes, the solid electrolyte having a cation of isoquinolium substituted with isoamyl at the N position and an anion of 7,7.8.8-tetracyanoquinodimethane; Ion radical complex salt and cation of quinoline or inquinoline substituted with decyl group or dodecyl group and 7.7.8
゜The second one with 8-tetracyanoquinodimethane as an anion
The ion radical complex salt of
The object of the present invention is to provide a solid electrolytic capacitor characterized in that the solid electrolytic capacitor is made of a mixture at a ratio of 10 to 100.
作 用
本発明は熱溶融する固体電解質であるTCNQ塩のカチ
オンとしてイソキノリウムのN位をイソアミル基に置換
したものとN位をデシル基あるいはトデシル基に置換し
たものを混合することにより、熱溶融性が改良され、か
つ酸化皮膜への含浸性ら改良されて、容量特性ならびに
寿命の信頌性の向上がはかれるようにしたものである。Function The present invention produces heat-melting properties by mixing isoquinolium whose N-position is substituted with an isoamyl group and one whose N-position is substituted with a decyl group or todecyl group as cations of TCNQ salt, which is a heat-melting solid electrolyte. In addition, the impregnability into the oxide film has been improved, and the reliability of capacity characteristics and service life has been improved.
本発明による固体電解コンデンサの基本t’f/j成は
、陽極酸化(化成)により表面に陽事酸化皮膜を有する
弁金属(たとえば、アルミニウム、タンタル、チタンお
よびこれらの合金)を第1の慨嘆とし、第2の電極(対
極)とこの第1の電極との間に′I″CNQ塩からなる
固体電解質を有するものである。The basic t'f/j composition of the solid electrolytic capacitor according to the present invention is that the valve metal (for example, aluminum, tantalum, titanium, and alloys thereof) having a positive oxide film on the surface by anodization (chemical conversion) is first developed. A solid electrolyte made of 'I''CNQ salt is provided between the second electrode (counter electrode) and the first electrode.
本発明の特徴はイソキノリンのN位をイソアミル基に置
換したものとTCNQからなるコンプレックス塩と、キ
ノリンあるいはイノキノリンのN位をデシル基あるいは
ドデシル基に置換したものとT CN Qからなるコン
プレックス塩とを100対10〜100 (重景比)の
割合で混合したものを固体電解質として用いることが特
徴である。実用化されている固体電解コンデンサに用い
られているものはN−n−ブチルイソキノリウム(TC
NQ)2であるが、前記の問題点を改善できるTCNQ
塩をここに提示する。The characteristics of the present invention are a complex salt consisting of isoquinoline whose N-position is substituted with an isoamyl group and TCNQ, and a complex salt consisting of quinoline or inoquinoline whose N-position is substituted with a decyl group or dodecyl group and TCNQ. A feature is that a mixture of 100 to 10 to 100 (grain ratio) is used as the solid electrolyte. The material used in solid electrolytic capacitors in practical use is N-butylisoquinolium (TC
NQ)2, but TCNQ can improve the above problems.
Present the salt here.
N−n−ブチルイソキノリウム(TCNQ’1.、の融
点はD T A測定によると215〜220℃にあり、
融点より高い温度になると、周囲の環境にもよるが、す
ぐに酸化分解されやすい。According to DTA measurement, the melting point of N-n-butylisoquinolium (TCNQ'1.) is 215 to 220 °C,
If the temperature is higher than the melting point, it will be easily oxidized and decomposed, depending on the surrounding environment.
250℃の一定になっているアルミのプロ・ツク槽の中
てこの塩を大気中で溶融させた場合、完全に融解するま
での時間が30sec程度で、安定な熱溶融状態は、1
5〜60sec間たもたられる。When this salt is melted in the atmosphere in an aluminum professional tank at a constant temperature of 250°C, it takes about 30 seconds to completely melt, and the stable thermal molten state is 1.
It takes about 5 to 60 seconds.
N−インアミルイソキノリウム(TCNQ)2の融点は
I)T A測定より、225〜2:30℃であり、前記
のN−n−ブチルイソキノリウム(TCNQ)2の場合
と同じ条件で熱溶融した場合、完全に融解するまでの時
間が30〜35secであり、安定な溶融した液体状態
としては90〜1.20sec間たもたられる。The melting point of N-in-amylisoquinolium (TCNQ) 2 is 225 to 2:30°C from I) T A measurement, and it was melted under the same conditions as in the case of N-n-butylisoquinolium (TCNQ) 2 above. When thermally melted, it takes 30 to 35 seconds to completely melt, and a stable molten liquid state takes 90 to 1.20 seconds.
N−アルキル基をn−ブチル基からイソアミル基にかえ
ることにより、表面状態を多くの微孔にエツチングされ
た酸化皮膜への含浸性および酸化皮膜との接着性が、改
良される。しかし、まだ容量達成率という点では、10
0%には達する特性は得られていない。By changing the N-alkyl group from an n-butyl group to an isoamyl group, the surface state is improved in the impregnating property into the oxide film etched into many micropores and the adhesion with the oxide film. However, in terms of capacity achievement rate, it is still 10%.
Characteristics reaching 0% have not been obtained.
キノ11ノやイソキノリンのN位をアルキル基の長いも
の、たとえば、GnH2n + 1−でnがto、12
゜111.16などで置換したものは、nが大きくなる
に従い融点が低下して、熱溶融が容易に行いやすくなり
、かつ、酸化皮膜の微孔に含浸されやすくなり容量特性
が向上する。容量達成率ではn=16においてはほとん
ど100%に近いものである。If the N-position of quino or isoquinoline has a long alkyl group, for example, GnH2n + 1-, where n is to, 12
When substituted with 111.16 or the like, as n increases, the melting point decreases, thermal melting becomes easier, and the capacitance characteristics improve as the pores of the oxide film are more easily impregnated. The capacity achievement rate is almost 100% when n=16.
しかし、実際にキノリンやイソキノリンのN位をnが大
きいもので置換する場合、nが大きいものほど]δ換率
は悪くなるし、副生成物ができやすい。However, when actually substituting the N-position of quinoline or isoquinoline with a substance having a large n value, the larger n is, the worse the δ conversion rate is, and the formation of by-products is more likely.
コンデンサ特性においては、nが大きくなると容[旧ま
向上するがtanδの特性は悪くなる。In terms of capacitor characteristics, as n increases, capacitance improves, but tan δ characteristics deteriorate.
また、融点が低くなるため(200℃以下)、コンデン
サとしての耐熱特性が悪くなり、半田デイツプ処理工程
で特性の低下をきたす。In addition, since the melting point is low (200° C. or less), the heat resistance characteristics as a capacitor deteriorate, and the characteristics deteriorate in the solder dip treatment process.
ここでは、N位のアルキル置換反応が容易に行え、かつ
純度のよいものが得やすいもので、N−n−インアミル
イソキノリウム(i″CNQ)2と混合することで、半
田耐熱性があり、そして、容蛍特性と寿命の改善ができ
る、nが10と12の場合のキノリンあるいはインキノ
リンのTCNQ塩を用いることにした。Here, the alkyl substitution reaction at the N position can be easily carried out, and it is easy to obtain a product with good purity. Therefore, we decided to use TCNQ salts of quinoline or inquinoline where n is 10 and 12, which can improve the fluorescent properties and lifespan.
混合比としてはN−イソアミルイソキノリウム(TCN
Q)2100部に対して10部〜100部(重量比)が
適当である。The mixing ratio is N-isoamylisoquinolium (TCN
Q) 10 parts to 100 parts (weight ratio) is appropriate for 2100 parts.
10部以下の混合ではほとんどN−インアミルイソキノ
リウム(TCNQ)2の特性しかしめさない。If the amount is less than 10 parts, it hardly exhibits the characteristics of N-in-amylisoquinolium (TCNQ)2.
逆に100部以上を混合すると、耐熱性とtanδの特
性が悪くなってしまう。On the other hand, if 100 parts or more is mixed, the heat resistance and tan δ properties will deteriorate.
実施例 以下に本発明の実施例を詳細に説明する。Example Examples of the present invention will be described in detail below.
〈実施例1〉
電解質としてN−インアミルイソキノリウム(′rCN
Q)2とN−n−デシルイソキノリウム(TCNQ)2
とを混合したものを用いて、その混合比をかえたもので
特性の比較を行った。電解質は粉砕して微粉末にした後
、アルミニウム罐ケース(直径65鵡、高さ6 m )
に必要量を充てんし、250℃のホットプレート上で溶
融して液状にした。<Example 1> N-in-amyl isoquinolium ('rCN
Q)2 and N-n-decylisoquinolium (TCNQ)2
The characteristics were compared using a mixture of the following and different mixing ratios. After pulverizing the electrolyte into a fine powder, it is placed in an aluminum can case (diameter 65 cm, height 6 m).
The required amount was filled into the container and melted on a hot plate at 250° C. to form a liquid.
捲回型アルミニウム電解コンデンサの巻取りユニット(
定格3μI”、5QV用)を浸漬して、十分に含浸をほ
どこした後、液体N2を冷媒として用いて急冷した。Winding unit for wound aluminum electrolytic capacitors (
After sufficiently impregnating the sample (rated for 3μI'', 5QV), it was quenched using liquid N2 as a coolant.
含浸はホットプレートに電解質の充てんされたアルミ罐
ケースを60秒間設翼後行った。Impregnation was carried out after placing an aluminum can case filled with electrolyte on a hot plate for 60 seconds.
コンデンサの巻・取りユニットのアルミニウム端面はあ
らかじめ化成処理をほどこしたものを使用した。最後に
、エポキシ樹脂を用いて外装処理を行った。The aluminum end face of the capacitor winding/taking-up unit was previously chemically treated. Finally, the exterior was treated using epoxy resin.
次に、周波数120I−Iz 、 I Kl(z にお
けるコンテンサ特性と85℃に100OH放置後の容量
変化を測定した結果を第1表にしめす。表の値は各電解
質を用いたコンデンサ10ケの平均値である。Next, Table 1 shows the results of measuring the capacitor characteristics at frequencies of 120I-Iz and IKl(z) and the capacitance change after being left at 85℃ and 100OH.The values in the table are the average of 10 capacitors using each electrolyte. It is a value.
以下余白
第1表
*電解質の部数はN−イソアミルイソキノリウム(TC
NQ)2を100部とした場合のN−n−デシルインキ
ツリウム(”r(,1NQ)2の割合をしめす。(重量
比)
〈実施例2〉
次にN−n−デシルイソキノリウム(T CNQ ’)
2のかわりに、’N−n−ドデシルイソキノリウム(
”rCNQ)2を用いた場合の結果を第2表にしめす。Table 1 in the margin below *The number of electrolytes is N-isoamylisoquinolium (TC
This shows the proportion of N-n-decylisoquinolium ("r(,1NQ)2) when NQ)2 is 100 parts. (Weight ratio) <Example 2> Next, N-n-decylisoquinolium ( TCNQ')
Instead of 2, 'N-n-dodecylisoquinolium (
Table 2 shows the results when using ``rCNQ)2.
実施例■と同様な特性の傾向が得られた。The same tendency of characteristics as in Example (2) was obtained.
第2表 電解質の部数は実施例1と同様なしめし方である。Table 2 The number of electrolytes used was the same as in Example 1.
N−n−デシル(あるいはドデシル)イッキノリウム(
’TCNQ)2の混合割合がふえるにしたがい電解質の
融点が低下してくる。実施例1.2とも250℃て含浸
を行ったが、混合割合が50部程度以上になると220
℃位でも良好な含浸が行える。N-n-decyl (or dodecyl) ichchinolium (
As the mixing ratio of 'TCNQ)2 increases, the melting point of the electrolyte decreases. In both Examples 1 and 2, impregnation was carried out at 250°C, but when the mixing ratio was about 50 parts or more, the temperature was 220°C.
Good impregnation can be achieved even at temperatures around ℃.
従って、電解質の酸化劣化も防げるため、コンデンサ特
性(tanδ)もその分向上する。Therefore, oxidative deterioration of the electrolyte is also prevented, and the capacitor characteristics (tan δ) are improved accordingly.
発明の効果
以上質するに本発明は、固体電解質としてN−イノアミ
ルイソキノリウム(TCNQ)2とN−n−デシル(ま
たはドデシル)インキツリウム(TCNQ)2との混合
物を用いることにより、これまで実用化されているrC
NQ塩を用いたコンデンサよりもコンデンサの特性の向
上および寿命の信頼性の向上がはかられた。More specifically, the present invention achieves this effect by using a mixture of N-inoamylisoquinolium (TCNQ) 2 and N-n-decyl (or dodecyl) inquiturium (TCNQ) 2 as a solid electrolyte. rC, which has been put into practical use up to
The capacitor's characteristics and lifetime reliability were improved compared to capacitors using NQ salt.
Claims (1)
と対向して設けられた第2の電極と、前記第1及び第2
の電極間に設けられた固体電解質とを備え、前記固体電
解質が、N位をイソアミルで置換したイソキノリウムを
カチオンとし、7、7、8.8−テトラシアノキノジメ
タンをアニオンとする第1のイオンラジカルコンプレッ
クス塩と、キノリンあるいはイソキノリンのN位をデシ
ル基あるいはドデシル基で置換したカチオンと7、7、
8、8−テトラシアノキノジメタンをアニオンとする第
2のイオンラジカルコンプレックス塩とを重量比で10
0対10〜100の割合で混合したものからなることを
特徴とする固体電解コンデンサ。a first electrode having an oxide film on its surface; a second electrode provided opposite to the first electrode; and the first and second electrodes.
a solid electrolyte provided between the electrodes, the solid electrolyte having a cation of isoquinolium substituted with isoamyl at the N position and an anion of 7,7,8.8-tetracyanoquinodimethane; Ion radical complex salt, a cation in which the N-position of quinoline or isoquinoline is substituted with a decyl group or dodecyl group, and 7, 7,
and a second ion radical complex salt having 8,8-tetracyanoquinodimethane as an anion in a weight ratio of 10.
A solid electrolytic capacitor comprising a mixture of 0:10 to 100:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25134685A JPH0666236B2 (en) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | Solid electrolytic capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP25134685A JPH0666236B2 (en) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | Solid electrolytic capacitor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62111413A true JPS62111413A (en) | 1987-05-22 |
JPH0666236B2 JPH0666236B2 (en) | 1994-08-24 |
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ID=17221456
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP25134685A Expired - Fee Related JPH0666236B2 (en) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | Solid electrolytic capacitor |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0666236B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5238771A (en) * | 1988-05-31 | 1993-08-24 | Konica Corporation | Lithographic printing plate utilizing aluminum substrate with photosensitive layer containing o-naphthoquinonediazide sulfonic acid ester, alkali soluble resin and select additive |
-
1985
- 1985-11-08 JP JP25134685A patent/JPH0666236B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5238771A (en) * | 1988-05-31 | 1993-08-24 | Konica Corporation | Lithographic printing plate utilizing aluminum substrate with photosensitive layer containing o-naphthoquinonediazide sulfonic acid ester, alkali soluble resin and select additive |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0666236B2 (en) | 1994-08-24 |
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