JPS62115164A - パタン形成方法およびその装置 - Google Patents
パタン形成方法およびその装置Info
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- JPS62115164A JPS62115164A JP60253686A JP25368685A JPS62115164A JP S62115164 A JPS62115164 A JP S62115164A JP 60253686 A JP60253686 A JP 60253686A JP 25368685 A JP25368685 A JP 25368685A JP S62115164 A JPS62115164 A JP S62115164A
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- JP
- Japan
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- pattern
- wafer
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- reference marks
- detector
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F9/7084—Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
この発明はウェハにパタンを形成する方法およびその方
法を実施するための装置に関するものである。
法を実施するための装置に関するものである。
半導体製造１−程の一つに、前工程までにウエノ１上に
形成されている回路パタンの一１〕に正しい位置関係を
保ちながら次のパタンを転写するいわゆるリソグラフィ
工程があり、そのためのパタン形成装置として縮小投影
露光装置やＸ線露光装置等が用いられている。
形成されている回路パタンの一１〕に正しい位置関係を
保ちながら次のパタンを転写するいわゆるリソグラフィ
工程があり、そのためのパタン形成装置として縮小投影
露光装置やＸ線露光装置等が用いられている。
第７図はＸ線を露光光源とする従来のパタン形成装置の
一部を示す概略図である。図において、６はステージ、
２０はステージ６を駆動する駆動装置、２４はパタン検
出器、１はステージ６上に載置されたウェハ、２は前工
程までにウェハ１に形成されている回路パタン、３はウ
ェハ２の表面に塗布されたホトレジスト膜、２１ａ、２
１ｂはウェハ１のパタン２が形成された面に設けられた
基準マーク、２２はホトマスク、２３ａ、２３ｂはホト
マスク２２に設けられた位置合わせ用の開口パタンで、
図中Ｘ線源は省略しである。
一部を示す概略図である。図において、６はステージ、
２０はステージ６を駆動する駆動装置、２４はパタン検
出器、１はステージ６上に載置されたウェハ、２は前工
程までにウェハ１に形成されている回路パタン、３はウ
ェハ２の表面に塗布されたホトレジスト膜、２１ａ、２
１ｂはウェハ１のパタン２が形成された面に設けられた
基準マーク、２２はホトマスク、２３ａ、２３ｂはホト
マスク２２に設けられた位置合わせ用の開口パタンで、
図中Ｘ線源は省略しである。
このようなパタン形成装置によってホトマスク２２上の
パタンをウェハ１」二に転写するには、パタン検出器２
４で基準マーク２１ａ、２１ｂおよび開「１パタン２３
ａ、２３ｂを検知しながら駆動装置２０を制御すること
により、開口パタン２３ａ、２３ｂの中央に基準マーク
２］ａ、２１ｂが位置するように、ステージ６を駆動装
置２０で移動し、パタン２の位置とホトマスク２２上の
パタンの位置とを正しく合わせ、つぎにパタン検出器２
４を露光範囲外に移動した後、露光装置（図示せず）に
より霧光する。
パタンをウェハ１」二に転写するには、パタン検出器２
４で基準マーク２１ａ、２１ｂおよび開「１パタン２３
ａ、２３ｂを検知しながら駆動装置２０を制御すること
により、開口パタン２３ａ、２３ｂの中央に基準マーク
２］ａ、２１ｂが位置するように、ステージ６を駆動装
置２０で移動し、パタン２の位置とホトマスク２２上の
パタンの位置とを正しく合わせ、つぎにパタン検出器２
４を露光範囲外に移動した後、露光装置（図示せず）に
より霧光する。
しかしながら、このような方法でパタンを形成したとき
には、基準マーク２］ａ、２Ｉｂ上に半導体製造工程に
伴って多数の層が形成されるから、基準マーク２＋ａ、
２１ｂの形状が劣化し、また塗布されたホ１ヘレジス１
へ膜３の上から基準マーク２］ａ、２１ｂを観察せざる
をえないため、Ｓ／Ｎ比の良い検出信号が得られないの
で、位置合わせ精度が半導体製造工程に伴って低下する
。また、パタンを転写するたびごとに、パタン検出器２
４を露光範囲外に移動する必要がある。
には、基準マーク２］ａ、２Ｉｂ上に半導体製造工程に
伴って多数の層が形成されるから、基準マーク２＋ａ、
２１ｂの形状が劣化し、また塗布されたホ１ヘレジス１
へ膜３の上から基準マーク２］ａ、２１ｂを観察せざる
をえないため、Ｓ／Ｎ比の良い検出信号が得られないの
で、位置合わせ精度が半導体製造工程に伴って低下する
。また、パタンを転写するたびごとに、パタン検出器２
４を露光範囲外に移動する必要がある。
この発明は一ヒ述の問題点を解決するためになされたも
ので、常に高い位置合わせ精度が得られ、またパタンを
転写するたびごとに検知手段を露光範囲外に移動する必
要がないパタン形成方法およびその方法を実施するため
の装置を提供することを目的とする。
ので、常に高い位置合わせ精度が得られ、またパタンを
転写するたびごとに検知手段を露光範囲外に移動する必
要がないパタン形成方法およびその方法を実施するため
の装置を提供することを目的とする。
この目的を達成するため、この発明においては、ウェハ
のパタンか形成される面と反対側の面に設けられた基準
マークを基準としてパタンを形成する。また、ウェハの
パタンか形成される面と反対側の面に設けられた基準マ
ークを検知する検知手段と、その検出手段から得られる
マーク位置情報に基づいて一ト記ウェハのパタン形成面
に上記パタンを転写するパタン転写手段とを設ける。
のパタンか形成される面と反対側の面に設けられた基準
マークを基準としてパタンを形成する。また、ウェハの
パタンか形成される面と反対側の面に設けられた基準マ
ークを検知する検知手段と、その検出手段から得られる
マーク位置情報に基づいて一ト記ウェハのパタン形成面
に上記パタンを転写するパタン転写手段とを設ける。
第１図はこの発明に係る縮小投影露光装置の一部を示す
概略図である。図において、４は次に転写すべき回路パ
タンの拡大図が描かれたレティクル、５は縮小レンズ、
７ａ、７ｂはウェハ１のパタン２が形成される面と反対
側の面に設けられた基準マークで、基準マーク７ａ、７
ｂは凹部からなり、基準マーク７ａ、７ｂは縮小レンズ
５を含む露光光学系のフィールドの両端部に設けられて
いる。８は基準マーク７ａ、７ｂを検知する光学式のパ
タン検出器で、パタン検出器８はウェハ１のパタン２が
形成される面と反対側に設置されており、パタン検出器
８の２系統の光学系の軸間距離と基準マーク７ａ、７ｂ
間の距離とは一致しており、パタン検出器８から得られ
るマーク位置情報に基づいて駆動装置２０が制御される
。
概略図である。図において、４は次に転写すべき回路パ
タンの拡大図が描かれたレティクル、５は縮小レンズ、
７ａ、７ｂはウェハ１のパタン２が形成される面と反対
側の面に設けられた基準マークで、基準マーク７ａ、７
ｂは凹部からなり、基準マーク７ａ、７ｂは縮小レンズ
５を含む露光光学系のフィールドの両端部に設けられて
いる。８は基準マーク７ａ、７ｂを検知する光学式のパ
タン検出器で、パタン検出器８はウェハ１のパタン２が
形成される面と反対側に設置されており、パタン検出器
８の２系統の光学系の軸間距離と基準マーク７ａ、７ｂ
間の距離とは一致しており、パタン検出器８から得られ
るマーク位置情報に基づいて駆動装置２０が制御される
。
この縮小投影霧光装置によりパタンを形成するには、パ
タン検出器８が基準マーク７ａ、７ｂの中心位置を捉え
た状態でレティクル４上の回路パタンを露光した場合に
、レティクル４上の回路パタンと前工程までにウェハ１
１：に形成されたパタン２とが正しく整合するように、
パタン検出器８と露光光学系の位置関係をあらかじめ定
めておき、パタン検出器８で基準マーク７ａ、７ｂを検
知しながら駆動′ＪＡ置２０を制御し、ステージ６を移
動して、パタン検出器８が基準マーク７ａ、７ｂの中心
位置を捉えた状態とする。この後、露光することにより
レティクル４上の回路パタンをウェハ１」二に転写する
。
タン検出器８が基準マーク７ａ、７ｂの中心位置を捉え
た状態でレティクル４上の回路パタンを露光した場合に
、レティクル４上の回路パタンと前工程までにウェハ１
１：に形成されたパタン２とが正しく整合するように、
パタン検出器８と露光光学系の位置関係をあらかじめ定
めておき、パタン検出器８で基準マーク７ａ、７ｂを検
知しながら駆動′ＪＡ置２０を制御し、ステージ６を移
動して、パタン検出器８が基準マーク７ａ、７ｂの中心
位置を捉えた状態とする。この後、露光することにより
レティクル４上の回路パタンをウェハ１」二に転写する
。
このように、基準マーク７ａ、７ｂをウェハ１のパタン
２が形成される面と反対側の面に設ければ、基準マーク
７ａ、７ ｂ−ｌ−、に層が形成されることがなく、し
かもホトレジスト膜も塗布されないので、基準マーク７
ａ、７ｂの形状が半導体装岡の製造工程に伴って劣化す
ることはない。また、パタン検出器８をウェハ１のパタ
ン２が形成される面と反対側に設置することができるか
ら、パタンを転写するたびごとに、パタン検出器８を霧
光光路外に移動する必要がない。
２が形成される面と反対側の面に設ければ、基準マーク
７ａ、７ ｂ−ｌ−、に層が形成されることがなく、し
かもホトレジスト膜も塗布されないので、基準マーク７
ａ、７ｂの形状が半導体装岡の製造工程に伴って劣化す
ることはない。また、パタン検出器８をウェハ１のパタ
ン２が形成される面と反対側に設置することができるか
ら、パタンを転写するたびごとに、パタン検出器８を霧
光光路外に移動する必要がない。
なお、基準マーク７ａ、７ｂは第１層目のパタン２を形
成する前に形成しておくが、基準マーク７ａ、７ｂを形
成するには、密着露光法、投影露光法等によるエツチン
グ技術等で形成でき、また異方性エツチング技術を利用
しても良い。さらに、基準マークとしては、第２図に示
すように、口型の基準マークｌＯａ、十型の基準マーク
１０ｂ、ｘ型の基準マーク１０ｃ等種々のものを用いる
ことができ、さらに基準マークの配列位置は従来と異な
って回路パタンによる制約を全く受けないが、基準マー
ク１０Ｃのように回路チップのスクライブ領域に相当す
る箇所に設けることもできる。
成する前に形成しておくが、基準マーク７ａ、７ｂを形
成するには、密着露光法、投影露光法等によるエツチン
グ技術等で形成でき、また異方性エツチング技術を利用
しても良い。さらに、基準マークとしては、第２図に示
すように、口型の基準マークｌＯａ、十型の基準マーク
１０ｂ、ｘ型の基準マーク１０ｃ等種々のものを用いる
ことができ、さらに基準マークの配列位置は従来と異な
って回路パタンによる制約を全く受けないが、基準マー
ク１０Ｃのように回路チップのスクライブ領域に相当す
る箇所に設けることもできる。
第３図はこの発明に係るパタン形成方法に用いるウェハ
を示す概略断面図である。このウェハにおいては、パタ
ン２が形成される面と反対側の面に凹所１１が形成され
ており、凹所１１の底面に基準マーク７が設けられてい
るから、基準マーク７を機械的な接触による摩耗から保
護することができ、またウェハ１のパタン２が形成され
る面と基準マーク７が設けられた面との距離ｄが小さく
なるから、ウェハ１の傾きに起因する位置合わせずれを
小さくすることが可能である。
を示す概略断面図である。このウェハにおいては、パタ
ン２が形成される面と反対側の面に凹所１１が形成され
ており、凹所１１の底面に基準マーク７が設けられてい
るから、基準マーク７を機械的な接触による摩耗から保
護することができ、またウェハ１のパタン２が形成され
る面と基準マーク７が設けられた面との距離ｄが小さく
なるから、ウェハ１の傾きに起因する位置合わせずれを
小さくすることが可能である。
第４図はこの発明に係るパタン形成装置の一部を示す概
略図である。図において、１２はウェハ１のパタン２が
形成される面と反対側の面に設けられたフレネルリング
で、フレネルリング１２は第５図に示すような形状であ
る。１３は平行なレーザビームを発生するレーザビーム
発生装置、１５はレーザビームをフレネルリング１２に
照射した場合に生するスポット像１４を検知するポジシ
ョンセンサで、ポジションセンサ１５から得られるマー
ク位置情報に基づいて駆動装置２０が制御される。
略図である。図において、１２はウェハ１のパタン２が
形成される面と反対側の面に設けられたフレネルリング
で、フレネルリング１２は第５図に示すような形状であ
る。１３は平行なレーザビームを発生するレーザビーム
発生装置、１５はレーザビームをフレネルリング１２に
照射した場合に生するスポット像１４を検知するポジシ
ョンセンサで、ポジションセンサ１５から得られるマー
ク位置情報に基づいて駆動装置２０が制御される。
このパタン形成装置においては、ポジションセンサ１５
をウェハ１から離れた箇所に位置させることができるか
ら、ポジションセンサ１５とステージ６とが機械的に干
渉することがない。
をウェハ１から離れた箇所に位置させることができるか
ら、ポジションセンサ１５とステージ６とが機械的に干
渉することがない。
第６図はこの発明に係るＸ線露光装置の一部を示す概略
図である。図において、１７はＸ線源、１６はウェハ１
のパタン２が形成される面にごく近接して設置されたＸ
線マスク、１８ａ、１８ｂはＸ線マスク１Ｇに設けられ
た合わせマーク、１９ａ、［ｂはウェハ１の合わせマー
ク１８ａ、１８ｂと対向する位置に設けられた貫通穴で
１貫通穴１９ａ、ＩＱｂの近傍に基準マーク７ａ、７ｂ
が設けられている。
図である。図において、１７はＸ線源、１６はウェハ１
のパタン２が形成される面にごく近接して設置されたＸ
線マスク、１８ａ、１８ｂはＸ線マスク１Ｇに設けられ
た合わせマーク、１９ａ、［ｂはウェハ１の合わせマー
ク１８ａ、１８ｂと対向する位置に設けられた貫通穴で
１貫通穴１９ａ、ＩＱｂの近傍に基準マーク７ａ、７ｂ
が設けられている。
このＸ線ｎ光装置においては、基準マーク７ａ、７ｂと
同時に合わせマーク＋８ａ、１８１）を検知することが
できるから、あらかじめパタン検出器８と露光光学系と
の位置関係髪定める必要がない。また、パタン検出器８
がウェハ１のパタン２が形成された面と反対側の面に配
置されており、露光中にＸ線源１７からの露光Ｘ線を妨
げることなく、基準マーク７ａ、７ｂおよび合わせマー
ク１８ａ、１８ｂを検知することができるから、露光中
に常時駆動装置２０を制御することが可能である。さら
に、基準マーク７ａ、７ｂが凹所１１の底面に設けられ
ているから、基準マーク７ａ、７ｂと合わせマーク］、
８ａ、＋８ｂとの間の距離が非常に小さいので、パタン
検出器８の検出光学系の焦点深度が小さくとも、基準マ
ーク７ａ、７ｂと合わせマーク１８ａ、１８ｂとを同時
に観察することが可能である。
同時に合わせマーク＋８ａ、１８１）を検知することが
できるから、あらかじめパタン検出器８と露光光学系と
の位置関係髪定める必要がない。また、パタン検出器８
がウェハ１のパタン２が形成された面と反対側の面に配
置されており、露光中にＸ線源１７からの露光Ｘ線を妨
げることなく、基準マーク７ａ、７ｂおよび合わせマー
ク１８ａ、１８ｂを検知することができるから、露光中
に常時駆動装置２０を制御することが可能である。さら
に、基準マーク７ａ、７ｂが凹所１１の底面に設けられ
ているから、基準マーク７ａ、７ｂと合わせマーク］、
８ａ、＋８ｂとの間の距離が非常に小さいので、パタン
検出器８の検出光学系の焦点深度が小さくとも、基準マ
ーク７ａ、７ｂと合わせマーク１８ａ、１８ｂとを同時
に観察することが可能である。
なお、上述実施例においては、光学式のパタン検出器８
を用いたが、電子ビーム式のパタン検出器を用いること
により、一層の高精度化を図ることができる。
を用いたが、電子ビーム式のパタン検出器を用いること
により、一層の高精度化を図ることができる。
以上説明したように、この発明に係るパタン形成方法お
よびその装置においては、基準マークが劣化することが
ないので、常に高精度の位置合わせを行なうことができ
る。また、基準マークを検知する検知手段をウェハのパ
タンか形成される面と反対側の面に配置することができ
るから、パタンを転写するたびごとに検知手段を宥光範
囲外に移動する必要がない。このように、この発明の効
果は顕著である。
よびその装置においては、基準マークが劣化することが
ないので、常に高精度の位置合わせを行なうことができ
る。また、基準マークを検知する検知手段をウェハのパ
タンか形成される面と反対側の面に配置することができ
るから、パタンを転写するたびごとに検知手段を宥光範
囲外に移動する必要がない。このように、この発明の効
果は顕著である。
第１図はこの発明に係る縮小投影露光装置の一部を示す
概略図、第２図はこの発明に係るパタン形成方法に使用
するウェハを示す図、第３図はこの発明に係るパタン形
成方法に使用する他のウェハを示す概略断面図、第４図
はこの発明に係るパタン形成装置の一部を示す概略図、
第５図は第４図に示したウェハに設けられたフレネルリ
ングを示す図、第６図はこの発明に係るＸ線癲光装置の
一部栓示す概略図、第７図は従来のパタン形成装置の一
部を示す概略図である。 １・・ウェハ ２・・・回路パタン４・・・
レティクル ６・・・ステージ７ａ、７ｂ・・・
基準マーク ８・・・パタン検出器 １２・・・フレネルリング
１；３・・レーザビーム発生装置 １５・・・ポジションセンサ １６・・・Ｘ線マスク＋
８ａ、］８ｂ・・・合オ）せマーク １９ａ、１９＋）・・・貫通穴 代理人弁理士 中 村 純之助 才３図 １１′ 牙４図 牙５図 ５１−６ 図 牙７図 ２３ａ−却′２゜ ２←竺３１２．。
概略図、第２図はこの発明に係るパタン形成方法に使用
するウェハを示す図、第３図はこの発明に係るパタン形
成方法に使用する他のウェハを示す概略断面図、第４図
はこの発明に係るパタン形成装置の一部を示す概略図、
第５図は第４図に示したウェハに設けられたフレネルリ
ングを示す図、第６図はこの発明に係るＸ線癲光装置の
一部栓示す概略図、第７図は従来のパタン形成装置の一
部を示す概略図である。 １・・ウェハ ２・・・回路パタン４・・・
レティクル ６・・・ステージ７ａ、７ｂ・・・
基準マーク ８・・・パタン検出器 １２・・・フレネルリング
１；３・・レーザビーム発生装置 １５・・・ポジションセンサ １６・・・Ｘ線マスク＋
８ａ、］８ｂ・・・合オ）せマーク １９ａ、１９＋）・・・貫通穴 代理人弁理士 中 村 純之助 才３図 １１′ 牙４図 牙５図 ５１−６ 図 牙７図 ２３ａ−却′２゜ ２←竺３１２．。
Claims (8)
- （１）ウェハのパタンが形成される面と反対側の面に設
けられた基準マークを基準としてパタンを形成すること
を特徴とするパタン形成方法。 - （２）上記基準マークが上記ウェハの表面に形成された
凹部であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のパタン形成方法。 - （３）上記基準マークがフレネルリングであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のパタン形成方法。 - （４）上記基準マークを上記ウェハに設けられた凹所の
底面に設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のパタン形成方法。 - （５）上記基準マークを上記ウェハに設けられた貫通穴
の近傍に設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のパタン形成方法。 - （６）ウェハのパタンが形成される面と反対側の面に設
けられた基準マークを検知する検知手段と、その検知手
段から得られるマーク位置情報に基づいて上記ウェハの
パタン形成面にパタンを転写するパタン転写手段とを有
することを特徴とするパタン形成装置。 - （７）上記検知手段が上記基準マークからの反射光を利
用する形式のパタン検出器を有することを特徴とする特
許請求の範囲第６項記載のパタン形成装置。 - （８）上記検知手段が電子ビームを利用したパタン検出
器を有することを特徴とする特許請求の範囲第６項記載
のパタン形成装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60253686A JPS62115164A (ja) | 1985-11-14 | 1985-11-14 | パタン形成方法およびその装置 |
| US06/927,939 US4798470A (en) | 1985-11-14 | 1986-11-07 | Pattern printing method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60253686A JPS62115164A (ja) | 1985-11-14 | 1985-11-14 | パタン形成方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62115164A true JPS62115164A (ja) | 1987-05-26 |
Family
ID=17254735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60253686A Pending JPS62115164A (ja) | 1985-11-14 | 1985-11-14 | パタン形成方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62115164A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002361892A (ja) * | 2001-06-13 | 2002-12-18 | Ricoh Co Ltd | インク供給装置と記録ヘッド及びインクジェット記録装置 |
| KR100579603B1 (ko) * | 2001-01-15 | 2006-05-12 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5271985A (en) * | 1975-12-08 | 1977-06-15 | Siemens Ag | Apparatus for making iluminating pattern for specimen |
| JPS52136577A (en) * | 1976-05-11 | 1977-11-15 | Nippon Chemical Ind | Aligning device |
| JPS5491183A (en) * | 1977-12-28 | 1979-07-19 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor device |
-
1985
- 1985-11-14 JP JP60253686A patent/JPS62115164A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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