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JPS6197918A - X線露光装置 - Google Patents

X線露光装置

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Publication number
JPS6197918A
JPS6197918A JP59218383A JP21838384A JPS6197918A JP S6197918 A JPS6197918 A JP S6197918A JP 59218383 A JP59218383 A JP 59218383A JP 21838384 A JP21838384 A JP 21838384A JP S6197918 A JPS6197918 A JP S6197918A
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JP
Japan
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ray
mask
low attenuation
attenuation chamber
gas
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JP59218383A
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JPH0564453B2 (ja
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Yukio Kenbo
行雄 見坊
Yoshihiro Yoneyama
米山 義弘
Minoru Ikeda
稔 池田
Akira Inagaki
晃 稲垣
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Priority to EP85113171A priority patent/EP0178660B1/en
Priority to US06/788,861 priority patent/US4825453A/en
Priority to DE8585113171T priority patent/DE3579664D1/de
Publication of JPS6197918A publication Critical patent/JPS6197918A/ja
Publication of JPH0564453B2 publication Critical patent/JPH0564453B2/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は半導体集積回路を製作するに用いられるX線露
光装置に係夛、詳しくにはX線源とマスク間に介設され
る低減衰室内に供給されるX線を吸収しにくい気体の供
給量を制御するに好適なX線露光装置に関するものであ
る。
〔発明の背景〕
X線露光装置において、X線源とマスクの間のX線透過
経路に大気が存在するとX線が大気に吸収され、透過率
が低下し、露光不足が生じ、スルーブツト、アライメン
ト精度の低下を招く不具合が生ずる。このため従来技術
においてもX線源とマスク間に低減衰室を設け、この内
部を真空にするか、X線を吸収しにくい気体、例えばヘ
リウム(以下、Heと記載する)で満たす手段が採用さ
れている。先行技術の1つとして特開昭58−2682
5号に紹介されるIEEE Transaction 
on 1lectionDevice 、 Vol E
D−22、N[L7. July 1975のP429
ないし433には低減衰室をHe雰囲気又は真空雰囲気
で満たすことが必要である旨を詳説している。
第1図において、X線源1からのX線2は真空室12.
べIJ IJウム窓4を通り、低減衰室5内に入り、マ
スク9に照射され、マスク9とウェハ11のギャップ1
0を通ってウェハ11上のレジストに到達する。この時
、マスク9上のX線吸収用パターン(図示せず)の形を
レジスト上に転写する。
X線露光時にX線の吸収が大きいと上記の如く露光不足
が生ずるが、X線透過率には下式の如く定義され、透過
物質の吸収係数μと、通過距Mtにより変化する。
K=exp  (−μt) ここで吸収係数μは原子番号が若く、X線波長の短かい
ものが小さい値を示す。
上記X線透過率にはX線2の波長が5.4 ’A 、透
過距離tが30crnの場合には、真空室12で100
チ、ベリリウム窓4で98%、ギャップ10で100%
、ae 1oo%の低減衰室5で95チとなり、低減衰
室5が最も低いことが明らかにされる。そこで、低減衰
室5のX線透過率Kを極力高くし、かつこれを安定保持
することが必要となる。
従来技術においては、上記の如く低減衰室5内にHe等
を入れ、X線透過率にの低下を防止しているが、いづれ
もその安定保持に着目し、これを具体的に処置するもの
が見当らない。従って、低減衰室5内においてHe雰囲
気と大気との置換が十分になされているか否か、所定チ
のHeが供給されているか否か、Hef囲気の洩れはな
いか等について、検出し得ない欠点があった。′またH
e自体が高価なものであるだめ洩れを予想して余分に供
給することは経済的に問題である。
〔発明の目的〕
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目
的はX線源とマスク間に介設される低減衰室内に充填さ
れるX線を吸収しにくい気体と大気との置換量を最適に
保持し、かつ制御し、X線露光不足を生じしめないよう
にするX線露光装置を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明は上記目的を達成するために、低減衰室内に充填
されるX線を吸収しにくい気体内に混入する大気成分を
検出する検出手段と、該検出手段の信号により、上記気
体の供給量を制御する制御手段とを設け、上記大気成分
の検出値によシ上記気体の供給量を換算推定し、これに
より低減衰室内の上記気体の充填量を所定値に保持する
ように形成されるX線露光装置を特徴としたものである
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例を図面に基づき説明する。
まず、本実施例の概要を説明する。
上記の如く、第1図において、真空室12内に収納され
るX線源1からのX線2は露光時に開口するシャッタ3
、ベリリウム窓4を通過して低減衰室5に入る。ここで
大気と置換されて充填されるX線吸収の少ない気体(本
実施例ではHe)内を通り、マスクチャック7に真空8
により吸着されたマスク9を照射して透過し、マスク9
とウェハ11間のギャップ10を通ってウェハ11上の
レジストに到達し、マスク9上のパターンをウェハ11
のレジスト上に転写する。ウェハ11はステージ19上
に載置され、レーザ測長器20および光学系18Vr:
、よシマスフ9とのアライメント膿整が行われる。
マスクチャック7の近傍の低減衰室5内には検出手段た
る酸素検出センサ13が設置され、低減衰室5内のHe
中に混入する酸素量(%)を検出する。制御手段は酸素
検出センサ13が接続するコントローラ14と、コント
ローラ14によシ開閉操作される排気パルプ15および
He供給パルプ16とから構成され、He供給パルプ1
6はHe供給源乙に連通している。
以上の構成により低減衰室5内のHe量(チ)を酸素量
(%)Kよシ換算検知し、コントローラ14によ5He
量を適性値にコントロールするものである。
以下、本実施例を更に詳細に説明する。
低減衰室5内を完全真空にすることはX線透過率Kを高
める点で望ましいが、低減衰室5の完全密閉化+マスク
9の強度上の点から問題がある。
このため若干真空度を下げ、低減衰室5内をX線吸収の
少ないHeを充填する方式が一般に採用される。低減衰
室5内には最初大気が存在し、これをHeと置換するが
、me充填後にHe内に混入する大気成分、例えば酸素
量とHenとによって下式の如くX線透過率に、が変化
する。
ここでXはHeの量(%)、μ3..μ。、μ、はHe
、酸素、窒素の吸収係数、tは通過距離である。
第1表はHeのBx%およびこれに混入する酸素量(チ
)とX線透過率Kxとの関係を数値表示したもので、第
2表は低減衰室5内の真空度TOrrとX線透過率に、
との関係を数値表示したものである。
第  1  表 第  2  表 上記した先行技術の記載内容によると低減衰室5内の真
空度はI X 10−27’orr以下であることが望
ましい旨説明されている。第2表によシ真空度をlX1
0  ’rorrにするとX線透過率Kxは89%とな
る。このX線透過率Kxを保持するにはHe量Xは約9
95チ、酸素量0.1%でなければならない。そこで低
減衰室5にHeを大気と置換して充填する際に、残存酸
素量が0.1チであることを確認すればH8が995チ
充填され、X線透過率に工が89チに保持されることが
わかる。
本実施例は上記理論に基づくもので酸素検出センサ13
は上記残存酸素量を検出するものである。
第1図に示す如く、酸素検出センサ13はマスクチャッ
ク7の近傍に設置されているが、これは充填気体、すな
わちH6が最も薄いと思われる低減衰室5内に設置され
ればよい。マスクチャック7の近傍は真空8によりH8
が若干吸収される恐れもあり、上記条件に適合する個所
の1つであるが、勿論これに限定するものでない。
シャッタ3.コントローラ14.光学系18およびレー
ザ測長器20はメーンコントローラ21に接続し、全体
的に制御される。またファン22は低減衰室5内のH8
の分布を均一にするためのものである。排気パルプ15
と低減衰室5とを結ぶ管路には排気バルブ15の閉止時
にHeのドレンのみを排出するドレン17が設けられて
いる。
次に、本実施例の作用を説明する。
低減衰室5内には最初大気が存在している。まずこれを
H6と置換する。すなわちマスク9又はシャッタ(図示
せず)もしくはダミーマスク(図示せず)でマスクチャ
ック7の穴をふさぎ、コントローラ14の指示により排
気バルブ15を開放する。同時にコントローラ14の指
示によりH8供給パルプ16を開きH8供給源6からH
eを導入する。
酸素検出センサ13により残存酸素量を検知し、酸素量
が0.1チに到達したときコントローラ14がHe供給
パルプ16および排気バルブ15を閉止する。
以上によりHeと大気との置換が終了する。以後、引続
き酸素検出センサ13を動作せしめ、酸素量の変化に応
じてコントローラ14を動作し、H8の補充を行う。
本実施例において大気成分の検出手段として酸素検出手
段を採用したが、これに限定するものでなく、窒素セン
サでもよくその組合せでもよい。
また大気以外気体と減衰気体の置換ではその気体センサ
でも良い。また実施例では酸素量を0.1%としたが、
勿論これに限定するものでない。また酸素検出センサ1
3は一定値で0N−OF’F信号を送る簡便のものであ
ってもよい。また酸素量が01チと異なる値を示した場
合にメーンコントローラ21によシシャッタ3の閉時時
間を調整することも可能である。
第2図は本発明の別の実施例を示すもので、第1図と同
一符号のものは同−物又は同一機能の物を示す。
本実施例の場合には酸素検出センサ13を低減衰室5外
に配置し、低減衰室5内にその一端側を挿設した複数本
のパイプ30の他端側を酸素検出センサ15に接続した
ものから形成される。なおパイプ30内には開閉弁31
が介設され、低減衰室5内の酸素は真空ポンプ32によ
り酸素検出センサ13側に吸引されて検出される。本実
施例では低減衰室5の各所の酸素量が検出されることか
ら上記実施例よりも精密に検出制御され、酸素検出セン
サ13の較正等のメンテナンスも行ない易い利点が有る
が、低減衰室5内を乱す点においては上記実施例が優れ
る。
又第1図、第2図の酸素センナを質量分析器にすれば、
H8そのものをモニタすることも勿論可能である。
〔発明の効果〕
本発明によれば次の如き効果が上げられる。
(1)  X線露光が安定し、製品の歩留りが向上する
(2)完全密閉が不要であると共に、大気との置換時に
、従来技術では一度低減衰室内を完全真空にする必要が
あるが、それが不要となり、コスト低減になると共に、
構造、大きさがコンパクトのものとなる。
(3)X線透過率のコントロールが容易にできる。
(4)低減衰室からの洩れが直ちに検知され、かつ速や
かに対処される。
(5)気体としてH6を使用した場合約15%の節減が
行われることが実証されている。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す構成図、第2図は本発
明の別の実施例を示す構成図である。 1・・・X線源、2・・・X線、5・・・低減衰室、6
・・・He供給源、9・・・マスク、10・・・ギャッ
プ、11・・・ウェハ、12・・・真空室、13・・・
酸素検出センサ、14・・・コントローラ、15・・・
排気パルプ、16・・・He 供給バルブ、21・・・
メーンコントローラ、30・・・パイプ、31・・・開
閉弁、32・・・真空ポンプ。 才 1 図 ?! ′1′2  図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、X線源とマスク間にX線を吸収しにくい気体が供給
    される低減衰室を介設せしめ、該低減衰室を透過したX
    線を上記マスクに照射し、ウェハレジスト上にマスクパ
    ターンを転写するX線露光装置において、上記低減衰室
    内の上記気体または気体に混入する成分を検出する検出
    手段と、該検出手段の信号により、上記低減衰室内の上
    記気体の供給量を制御する制御手段とを有することを特
    徴とするX線露光装置。 2、上記検出手段が酸素量又は窒素量を検出する酸素又
    は窒素検出器であることを特徴とする特許請求の範囲第
    1項記載のX線露光装置。 3、上記検出手段が上記気体を検出する質量分析器であ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のX線露
    光装置。
JP59218383A 1984-10-19 1984-10-19 X線露光装置 Granted JPS6197918A (ja)

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JP59218383A JPS6197918A (ja) 1984-10-19 1984-10-19 X線露光装置
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EP85113171A EP0178660B1 (en) 1984-10-19 1985-10-17 X-ray exposure apparatus
US06/788,861 US4825453A (en) 1984-10-19 1985-10-17 X-ray exposure apparatus
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JPS6197918A true JPS6197918A (ja) 1986-05-16
JPH0564453B2 JPH0564453B2 (ja) 1993-09-14

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