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JPS6195233A - 二次イオン質量分析計における残留ガスイオン化装置 - Google Patents

二次イオン質量分析計における残留ガスイオン化装置

Info

Publication number
JPS6195233A
JPS6195233A JP59216750A JP21675084A JPS6195233A JP S6195233 A JPS6195233 A JP S6195233A JP 59216750 A JP59216750 A JP 59216750A JP 21675084 A JP21675084 A JP 21675084A JP S6195233 A JPS6195233 A JP S6195233A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
residual gas
grid
secondary ion
mass analyser
ion mass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP59216750A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0570255B2 (ja
Inventor
Hiroshi Yamauchi
洋 山内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Priority to JP59216750A priority Critical patent/JPS6195233A/ja
Publication of JPS6195233A publication Critical patent/JPS6195233A/ja
Publication of JPH0570255B2 publication Critical patent/JPH0570255B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
    • H01J49/02—Details
    • H01J49/10—Ion sources; Ion guns
    • H01J49/14—Ion sources; Ion guns using particle bombardment, e.g. ionisation chambers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
    • G01N23/2255—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident ion beams, e.g. proton beams
    • G01N23/2258—Measuring secondary ion emission, e.g. secondary ion mass spectrometry [SIMS]
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
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    • G01N27/622—Ion mobility spectrometry
    • G01N27/623—Ion mobility spectrometry combined with mass spectrometry

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は、二次イオン質量分析計における残留ガスイオ
ン化装置に関する。
（ロ）従来技術とその問題点 従来、二次イオン質量分析計や二次イオン質量分析計を
備えた複合分析機器においては、分析室内のリークを測
定したり、導入ガスを測定したりするために残留ガス分
析計を常時設置したものがある。この残留ガス分析計は
残留ガスをイオン化するためのイオン源、質量分析計お
よび電源を組み合わせてなるもので、上記残留ガスを分
析する上で必要ではあるが、その構造上製−が高価であ
り、しかも、ルーチンで使用されないにもかかわらず専
用の設置場所が必要となるという不具合がある。
（ハ）目的 本発明は従来のかかる問題点を解消し、従来のような専
用の残留ガス分析計を設けなくとも精度良く残留ガス分
析ができるようにして、装置全体の価格低減化、簡略化
を実現することを目的とする。
（ニ）構成 二次イオン質量分析計は残留ガス分析計よりもはるかに
高性能の質量分析計を本来備えており、この質量分析計
を残留ガス４折にも併用できれば従来の残留ガス分析計
を省略できるので都合が良い。
そ・こで、本発明は上述の目的を達成するため、二次イ
オン質量分析計の分析室内に導入される導入棒を備える
とともに、この導入棒の一端部に、フィラメント、グリ
ッド、リベラ、引出電極を存してなるイオン化手段を設
けて残留ガスイオン化装置を構成している。
従って、本発明によれば、前記イオン化手段で残留ガス
がイオン化され、イオン化された残留ガス成分が二次イ
オン質量分析計本体の質量分析計で測定される。
（ホ）実施例 以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。
第１図はこの実施例に係る残留ガスイオン化装置の断面
図である。同図において、符号ｌは残留ガスイオン化装
置を示し、２は二次イオン質量分析計の分析室を構成す
るケーシング４に設けられたＯリング６に挿通されて大
気中から分析室内に導入される導入棒である。この導入
棒２は中空円筒状をなし、その一端部にはイオン化手段
ｌＯが、他端部にはイオン化手段ＩＯを電源に接続する
ためのコネクタ部１２がそれぞれ設けられている。
また、上記イオン化手段ＩＯは、フィラメント１２、グ
リッド１４、リベラ１６、引出電極１８およびディフレ
クタ２０を有してなり、リベラ１６、引出電極１８およ
びディフレクタ２０は、フィラメント１２交換などの保
守用にそれぞれ着脱自在に構成されている。２２はセラ
ミックなどでできたフィードスルーであり、これにより
導入棒２内が真空シールされる。そして、フィラメント
１２、グリッド１４およびディフレクタ２０にはそれぞ
れリード線２４．２６．２８．３０の各一端が接続され
、これらのリード線２４．２６．２８．３０の各他端は
フィードスルー２２を貫通して下方のコネクタ部１２に
接続されている。従って、コネクタ部１２に電源が接続
された状態では、第２図に示すように、フィラメント１
２には所定の電圧が印加され、また、グリッド１４はプ
ラス電位に、リベラ１６とディフレクタ２０とはマイナ
ス電位に、さらに引出電極１８はアース電位にそれぞれ
設定される。なお、３２．３４．３６は絶縁用の碍子で
ある。
この残留ガスイオン化装置ｌでは、フィラメント１２の
加熱により熱電子が放出され、放出された熱電子はプラ
ス電位に設定されたグリッド！４に向う。そしてグリッ
ド１４を通過した熱電子はりペラＩ６によって反射され
、これにより熱電子はりベラ１６で囲まれた内部を往復
運動する。この過程で残留ガスが熱電子によってイオン
化される。イオン化された残留ガスはアース電位に設定
された引出電極１８に引かれて外部に飛び出ず。
そして飛び出したイオンはディフレクタ２０によって曲
げられて二次イオン質量分析計本体に設けられている質
量分析計３８に向い、ここで測定がなされる。
なお、この残留ガスイオン化装置ｌは、本実施例のよう
に専用の導入棒２にイオン化手段１０を設けたしのであ
ってもよいが、従来から二次イオン質量分析計に設けら
れている試料導入棒にイオン化手段を取り付けて構成す
ることもできる。
（へ）効果 以上のように本発明によれば、導入棒の一端部に設けら
れたフィラメント、グリッド、リベラを有してなるイオ
ン化手段で残留ガスがイオン化され、イオン化された残
留ガス成分が二次イオン質量分析計本体の質量分析計で
測定される。つまり、二次イオン質量分析計に設けらた
高性能の質量分析計を残留ガス分析にも併用できるため
、従来のような専用の残留ガス分析計を設けなくとも精
度良く残留ガス分析を行なうことができるようになる。
従って、装置全体の価格低減化、簡略化が実現されると
いう優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の実施例を示し、第１図は残留ガスイオン
化装置の断面図、第２図は同装置の印加電圧の状態を示
す説明図である。 ｌ・・・残留ガスイオン化装置、２・・・導入棒、ｌＯ
・・・イオン化手段、１２・・・フィラメント、１４・
・・グリッド、１６・・・リベラ、！８・・・引出電極
。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）二次イオン質量分析計の分析室内に導入される導
    入棒を備えるとともに、この導入棒の一端部に、フィラ
    メント、グリッド、リベラ、引出電極を有してなるイオ
    ン化手段が設けられていることを特徴とする二次イオン
    質量分析計における残留ガスイオン化装置。
JP59216750A 1984-10-16 1984-10-16 二次イオン質量分析計における残留ガスイオン化装置 Granted JPS6195233A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59216750A JPS6195233A (ja) 1984-10-16 1984-10-16 二次イオン質量分析計における残留ガスイオン化装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59216750A JPS6195233A (ja) 1984-10-16 1984-10-16 二次イオン質量分析計における残留ガスイオン化装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6195233A true JPS6195233A (ja) 1986-05-14
JPH0570255B2 JPH0570255B2 (ja) 1993-10-04

Family

ID=16693333

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59216750A Granted JPS6195233A (ja) 1984-10-16 1984-10-16 二次イオン質量分析計における残留ガスイオン化装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6195233A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0587798U (ja) * 1992-04-30 1993-11-26 株式会社島津製作所 電子線源装置
CN102446689A (zh) * 2010-10-13 2012-05-09 北京中科信电子装备有限公司 一种真空中电极引入装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0587798U (ja) * 1992-04-30 1993-11-26 株式会社島津製作所 電子線源装置
CN102446689A (zh) * 2010-10-13 2012-05-09 北京中科信电子装备有限公司 一种真空中电极引入装置

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JPH0570255B2 (ja) 1993-10-04

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