JPS6189630A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents
電子ビ−ム露光方法Info
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- JPS6189630A JPS6189630A JP21196584A JP21196584A JPS6189630A JP S6189630 A JPS6189630 A JP S6189630A JP 21196584 A JP21196584 A JP 21196584A JP 21196584 A JP21196584 A JP 21196584A JP S6189630 A JPS6189630 A JP S6189630A
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- Japan
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- electron beam
- exposed
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- pattern area
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
- H01J37/3026—Patterning strategy
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31769—Proximity effect correction
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、ラスタスキャン方式の電子ビーム露光方法の
改良に係わり、特に近接効果の低減をはかった電子ビー
ム露光方法に関する。
改良に係わり、特に近接効果の低減をはかった電子ビー
ム露光方法に関する。
（発明の技術的背景とその問題点〕
近年、半導体ウェハやマスク基板等の試料上に微細パタ
ーンを形成するものとして、電子ビームを試料上で走査
してパターンを露光する電子ビーム露光方法が注目され
ている。しかし、この方法では、電子ビームの固体内散
乱に起因する近接効果により１［μ７ＦＬ］以下のパタ
ーンを正確に露光できないと云う問題がある。そこで、
この近接効果を補正する方法として、所定のビーム照射
量でパターン領域を露光したのち、非パターン領域を上
記照射量より少ないビーム照射量で、且つパターン領域
より大径のぼけたビームで露光する方法が提案されてい
る（例えばＧ 、 Ｏｗｅｎ ＆ ＲｉＳＳｍａｎＪ、
ＡｐＨｌ 、 Ｐｈｙｓ、５４ （６） Ｐ３５７３
（１９８３））。
ーンを形成するものとして、電子ビームを試料上で走査
してパターンを露光する電子ビーム露光方法が注目され
ている。しかし、この方法では、電子ビームの固体内散
乱に起因する近接効果により１［μ７ＦＬ］以下のパタ
ーンを正確に露光できないと云う問題がある。そこで、
この近接効果を補正する方法として、所定のビーム照射
量でパターン領域を露光したのち、非パターン領域を上
記照射量より少ないビーム照射量で、且つパターン領域
より大径のぼけたビームで露光する方法が提案されてい
る（例えばＧ 、 Ｏｗｅｎ ＆ ＲｉＳＳｍａｎＪ、
ＡｐＨｌ 、 Ｐｈｙｓ、５４ （６） Ｐ３５７３
（１９８３））。
しかしながら、上記の方法を従来のラスタスキャン方式
の電子ビーム露光装置で実行する場合、まずパターン領
域を露光し、次いで非パターン領域を露光すると云う２
回の手順が必要となる。このため、露光スループッ１〜
が１７′２に低下すると云う欠点があった。
の電子ビーム露光装置で実行する場合、まずパターン領
域を露光し、次いで非パターン領域を露光すると云う２
回の手順が必要となる。このため、露光スループッ１〜
が１７′２に低下すると云う欠点があった。
（発明の目的）
本発明は上記＄情を考［６１，、でなされたもので、そ
の目的とするところは、 Ｇ、Ｏｗｅｎ＆ ｐ。
の目的とするところは、 Ｇ、Ｏｗｅｎ＆ ｐ。
Ｒ：ｓｍｍａｎ等が提唱する近接効果の補正をラスタス
キ１７ン方式で実行することができ、且つ露光スルーブ
ツトの向上をはかり得る電子ビーム露光方法を捉洪する
ことにある。
キ１７ン方式で実行することができ、且つ露光スルーブ
ツトの向上をはかり得る電子ビーム露光方法を捉洪する
ことにある。
本発明の骨子は、パターン領域と非パターン領域との露
光に際し、アドレスユニットの大きさを変えることにあ
る。
光に際し、アドレスユニットの大きさを変えることにあ
る。
即ち本発明は、電子ビームを試料上でラスタ走査し、該
試料上に所望パターンを選択的に露光する電子ビーム露
光方法において、パターン領域をビーム径の小さい電子
ビームにより小さなアドレスユニツ］・で露光し、且つ
非パターン領域を上記ビームより大径のぼけた電子ビー
ムにより大きなアドレスユニットで露光するようにした
方法である。
試料上に所望パターンを選択的に露光する電子ビーム露
光方法において、パターン領域をビーム径の小さい電子
ビームにより小さなアドレスユニツ］・で露光し、且つ
非パターン領域を上記ビームより大径のぼけた電子ビー
ムにより大きなアドレスユニットで露光するようにした
方法である。
本発明によれば、非パターン領域を大きなアドレスユニ
ツ１〜で露光することにより、非パターン領域の露光に
要する時間を短くすることができる。
ツ１〜で露光することにより、非パターン領域の露光に
要する時間を短くすることができる。
このため、全体としての露光スルーブツトの向上をはか
り得る。
り得る。
以下１本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図は本発明方法を適用した電子ビーム露光装置の一
例を示す概略構成図である。図中１０は試料室であり、
この試料室１０内には半導体ウェハ等の試料１１を載置
した試料ステージ１２が収容されている。試料ステージ
１２はステージ駆動系３１によりＸ方向（紙面左右方向
）及びＹ方向（紙面表裏方向）に移動される。そして、
ステージ１２の移動位置はレーザ１ｌｌｌη艮計３２に
より測定されるものとなっている。
例を示す概略構成図である。図中１０は試料室であり、
この試料室１０内には半導体ウェハ等の試料１１を載置
した試料ステージ１２が収容されている。試料ステージ
１２はステージ駆動系３１によりＸ方向（紙面左右方向
）及びＹ方向（紙面表裏方向）に移動される。そして、
ステージ１２の移動位置はレーザ１ｌｌｌη艮計３２に
より測定されるものとなっている。
一方、試料室１０の上方には、電子銃２１．各種レンズ
２２．２３．２４及び各種偏向器２５゜２６等からなる
電子光学鏡筒２０が配置されている。ここで、偏向器２
５は電子ビームをブランキングづ−るものであり、ブラ
ンキング回路３３によりブランキング信号を印加される
。また、偏向器２６は′電子ビームを試料上で走査する
もので、走査回路３・４により走査信号を印加されるも
のとなっている。
２２．２３．２４及び各種偏向器２５゜２６等からなる
電子光学鏡筒２０が配置されている。ここで、偏向器２
５は電子ビームをブランキングづ−るものであり、ブラ
ンキング回路３３によりブランキング信号を印加される
。また、偏向器２６は′電子ビームを試料上で走査する
もので、走査回路３・４により走査信号を印加されるも
のとなっている。
なお、図中３５は電子銃２１及びレンズ２２゜〜、２４
の電源、３６は制御計障１幾、３７はインターフェース
をそれぞれ示している。
の電源、３６は制御計障１幾、３７はインターフェース
をそれぞれ示している。
上記の構成は従来の電子ビーム露光装置と同様であり、
試料１１（試料載置のステージ１２）を一方向（例えば
Ｘ方向）に連続移動しながら、電子ビームをこれと直交
する方向（例えばＹ方向）に走査して、該試料１１上に
所望パターンを露光するものとなっている。
試料１１（試料載置のステージ１２）を一方向（例えば
Ｘ方向）に連続移動しながら、電子ビームをこれと直交
する方向（例えばＹ方向）に走査して、該試料１１上に
所望パターンを露光するものとなっている。
次に、上記装置を用いた電子ビーム露光方法について、
第２図及び第３図を参照して説明する。
第２図及び第３図を参照して説明する。
まず、試料１１上に形成すべき図形（パターン領域）は
、第２図に示り如くアドレスユニット×アドレスユニッ
トの要素５３の集合として表わされる。５１．５２は要
素５３の集合体として表わされた図形を示す。図形部分
の露光は、要素５３と略同じ大きさの電子ビームスボッ
１〜５４で図形５１．５２を構成する各要素５３を露光
することによって行われる。
、第２図に示り如くアドレスユニット×アドレスユニッ
トの要素５３の集合として表わされる。５１．５２は要
素５３の集合体として表わされた図形を示す。図形部分
の露光は、要素５３と略同じ大きさの電子ビームスボッ
１〜５４で図形５１．５２を構成する各要素５３を露光
することによって行われる。
一方、昔日部分（非パターン領域〉５６を露光する際に
は、第３図に示す如く前記ビームスポット５４より遥か
に大きいガウス分布を持ったビームスポット５４′を用
いる。即ち、第３図に示す（引く第２図の場合よりも大
きなアドレスユニットで同じ図形５１’ 、５２’ を
表わし、その背宍部分５６′を構成する各要素５３′を
ビームスボッ１−５４ ’で露光づる。これにより、第
２図の黴小肚素５３で表わされた背碩部５６の各要素を
ビームスポット５４で露光した場合と殆ど同一のドーズ
分布を得ることができる。但し、ビーム強度は適当に調
整する必要がある。
は、第３図に示す如く前記ビームスポット５４より遥か
に大きいガウス分布を持ったビームスポット５４′を用
いる。即ち、第３図に示す（引く第２図の場合よりも大
きなアドレスユニットで同じ図形５１’ 、５２’ を
表わし、その背宍部分５６′を構成する各要素５３′を
ビームスボッ１−５４ ’で露光づる。これにより、第
２図の黴小肚素５３で表わされた背碩部５６の各要素を
ビームスポット５４で露光した場合と殆ど同一のドーズ
分布を得ることができる。但し、ビーム強度は適当に調
整する必要がある。
ここで、１つの要素の露光に要する時間は要素のサイズ
によらず同じであるから、第３図のように１つの要素を
大きなアドレスユニットで表わすことにより、背景部分
５６′の露光に要する時間を短縮することができる。ま
た、第２図に示す図形５２と第３図に示す図形５２′
とでは５７の部分が違っているが、上記の説明から明ら
かなように、５７の有無は露光に用いるビームスポット
５４′のサイズの方が遥かに大きい：ので問題とならな
いのである。
によらず同じであるから、第３図のように１つの要素を
大きなアドレスユニットで表わすことにより、背景部分
５６′の露光に要する時間を短縮することができる。ま
た、第２図に示す図形５２と第３図に示す図形５２′
とでは５７の部分が違っているが、上記の説明から明ら
かなように、５７の有無は露光に用いるビームスポット
５４′のサイズの方が遥かに大きい：ので問題とならな
いのである。
なお、実際の露光に際しては、ま、ず図形５１゜５２を
ビームスポット５４で露光したのち、その背景部分５６
′をビームスボッ１−５４’で露光する。ここで、ビー
ム径は、前記電子光学鏡筒２０によりビームをぼかすこ
とにより大きくすることが可能である。
ビームスポット５４で露光したのち、その背景部分５６
′をビームスボッ１−５４’で露光する。ここで、ビー
ム径は、前記電子光学鏡筒２０によりビームをぼかすこ
とにより大きくすることが可能である。
かくして本実施例方法によれば、背景部分５６′を露光
する際にアドレスユニットを大きく（例えば２倍に）し
ているので、背景部分５６′の露光に要する時間を短縮
することができる。例えば、第２図及び第３図に示すよ
うに背景部分５６′を露光する際の要素５３′を要素５
３の４倍とすれば、背景部分を露光する時間を約１／′
４に短縮することができる。このため、露光スループッ
トの著しい向上をはかり１ｑる。
する際にアドレスユニットを大きく（例えば２倍に）し
ているので、背景部分５６′の露光に要する時間を短縮
することができる。例えば、第２図及び第３図に示すよ
うに背景部分５６′を露光する際の要素５３′を要素５
３の４倍とすれば、背景部分を露光する時間を約１／′
４に短縮することができる。このため、露光スループッ
トの著しい向上をはかり１ｑる。
ここで、実際に最小線幅１［μｍ］のパターンをビーム
径０．１［μｍ］でアドレスユニット０．１［μｍ］の
描画装置を用い、線幅１．１［μＴＩ′Ｌ］の部分を ■近接効果の補正を行わない場合、 ■ぼけた直径３［μｍ］のビームを用い、アドレスユニ
ットを０．１［μＴｒＬ］のままで補正描画した場合、 ■同ビームを用い、アドレスユニット−を０．２［、ｃ
ｚｍ］とし、０．２ ［μ７７１］に満たないパターン
は切捨てて補正描画した場合、 ■０．２［μＴｒＬ］に満たないパターンを切上げて■
と同様に補正描画した場合、 のそれぞれについて、５［μｒｒｔ’ ］以上のパター
ンが正常の寸法に現像される条件で現象し、これらを比
較゛したところ次のような結果が得られた。即ち、■の
無補正描画の場合は１．１［μＴｒＬ］のパターンが０
．８［μｍ］に細っていたのに対し、■〜■の補正描画
を行った場合は、いずれも１．０７〜１．１３［μｍ］
の範囲に入り、３者は全く有意差がなかった。
径０．１［μｍ］でアドレスユニット０．１［μｍ］の
描画装置を用い、線幅１．１［μＴＩ′Ｌ］の部分を ■近接効果の補正を行わない場合、 ■ぼけた直径３［μｍ］のビームを用い、アドレスユニ
ットを０．１［μＴｒＬ］のままで補正描画した場合、 ■同ビームを用い、アドレスユニット−を０．２［、ｃ
ｚｍ］とし、０．２ ［μ７７１］に満たないパターン
は切捨てて補正描画した場合、 ■０．２［μＴｒＬ］に満たないパターンを切上げて■
と同様に補正描画した場合、 のそれぞれについて、５［μｒｒｔ’ ］以上のパター
ンが正常の寸法に現像される条件で現象し、これらを比
較゛したところ次のような結果が得られた。即ち、■の
無補正描画の場合は１．１［μＴｒＬ］のパターンが０
．８［μｍ］に細っていたのに対し、■〜■の補正描画
を行った場合は、いずれも１．０７〜１．１３［μｍ］
の範囲に入り、３者は全く有意差がなかった。
なお、試料がシリコンウェハの場合には、被パターン領
域を露光するビームの直径はビーム加速電圧２０ ＣＫ
ｅＶ］の場合２〜６ ［μｍコカ（適当であり、電子の
加速電圧の３ｊ曽加と共に大きくなる。
域を露光するビームの直径はビーム加速電圧２０ ＣＫ
ｅＶ］の場合２〜６ ［μｍコカ（適当であり、電子の
加速電圧の３ｊ曽加と共に大きくなる。
パターン部分の露光には直径 ０．１〜０．５［μｍの
電子ビームが一般に用いられるため、非パターン領域と
パターン領域との、アドレスユニットの比Ｎは２〜８が
実用的範囲である。ここで、下・限のＮ＝２はＮが１に
近い値では大きなスループットが得られず、上記■■の
結果からも初期目的を達することができることから決ま
るものであり、上限のＮ−〜８は非パターン領域を露光
するビームの直径に対し、そのときのアドレスユニット
を余り大きくできないことから決まるものである。
電子ビームが一般に用いられるため、非パターン領域と
パターン領域との、アドレスユニットの比Ｎは２〜８が
実用的範囲である。ここで、下・限のＮ＝２はＮが１に
近い値では大きなスループットが得られず、上記■■の
結果からも初期目的を達することができることから決ま
るものであり、上限のＮ−〜８は非パターン領域を露光
するビームの直径に対し、そのときのアドレスユニット
を余り大きくできないことから決まるものである。
また、本発明は上述した実施例方法に限定されるもので
はなく、前記パターン端域と非パターン領域との露光順
序としては、必ずしもパターン領域を先にする必要はな
く、これらを逆にすることも可能である。また、非パタ
ーン領域を露光する際のアドレスユニットの大きさは、
非パターン領域を露光すべきビームの大きさに応じて適
宜変更可能である。さらに、本発明方法に用いる電子ビ
ーム露光装置は前記第１図に示す溝道に何等限定される
ものではなく、仕様に応じて適宜変更可能である。その
他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実
施することができる。
はなく、前記パターン端域と非パターン領域との露光順
序としては、必ずしもパターン領域を先にする必要はな
く、これらを逆にすることも可能である。また、非パタ
ーン領域を露光する際のアドレスユニットの大きさは、
非パターン領域を露光すべきビームの大きさに応じて適
宜変更可能である。さらに、本発明方法に用いる電子ビ
ーム露光装置は前記第１図に示す溝道に何等限定される
ものではなく、仕様に応じて適宜変更可能である。その
他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実
施することができる。
第１図は本発明方法に使用した電子ビーム貧光装置の一
例を示す概略構成図、第２図及び第３図は上記装置を使
用した電子ビーム露光方法を説明するための模式図であ
る。 １０・・・試料室、１１・・・試料、１２・・・試料ス
テ−ジ、２０・・・電子光学鏡筒、２１・・・電子銃、
２２゜〜、２４・・・レンズ、２５．２６・・・ビーム
偏向器、５１．５１’ 、５２．５２’ ・・・図形（
パターン領域）、５３．５３’ ・・・要素、５４．５
４’ ・・・ビームスポット、５６．５６’ ・・・背
景部分（非パターン領域）、５７・・・図形の異なり部
分。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 ３’ｌ ｔｓ３ε 第２図 第３図 手続補正書 １、事件の表示 特願昭５９−２１１９６５号 ２、発明の名称 電子ビーム露光方法 ３、？ｌｉ正をする者 事件との関係 特許出願人 （３０７） 株式会社 東芝 くほか１名）４、代理
人 東京都港区虎ノ門１丁目２６番５号 第１７森ビル７、
補正の内容 （１）特許請求の範−四の記載を別紙の通りに訂正する
。 （２）明ｉｔ’ｌｌの第２頁１６行目及び第４頁２行目
にそれぞれ「大径の」とあるのを、「断面積が大きな」
と訂正する。 （３）明細書の第３頁２０行目に「ビーム径の小さい」
とあるのを、「断面積が小さく所定のビーム強度を有す
る」と訂正する。 （４）明細書の第６−頁８行目に「大きさの」とあるの
を、「大きさの断面積を有する」と訂正する。 （５）明細書の第６頁１３行目に「大きい」とあるのを
、「大きい断面積を有し」と訂正する。 ２、特許請求の範囲 （１）電子ビームを試料上でラスタ走査し該試料上に所
望パターンを選択的に露光するに際し、パターン領域を
断面、が小さく所ノのビーム強 をＬ６電子ビームで露
光し、且つ非パターン領域を上記ビームより逝１Ｌが二
＆ＪＬ全一ぼけた電子ビームで露光する電子ビーム露光
方法において、前記非パターン領域を、前記パターン領
域の露光の際のＮ倍（Ｎ＞１）のアドレスユニットで露
光することを特徴とする電子ビーム露光方法。 （２Ｊ 前記Ｎを、２≦Ｎ≦８に設定することを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の電子ビーム露光方法
。 （３）前記非パターン領域の露光に際し、前記アドレス
ユニット以下の微小なパターンを省略することを特徴と
する特許請求の範囲第１項又は第２項記載の電子ビーム
露光方法。
例を示す概略構成図、第２図及び第３図は上記装置を使
用した電子ビーム露光方法を説明するための模式図であ
る。 １０・・・試料室、１１・・・試料、１２・・・試料ス
テ−ジ、２０・・・電子光学鏡筒、２１・・・電子銃、
２２゜〜、２４・・・レンズ、２５．２６・・・ビーム
偏向器、５１．５１’ 、５２．５２’ ・・・図形（
パターン領域）、５３．５３’ ・・・要素、５４．５
４’ ・・・ビームスポット、５６．５６’ ・・・背
景部分（非パターン領域）、５７・・・図形の異なり部
分。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 ３’ｌ ｔｓ３ε 第２図 第３図 手続補正書 １、事件の表示 特願昭５９−２１１９６５号 ２、発明の名称 電子ビーム露光方法 ３、？ｌｉ正をする者 事件との関係 特許出願人 （３０７） 株式会社 東芝 くほか１名）４、代理
人 東京都港区虎ノ門１丁目２６番５号 第１７森ビル７、
補正の内容 （１）特許請求の範−四の記載を別紙の通りに訂正する
。 （２）明ｉｔ’ｌｌの第２頁１６行目及び第４頁２行目
にそれぞれ「大径の」とあるのを、「断面積が大きな」
と訂正する。 （３）明細書の第３頁２０行目に「ビーム径の小さい」
とあるのを、「断面積が小さく所定のビーム強度を有す
る」と訂正する。 （４）明細書の第６−頁８行目に「大きさの」とあるの
を、「大きさの断面積を有する」と訂正する。 （５）明細書の第６頁１３行目に「大きい」とあるのを
、「大きい断面積を有し」と訂正する。 ２、特許請求の範囲 （１）電子ビームを試料上でラスタ走査し該試料上に所
望パターンを選択的に露光するに際し、パターン領域を
断面、が小さく所ノのビーム強 をＬ６電子ビームで露
光し、且つ非パターン領域を上記ビームより逝１Ｌが二
＆ＪＬ全一ぼけた電子ビームで露光する電子ビーム露光
方法において、前記非パターン領域を、前記パターン領
域の露光の際のＮ倍（Ｎ＞１）のアドレスユニットで露
光することを特徴とする電子ビーム露光方法。 （２Ｊ 前記Ｎを、２≦Ｎ≦８に設定することを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の電子ビーム露光方法
。 （３）前記非パターン領域の露光に際し、前記アドレス
ユニット以下の微小なパターンを省略することを特徴と
する特許請求の範囲第１項又は第２項記載の電子ビーム
露光方法。
Claims (3)
- （１）電子ビームを試料上でラスタ走査し該試料上に所
望パターンを選択的に露光するに際し、パターン領域を
ビーム径の小さい電子ビームで露光し、且つ非パターン
領域を上記ビームより大径のぼけた電子ビームで露光す
る電子ビーム露光方法において、前記非パターン領域を
、前記パターン領域の露光の際のＮ倍（Ｎ＞１）のアド
レスユニットで露光することを特徴とする電子ビーム露
光方法。 - （２）前記Ｎを、２≦Ｎ≦８に設定することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の電子ビーム露光方法。 - （３）前記非パターン領域の露光に際し、前記アドレス
ユニット以下の微小なパターンを省略することを特徴と
する特許請求の範囲第１項又は第２項記載の電子ビーム
露光方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21196584A JPS6189630A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 電子ビ−ム露光方法 |
| EP85307196A EP0178156B1 (en) | 1984-10-09 | 1985-10-08 | Method of drawing a desired pattern on a target through exposure thereof with an electron beam |
| DE8585307196T DE3583423D1 (de) | 1984-10-09 | 1985-10-08 | Verfahren zur erzeugung eines gewuenschten musters auf einem ziel mittels elektronenstrahlbelichtung desselben. |
| US07/075,268 US4743766A (en) | 1984-10-09 | 1987-07-17 | Method of drawing a desired pattern on a target through exposure thereof with an electron beam |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21196584A JPS6189630A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6189630A true JPS6189630A (ja) | 1986-05-07 |
Family
ID=16614634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21196584A Pending JPS6189630A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6189630A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57172734A (en) * | 1981-04-16 | 1982-10-23 | Sanyo Electric Co Ltd | Exposing process for electronic beam |
| JPS6182423A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-26 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム描画方法 |
-
1984
- 1984-10-09 JP JP21196584A patent/JPS6189630A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57172734A (en) * | 1981-04-16 | 1982-10-23 | Sanyo Electric Co Ltd | Exposing process for electronic beam |
| JPS6182423A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-26 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム描画方法 |
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