JPS6185747A - 二次電子放出面 - Google Patents
二次電子放出面Info
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- JPS6185747A JPS6185747A JP59206821A JP20682184A JPS6185747A JP S6185747 A JPS6185747 A JP S6185747A JP 59206821 A JP59206821 A JP 59206821A JP 20682184 A JP20682184 A JP 20682184A JP S6185747 A JPS6185747 A JP S6185747A
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- aluminum metal
- electron emitting
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/32—Secondary-electron-emitting electrodes
Landscapes
- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光電子増倍管、二次電子増倍管またはイメー
ジオルシコンなどのダイノードに用いられる二次電子放
出面に関する。
ジオルシコンなどのダイノードに用いられる二次電子放
出面に関する。
（従来の技術）
金属面に電子をあてると、その電子が反射してくる他に
、その金属内部の電子が飛び出してくる。
、その金属内部の電子が飛び出してくる。
この現象を二次電子放出といい、前記金属面を二次電子
放出面という。
放出面という。
従来、二次電子放出面としては、ニッケル基板上にアン
チモンを蒸着し、アルカリ金属を吸収させたものや、銅
ベリリウム合金もしくは銀マグネシウム合金を加熱・酸
化処理して表面に酸化ベリリウム層もしくは酸化マグネ
シウム層を形成したものなどが知られている。
チモンを蒸着し、アルカリ金属を吸収させたものや、銅
ベリリウム合金もしくは銀マグネシウム合金を加熱・酸
化処理して表面に酸化ベリリウム層もしくは酸化マグネ
シウム層を形成したものなどが知られている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし、前者の場合には、製造工程が複雑であるため、
各製造工程において相当の熟練を必要とするという問題
点があった。
各製造工程において相当の熟練を必要とするという問題
点があった。
一方、後者の場合には、使用による二次電子増６倍比の
劣化が速いという問題点があった。
劣化が速いという問題点があった。
本発明は、製造が容易で、使用による二次電子増倍比の
劣化が極めて小さい二次電子放出面を提供することを目
的としている。
劣化が極めて小さい二次電子放出面を提供することを目
的としている。
（問題点を解決するための手段）
前記目的を達成するために、本発明による二次電子放出
面は、アルミニウム金属の表面を酸化して形成しである
。
面は、アルミニウム金属の表面を酸化して形成しである
。
前記アルミニウム金属は、具体的には、ニッケル板上に
真空蒸着により形成されたものが例示される。
真空蒸着により形成されたものが例示される。
前記構成によれば本発明の目的は完全に達成できる。
（実施例）
以下、図面等を参照して、実施例につき本発明の詳細な
説明する。
説明する。
第１図および第２図は、本発明による二次電子放出面の
実施例を示した図である。
実施例を示した図である。
本実施例では、光電子増倍管に用いられている二次電子
放出面を例にして説明する。
放出面を例にして説明する。
第１図において、１〜４はダイノード、５は入射窓、６
は集束用電極、７は光電面、８は陽極。
は集束用電極、７は光電面、８は陽極。
９は引き出し電極、１０は気密容器である。
二次電子放出面は、第２図に示すように、ダイノード１
〜４の内壁１ａ〜４ａ上に形成されている。この二次電
子放出面は、アルミニウム金属の表面を酸化して形成し
である。このアルミニウム金属はニッケル板上に真空蒸
着により形成されたものである。
〜４の内壁１ａ〜４ａ上に形成されている。この二次電
子放出面は、アルミニウム金属の表面を酸化して形成し
である。このアルミニウム金属はニッケル板上に真空蒸
着により形成されたものである。
つぎに、本発明による二次電子放出面の製造工程を、光
電子増倍管の製造上、程の中で説明する。
電子増倍管の製造上、程の中で説明する。
まず、二次電子放出面５を、芸着工程と閉存工程とによ
って製造する。
って製造する。
蒸着工程は、第２図のダイノード１〜４に示すような形
状に成形したニッケル板の表面の内壁１ａ〜４ａにアル
ミニウムを約５０ｍμの厚さに真空中で基若する工程で
ある。
状に成形したニッケル板の表面の内壁１ａ〜４ａにアル
ミニウムを約５０ｍμの厚さに真空中で基若する工程で
ある。
保存工程は、前記蒸着工程でアルミニウムを蒸着したニ
ッケル板を、室＆（約２５℃）で清浄な空気中に１２時
間保存する工程である。この保存工程によって約５ｍμ
の厚さの酸化アルミニウム層が形成される。
ッケル板を、室＆（約２５℃）で清浄な空気中に１２時
間保存する工程である。この保存工程によって約５ｍμ
の厚さの酸化アルミニウム層が形成される。
つぎに、二次電子放出面を、第１図に示すように気密容
器１０内に組み込む。
器１０内に組み込む。
気密容器１０を真空に排気した後、入射窓５の内壁にア
ンチモン、ナトリウム、カリウムおよびセシウムを蒸着
した光電面７を形成する。蒸着源１５．１６は集束用電
極６と入射窓５の間に設けてあり、通電または高周波加
熱によって蒸着させる。
ンチモン、ナトリウム、カリウムおよびセシウムを蒸着
した光電面７を形成する。蒸着源１５．１６は集束用電
極６と入射窓５の間に設けてあり、通電または高周波加
熱によって蒸着させる。
本件発明者等は、本発明による二次電子放出面を有する
光電子増倍管（以下、光電子増倍管（Ａ）という。）と
、これと同一構造の銅ベリリウム合金の基板の表面に酸
化ベリリウム層が形成された二次電子放出面を有する光
電子増倍管（以下、光電子増倍管（Ｂ）という、）とを
比較する実験を行った。
光電子増倍管（以下、光電子増倍管（Ａ）という。）と
、これと同一構造の銅ベリリウム合金の基板の表面に酸
化ベリリウム層が形成された二次電子放出面を有する光
電子増倍管（以下、光電子増倍管（Ｂ）という、）とを
比較する実験を行った。
実験条件としては、光電面７に一１２００ボルト。
集束用電極６および第１段ダイノードに一１０００ボル
トの電圧を印加して、各ダイノード間の電位差を一１０
０ボルトに設定して、陽極８を０ボルトにする。
トの電圧を印加して、各ダイノード間の電位差を一１０
０ボルトに設定して、陽極８を０ボルトにする。
このような条件にして、入射光量をアパーチャ径によっ
て調整して、陽極電流を１００μＡとなるように設定し
、その後の時間の経過と陽極電流の関係を求めた。なお
、測定値は、それぞれの光電子増倍管（Ａ）、 （Ｂ
）を１００本づつ用いて測定を行い、その平均値をとっ
たものである。
て調整して、陽極電流を１００μＡとなるように設定し
、その後の時間の経過と陽極電流の関係を求めた。なお
、測定値は、それぞれの光電子増倍管（Ａ）、 （Ｂ
）を１００本づつ用いて測定を行い、その平均値をとっ
たものである。
第３図は、本発明による二次電子放出面と従来の二次電
子放出面をそれぞれ有する光電子増倍管の時間の経過と
陽極電流の関係を示したグラフである。
子放出面をそれぞれ有する光電子増倍管の時間の経過と
陽極電流の関係を示したグラフである。
光電子増倍管（Ａ）、 （Ｂ）の測定値をそれぞれ曲
線（Ａ）、 （Ｂ）として示しである。このグラフよ
り、従来の光電子増倍管（Ｂ）は、１００時間経過後に
は劣化が目立ってくるのに対して、本発明による二次電
子放出面を有する光電子増倍管（Ａ）は、極めて安定で
あることがわかる。
線（Ａ）、 （Ｂ）として示しである。このグラフよ
り、従来の光電子増倍管（Ｂ）は、１００時間経過後に
は劣化が目立ってくるのに対して、本発明による二次電
子放出面を有する光電子増倍管（Ａ）は、極めて安定で
あることがわかる。
以上説明した実施例では二次電子放出面は、ニッケル板
の上にアルミニウム層を形成し、大気で酸化した例につ
いて説明したが、ニッケル仮に代えて、他の金兄、セラ
ミック等の絶縁物にアルミニウム層を形成してもよい。
の上にアルミニウム層を形成し、大気で酸化した例につ
いて説明したが、ニッケル仮に代えて、他の金兄、セラ
ミック等の絶縁物にアルミニウム層を形成してもよい。
また、アルミニウム板を用い、表面酸化層を一旦除去し
、前述と同じ方法でその表面を酸化したものでもよい。
、前述と同じ方法でその表面を酸化したものでもよい。
さらに、酸化アルミニウム層についても、陽極酸化など
他の方法で形成してもよい。
他の方法で形成してもよい。
つまり、本発明はアルミニウム層とその表面に形成され
た酸化アルミニウム層とからなる二次電子放出面のみに
よって本発明特有の効果が得られるものである。
た酸化アルミニウム層とからなる二次電子放出面のみに
よって本発明特有の効果が得られるものである。
（発明の効果）
以上詳しく説明したように、本発明によれば、製造が容
易で、使用による二次電子増倍比の劣化が極めて小さい
二次電子放出面が実現できる。
易で、使用による二次電子増倍比の劣化が極めて小さい
二次電子放出面が実現できる。
第１図および第２図は、本発明による二次電子放出面の
実施例を示した図である。 第３図は、本発明による二次電子放出面と従来の二次電
子放出面をそれぞれ有する光電子増倍管の時間の経過と
陽極電流の関係を示したグラフである。 １〜４・・・ダイノード １ａ〜４ａ・・・内壁５・
・・入射窓 ６・・・集束用電極７・・・光
電面 ８・・・陽極９・・・引き出し電極
１０・・・気密容器特許出願人 浜松ホトニクス
株式会社代理人 弁理士 井 ノ ロ 溝片１ｚ ２２図
実施例を示した図である。 第３図は、本発明による二次電子放出面と従来の二次電
子放出面をそれぞれ有する光電子増倍管の時間の経過と
陽極電流の関係を示したグラフである。 １〜４・・・ダイノード １ａ〜４ａ・・・内壁５・
・・入射窓 ６・・・集束用電極７・・・光
電面 ８・・・陽極９・・・引き出し電極
１０・・・気密容器特許出願人 浜松ホトニクス
株式会社代理人 弁理士 井 ノ ロ 溝片１ｚ ２２図
Claims (2)
- （１）アルミニウム金属の表面を酸化して形成した二次
電子放出面。 - （２）前記アルミニウム金属は、ニッケル板上に真空蒸
着により形成されたものである特許請求の範囲第１項記
載の二次電子放出面。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59206821A JPS6185747A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 二次電子放出面 |
| DE19853533520 DE3533520A1 (de) | 1984-10-02 | 1985-09-20 | Sekundaerelektronen-emissionsoberflaeche |
| GB08524036A GB2167450A (en) | 1984-10-02 | 1985-09-30 | Secondary electron emission surface |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59206821A JPS6185747A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 二次電子放出面 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6185747A true JPS6185747A (ja) | 1986-05-01 |
Family
ID=16529638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59206821A Pending JPS6185747A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 二次電子放出面 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6185747A (ja) |
| DE (1) | DE3533520A1 (ja) |
| GB (1) | GB2167450A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63254652A (ja) * | 1987-04-12 | 1988-10-21 | Hamamatsu Photonics Kk | 光電子増倍管 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1515722A1 (de) * | 1964-04-06 | 1970-02-12 | Fujitsu Ltd | Elektrischer Metallschichtwiderstand |
| GB1216497A (en) * | 1968-06-18 | 1970-12-23 | Mullard Ltd | Improvements in or relating to electron multiplier and like devices |
| US3739216A (en) * | 1971-07-30 | 1973-06-12 | Zenith Radio Corp | Secondary electron multipliers with single layer cermet coatings |
| GB2023333B (en) * | 1978-06-14 | 1982-09-08 | Philips Electronic Associated | Electron multipliers |
| GB2045808A (en) * | 1979-04-02 | 1980-11-05 | Philips Electronic Associated | Method of forming a secondary emissive coating on a dynode |
| GB2048561B (en) * | 1979-04-02 | 1983-02-23 | Philips Electronic Associated | Method of forming a secondary emissive coating on a dynode |
| NL8002665A (nl) * | 1980-05-09 | 1981-12-01 | Philips Nv | Werkwijze voor het van een thermisch zwart oppervlak voorzien van een metalen onderdeel. |
| US4368220A (en) * | 1981-06-30 | 1983-01-11 | International Business Machines Corporation | Passivation of RIE patterned al-based alloy films by etching to remove contaminants and surface oxide followed by oxidation |
-
1984
- 1984-10-02 JP JP59206821A patent/JPS6185747A/ja active Pending
-
1985
- 1985-09-20 DE DE19853533520 patent/DE3533520A1/de not_active Ceased
- 1985-09-30 GB GB08524036A patent/GB2167450A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63254652A (ja) * | 1987-04-12 | 1988-10-21 | Hamamatsu Photonics Kk | 光電子増倍管 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB8524036D0 (en) | 1985-11-06 |
| DE3533520A1 (de) | 1986-04-03 |
| GB2167450A (en) | 1986-05-29 |
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