JPS6179147A - Nmr画像装置 - Google Patents
Nmr画像装置Info
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- JPS6179147A JPS6179147A JP59202453A JP20245384A JPS6179147A JP S6179147 A JPS6179147 A JP S6179147A JP 59202453 A JP59202453 A JP 59202453A JP 20245384 A JP20245384 A JP 20245384A JP S6179147 A JPS6179147 A JP S6179147A
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- Japan
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- magnetic field
- pulse
- gradient magnetic
- sequence
- signal
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/20—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
- G01R33/44—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance using nuclear magnetic resonance [NMR]
- G01R33/48—NMR imaging systems
- G01R33/54—Signal processing systems, e.g. using pulse sequences ; Generation or control of pulse sequences; Operator console
- G01R33/56—Image enhancement or correction, e.g. subtraction or averaging techniques, e.g. improvement of signal-to-noise ratio and resolution
- G01R33/561—Image enhancement or correction, e.g. subtraction or averaging techniques, e.g. improvement of signal-to-noise ratio and resolution by reduction of the scanning time, i.e. fast acquiring systems, e.g. using echo-planar pulse sequences
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- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は1核磁気共鳴(nuclear magnet
ic res−onance ) (以下これを「田」
と略称する)現象を利用して、被検体内における特定原
子核分布等を被検体外部より知るようにしたNMR1i
iii像装置に関するものである。特に1医療用装置に
適するNMR画像装置の改良に関する0 〔従来の技術〕 NMR画像装置は、生体(通常は患者)をある磁場中に
かく。そして、生体に所定のパルス状の電磁波を印加し
、生体を構成している各種の原子の中で、対象とする特
定の原子核のみを励起する。
ic res−onance ) (以下これを「田」
と略称する)現象を利用して、被検体内における特定原
子核分布等を被検体外部より知るようにしたNMR1i
iii像装置に関するものである。特に1医療用装置に
適するNMR画像装置の改良に関する0 〔従来の技術〕 NMR画像装置は、生体(通常は患者)をある磁場中に
かく。そして、生体に所定のパルス状の電磁波を印加し
、生体を構成している各種の原子の中で、対象とする特
定の原子核のみを励起する。
いったん励起された原子核は、再びもとのエネルギー状
態に復帰するが、このとき、外部に、吸収したエネルギ
ーを電磁波として放出する。■画像装置では、この放出
される磁界をコイルで検出する。この検出信号が核磁気
共鳴信号(NMR信号・・・エラー信号とFID信号(
free 1nduction decay )とかあ
る)と言われ、対象とする原子核について種々の情報を
含んでいる。顯画儂装置は、これを解析し、生体の一部
を断層画像として映像化し、生体の診察、治療等に役立
てる装置である。
態に復帰するが、このとき、外部に、吸収したエネルギ
ーを電磁波として放出する。■画像装置では、この放出
される磁界をコイルで検出する。この検出信号が核磁気
共鳴信号(NMR信号・・・エラー信号とFID信号(
free 1nduction decay )とかあ
る)と言われ、対象とする原子核について種々の情報を
含んでいる。顯画儂装置は、これを解析し、生体の一部
を断層画像として映像化し、生体の診察、治療等に役立
てる装置である。
初めにmの原理について概略を説明する。
原子核は、陽子と中性子とからなっておシ、これらは全
体として、核スピン角運動1工で回転(自転)している
と見なされる0 1/E2図は、水素の原子核(H)を示したもので、(
イ)に示すように1個の陽子Pからなり、スピン量子数
172で表わされる回転をしている。陽子Pは、(ロ)
K示すように正の電荷eを持つているので、原子核の回
転に従い、磁気モーメントμが生じ、一つ一つの水素の
原子核は、それぞれ小さな磁石と見なせる。
体として、核スピン角運動1工で回転(自転)している
と見なされる0 1/E2図は、水素の原子核(H)を示したもので、(
イ)に示すように1個の陽子Pからなり、スピン量子数
172で表わされる回転をしている。陽子Pは、(ロ)
K示すように正の電荷eを持つているので、原子核の回
転に従い、磁気モーメントμが生じ、一つ一つの水素の
原子核は、それぞれ小さな磁石と見なせる。
第3図は、この点を模式的に示した説明図で、鉄のよう
な強磁性体では、この微小磁石の方向が(イ)に示すよ
うに揃っており、全体として磁化が観測される。これに
対して、水素等の場合は、微小磁石の方向(磁気モーメ
ントの向き)は(ロ)に示すようにランダムであって、
全体として磁化は見られない。
な強磁性体では、この微小磁石の方向が(イ)に示すよ
うに揃っており、全体として磁化が観測される。これに
対して、水素等の場合は、微小磁石の方向(磁気モーメ
ントの向き)は(ロ)に示すようにランダムであって、
全体として磁化は見られない。
ここで、このような物質に2方向の静磁場H8を印加す
ると、各原子核がH8の方向に揃う。
ると、各原子核がH8の方向に揃う。
第4図(イ)は水素原子核について、この様子を示した
ものである。水素原子核のスピン量子数は1/2である
から、第4図(ロ)に示すように、−1/2と+1/2
の2つのエネルギー順位に分かれる02つのエネルギー
順位間のエネルギー差ΔEは、(1)式で表わされる。
ものである。水素原子核のスピン量子数は1/2である
から、第4図(ロ)に示すように、−1/2と+1/2
の2つのエネルギー順位に分かれる02つのエネルギー
順位間のエネルギー差ΔEは、(1)式で表わされる。
Δ8=γB HO(1)
r:磁気回転比(原子核種ととに固有の定数)jl:h
/2π hニブランク定数 μX Ha なる力が加わるので、原子核は、2軸の回シを(2)式
で示すような角速度ωで歳差運動(みそすシ運動)をす
る。
/2π hニブランク定数 μX Ha なる力が加わるので、原子核は、2軸の回シを(2)式
で示すような角速度ωで歳差運動(みそすシ運動)をす
る。
ω=γHo(ラーモア角速度)(2)
即ち、原子核の種類ごとに、それぞれ異なったラーモア
角速度ωで歳差運動をしている。
角速度ωで歳差運動をしている。
このように静磁場H8中におかれた生体に、例えばラー
モア角速度ω1に対応した周波数(f1=ω1/2π)
(1)式で示されるエネルギー差ΔEに相当するエネル
ギーを吸収して、高い方のエネルギー順位に遷移する。
モア角速度ω1に対応した周波数(f1=ω1/2π)
(1)式で示されるエネルギー差ΔEに相当するエネル
ギーを吸収して、高い方のエネルギー順位に遷移する。
ここで、通常、生体は複数種類の原子核で構成されてい
るが、静磁場IIoの環境下で、印加された周波数f□
の電磁波と共鳴する原子核は、1種類のみである。従っ
て、生体に印加する静磁場H8の強さと1印加する周波
数fとを選択することによシ、特定の種類の原子核の共
鳴のみを取出すことかできる。
るが、静磁場IIoの環境下で、印加された周波数f□
の電磁波と共鳴する原子核は、1種類のみである。従っ
て、生体に印加する静磁場H8の強さと1印加する周波
数fとを選択することによシ、特定の種類の原子核の共
鳴のみを取出すことかできる。
ここで共鳴の強さを測定すれば、原子核の存在量を知る
ことができる。また、高い順位へ励起された原子核は、
共鳴後、緩和時間と呼ばれる時定数で定まる時間の後に
、低い順位へ戻る。このとき、吸収したエネルギーを外
部へ放出するので、共鳴の強さの時間的変化を測定すれ
ば、以下に述べろ時間を知ることができる。
ことができる。また、高い順位へ励起された原子核は、
共鳴後、緩和時間と呼ばれる時定数で定まる時間の後に
、低い順位へ戻る。このとき、吸収したエネルギーを外
部へ放出するので、共鳴の強さの時間的変化を測定すれ
ば、以下に述べろ時間を知ることができる。
緩和時間は、スピン−格子緩和時間(縦緩和時間)T□
と、スピン−スピン緩和時間(横緩和時間)T2とに分
類される。この緩和時間を観測することによシ物質分布
のデータを得ることができる。一般に固体では、横緩和
時間Tは短く核磁気共鳴で得たエネルギーは、まずスピ
ン系に行渡ってから、格子系に移って行く。従うて、縦
緩和時間T□は、T2に比べて著しく大きい。これに対
して、液体では分子が自由に運動しているので、スピン
同士と、スピンと分子系(格子)とのエネルギー交換の
起シやすさは同程度である。従うて時間T□とT2はほ
ぼ等しい値になる。
と、スピン−スピン緩和時間(横緩和時間)T2とに分
類される。この緩和時間を観測することによシ物質分布
のデータを得ることができる。一般に固体では、横緩和
時間Tは短く核磁気共鳴で得たエネルギーは、まずスピ
ン系に行渡ってから、格子系に移って行く。従うて、縦
緩和時間T□は、T2に比べて著しく大きい。これに対
して、液体では分子が自由に運動しているので、スピン
同士と、スピンと分子系(格子)とのエネルギー交換の
起シやすさは同程度である。従うて時間T□とT2はほ
ぼ等しい値になる。
特に時間Tよけ、各化合物の結合の仕方に依存している
時定数であシ、正常組織と悪性腫瘍とでは、値が大きく
異なることが知られている。
時定数であシ、正常組織と悪性腫瘍とでは、値が大きく
異なることが知られている。
ここでは、水素原子核(1T1)について説明したが、
この他にも核スピン角運動量をもつ原子核で同様の測定
を行なうことが可能であ)、リン原子核(31p)、炭
素原子核(13c)、ナトリウム原子核(23Na)等
に適用可能である◇ このように% NMHによって、特定原子核の存在量
及びその緩和時間を測定することができるので、物質内
の特定原子核について種々の化学的情報を得ることによ
シ、被検体内に種々の検査を行なうことができる。
この他にも核スピン角運動量をもつ原子核で同様の測定
を行なうことが可能であ)、リン原子核(31p)、炭
素原子核(13c)、ナトリウム原子核(23Na)等
に適用可能である◇ このように% NMHによって、特定原子核の存在量
及びその緩和時間を測定することができるので、物質内
の特定原子核について種々の化学的情報を得ることによ
シ、被検体内に種々の検査を行なうことができる。
従来よシ、このような田現象を利用して、被検体の組織
に関する画像を得るPR法(projectionre
construction methoか0投影後元法
とも言う)によるNMR画像装置がある。このPR法に
よる像再構成の原理は、X線CT装置と纜ぼ同様の原理
である。
に関する画像を得るPR法(projectionre
construction methoか0投影後元法
とも言う)によるNMR画像装置がある。このPR法に
よる像再構成の原理は、X線CT装置と纜ぼ同様の原理
である。
まず被検体の体軸方向(茎軸方向)に勾配磁場をかけて
、仮想輪切シ部分(2軸に垂直な面)のプロトンを励起
する。断層面として被検体の体軸に直交する面をとるよ
うに説明するが、勾配磁場を変えることKより任意の面
を画像化することが出来る。次に、x#7方向にそれぞ
れ勾配磁場をかけ、この状態でNMR信号を検出し、X
、7の合成勾配磁場と直角方向へのプロジェクタ1ノを
得る。そして、X+7の合成勾配磁場の値を変える動作
を繰シ返し、これに対応する現信号を得て、各々ツーで
、被検体の像を再構成する手法がPR法である。
、仮想輪切シ部分(2軸に垂直な面)のプロトンを励起
する。断層面として被検体の体軸に直交する面をとるよ
うに説明するが、勾配磁場を変えることKより任意の面
を画像化することが出来る。次に、x#7方向にそれぞ
れ勾配磁場をかけ、この状態でNMR信号を検出し、X
、7の合成勾配磁場と直角方向へのプロジェクタ1ノを
得る。そして、X+7の合成勾配磁場の値を変える動作
を繰シ返し、これに対応する現信号を得て、各々ツーで
、被検体の像を再構成する手法がPR法である。
第5図は、このPR法による従来装置の検査手法の一例
を説明するための動作波形図である。
を説明するための動作波形図である。
初めに、二軸方向に平行で一様な強さの静磁場Ho中に
配置した被検体へ、第5図(ロ)に示すように2勾配磁
場Gz と、(イ)K示すように狭い周波数スペクト
ルfjの高周波パルス、即ち、旺パルス(90’パルス
)を印加する。
配置した被検体へ、第5図(ロ)に示すように2勾配磁
場Gz と、(イ)K示すように狭い周波数スペクト
ルfjの高周波パルス、即ち、旺パルス(90’パルス
)を印加する。
生体の2軸方向(体軸方向)には、勾配磁界Gzが印加
されておシ、プロトンは、磁界の強さに比例した周期で
歳差運動をしている。ここで2軸の成る位置(H0+Δ
Gz )における断面部だけは、印加され九Uパルスの
周波数(町=2πr、)と同一のラーモア角速度 ωj=r(Ho+20g) で歳差運動をしている。aりて、この周波数を中心周波
数とする近傍の角速度で歳差運動をしているプロトンだ
けが励起される。即ち、2軸方向の勾配磁場Gzは、生
体のスライス面位置決定のために作用する。そして励起
されたプロトンの磁化Mを、第6図(イ)K示すような
角速度ωjで回転する回転座標系上に示せば、yl軸方
向に900向きを変えたものとなる。
されておシ、プロトンは、磁界の強さに比例した周期で
歳差運動をしている。ここで2軸の成る位置(H0+Δ
Gz )における断面部だけは、印加され九Uパルスの
周波数(町=2πr、)と同一のラーモア角速度 ωj=r(Ho+20g) で歳差運動をしている。aりて、この周波数を中心周波
数とする近傍の角速度で歳差運動をしているプロトンだ
けが励起される。即ち、2軸方向の勾配磁場Gzは、生
体のスライス面位置決定のために作用する。そして励起
されたプロトンの磁化Mを、第6図(イ)K示すような
角速度ωjで回転する回転座標系上に示せば、yl軸方
向に900向きを変えたものとなる。
続いて、第5図(ハ)、に)に示すようにX勾配磁場G
xとy勾配磁場Qyを同時に加える。この2つの勾配磁
場によシ合成の2次元勾配磁場を作シ、この環境下で(
ホ)K示すような現信号を検出する。ここで、磁化Mは
、第6図(ロ)に示すように、磁場の不均一性によって
、xl−71面内で矢印方向に次第に分散しているので
、やがて現信号は減少し、第5図(ホ)に示すように時
間Tsを経過して無くなる〇このようKして得られた現
信号を7−リエ変換すれば、X勾配磁場GxXy勾配磁
場ayにょシ合成された勾配磁場と直角方向へのプロジ
ェクシlンとなる。その後、所定の時間Tdだけ待って
、上述と同様の動作にて、次のシーケンスを繰返す。各
シーケンスにおいては、Gx、Gyの値を少しずつ変え
、合成勾配磁界の向きをいろいろKとる。これによって
、各グロジェクシ1ノに対応するNMR信号を被検体の
数多くの方向について求めることができる。
xとy勾配磁場Qyを同時に加える。この2つの勾配磁
場によシ合成の2次元勾配磁場を作シ、この環境下で(
ホ)K示すような現信号を検出する。ここで、磁化Mは
、第6図(ロ)に示すように、磁場の不均一性によって
、xl−71面内で矢印方向に次第に分散しているので
、やがて現信号は減少し、第5図(ホ)に示すように時
間Tsを経過して無くなる〇このようKして得られた現
信号を7−リエ変換すれば、X勾配磁場GxXy勾配磁
場ayにょシ合成された勾配磁場と直角方向へのプロジ
ェクシlンとなる。その後、所定の時間Tdだけ待って
、上述と同様の動作にて、次のシーケンスを繰返す。各
シーケンスにおいては、Gx、Gyの値を少しずつ変え
、合成勾配磁界の向きをいろいろKとる。これによって
、各グロジェクシ1ノに対応するNMR信号を被検体の
数多くの方向について求めることができる。
このような動作をなす従来装置忙おいては、第5図にお
いて、NMR8号が無く々るまでの時間Tsは、10〜
20 msであるが、次のシーケンスに移るまでの所定
時間Tdは、縦緩和時間T□のため1sec程度は必要
となる。それゆえに、一つの被検体断面を、例えば12
8プロジエクシ曹ンで再構成するものとすれば、その測
定には少なくとも2分以上の長い時間を必要とし、高速
化を実現する際の大きな障害の一つとなりている◇ このような障害を屏決すぺ<、田分析計用に提案されて
いる公知技術CDEFT法:driven equil
ib−rium fourier transform
)を利用して、高速のNMHな欠点がある。結論とし
ては、NMR画像装置DEF’r法を用いることは、不
適切である。なお、NMRIN像装置にDEFT法を使
用するとした公知技術例はない。
いて、NMR8号が無く々るまでの時間Tsは、10〜
20 msであるが、次のシーケンスに移るまでの所定
時間Tdは、縦緩和時間T□のため1sec程度は必要
となる。それゆえに、一つの被検体断面を、例えば12
8プロジエクシ曹ンで再構成するものとすれば、その測
定には少なくとも2分以上の長い時間を必要とし、高速
化を実現する際の大きな障害の一つとなりている◇ このような障害を屏決すぺ<、田分析計用に提案されて
いる公知技術CDEFT法:driven equil
ib−rium fourier transform
)を利用して、高速のNMHな欠点がある。結論とし
ては、NMR画像装置DEF’r法を用いることは、不
適切である。なお、NMRIN像装置にDEFT法を使
用するとした公知技術例はない。
この■分析計用に提案されているDEFT法は、(「パ
ルス及びフーリエ変換NMRJ7アラー、べ、カー著:
吉岡書店)に記載されている。このDEFT 法は高速
化のためのパルスシーケンスで1、(906X ・t
” ・−180°5’ = r−FjO’ −x−T
d )”で構成されるものである。このDEFT法で2
次元のイメージングを行なう場合、90@パルスは、選
択励起法(勾配磁場を同時に印加)を用いて特定のスラ
イス面内だけを励起するが、これについては問題はない
。
ルス及びフーリエ変換NMRJ7アラー、べ、カー著:
吉岡書店)に記載されている。このDEFT 法は高速
化のためのパルスシーケンスで1、(906X ・t
” ・−180°5’ = r−FjO’ −x−T
d )”で構成されるものである。このDEFT法で2
次元のイメージングを行なう場合、90@パルスは、選
択励起法(勾配磁場を同時に印加)を用いて特定のスラ
イス面内だけを励起するが、これについては問題はない
。
しかし、180@パルスは選択と非選択励起の両方が考
えられる。
えられる。
第12図は第1の90@パルスの直前の2軸上の磁化M
zのスライスの厚さ方向の分布をBlochの方程式を
用いて、計算機でシミエレーシ1ノした結果を示したも
のである。ここでは、選択励起するため90’パルスは
ガウシアン変調しである。これは、生体の平均的T□、
T2及びTr m 1.00 ms (繰り返し時間
)を用いて計算したものである。馳は、パルスシーケン
スを実行する前のMzを1としていて、Mzの大きさは
、■信号強度に対応している。
zのスライスの厚さ方向の分布をBlochの方程式を
用いて、計算機でシミエレーシ1ノした結果を示したも
のである。ここでは、選択励起するため90’パルスは
ガウシアン変調しである。これは、生体の平均的T□、
T2及びTr m 1.00 ms (繰り返し時間
)を用いて計算したものである。馳は、パルスシーケン
スを実行する前のMzを1としていて、Mzの大きさは
、■信号強度に対応している。
(a) DEFT法の非選択の180@パルスの場合
、第12図の電点鎖線ムに示すように、スライス面外の
’Mzが非常に小さくなってしまう。
、第12図の電点鎖線ムに示すように、スライス面外の
’Mzが非常に小さくなってしまう。
一般に、パルスシーケンスの待ち時間Ta2間に、他の
複数のスライス面に対して同一なパルスシーケンスを順
次はどこし、その間の十分に長いTdのため、−がでよ
縦緩和して大きくなってから、最初のスライス面の次の
ど& −(view )を行なうというマルチスライス
法が行なわれている。これはNMR信号(Mzの大きさ
)の減少をなくして、同時に複数面のデータが得られる
ため、疑似高速法として効果的である。しかし、マルチ
スライス法は、スライス面外のMzが、他のスライス面
励起の影響を受けずに1大きいことが条件となる。
複数のスライス面に対して同一なパルスシーケンスを順
次はどこし、その間の十分に長いTdのため、−がでよ
縦緩和して大きくなってから、最初のスライス面の次の
ど& −(view )を行なうというマルチスライス
法が行なわれている。これはNMR信号(Mzの大きさ
)の減少をなくして、同時に複数面のデータが得られる
ため、疑似高速法として効果的である。しかし、マルチ
スライス法は、スライス面外のMzが、他のスライス面
励起の影響を受けずに1大きいことが条件となる。
このような条件から見ると、非選択の180°パルスを
用いたDEFT法では、スライス面外の馳が小さくなっ
てしまうためマルチスライス法を併用できない欠点があ
る。実際のスライス形状は、第12図のMzにスライス
形状の関数(ここではガウシアン形)を乗じたものとな
り、それを第13図に示す。
用いたDEFT法では、スライス面外の馳が小さくなっ
てしまうためマルチスライス法を併用できない欠点があ
る。実際のスライス形状は、第12図のMzにスライス
形状の関数(ここではガウシアン形)を乗じたものとな
り、それを第13図に示す。
(b) DEFT法の選択励起の180 ’パルスの
場合、第12図の鎖線Bに示すように、Mzはスライス
面外では大きいので問題ない。しかし、第13図では)
スライス形状が5つの山状となることが欠点となる。
場合、第12図の鎖線Bに示すように、Mzはスライス
面外では大きいので問題ない。しかし、第13図では)
スライス形状が5つの山状となることが欠点となる。
これは、スライス境界の磁化Mが選択励起の180 ’
パルスの際、複雑な動作をするため各MOベクトル方向
がばらばらになり、結果として信号が減少するためであ
る。
パルスの際、複雑な動作をするため各MOベクトル方向
がばらばらになり、結果として信号が減少するためであ
る。
以上のように公知の技術であるDEFT法をそのままN
MR画像装置に使用することは、不適切である〇〔解決
しようとする問題点〕 本発明は、以上のような従来のPR法によるNMR画像
装置が有していた、応答性の悪さを改善し、得られる画
像の質を落さずにスキャンタイムを短縮し、更にマルチ
スライス法で高速化を図ったNMR画像装置を提供する
ことを目的とする。
MR画像装置に使用することは、不適切である〇〔解決
しようとする問題点〕 本発明は、以上のような従来のPR法によるNMR画像
装置が有していた、応答性の悪さを改善し、得られる画
像の質を落さずにスキャンタイムを短縮し、更にマルチ
スライス法で高速化を図ったNMR画像装置を提供する
ことを目的とする。
本発明は、上記問題点を解決するために、以下に示すよ
うなシーケンス機能を有した制御手段を備えるようにし
たものである。
うなシーケンス機能を有した制御手段を備えるようにし
たものである。
この制御手段の働きによシ、縦緩和時間T□を経過して
磁化Mが熱平衡状態(Mが2軸方向を向く)になるまで
待たず、磁化Mを寡1軸方向へ強制的に向けるようにす
ることができる。
磁化Mが熱平衡状態(Mが2軸方向を向く)になるまで
待たず、磁化Mを寡1軸方向へ強制的に向けるようにす
ることができる。
制御手段のシーケンス機能とは次のよ5表機能を含む。
(イ)第1の90’パルス、第1の180 ’パルス、
第2の90°パルス、第2の180@パルスの順に印加
する。
第2の90°パルス、第2の180@パルスの順に印加
する。
1口)前記第1および第2の90’パルス印加は、同時
に勾配磁場を与える手段を付勢してj[1の勾配磁場も
印加し特定のスライス面のみを励起する選択励起とし、 前記第1および第2の1800パルス印加は勾配磁場を
印加しない非選択励起とする。
に勾配磁場を与える手段を付勢してj[1の勾配磁場も
印加し特定のスライス面のみを励起する選択励起とし、 前記第1および第2の1800パルス印加は勾配磁場を
印加しない非選択励起とする。
(ハ)前記第2の180 ’パルスは萬2の9011パ
ルス印加直後に印加する。
ルス印加直後に印加する。
に)上記シーケンスを繰シ返すとき、シーケンス間の待
ち時間中に、前記(イ)ないしくハ)と同様であるが互
いに異なるスライス面を励起するようKして1スキヤン
で複数面の[@用データを検出 ゛できるようKする。
ち時間中に、前記(イ)ないしくハ)と同様であるが互
いに異なるスライス面を励起するようKして1スキヤン
で複数面の[@用データを検出 ゛できるようKする。
以下、図面を用いて本発明を説明する。
第1図は、本発明に係る装置の一実施例の構成を示すプ
ロ、り図である。同図において、1は一様な静磁場H8
(この場合の方向を2方向とする)を発生させるための
静磁場用コイル、2はこの静磁場用コイル10制御回路
で、例えば直流安定化電源を含んでいる。静磁場用コイ
ル1によって発生する磁束の密度■。は0.1.Tli
度であシ、また均一度は10−4以上であることが望ま
しい。
ロ、り図である。同図において、1は一様な静磁場H8
(この場合の方向を2方向とする)を発生させるための
静磁場用コイル、2はこの静磁場用コイル10制御回路
で、例えば直流安定化電源を含んでいる。静磁場用コイ
ル1によって発生する磁束の密度■。は0.1.Tli
度であシ、また均一度は10−4以上であることが望ま
しい。
5は勾配磁場用コイルを総括的に示したもの、4はこの
勾配磁場用コイル30制御回路である。
勾配磁場用コイル30制御回路である。
第7図(イ)は勾配磁場用フィル3の一例を示す構成図
である。同図(イ)に示すコイルは、工勾配磁場用コイ
ル31と、y勾配磁場用フィル32.33とを含んでい
る。更に、図示していないがy勾配磁場用コイル32.
33と同じ形であって、906回転して設置されるX勾
配磁場用コイルも含んでいる。この勾配磁場用コイル5
は、一様な静磁場H0と同一方向で、xrLz軸方向く
それぞれ直線勾配をもグ磁場を発生する。制御回路4は
コントローラ20によって制御される。
である。同図(イ)に示すコイルは、工勾配磁場用コイ
ル31と、y勾配磁場用フィル32.33とを含んでい
る。更に、図示していないがy勾配磁場用コイル32.
33と同じ形であって、906回転して設置されるX勾
配磁場用コイルも含んでいる。この勾配磁場用コイル5
は、一様な静磁場H0と同一方向で、xrLz軸方向く
それぞれ直線勾配をもグ磁場を発生する。制御回路4は
コントローラ20によって制御される。
5は被検体に狭い周波数スペクトルfの高周波パルス、
即ち、Mパルスを電磁波として与える励磁コイルで、そ
の構成を第7図(ロ)K示す。
即ち、Mパルスを電磁波として与える励磁コイルで、そ
の構成を第7図(ロ)K示す。
6は測定しようとする原子核の■共鳴条件に対応する周
波数(例えばプロトンでは、42.6 MH2/T )
の信号を発生する発振器で、その出力は、コントローラ
20からの信号によって開閉が制御されるゲート回路3
0と、パワーアンプ7を介して励磁コイル5に印加され
ている。8は被検体における■信号を検出するための検
出コイルで、その構成は第7図(ロ)K示す励磁コイル
と同じで、励磁コイル5に対して90″回転して設置さ
れている。なお、この検出コイル8は、被検体くできる
だけ近接して設置されることが望ましいが、必要に応じ
て、励磁コイル5と兼用させてもよい。
波数(例えばプロトンでは、42.6 MH2/T )
の信号を発生する発振器で、その出力は、コントローラ
20からの信号によって開閉が制御されるゲート回路3
0と、パワーアンプ7を介して励磁コイル5に印加され
ている。8は被検体における■信号を検出するための検
出コイルで、その構成は第7図(ロ)K示す励磁コイル
と同じで、励磁コイル5に対して90″回転して設置さ
れている。なお、この検出コイル8は、被検体くできる
だけ近接して設置されることが望ましいが、必要に応じ
て、励磁コイル5と兼用させてもよい。
9は検出コイル8から得られる核磁気共鳴信号(NMR
信号・・・FID信号・エコー信号)を増幅する増幅器
、1oは位相検波回路、11は位相検波された増幅器9
からの波形信号を記憶するウェーブメモリ回゛路で、A
/D変換器を含んでいる。13はウェーブメモリ回路1
1からの信号を例えば光ファイバで構成される伝送路1
2を介して入力し、所定の信号処理を施して断層像を得
るコンビエータ、14は得られた断層像を表示するテレ
ビジ1ノモニタのような表示器である。また、コントロ
ーラ2oからコンビ島−夕13へは、信号線21により
、必要な情報が伝送される。
信号・・・FID信号・エコー信号)を増幅する増幅器
、1oは位相検波回路、11は位相検波された増幅器9
からの波形信号を記憶するウェーブメモリ回゛路で、A
/D変換器を含んでいる。13はウェーブメモリ回路1
1からの信号を例えば光ファイバで構成される伝送路1
2を介して入力し、所定の信号処理を施して断層像を得
るコンビエータ、14は得られた断層像を表示するテレ
ビジ1ノモニタのような表示器である。また、コントロ
ーラ2oからコンビ島−夕13へは、信号線21により
、必要な情報が伝送される。
コントローラ20は、勾配磁場Gz、Gx、Gy、RF
パルスの振幅を制御するために必要な信号(アナログ信
号)、及びUパルスの送信や開信号の受信に必要な制御
信号(デジタル信号)を出力することができるように構
成されたものである。このコントローラ2oは、本発明
に係る装置の特徴とするシーケンス機能、即ち、RFパ
ルスの動作タイミングや各勾配磁場の動作タイミングを
制御する機能を有している。ただし、このシーケンス機
能を果す素子は、コントローラ2oに限定するものでな
く、他の素子、例えば、コンビエータ13にこの機能を
もたせても本発明は成立する。
パルスの振幅を制御するために必要な信号(アナログ信
号)、及びUパルスの送信や開信号の受信に必要な制御
信号(デジタル信号)を出力することができるように構
成されたものである。このコントローラ2oは、本発明
に係る装置の特徴とするシーケンス機能、即ち、RFパ
ルスの動作タイミングや各勾配磁場の動作タイミングを
制御する機能を有している。ただし、このシーケンス機
能を果す素子は、コントローラ2oに限定するものでな
く、他の素子、例えば、コンビエータ13にこの機能を
もたせても本発明は成立する。
このように構成された本発明の装置の動作を、第8図を
参照し、段階を追って順次説明する。
参照し、段階を追って順次説明する。
(1)制御回路2から静磁場用コイル1に電流を流し、
被検体(被検体は各コイルの円筒内に設置)に静磁場H
8を与えた状態において、コントローラ2oより制御回
路4を介して冨勾配磁場用コイル31に電流を流し、第
8図(ロ)に示すようIICX x勾配磁場Gz”を与
える。なお、上述したが、被検体の体軸とX軸とは一致
する方向である。
被検体(被検体は各コイルの円筒内に設置)に静磁場H
8を与えた状態において、コントローラ2oより制御回
路4を介して冨勾配磁場用コイル31に電流を流し、第
8図(ロ)に示すようIICX x勾配磁場Gz”を与
える。なお、上述したが、被検体の体軸とX軸とは一致
する方向である。
この時点t。においては、磁化Mは第9図(イ)の回転
座標系に示すようK y r軸方向に90″向きを変え
る。続いて、X勾配磁場用コイル及びy勾配磁場用コイ
ル32,331C電流を流し、第8図(ハ)、に)に示
すように所定の大きさの磁場GK□、Gy□を印加し、
検出コイル8かも得られる第8図(へ)K示すようなm
共鳴信号を検出する。顯共鳴信号が検出されている時点
(例えばt工の時点)では、磁化Mは第9図(ロ)に示
すように、xI、11面内で破線矢印方向に次第に分散
していく途中にある。検出;イル8で検出される聴共鳴
信号は、時間とともに次第に減衰するもので、この信号
は、増幅器9で増幅され、位相検波回路1oで位相検波
され、クエーブメモリ回路11を介してコンビエータ1
3に印加される。ここで、NMR共鳴信号は7−リエ変
換され、1プロジエクシ■ンの信号となる。これまでの
動作は従来装置と同様である。
座標系に示すようK y r軸方向に90″向きを変え
る。続いて、X勾配磁場用コイル及びy勾配磁場用コイ
ル32,331C電流を流し、第8図(ハ)、に)に示
すように所定の大きさの磁場GK□、Gy□を印加し、
検出コイル8かも得られる第8図(へ)K示すようなm
共鳴信号を検出する。顯共鳴信号が検出されている時点
(例えばt工の時点)では、磁化Mは第9図(ロ)に示
すように、xI、11面内で破線矢印方向に次第に分散
していく途中にある。検出;イル8で検出される聴共鳴
信号は、時間とともに次第に減衰するもので、この信号
は、増幅器9で増幅され、位相検波回路1oで位相検波
され、クエーブメモリ回路11を介してコンビエータ1
3に印加される。ここで、NMR共鳴信号は7−リエ変
換され、1プロジエクシ■ンの信号となる。これまでの
動作は従来装置と同様である。
ここで、被検体のスライス面を決定するためのオフセッ
トの値は、はじめに第8図(ホ)に示すように所定の値
Sとなりており 、f810図において、SAに対応す
るスライス面Aが選択されている◎I共鳴信号が無くな
るまでの1時間経過後、コントローラ2oは、ゲート回
路30を開とし、励磁フィル5に電流を流し、今度は第
8図(イ)K示すように同一面に矩形波状に変調された
180 ’−xパルスを印加する。続いて、第8図(ハ
)、に)K示すようKg勾配磁場用コイル及びy勾配磁
場用コイルに電流を流し、前回と同様の所定の大きさの
磁場GG を同時に印加させる。
トの値は、はじめに第8図(ホ)に示すように所定の値
Sとなりており 、f810図において、SAに対応す
るスライス面Aが選択されている◎I共鳴信号が無くな
るまでの1時間経過後、コントローラ2oは、ゲート回
路30を開とし、励磁フィル5に電流を流し、今度は第
8図(イ)K示すように同一面に矩形波状に変調された
180 ’−xパルスを印加する。続いて、第8図(ハ
)、に)K示すようKg勾配磁場用コイル及びy勾配磁
場用コイルに電流を流し、前回と同様の所定の大きさの
磁場GG を同時に印加させる。
xl、’ yl
180 ’−xパルスを印加すると、分散した磁イヒM
!は、第9図(ハ)K示すように再び集合し始め
、検出コイル8からは、第8図(へ)に示すように次第
に増大する開信号(この信号をエコー信号と呼ぶ)が検
出される。180 ’−xパルスを印加してから、1時
間経過後、エコー信号は第8図(へ)に示すように最大
となる。このエコー信号は、τ時間の間、被検体の状態
が変わらないものとすれば、はじめに出力された■共鳴
信号と時間軸に対して対称な信号波形となる。この時点
t3で、ゲート回路3゜を開とし、G2S の下で励
磁コイル5に電流を流し、今度は第8図(イ)に示すよ
うに90’パルス−を印加し、第9図に)のように磁化
Mを一2!軸方向に強制的に向ける。
!は、第9図(ハ)K示すように再び集合し始め
、検出コイル8からは、第8図(へ)に示すように次第
に増大する開信号(この信号をエコー信号と呼ぶ)が検
出される。180 ’−xパルスを印加してから、1時
間経過後、エコー信号は第8図(へ)に示すように最大
となる。このエコー信号は、τ時間の間、被検体の状態
が変わらないものとすれば、はじめに出力された■共鳴
信号と時間軸に対して対称な信号波形となる。この時点
t3で、ゲート回路3゜を開とし、G2S の下で励
磁コイル5に電流を流し、今度は第8図(イ)に示すよ
うに90’パルス−を印加し、第9図に)のように磁化
Mを一2!軸方向に強制的に向ける。
続いて、G”の印加を中止し、ゲート回路3oよシ矩形
波状に変調され出力された旺信号(18o0xパルス)
にて被検体を励起する。これにより磁化Mは第9図(ホ
)に示すように一斉に+21方向に向きが揃う。この時
点tで初めの時点と同じ状態に復帰することになる。た
だし、この方式では、物質のもつスピン−スピン緩和ま
たは横緩和による緩和が残り、t4の時点で磁化Mは完
全釦上向きにならす、Z’軸に一致するまでにTd待時
間要す。しがしながら、tの時点では磁化Mが2+軸か
ら僅かに分散しているだけであるところから、Tdは緩
和時間T□に比較して十分短く、例えば4τ程度である
・ところで、本発明においては、スライス両人の磁化M
がZl軸に一致するまでの時間(例えば4τ)すら待た
ないで、この間に、スライス両人とは異なった、従って
スライス両人の磁化の状態に影響されない別のスライス
面(例えば第10図におけるスライス面B、C)をオフ
セットの値を変えることによって選択し、第8図(ハ)
に示すシーケンス颯■と同様の7−ケンスを直ちに実行
するものである。
波状に変調され出力された旺信号(18o0xパルス)
にて被検体を励起する。これにより磁化Mは第9図(ホ
)に示すように一斉に+21方向に向きが揃う。この時
点tで初めの時点と同じ状態に復帰することになる。た
だし、この方式では、物質のもつスピン−スピン緩和ま
たは横緩和による緩和が残り、t4の時点で磁化Mは完
全釦上向きにならす、Z’軸に一致するまでにTd待時
間要す。しがしながら、tの時点では磁化Mが2+軸か
ら僅かに分散しているだけであるところから、Tdは緩
和時間T□に比較して十分短く、例えば4τ程度である
・ところで、本発明においては、スライス両人の磁化M
がZl軸に一致するまでの時間(例えば4τ)すら待た
ないで、この間に、スライス両人とは異なった、従って
スライス両人の磁化の状態に影響されない別のスライス
面(例えば第10図におけるスライス面B、C)をオフ
セットの値を変えることによって選択し、第8図(ハ)
に示すシーケンス颯■と同様の7−ケンスを直ちに実行
するものである。
すなわち、第8図に)に示すように、オフ七、トの値を
SAからSBとし、スライス面Bを選択し、第8図(イ
)に示すように1直ちに90@パルスを印加し、1時間
経過後180°−Xパルス、続いてτ時間経過後90°
パルスを印加する。なお、このシーケンス遥■において
、X勾配磁場G″¥配磁場Gの大き xI
y さけ、ここではシーケンス煮■の場合と同じであシ、ジ
−タンスA■と同じ投影方向α、(第6図例参照)の1
10ジエクシ冒ンの信号を得る。以下、同じようにして
、オフセットの値をSBからS。とじ、スライス画人及
びBとは異なった、従ってこれら各スライス面の磁化の
状態に影響されない別のスライス面Cを選択し、シーケ
ンス墓■を実行する。
SAからSBとし、スライス面Bを選択し、第8図(イ
)に示すように1直ちに90@パルスを印加し、1時間
経過後180°−Xパルス、続いてτ時間経過後90°
パルスを印加する。なお、このシーケンス遥■において
、X勾配磁場G″¥配磁場Gの大き xI
y さけ、ここではシーケンス煮■の場合と同じであシ、ジ
−タンスA■と同じ投影方向α、(第6図例参照)の1
10ジエクシ冒ンの信号を得る。以下、同じようにして
、オフセットの値をSBからS。とじ、スライス画人及
びBとは異なった、従ってこれら各スライス面の磁化の
状態に影響されない別のスライス面Cを選択し、シーケ
ンス墓■を実行する。
これによって、スライス面Cにおいて、投影方向α、の
1プロジエクシ璽ンの信号を得る。
1プロジエクシ璽ンの信号を得る。
このように、シーケンス墓■からシーケンス墓■の連続
するシーケンスの実行によりて、n枚のスライス面A−
Nについて、それぞれ投影方向α。
するシーケンスの実行によりて、n枚のスライス面A−
Nについて、それぞれ投影方向α。
の1プロジ工クシ璽ン信号を得る。
これによシ、1シーケンスが高速化され石工に、待ち時
間Td区間に他のスライス面のデータが得られ、見かけ
上更に高速化されることKなる◇なお、スライス面λ〜
Nを選択するためのオフセットを発生させる方法拡、次
のいずれかの手法によりても実現できる。
間Td区間に他のスライス面のデータが得られ、見かけ
上更に高速化されることKなる◇なお、スライス面λ〜
Nを選択するためのオフセットを発生させる方法拡、次
のいずれかの手法によりても実現できる。
(1)静磁場H0の値を各シーケンスごとく変化させる
。
。
01)z勾配磁場コイル(第7図(イ)の31)K各シ
ーケンスごとに変化する同方向電流を与える。
ーケンスごとに変化する同方向電流を与える。
また、磁場オフセットは加えずにRfパルスの周波数を
各シーケンスごとに変化させてスライス面A〜Nを選択
することもできる。
各シーケンスごとに変化させてスライス面A〜Nを選択
することもできる。
シーケンス墓■が終了した時点では、シーケンス扁■の
実行によって選択されたスライス画人の磁化MO状態は
、シーケンスム■〜ム■までの実行の間に1シ一ケンス
厘■の終了から4τ以上経過しているので、z゛軸に向
いたものとなっている。
実行によって選択されたスライス画人の磁化MO状態は
、シーケンスム■〜ム■までの実行の間に1シ一ケンス
厘■の終了から4τ以上経過しているので、z゛軸に向
いたものとなっている。
シーケンスAn+1では、再びオフセットの値を、第8
図(ホ)に示すようにスライス画人を選択するようにシ
ーケンスA■と同様のSAとし、今度は!勾配磁場GO
値を、第8図(ハ)に示すようにGx工からGx2 ’
またy勾配磁場Gの値を、第8図に)K示すようにG、
1からG、2とする。これによってスライス画人におい
て、投影の方向をα2としたプロジェクシ嘗ンの信号を
得る。続いてシーケンスi n+2では、スライス面B
において投影の方向がα2としたプロジェクシ雪ンの信
号を得る。以下同じように各スライス面C−Nにおいて
投影の方向がα2であるグロジェクシ璽ンの信号を得る
ためのシーケンス(シーケンス16 n+3〜A2n)
を実行する0以後、同様セして各シーケンスを繰シ返し
、各スライス面人〜Nについて、各投影方向からのプロ
ジェクシ璽ンの信号(例えば各スライス面λ〜Nについ
て、投影方向α1からα までの128プロジエクシ1
)の信号)を得る◇ コンビエータ13は、各シーケンスにおいて、例えばは
じめに出力される旧共鳴信号をフーリエ変換し、xmc
′rと同様な公知の手法(例えばfilter−−ed
back projection )によって各スラ
イス画人〜Nを単位としてそれぞれ再構成演算を行ない
、各スライス面λ〜Nの断層像を得、これを表示器14
に順次あるいは必要なスライス面を選択して表示す るO なお、実施例では、1回のシーケンスにおいて、印加す
るRFパルスを90°x ・” 1.80 ’−x
−90°−x ”180 ’ x としたが、本発明
に係る装置の特徴は、第2の90@パルスで磁化Mを全
て下方に向けることにある。従って、例えば、90°X
・・・1.80 ’ 7 ・−・90@x °1
80@−x (180@y のRFパルスは、位相差9
0”のRF倍信号用いて作られる)の位相関係で、所定
の原子核にパルスを加えるようにしても良い。
図(ホ)に示すようにスライス画人を選択するようにシ
ーケンスA■と同様のSAとし、今度は!勾配磁場GO
値を、第8図(ハ)に示すようにGx工からGx2 ’
またy勾配磁場Gの値を、第8図に)K示すようにG、
1からG、2とする。これによってスライス画人におい
て、投影の方向をα2としたプロジェクシ嘗ンの信号を
得る。続いてシーケンスi n+2では、スライス面B
において投影の方向がα2としたプロジェクシ雪ンの信
号を得る。以下同じように各スライス面C−Nにおいて
投影の方向がα2であるグロジェクシ璽ンの信号を得る
ためのシーケンス(シーケンス16 n+3〜A2n)
を実行する0以後、同様セして各シーケンスを繰シ返し
、各スライス面人〜Nについて、各投影方向からのプロ
ジェクシ璽ンの信号(例えば各スライス面λ〜Nについ
て、投影方向α1からα までの128プロジエクシ1
)の信号)を得る◇ コンビエータ13は、各シーケンスにおいて、例えばは
じめに出力される旧共鳴信号をフーリエ変換し、xmc
′rと同様な公知の手法(例えばfilter−−ed
back projection )によって各スラ
イス画人〜Nを単位としてそれぞれ再構成演算を行ない
、各スライス面λ〜Nの断層像を得、これを表示器14
に順次あるいは必要なスライス面を選択して表示す るO なお、実施例では、1回のシーケンスにおいて、印加す
るRFパルスを90°x ・” 1.80 ’−x
−90°−x ”180 ’ x としたが、本発明
に係る装置の特徴は、第2の90@パルスで磁化Mを全
て下方に向けることにある。従って、例えば、90°X
・・・1.80 ’ 7 ・−・90@x °1
80@−x (180@y のRFパルスは、位相差9
0”のRF倍信号用いて作られる)の位相関係で、所定
の原子核にパルスを加えるようにしても良い。
第11図は本発明をスピンワープ法に適用したものであ
る。第8図に示すPR法と基本的に異なるところは勾配
磁場Gx、 Gyの与え方である。スピンワープ法では
、第1の90’パルスと第1の180 ’パルスの区間
において、まず同図(ハ)のように!方向勾配磁場gx
f:tx時間印加する。これによシスピンをX方向に位
相コード化したことになる。一方これと同時に1回図に
)に示すように、上記第1の90’パルx ト第1の:
L80 ”パルス印加の間で、極性の異なるy方向勾配
磁場gア、g、’を順次印加する。gyによって分散し
たスピンはg、゛によって集合し、同図(へ)に示すよ
うなエコー信号となる。
る。第8図に示すPR法と基本的に異なるところは勾配
磁場Gx、 Gyの与え方である。スピンワープ法では
、第1の90’パルスと第1の180 ’パルスの区間
において、まず同図(ハ)のように!方向勾配磁場gx
f:tx時間印加する。これによシスピンをX方向に位
相コード化したことになる。一方これと同時に1回図に
)に示すように、上記第1の90’パルx ト第1の:
L80 ”パルス印加の間で、極性の異なるy方向勾配
磁場gア、g、’を順次印加する。gyによって分散し
たスピンはg、゛によって集合し、同図(へ)に示すよ
うなエコー信号となる。
次の、第1の180@パルスと第2の90°パルス印加
の区間では、同図(ハ)、に)のように前区間と同一な
Xおよびy勾配磁場を時間軸が反転した関係で印加する
。この場合、第1の1800パルスの印加のため再び工
;−信号が現れる。その後は第8図の場合と同様に第2
の90’パルスと第2の180゜パルスによって磁化M
は熱平衡状態になる。
の区間では、同図(ハ)、に)のように前区間と同一な
Xおよびy勾配磁場を時間軸が反転した関係で印加する
。この場合、第1の1800パルスの印加のため再び工
;−信号が現れる。その後は第8図の場合と同様に第2
の90’パルスと第2の180゜パルスによって磁化M
は熱平衡状態になる。
以後、同一なy方向勾配磁場g、、 g、’を用い、!
方向勾配磁場gxと印加時間txの積の値を所定の関係
で適宜に変えつつシーケンスを繰シ返す。
方向勾配磁場gxと印加時間txの積の値を所定の関係
で適宜に変えつつシーケンスを繰シ返す。
各シーケンスにおける2つのエコー信号の内少なくとも
一方のエコー信号が検出され、2次元フ勤−変換が施さ
れ、画像再構成に用いられる・なお、gx ” txを
変える場合少なくとも一方は固定で他方のみ変えるよう
な態様であってもよい0以上のように動作する本発明の
パルスシーケンスによれば、Mzの分布およびスライス
形状を従来の分析計用DEFr法の場合に対比して示せ
ば、第12図および第13図の実線Cのようになシ、従
来のような欠点が解消されていることが分かる。
一方のエコー信号が検出され、2次元フ勤−変換が施さ
れ、画像再構成に用いられる・なお、gx ” txを
変える場合少なくとも一方は固定で他方のみ変えるよう
な態様であってもよい0以上のように動作する本発明の
パルスシーケンスによれば、Mzの分布およびスライス
形状を従来の分析計用DEFr法の場合に対比して示せ
ば、第12図および第13図の実線Cのようになシ、従
来のような欠点が解消されていることが分かる。
(発明の効果)
以上述べたように、本発明によれば、第8図に示したパ
ルスシーケンスにより、1ビニ−分のシーケンスが終了
した時点で強制的に、かつ正確にスライス面内外すべて
の磁化Mを熱平衡状態(又はその近傍)にすることがで
きる0そのため、従来法(例えば、SR法)のよりにT
1による自然緩和を待つ必要がなく、パルスシーケンス
の間11ilヲ短縮でき、スキャンタイムを短縮するこ
とができる。
ルスシーケンスにより、1ビニ−分のシーケンスが終了
した時点で強制的に、かつ正確にスライス面内外すべて
の磁化Mを熱平衡状態(又はその近傍)にすることがで
きる0そのため、従来法(例えば、SR法)のよりにT
1による自然緩和を待つ必要がなく、パルスシーケンス
の間11ilヲ短縮でき、スキャンタイムを短縮するこ
とができる。
更に、各パルスシーケンス間の待ち時間を有効利用すべ
く待ち時間中罠他のスライス面を励起してエコー信号を
検出できるようにし、見かけ上パルスシーケンスを高速
化することができる。
く待ち時間中罠他のスライス面を励起してエコー信号を
検出できるようにし、見かけ上パルスシーケンスを高速
化することができる。
第1図は本発明の実施例装置の構成図、第2図は水素原
子のスピンを説明する図、第3図は水素原子の磁気モー
メントを模式化した図、第4図は水素原子の原子核が磁
場の方向に揃う状態を説明する図、第5図は爺による検
査パルス波形の一例を示す図、第6図は磁化Mを回転座
標系に表示した図、第7図は磁場用コイルの一例を示す
構造図、第8図は本発明に係るシーケンスを説明するた
めの動作波形図、第9図は本発明の手法によるそれぞれ
の時点での磁化MO方向を回転座標系上に示した説明図
、第10図は被検体のスライス面を示す説明図、第11
図は本発明の手法をスピンワープ法に適用した場合のシ
ーケンスを説明するための動作波形図、第12図は第8
図のシーケンスを連続的に実行し動的平衡状態に達した
状態をコンビエータシミエレーシ茸ンした結果を示した
図、第13図は第12図のMzの状態に第1の90°パ
ルスと2勾配磁場Gzを印加して選択励起した後のNM
R信号強度を表わした図である。 1・・・静磁場用フィル、2・・・静磁場用コイルの制
御回路、3・・・勾配磁場用コイル、4・・・勾配磁場
用コイルの制御回路、5・・・励磁コイル、6・・・旺
発振器、7・・・パワーアンプ、8・・・検出コイル、
9・・・増幅器、10・・・位相検波回路、11・・・
ウェーブメモリ回路、13・・・コンビ島−タ、14・
・・表示器、2o・・・コントローラ、30・・・ゲー
ト回路、31・・・8勾配磁場用コイル、32.33・
・・1勾配磁場用コイル。 7¥12図 (イ) (ロ) (イ) (0) 尾5図 to ↑1 第6図 (イ) (ロ)篇7図 (イ) (ロ) 第9図 (イ) (ロ) (ハ)(ニ)
(ホ) 第10囚 BJ n牧のスライス面
子のスピンを説明する図、第3図は水素原子の磁気モー
メントを模式化した図、第4図は水素原子の原子核が磁
場の方向に揃う状態を説明する図、第5図は爺による検
査パルス波形の一例を示す図、第6図は磁化Mを回転座
標系に表示した図、第7図は磁場用コイルの一例を示す
構造図、第8図は本発明に係るシーケンスを説明するた
めの動作波形図、第9図は本発明の手法によるそれぞれ
の時点での磁化MO方向を回転座標系上に示した説明図
、第10図は被検体のスライス面を示す説明図、第11
図は本発明の手法をスピンワープ法に適用した場合のシ
ーケンスを説明するための動作波形図、第12図は第8
図のシーケンスを連続的に実行し動的平衡状態に達した
状態をコンビエータシミエレーシ茸ンした結果を示した
図、第13図は第12図のMzの状態に第1の90°パ
ルスと2勾配磁場Gzを印加して選択励起した後のNM
R信号強度を表わした図である。 1・・・静磁場用フィル、2・・・静磁場用コイルの制
御回路、3・・・勾配磁場用コイル、4・・・勾配磁場
用コイルの制御回路、5・・・励磁コイル、6・・・旺
発振器、7・・・パワーアンプ、8・・・検出コイル、
9・・・増幅器、10・・・位相検波回路、11・・・
ウェーブメモリ回路、13・・・コンビ島−タ、14・
・・表示器、2o・・・コントローラ、30・・・ゲー
ト回路、31・・・8勾配磁場用コイル、32.33・
・・1勾配磁場用コイル。 7¥12図 (イ) (ロ) (イ) (0) 尾5図 to ↑1 第6図 (イ) (ロ)篇7図 (イ) (ロ) 第9図 (イ) (ロ) (ハ)(ニ)
(ホ) 第10囚 BJ n牧のスライス面
Claims (1)
- (1)被検体に静磁場(H_0)を与える手段と、被検
体に勾配磁場を与える手段と、 被検体の組織を構成する原子の原子核に核磁気共鳴を与
えるための高周波パルスを印加する手段とを備え、生じ
た核磁気共鳴信号のうち、必要な信号を利用して被検体
の組織に関する画像を得る装置において、 下記(イ)ないし(ニ)よりなるシーケンス機能を有し
た制御手段を具備したことを特徴とするNMR画像装置
。 記 (イ)第1の90°パルス、第1の180°パルス、第
2の90°パルス、第2の180°パルスの順に印加す
る。 (ロ)前記第1および第2の90°パルス印加は、同時
に勾配磁場を与える手段を付勢して第1の勾配磁場も印
加し特定のスライス面のみを励起する選択励起とし、 前記第1および第2の180°パルス印加は勾配磁場を
印加しない非選択励起とする。 (ハ)前記第2の180°パルスは第2の90°パルス
印加直後に印加する。 (ニ)上記シーケンスを繰り返すとき、シーケンス間の
待ち時間中に、前記(イ)ないし(ハ)と同様であるが
、各ビューにおいて互いに異なるスライス面が順次選択
されるように第1の勾配磁場を変化させ、1スキャンで
複数面の画像用データを採取できるようにする。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59202453A JPS6179147A (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | Nmr画像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59202453A JPS6179147A (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | Nmr画像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6179147A true JPS6179147A (ja) | 1986-04-22 |
JPH0322772B2 JPH0322772B2 (ja) | 1991-03-27 |
Family
ID=16457773
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59202453A Granted JPS6179147A (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | Nmr画像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6179147A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6082841A (ja) * | 1983-10-12 | 1985-05-11 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 核磁気共鳴による検査装置 |
JPS60166849A (ja) * | 1984-10-26 | 1985-08-30 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Nmr画像装置 |
-
1984
- 1984-09-27 JP JP59202453A patent/JPS6179147A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6082841A (ja) * | 1983-10-12 | 1985-05-11 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 核磁気共鳴による検査装置 |
JPS60166849A (ja) * | 1984-10-26 | 1985-08-30 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Nmr画像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0322772B2 (ja) | 1991-03-27 |
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