JPS6148201A - 低雑音増幅器 - Google Patents
低雑音増幅器Info
- Publication number
- JPS6148201A JPS6148201A JP16926184A JP16926184A JPS6148201A JP S6148201 A JPS6148201 A JP S6148201A JP 16926184 A JP16926184 A JP 16926184A JP 16926184 A JP16926184 A JP 16926184A JP S6148201 A JPS6148201 A JP S6148201A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- amplifier circuit
- amplifier
- noise amplifier
- low noise
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マイクロ波ないしミリ波帯の無線装置に用い
られる低雑音増幅器に関する。
られる低雑音増幅器に関する。
マイクロ波ないしミリ波帯の無線通信、特に衛星通信に
おいては、受信電波が極めて微弱であるため、受信装置
の受信部（アンテナ）の直後に用いる増幅器を、増幅器
自身の発する雑音が極めて低レベルの低雑音増幅器とす
ることが必要である。
おいては、受信電波が極めて微弱であるため、受信装置
の受信部（アンテナ）の直後に用いる増幅器を、増幅器
自身の発する雑音が極めて低レベルの低雑音増幅器とす
ることが必要である。
増幅器の雑音レベル低減の方法として、増幅器を冷却す
る方法が従来一般に採用されている。
る方法が従来一般に採用されている。
従来の冷却式低雑音増幅器の構造は、増幅回路を金属筐
体内に収容し、この筐体を冷却装置により冷却するよう
にしたものであり、その−例を第４図に縦断面図で示し
である。同図中、符号１が増幅回路を示し、これは増幅
素子、例えばＦＥＴ（電界効果トランジスタ）チップ１
ａをキャリア１ｂに搭載してマイクロ波Ｉ Ｃ（ＭＩり
化したものである。増幅回路１は金属の筐体２内に収容
され、入力（ＩＮ）及び出方（ＯＵＴ）用の導波管３．
４に同軸線路を介して結合されている。筺体２及び導波
管３，４はケース５内に収容され、更にケース５内には
電子冷却モジュール６を低温側が筐体２の底面に、また
高温側がケース５にそれぞれ接する如く多段配置しであ
る。これにより筺体２が冷却され、増幅回路が一５０℃
程度に冷却される。尚、符号７はケース５内に詰められ
た断熱材を示し、符号８はケース外面に設けられた放熱
フィンを示すＯ 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記のように従来技術は、増幅回路を金属筐体中に収容
し、この筐体を介して間接的に冷却する構造であるため
、構造が複雑であるという問題だけでなく、筐体を含む
被冷却部が大形で熱容量が大きぐ且つ外部からの熱流入
が多いので冷却効率が悪いという問題がある。その対策
として近年では上記例の如く増幅回路’ｉ ＭＩＣ化す
るなど、被冷却部の小形化が図られているが、それにも
限界がある。
体内に収容し、この筐体を冷却装置により冷却するよう
にしたものであり、その−例を第４図に縦断面図で示し
である。同図中、符号１が増幅回路を示し、これは増幅
素子、例えばＦＥＴ（電界効果トランジスタ）チップ１
ａをキャリア１ｂに搭載してマイクロ波Ｉ Ｃ（ＭＩり
化したものである。増幅回路１は金属の筐体２内に収容
され、入力（ＩＮ）及び出方（ＯＵＴ）用の導波管３．
４に同軸線路を介して結合されている。筺体２及び導波
管３，４はケース５内に収容され、更にケース５内には
電子冷却モジュール６を低温側が筐体２の底面に、また
高温側がケース５にそれぞれ接する如く多段配置しであ
る。これにより筺体２が冷却され、増幅回路が一５０℃
程度に冷却される。尚、符号７はケース５内に詰められ
た断熱材を示し、符号８はケース外面に設けられた放熱
フィンを示すＯ 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記のように従来技術は、増幅回路を金属筐体中に収容
し、この筐体を介して間接的に冷却する構造であるため
、構造が複雑であるという問題だけでなく、筐体を含む
被冷却部が大形で熱容量が大きぐ且つ外部からの熱流入
が多いので冷却効率が悪いという問題がある。その対策
として近年では上記例の如く増幅回路’ｉ ＭＩＣ化す
るなど、被冷却部の小形化が図られているが、それにも
限界がある。
本発明による低雑音増幅器は、上記問題点を解決するた
めに、導波管の一部をカットオフ形状に形成し、該カッ
トオフ形状部分にＭＩＣ化された増幅回路を実装し、更
に該増幅回路を直接冷却可能な冷却装置を備えた構成と
したものである。
めに、導波管の一部をカットオフ形状に形成し、該カッ
トオフ形状部分にＭＩＣ化された増幅回路を実装し、更
に該増幅回路を直接冷却可能な冷却装置を備えた構成と
したものである。
上記構造においては、ＭＩＣ化した増幅回路を導波管の
力、トオフ形状部分に実装しであるので、構造が単純で
小形となシ、シかも増幅回路を直接冷却するので効率的
な冷却が可能である。
力、トオフ形状部分に実装しであるので、構造が単純で
小形となシ、シかも増幅回路を直接冷却するので効率的
な冷却が可能である。
尚、導波管を熱伝導の小さい材料で形成すれば、外部か
らの熱流入が小さく、冷却効率を一層向上し得る。
らの熱流入が小さく、冷却効率を一層向上し得る。
以下、図面を参照して本発明の実゛施例を詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明による低雑音増幅器の一実施例の縦断面
図である。同図中、符号１０は導波管を示し、第２図は
この導波管１０の水平断面図である。導波管１０は熱伝
導率の小さい材料、例えばグラスチック材料で作られ、
その表面に金属メッキを施したものである。第１図及び
第２図に示すように、導波管１０の中央部分１１は両端
の入出力部に対して高さ及び横幅が共にチーｚｆ−状に
狭められ、いわゆるカットオフ形状に形成されている。
図である。同図中、符号１０は導波管を示し、第２図は
この導波管１０の水平断面図である。導波管１０は熱伝
導率の小さい材料、例えばグラスチック材料で作られ、
その表面に金属メッキを施したものである。第１図及び
第２図に示すように、導波管１０の中央部分１１は両端
の入出力部に対して高さ及び横幅が共にチーｚｆ−状に
狭められ、いわゆるカットオフ形状に形成されている。
との導波管１０のカットオフ形状部分１１に増幅回路１
２が実装されている。この増幅回路はＦＥＴチッ７’１
２ａ’ｉキャリア１２ｂ上に搭載してなるＭＩＣ化され
たものであシ、キャリア１２ｂを導波管１０の底壁に形
成した穴に嵌入させた状態で実装しである。導波管１０
と増幅回路１２との結合は、図示してないが、アンテナ
による電界結合、またはループあるいはりツノによる磁
界結合等、周知の結合構造である。尚、導波管１０への
増幅回路１２の実装作業は、例えば導波管１０を上下二
分割構造とすることによシ容易に実施可能である。
２が実装されている。この増幅回路はＦＥＴチッ７’１
２ａ’ｉキャリア１２ｂ上に搭載してなるＭＩＣ化され
たものであシ、キャリア１２ｂを導波管１０の底壁に形
成した穴に嵌入させた状態で実装しである。導波管１０
と増幅回路１２との結合は、図示してないが、アンテナ
による電界結合、またはループあるいはりツノによる磁
界結合等、周知の結合構造である。尚、導波管１０への
増幅回路１２の実装作業は、例えば導波管１０を上下二
分割構造とすることによシ容易に実施可能である。
導波管１０はケース１３内に両端部を７ランノ１４で固
定されて収容されている。そし、てケース１３に電子冷
却モノュール１５を低温側が増幅回路１２のキャリア１
２ｂに、また高温側がケース１３にそれぞれ接するよう
に多段配置されている。゛これにより増幅回路１２は一
５０℃程度に冷却さく５） 、
。
定されて収容されている。そし、てケース１３に電子冷
却モノュール１５を低温側が増幅回路１２のキャリア１
２ｂに、また高温側がケース１３にそれぞれ接するよう
に多段配置されている。゛これにより増幅回路１２は一
５０℃程度に冷却さく５） 、
。
れる◎尚、符号１６及び１７はそれぞれ断熱材及び放熱
フィンを示す。
フィンを示す。
尚また、第１図及び第２図の実施例では導波管１０のカ
ットオフ形状部分１１を高さ及び横幅の両方をチー・臂
−状に狭めて形成しであるが、カットオフ形状としては
幅を狭めるだけで十分であり、高さを狭めることは必ず
しも必要ない。しかし高さも狭めることは、導波管と増
幅回路との結合効率向上に寄与する。
ットオフ形状部分１１を高さ及び横幅の両方をチー・臂
−状に狭めて形成しであるが、カットオフ形状としては
幅を狭めるだけで十分であり、高さを狭めることは必ず
しも必要ない。しかし高さも狭めることは、導波管と増
幅回路との結合効率向上に寄与する。
更に、導波管のカットオフ形状としてはテーノｆ−形状
に限定されない。例えば、第３図に示す他の実施例の導
波管１０Ａのカットオフ形状部分１１Ａはステップ形状
であり、これでもチー／４’ −形状の場合とほぼ同様
の機能が得られる。
に限定されない。例えば、第３図に示す他の実施例の導
波管１０Ａのカットオフ形状部分１１Ａはステップ形状
であり、これでもチー／４’ −形状の場合とほぼ同様
の機能が得られる。
本発明によれば、増幅回路を導波管の内部に実装するた
め、従来のように増幅回路を収容する筐体を用いる必要
がなく、構造が非常に簡単になる。
め、従来のように増幅回路を収容する筐体を用いる必要
がなく、構造が非常に簡単になる。
また、増幅回路を直接冷却できるので、従来のように金
属筐体を介して間接的に冷却する場合に比べて、被冷却
部の熱容量が小さく、それだけ冷却効率の向上が可能で
ある。
属筐体を介して間接的に冷却する場合に比べて、被冷却
部の熱容量が小さく、それだけ冷却効率の向上が可能で
ある。
更に、前述したように導波管を熱伝導率の小さい材料で
作れば、外部からの熱流入を少なくでき、冷却効率の一
層の向上を実現可能である。
作れば、外部からの熱流入を少なくでき、冷却効率の一
層の向上を実現可能である。
第１図及び第２図は本発明による低雑音増幅器の一実施
例を示す図で、第１図はそれの縦断面図、第２図はそれ
の導波管の水平断面図である。 第３図は本発明の他の実施例の導波管の水平断面図であ
る。 第４図は従来の低雑音増幅器の一例の縦断面図である。 １０．１０Ａ・・・導波管、１１．１１Ａ・・・カット
オフ形状部分、１２・・・増幅回路、１２ａ・・・ＦＥ
Ｔチッノ、１２ｂ・・・キャリア、１３・・・ケース、
１４・・・７ランジ、１５・・・電子冷却モジュール、
１６・・・断熱材、１７・・・放熱フィン。 も１図 第３図
例を示す図で、第１図はそれの縦断面図、第２図はそれ
の導波管の水平断面図である。 第３図は本発明の他の実施例の導波管の水平断面図であ
る。 第４図は従来の低雑音増幅器の一例の縦断面図である。 １０．１０Ａ・・・導波管、１１．１１Ａ・・・カット
オフ形状部分、１２・・・増幅回路、１２ａ・・・ＦＥ
Ｔチッノ、１２ｂ・・・キャリア、１３・・・ケース、
１４・・・７ランジ、１５・・・電子冷却モジュール、
１６・・・断熱材、１７・・・放熱フィン。 も１図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、導波管の一部をカットオフ形状に形成し、該カット
オフ形状部分にマイクロ波ＩＣ化された増幅回路を実装
し、更に該増幅回路を直接冷却可能な冷却装置を備えた
ことを特徴とする低雑音増幅器。 ２、導波管が熱伝導率の小さい材料で形成されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の低雑音増幅
器。 ３、冷却装置が電子冷却モジュールであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項に記載の低雑音増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16926184A JPS6148201A (ja) | 1984-08-15 | 1984-08-15 | 低雑音増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16926184A JPS6148201A (ja) | 1984-08-15 | 1984-08-15 | 低雑音増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6148201A true JPS6148201A (ja) | 1986-03-08 |
Family
ID=15883226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16926184A Pending JPS6148201A (ja) | 1984-08-15 | 1984-08-15 | 低雑音増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6148201A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6236366B1 (en) | 1996-09-02 | 2001-05-22 | Olympus Optical Co., Ltd. | Hermetically sealed semiconductor module composed of semiconductor integrated circuit and antenna element |
| JP6289770B2 (ja) * | 2016-03-18 | 2018-03-07 | 三菱電機株式会社 | 移相回路および給電回路 |
-
1984
- 1984-08-15 JP JP16926184A patent/JPS6148201A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6236366B1 (en) | 1996-09-02 | 2001-05-22 | Olympus Optical Co., Ltd. | Hermetically sealed semiconductor module composed of semiconductor integrated circuit and antenna element |
| JP6289770B2 (ja) * | 2016-03-18 | 2018-03-07 | 三菱電機株式会社 | 移相回路および給電回路 |
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